显示面板及其制造方法
【专利摘要】在一个方面，提供了一种显示面板及其制造方法。显示面板包括：非发射区域层，具有多个发射区域和开口的以连接相邻的发射区域的连接区域；有机发射层，形成在所述多个发射区域的每个发射区域中；对电极，形成在发射区域和连接区域中；以及包封层，形成在对电极上。
【专利说明】显示面板及其制造方法
[0001]本申请要求于2012年8月31日提交到韩国知识产权局的第10-2012-0096787号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
【技术领域】
[0002]所描述的技术总体上涉及一种设备和一种制造方法，更具体地讲，所描述的技术总体上涉及一种显示面板及其制造方法。
【背景技术】
[0003]有机发光显示设备包括正极、负极以及形成在正极和负极之间的有机发射层，电子和空穴在有机发射层中复合从而发光。
[0004]另外，有机发光显示器可以包括如上所述的包括显示面板以发光的自发射显示设备。由于视角宽、响应速度快和功耗低以及重量轻且厚度小，使得这样的自发射显示面板可以具有和显示装置一样的优良特性。
[0005]此外，用于显示全色的显示面板可以采用光学谐振结构，以改变从不同颜色的像素(例如，红色像素、绿色像素和蓝色像素)中的每个像素的有机发射层发射的波长的光学长度。
【发明内容】
[0006]当前实施例提供了一种能够防止氧和湿气的渗透并且能够延长寿命的显示面板及其制造方法。
[0007]—些实施例提供了一种显示面板，所述显示面板包括:非发射区域层，具有多个发射区域和开口的以连接相邻的发射区域的连接区域；有机发射层，形成在每个发射区域中；对电极，形成在发射区域和连接区域中；以及包封层，形成在对电极上。
[0008]在一些实施例中，对电极可以包括:多个第一对电极，分别形成在有机发射层上；以及第二对电极，形成在连接区域中。
[0009]在一些实施例中，包封层可以由低液相线温度材料形成。
[0010]在一些实施例中，低液相线温度材料可以包括锡氟磷酸盐玻璃、钨掺杂的锡氟磷酸盐玻璃、硫属化物玻璃、亚碲酸盐玻璃、硼酸盐玻璃和磷酸盐玻璃中的至少一种。
[0011]在一些实施例中，锡氟磷酸盐玻璃可以包括24重量％至80重量％的锡(Sn)、2重量％至20重量％的磷(P)、3重量％至20重量％的氧(O)和10重量％至36重量％的氟(F)。
[0012]在一些实施例中，包封层可以具有小于等于200°C的熔点。在一些实施例中，包封层可以具有从大约150°C至大约200°C的范围内的熔点。
[0013]一些实施例提供了一种显示面板的制造方法，该方法包括下述步骤:第一步一形成具有多个发射区域和开口的以连接相邻的发射区域的连接区域的非发射区域层；第二步一在没有形成所述多个发射区域和连接区域的非发射区域层上形成包封层；第三步一在每个发射区域中形成有机发射层；以及第四步:在发射区域和连接区域中形成对电极，并且熔化包封层以密封对电极。
[0014]在一些实施例中，第二步可以包括:形成用于遮挡发射区域和连接区域的掩模的步骤；以及通过使用该掩模使非发射区域层上的包封层图案化的步骤。
[0015]在一些实施例中，包封层可以形成在非发射区域层的至少一部分上。
[0016]在一些实施例中，第四步可以包括使非发射区域层、包封层和有机发射层相对于地表面以特定的角度倾斜的步骤。
[0017]在一些实施例中，第四步可以包括使包封层熔化至小于等于200°C的温度。
[0018]在一些实施例中，对电极可以包括:多个第一对电极，分别形成在有机发射层上；以及第二对电极，用于连接所述多个第一对电极。
[0019]在一些实施例中，包封层可以由低液相线温度材料形成。
[0020]在一些实施例中，低液相线温度材料可以包括锡氟磷酸盐玻璃、钨掺杂的锡氟磷酸盐玻璃、硫属化物玻璃、亚碲酸盐玻璃、硼酸盐玻璃和磷酸盐玻璃中的至少一种。
[0021]在一些实施例中，锡氟磷酸盐玻璃可以包括24重量％至80重量％的锡(Sn)、2重量％至20重量％的磷(P)、3重量％至20重量％的氧(O)和10重量％至36重量％的氟(F)。
【专利附图】
【附图说明】
[0022]通过参照附图对当前实施例的示例性实施例的详细描述，当前实施例的上述和其它特征和优点将变得更加明显，在附图中:
[0023]图1是根据当前实施例的一方面的显示面板的剖视图；
[0024]图2至图18是用于描述图1中示出的显示面板的制造方法的图。
【具体实施方式】
