清洗液生成装置及方法、基板清洗装置及方法
【专利摘要】本发明提供一种能够提高清洗性能的清洗液生成装置、清洗液生成方法、基板清洗装置以及基板清洗方法。实施方式的清洗液生成装置（2）包括：混合部（13），在酸性或者碱性的液体中混合双氧水而生成混合液，通过上述双氧水分解而产生的氧气或者因反应热而产生的蒸气，使该生成的混合液的压力升高；以及气泡产生部（14），使上述混合液（13）的被上述混合部升高了的压力释放，从而使上述混合液中产生多个微小气泡。
【专利说明】清洗液生成装置及方法、基板清洗装置及方法
【技术领域】
[0001]本发明的实施方式涉及清洗液生成装置、清洗液生成方法、基板清洗装置以及基板清洗方法。
【背景技术】
[0002]基板清洗装置是向基板供给清洗液、对该基板进行清洗处理(例如，抗蚀剂层剥离、颗粒去除、金属去除等)的装置。该基板清洗装置广泛应用于例如半导体装置、液晶显示装置等的制造工序。在半导体装置的制造工序中，作为对涂覆于半导体基板的抗蚀剂层进行剥离的技术使用如下技术:通过硫酸和双氧水(又称作过氧化氢水)混合而成的SPM(Sulfuric acid and Hydrogen Peroxide Mixture:硫酸和双氧水的混合物)处理液来去除抗蚀剂层。
[0003]使用该SPM处理液进行的半导体基板的单片清洗具有将硫酸和双氧水在半导体基板上混合的方法、将硫酸和双氧水混合后喷到半导体基板上的方法等。在上述利用SPM处理液进行的清洗之后，对半导体基板进行水洗以及干燥后，或者在上述水洗之后再利用其它的清洗药液进行再次清洗并进行水洗以及干燥后，将半导体基板搬运到下一工序。
[0004]然而，仅利用上述那样的SPM处理液进行清洗时，清洗不充分，因此需要提高清洗性能。例如，在向半导体基板的表面进行了离子注入的情况下，在该离子注入之后，抗蚀剂膜的表面硬化(变质)。通过上述的SPM处理液难以去除该硬化的抗蚀剂层，在半导体基板上会残留抗蚀剂的残渣。
【发明内容】
[0005]本发明要解决的问题是，提供一种能提高清洗性能的清洗液生成装置、清洗液生成方法、基板清洗装置以及基板清洗方法。
[0006]实施方式的清洗液生成装置包括:混合部，在酸性或者碱性的液体中混合双氧水而生成混合液，通过上述双氧水分解而产生的氧气或者因反应热而产生的蒸气，使该生成的混合液的压力升高；以及气泡产生部，使上述混合液的被上述混合部升高了的压力释放，从而使上述混合液中产生多个微小气泡。
[0007]实施方式的清洗液生成方法包括:在酸性或者碱性的液体中混合双氧水而生成混合液，通过上述双氧水分解而产生的氧气或者因反应热而产生的蒸气，使该生成的混合液的压力升高的工序；和使上述混合液的升高了的压力释放，从而使上述混合液中产生多个微小气泡的工序。
[0008]实施方式的基板清洗装置包括:混合部，在酸性或者碱性的液体中混合双氧水而生成混合液，通过上述双氧水分解而产生的氧气或者因反应热而产生的蒸气，使该生成的混合液的压力升高；气泡产生部，使上述混合液的被上述混合部升高了的压力释放，从而使上述混合液中产生多个微小气泡；以及清洗部，通过含有由上述气泡产生部产生的上述多个微小气泡的混合液，对基板进行清洗。[0009]实施方式的基板清洗方法包括:在酸性或者碱性的液体中混合双氧水而生成混合液，通过上述双氧水分解而产生的氧气或者因反应热而产生的蒸气，使该生成的混合液的压力升高的工序；使上述混合液的升高了的压力释放，从而使上述混合液中产生多个微小气泡的工序；和通过含有所产生的上述多个微小气泡的混合液对基板进行清洗的工序。
[0010]根据上述清洗液生成装置、清洗液生成方法、基板清洗装置或者基板清洗方法，能够提高清洗性能。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]图1是表示一实施方式的基板清洗装置的概略结构的图。
[0012]图2是表示图1所示的基板清洗装置所具有的混合部以及气泡产生部的概略结构的图。
[0013]图3是表示图1所示的基板清洗装置进行的基板清洗工序(包括清洗液生成工序在内)的流程的流程图。
【具体实施方式】
[0014]参照附图，对一实施方式进行说明。