[0025]在下文中，将参照附图通过解释实施例的多个方面来详细地描述本公开。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，且不应该解释为局限于在这里所提出的实施例；相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完整的，并且这些实施例将把本发明的构思充分地传达给本领域的普通技术人员。这里使用的术语是出于描述具体实施例的目的，而不意图限制本发明。如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一个(种)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。还应理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。将理解的是，尽管在这里可使用术语第一、第二、第三等来描述不同的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开来。
[0026]如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任意组合和所有组合。当诸如“……中的至少一个(种)”的表述位于一系列元件(要素)后面时，修饰整个系列的元件(要素)而不是修饰所述系列中的单个元件(要素)。
[0027]图1是根据实施例的显示面板1000的剖视图。[0028]参照图1，显示面板1000可以包括多个发射区域IOOa形成在其中的非发射区域层100。在一些实施例中，非发射区域层100可以包括开口的用以连接发射区域IOOa的连接区域(未示出)。具体地讲，连接区域可以在非发射区域层100中形成为凹槽。
[0029]在一些实施例中，显示面板1000可以包括形成在每个发射区域IOOa中的有机发射层200。
[0030]在一些实施例中，显示面板1000可以包括形成在非发射区域层100上以连接相邻的发射区域IOOa的对电极300。在一些实施例中，对电极300可以包括单独地形成在有机发射层200上的多个第一对电极310和形成在连接区域中的第二对电极330。下面将具体描述第一对电极310和第二对电极330。
[0031]在一些实施例中，第二对电极330可以形成在非发射区域层100的未形成有发射区域IOOa的连接区域中。在一些实施例中，第二对电极330可以连接形成在发射区域IOOa中的第一对电极310。
[0032]在一些实施例中，显示面板1000可以包括形成在对电极300上的包封层400。在一些实施例中，包封层400可以被图案化并且只结合到没有形成对电极300的部分上，然后可以在热的作用下熔化以覆盖对电极300。在一些实施例中，包封层400可以形成在没有形成发射区域IOOa和连接区域的非发射区域层100上。
[0033]在一些实施例中，包封层400可以由低液相线温度(LLT)材料形成。在一些实施例中，包封层400可以包括锡氟磷酸盐玻璃、钨掺杂的锡氟磷酸盐玻璃、硫属化物玻璃、亚碲酸盐玻璃、硼酸盐玻璃和磷酸盐玻璃中的至少一种。
[0034]在一些实施例中，锡氟磷酸盐玻璃可以包括24重量％至80重量％的锡(Sn)、2重量％至20重量％的磷(P)、3重量％至20重量％的氧(O)和10重量％至36重量％的氟(F)。
[0035]在一些实施例中，包封层400可以具有等于或小于200°C的熔点。因此，如果形成包封层400然后使其熔化，那么可以防止由于热导致的显示面板1000的组件的损坏。
[0036]现在将具体描述显示面板1000的制造方法。
[0037]图2至图18是用于描述图1中示出的显示面板的制造方法的图。
[0038]参照图2至图18，为了制造显示面板1000，首先，可以形成非发射区域层100。在一些实施例中，可以在基板10上顺序地形成缓冲层110和半导体层120。
[0039]参照图2，基板10可以由包括SiOJt为主要组分的透明玻璃材料形成。在一些实施例中，可以在基板10上形成包括例如SiO2和/或SiNx的缓冲层110，以使基板10平坦化并且防止不纯元素的渗透。
[0040]在一些实施例中，可以通过使用诸如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、大气压化学气相沉积(APCVD)、低压化学气相沉积(LPCVD)的各种气相沉积法来气相沉积缓冲层110和半导体层120。
[0041]在一些实施例中,可以在缓冲层110上气相沉积半导体层120。在一些实施例中，半导体层120可以由非晶硅或者多晶硅形成。使非晶硅结晶的方法包括诸如快速热退火(RTA)、固相结晶(SPC)、准分子激光退火(ELA)、金属诱导结晶(MIC)、金属诱导横向结晶(MILC)以及顺序横向固化(SLS)的各种方法。
[0042]参照图3，将第一光致抗蚀剂Pl涂覆在半导体层120上，通过使用包括遮光部分Mll和透光部分M12的第一光掩模Ml来执行第一掩模工艺。
[0043]尽管在图3中未示出，但是在第一掩模工艺的一些实施例中，可以通过使用曝光装置(未示出)使第一光掩模Ml暴露于光，然后执行诸如显影、蚀刻和剥离或灰化的一系列工艺。
[0044]参照图4，作为第一掩模工艺的结果，将半导体层120形成为薄膜晶体管(TFT)的活性层121。在一些实施例中，将半导体层120图案化为电容器的第一电极122，第一电极122由与活性层121相同的材料并且在与活性层121相同的水平面上形成。
[0045]在一些实施例中，蚀刻方法不限于正性光刻法来蚀刻对应于如图3和图4中示出的透光部分M12，也可以使用负性光刻法来蚀刻对应于遮光部分Mll的部分。上述原理同样应用于下面的工艺。
[0046]在一些实施例中，如图5中所示，在图4的结构上顺序地堆叠第一绝缘层130、第一透明导电层140和第一金属层150。
[0047]在一些实施例中，第一绝缘层130可以包括Si02、SiNx等的单层或多层，并且起着TFT的栅极绝缘层和电容器的介电层的作用。
[0048]在一些实施例中，第一透明导电层140可以包括从由氧化铟锡(ΙΤ0)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)组成的组中选择的
至少一种。
[0049]在一些实施例中，第一金属层150可以包括从由铝(Al)、钼(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钥(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)组成的组中选择的至少一种金属。在一些实施例中，图5中示出的第一金属层150可以包括Al。
[0050]在一些实施例中，第一金属层150可以包括多个金属层150a、150b和150c。在一些实施例中，Al可以用于形成位于中间的金属层150b，Mo用于形成顶部和底部处的金属层150a和金属层150c,从而形成Mo/Al/Mo的三层结构。然而，第一金属层150不限于此,并且可以通过使用各种材料和各种层来形成。
[0051 ] 参照图6，可以将第二光致抗蚀剂P2涂覆在第一金属层150上，可以通过使用包括遮光部分M21和透光部分M22的第二光掩模M2来执行第二掩模工艺。
[0052]如图7中所示，作为第二掩模工艺的结果，分别将第一透明导电层140和第一金属层150图案化为像素电极的基体层141和151、TFT的栅电极143和153以及电容器的第二电极145和155。
[0053]在一些实施例中，参照图8，可以通过使用因第二掩模工艺而形成的栅电极143和153作为自对准掩模来用离子杂质掺杂活性层121。结果，活性层121包括用离子杂质掺杂的源极区域121a和漏极区域121b以及位于二者之间的沟道区域121c。在一些实施例中，可以通过使用栅电极143和153作为自对准掩模而不使用附加的光掩模来形成源极区域121a和漏极区域121b。
[0054]在一些实施例中，如图9中所示，将第二绝缘层160和第三光致抗蚀剂P3涂覆在作为第二掩模工艺的结果而形成的结构上，通过使用包括遮光部分M31和透光部分M32的第三光掩模M3来执行第三掩模工艺。
[0055]参照图10，在一些实施例中，作为第三掩模工艺的结果，在第二绝缘层160中形成用于暴露像素电极的基体层141和151的第一开口 H1、用于暴露TFT的源极区域121a和漏极区域121b的接触孔H3和H4以及用于暴露电容器的第二电极145和155的第二开口H5。
[0056]在一些实施例中，也可以在第三掩模工艺中在第一开口 Hl与接触孔H3和H4之间形成穿透第二绝缘层160的通孔H2。
[0057]在一些实施例中，参照图11，在图10的结构上形成第二金属层190和第四光致抗蚀剂P4，可以通过使用包括遮光部分M41和透光部分M42的第四光掩模M4来执行第四掩模工艺。
[0058]在一些实施例中，第二金属层190可以包括从由Al、Pt、Pd、A g、Mg、Au、N1、Nd、Ir、Cr、L1、Ca、Mo、T1、W和Cu组成的组中选择的至少一种金属。在一些实施例中，图11中示出的第二金属层190可以包括Al。
[0059]在包括第四掩模工艺的一些实施例中，一起蚀刻第二金属层190的在第一开口 Hl中的部分和像素电极的可由与第二金属层190相同的材料形成的第一金属层151的在第一开口 Hl中的部分，可以使像素电极的第一透明导电层141暴露。在一些实施例中，可以一起蚀刻第二金属层190的在第二开口 H5中的部分和电容器的在第二开口 H5中的第二金属层 155。
[0060]在一些实施例中，第二金属层190的形成在第二绝缘层160的通孔H2和接触孔H3、H4中的部分形成源电极191和漏电极193。
[0061]在一些实施例中，参照图12，源电极191和漏电极193填充在通孔H2以及接触孔H3和H4中。在一些实施例中，源电极191接触源极区域121a和剩余在第二绝缘层160下方的像素电极上的第一金属层151a，漏电极193接触漏极区域121b。
[0062]然后，如图13中所示，可以在图12的结构上形成第三绝缘层170，可以通过使用包括遮光部分M51和透光部分M52的第五光掩模M5来执行第五掩模工艺。在一些实施例中，第三绝缘层170可以形成为有机绝缘层或者无机绝缘层。
[0063]参照图14A和图14B，作为第五掩模工艺的结果，可以在源电极191和漏电极193以及第一透明导电层141的边缘上形成像素限定层。像素限定层暴露像素电极的第一透明导电层141。
[0064]在一些实施例中，如果像素限定层暴露像素电极的第一透明导电层141，那么可以形成发射区域100a。在一些实施例中，发射区域IOOa可以形成为部分是开口的。这里，除了发射区域IOOa之外，还可以形成连接区域100b。在一些实施例中，可以类似于上述形成发射区域IOOa的方法形成连接区域100b。
[0065]非发射区域层100不限于上述方法并且可以通过使用各种方法形成。例如，尽管在上面的描述中限制了掩模的数量，但是可以通过使用不同数量和不同形式的掩模来形成非发射区域层100。
[0066]在一些实施例中，参照图15A至图17，如果可以如上所述地形成发射区域100a，那么可以在非发射区域层100上形成包封层400。在一些实施例中，包封层400可以形成在未形成发射区域IOOa和连接区域IOOb的非发射区域层100上。
[0067]参照图15A至图15C，如上针对图1所述，包封层400可以包括低液相线温度材料并且可以被图案化在非发射区域层100上。[0068]在一些实施例中，可以通过使用掩模在非发射区域层100上形成包封层400。在一些实施例中，该掩模可以覆盖当形成包封层400时形成对电极300的部分。
[0069]在一些实施例中，当使包封层400图案化时，可以通过使用普通的光刻工艺来形成包封层400。因此，包封层400可以被图案化在没有形成对电极300的非发射区域层100上。在一些实施例中，包封层400可以形成在没有形成发射区域IOOa和连接区域IOOb的非发射区域层100上。
[0070]在一些实施例中，参照图16A，包封层400可以以各种形式形成在非发射区域层100上。在一些实施例中，包封层400可以以带的形式形成在非发射区域层100上。例如，包封层400可以形成在发射区域IOOa之间。包封层400是不连续的。
[0071 ] 在一些实施例中，参照图17A，除了上述形式之外，包封层400还可以以岛的形式形成在非发射区域层100上。例如，包封层400可以仅仅形成在发射区域IOOa之间的区域的部分上，包封层400的图案可以彼此分隔开特定的距离。
[0072]在一些实施例中，参照图15D、图15E、图16B和图17B，有机发射层200和对电极300形成在像素电极的上方。在这种情况下，有机发射层200可以由低分子或者高分子有机材料形成。
[0073]在一些实施例中，如果有机发射层200由低分子有机材料形成，那么有机发射层200可以被包括在中间层(未示出)中。在一些实施例中，中间层可以形成在像素电极和非发射区域层100上。
[0074]作为中间层，相对于有机发射层200，空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)等可以堆叠在朝着像素电极的方向上，电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等堆叠在朝着第二电极层的方向上。
[0075]除了上述层之外，还可以根据需要堆叠各种层。在这种情况下，可以使用诸如铜酞菁(CuPc)、N，N' -二(萘-1-基)_N，N' - 二苯基联苯胺(NPB)和三8羟基喹啉铝(Alq3)的各种有机材料。
[0076]在一些实施例中，如果有机发射层200由高分子有机材料形成，则作为中间层，只有HTL可以相对于有机发射层200在朝着像素电极的方向上。在一些实施例中，HTL可以由聚(2，4)-乙烯二羟基噻吩(PEDOT)或者聚苯胺(PANI)形成，并且可以通过使用喷墨印刷法或者旋涂法形成。在这种情况下，可以使用聚苯撑乙烯撑(PPV)类高分子有机材料和聚芴类高分子有机材料，可以通过使用诸如喷墨印刷法、旋涂法或使用激光的热转移印刷法的普通方法来形成颜色图案。
[0077]在一些实施例中，包括有机发射层200的中间层可以根据像素通过改变有机发射层200的厚度或者另一个有机发射层(未示出)的厚度而不是有机发射层200的厚度来实现光学谐振结构。
[0078]在下文中，为了便于解释，将代表性地详细描述没有形成中间层时的代表性实施例。
[0079]在一些实施例中，在如上所述形成有机发射层200后，可以在非发射区域层100上气相沉积对电极300作为共电极。在一些实施例中，如上针对图1所述，对电极300可以包括形成在有机发射层200上的第一对电极310和形成在包封层400的图案之间的第二对电极 330。[0080]在一些实施例中，第一对电极310可以形成在有机发射层200上，如果如上所述地形成对电极300，那么第二对电极330可以连接第一对电极310。在一些实施例中，第一对电极310可以形成在发射区域IOOa中，第二对电极330可以形成在连接区域IOOb中。在一些实施例中，第二对电极330可以形成在没有形成包封层400的非发射区域层100上以及连接区域IOOb中。
[0081]在一些实施例中，参照图15D，在如上所述地形成包封层400后，可以用对电极300涂覆发射区域IOOa和连接区域100b。在一些实施例中，如上针对图1所述，对电极300可以涂覆在连接区域IOOb中以连接相邻的发射区域100a。
[0082]在一些实施例中，参照图16B，如上针对图16A所述，可以以带的形式形成包封层400，然后，可以形成对电极300。在一些实施例中，对电极300可以涂覆在没有形成包封层400的非发射区域层100上。
[0083]在一些实施例中，对电极300可以形成在发射区域IOOa和连接区域IOOb中，并且还可以形成在没有形成包封层400的发射区域IOOa的附近。
[0084]在一些实施例中，对电极300可以将形成在相邻的发射区域IOOa中的第一对电极310连接至第二对电极330。在一些实施例中，形成在发射区域IOOa中的第一对电极310可以比发射区域IOOa大，因此，相邻的第一对电极310可以彼此连接。
[0085]参照图17B，如果包封层400以岛的形式形成，则对电极300还可以形成在没有形成包封层400的非发射区域层100上。
[0086]在一些实施例中，在第一对电极310连接至第二对电极330并且形成对电极300的情况下，如上所述，在没有形成包封层400的非发射区域层100上，相邻的第一对电极310可以彼此连接。
[0087]在一些实施例中，像素电极被用作阳极，对电极300被用作阴极，反之亦然。
[0088]在一些实施例中，对电极300可以形成为包括反射材料的反射电极，并且可以起着用于反射从有机发射层200发射的光的反射镜的作用，以实现光学谐振结构。在一些实施例中，对电极300可以包括从由铝(Al)、镁(Mg)、锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)和氟化锂/铝(LiF/Al)组成的组中选择的至少一种。
[0089]在一些实施例中，参照图15F、图16C、图17C和图18，如果完全如上所述地形成对电极300，那么显示面板1000可以暴露于等于或小于200°C的环境。在这种情况下，如果如上所述地暴露显示面板1000，那么形成在对电极300上的包封层400可以熔化。
[0090]在一些实施例中，如果显不面板1000相对于地表面倾斜,那么包封层400可以朝着对电极300流动。在一些实施例中，当显示面板1000如上所述地倾斜时，显示面板1000可以水平地或垂直地重复旋转。
[0091]在一些实施例中，如果显示面板1000如上所述地移动，那么包封层400可以覆盖形成在发射区域IOOa中的第一对电极310和第二对电极330的表面。
[0092]如果如上所述地形成包封层400，那么在形成包封层400以密封对电极300和有机发射层200的期间，可以防止由于热而导致的易受到热的影响的有机发射层200的损坏。
[0093]在一些实施例中，在显示面板1000的制造方法过程中，可以简单地且迅速地密封对电极300。在一些实施例中，由于在密封时使用了低液相线温度材料，所以可以确保对抗外部冲击的高可靠性并且可以增加显示面板1000的寿命。[0094]一些实施例提供了可以被简单地且迅速地密封的对电极。另外，因为在密封时使用了低液相线温度材料，所以可以确保对抗外部冲击的高可靠性并且可以增加显示面板的寿命。
[0095]尽管已经参照实施例的示例性实施例具体地示出和描述了这些实施例,但是本领域的普通技术人员应该理解，在不脱离由权利要求所限定的当前实施例的精神和范围的情况下，可以在此做出形式和细节上的各种改变。
【权利要求】
1.一种显示面板，所述显示面板包括: 非发射区域层，具有多个发射区域和开口的以连接相邻的发射区域的连接区域； 有机发射层，形成在所述多个发射区域的每个发射区域中； 对电极，形成在发射区域和连接区域中；以及 包封层，形成在对电极上。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，对电极包括: 多个第一对电极，单独地形成在有机发射层上；以及 第二对电极，形成在连接区域中。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，包封层由低液相线温度材料形成。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其中，低液相线温度材料包括锡氟磷酸盐玻璃、钨掺杂的锡氟磷酸盐玻璃、硫属化物玻璃、亚碲酸盐玻璃、硼酸盐玻璃和磷酸盐玻璃中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其中，低液相线温度材料包括锡氟磷酸盐玻璃，锡氟磷酸盐玻璃包括24重量％至80重量％的锡、2重量％至20重量％的磷、3重量％至20重量％的氧和10重量％至36重量％的氟。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其中，包封层具有等于或小于200°C的熔点。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述多个发射区域被构造为部分是开口的。`
8.根据权利要求1所述的显示面板，其中，包封层是不连续的。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其中，包封层为岛的形式。
10.根据权利要求8所述的显示面板，其中，包封层为带的形式。
11.根据权利要求1所述的显示面板，其中，对电极包含从由铝、镁、锂、钙、氟化锂/钙和氟化锂/铝组成的组中选择的至少一种。
12.一种制造显示面板的方法，所述方法包括下述步骤: 第一步:形成具有多个发射区域和开口的以连接相邻的发射区域的连接区域的非发射区域层； 第二步:在没有形成所述多个发射区域和连接区域的非发射区域层上形成包封层； 第三步:在每个发射区域中形成有机发射层；以及 第四步:在发射区域和连接区域中形成对电极，并且使包封层熔化以密封对电极。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，第二步包括: 形成用于遮挡发射区域和连接区域的掩模的步骤；以及 通过使用所述掩模将包封层图案化在非发射区域层上的步骤。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，包封层形成在非发射区域层的至少一部分上。
15.根据权利要求12所述的方法，其中，第四步包括使非发射区域层、包封层和有机发射层倾斜的步骤。
16.根据权利要求12所述的方法，其中，第四步包括使包封层熔化至等于或小于200°C的温度。
17.根据权利要求12所述的方法，其中，对电极包括: 多个第一对电极，单独地形成在有机发射层上；以及 第二对电极，用于连接所述多个第一对电极。
18.根据权利要求12所述的方法，其中，包封层由低液相线温度材料形成。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，低液相线温度材料包括锡氟磷酸盐玻璃、钨掺杂的锡氟磷酸盐玻璃、硫属化物玻璃、亚碲酸盐玻璃、硼酸盐玻璃和磷酸盐玻璃中的至少一种。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，锡氟磷酸盐玻璃包括24重量％至80重量％的锡、2重量％至20重量 ％的磷、3重量％至20重量％的氧和10重量％至36重量％的氟。
【文档编号】H01L51/52GK103681748SQ201310119803
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年4月8日 优先权日:2012年8月31日
【发明者】金旻首, 朴镇宇, 玄元植 申请人:三星显示有限公司