[0015]如图1所示，实施方式的基板清洗装置I由用于生成清洗液的清洗液生成装置2、使用由该清洗液生成装置2生成的清洗液对基板W进行清洗的清洗部3以及对各部进行控制的控制部4构成。
[0016]清洗液生成装置2包括:加热并供给作为酸性液体的一例的硫酸的第I供给部
11、供给双氧水的第2供给部12、将自第I供给部11供给来的硫酸与自第2供给部12供给来的双氧水混合的混合部13、使利用由该混合部13生成的混合液中产生多个微小气泡的气泡产生部14、以及将含有由该气泡产生部14产生的多个微小气泡的混合液喷出的喷出配管15。
[0017]第I供给部11具有:用于贮存硫酸的罐等的第I贮存部11a、与该第I贮存部118相连接的循环配管lib、从该循环配管Ilb向混合部13供给硫酸的第I供给配管11c、向混合部13压送硫酸的第I压送部lid、以及对在循环配管Ilb中流动的硫酸进行加热的加热部 lie。
[0018]循环配管Ilb被连接成:第I贮存部Ila内的硫酸流过循环配管Ilb再返回到第I贮存部Ila内。在该循环配管Ilb的中途设有用于调整在循环配管Ilb中流动的硫酸的流量的流量调整阀VI。该流量调整阀Vl与控制部4电连接，根据该控制部4的控制对在循环配管Ilb中流动的硫酸的流量进行调整。例如，通过流量调整阀Vl将在循环配管Ilb中流动的硫酸的流量调整为恒定。
[0019]第I供给配管Ilc是将循环配管Ilb和混合部13连接起来的配管。该第I供给配管Ilc上设有使硫酸的流动方向为一个方向而防止逆流的止回阀V2、用于使第I供给配管Ilc导通/闭塞的开闭阀V3。该开闭阀V3与控制部4电连接，根据该控制部4的控制，使第I供给配管Ilc导通/闭塞、控制对混合部13的硫酸供给。
[0020]第I压送部Ild与控制部4电连接，根据该控制部4的控制，对硫酸进行加压，从而使硫酸在循环配管Ilb内循环，并且，将硫酸经由第I供给配管Ilc向混合部13压送。作为该第I压送部lid，例如可以使用泵。
[0021]加热部lie以能加热在循环配管Ilb中流动的硫酸的方式设于该循环配管Ilb的中途。该加热部Ile与控制部4电连接，根据该控制部4的控制，对在循环配管Ilb中流动的硫酸进行加热。作为该加热部lie，例如可以使用加热器。加热器温度设定在60°C?160°C的范围内(60°C以上且160°C以下的范围内)，例如设定为120°C，硫酸高温循环温度成为120°C。若是上述温度，则仅通过将被高温加热的硫酸和常温的双氧水混合在一起时的反应热，就能用于清洗工艺(清洗工艺的优选温度为例如140°C?180°C)，不会对基板W造成损伤，能高效地进行处理。
[0022]第2供给部12具有:用于贮存双氧水的缓冲罐等的第2贮存部12a、从该第2贮存部12a向混合部13供给双氧水的第2供给配管12b、以及向混合部13压送双氧水的第2压送部12c。
[0023]第2供给配管12b是将第2贮存部12a与混合部13连接起来的配管。在该第2供给配管12b上设有使双氧水的流动方向为一个方向而防止逆流的止回阀V4、使第2供给配管12b导通/闭塞的开闭阀V5。该开闭阀V5与控制部4电连接，根据该控制部4的控制，使第2供给配管12b导通/闭塞，控制对混合部13的双氧水供给。
[0024]第2压送部12c与控制部4电连接，根据该控制部4的控制，对双氧水加压而将双氧水经由第2供给配管12b向混合部13压送。作为该第2压送部12c，例如，可以使用泵。
[0025]混合部13为密闭构造，通过将自第I供给配管Ilc供给来的高温(例如，1200C )的硫酸与自第2供给配管12b供给来的常温的双氧水混合而生成混合液(SPM:硫酸和双氧水的混合物)。此外，混合部13是通过双氧水分解而产生的氧气或者因反应热而产生的蒸气，来提高其生成的混合液的压力的装置。
[0026]由于混合液的温度变高，因此该混合部13由例如氟树脂等能应对高温的树脂、或者SiC、Si3N4等陶瓷材料形成。在混合部13由陶瓷材料形成的情况下，由于陶瓷材料的耐热性较佳，因此能够容易地承受例如120°C?160°C等的高温。
[0027]如图2所示，上述混合部13具有:用于将自第I供给配管Ilc供给来的高温的硫酸与自第2供给配管12b供给来的常温的双氧水混合的混合配管13a、以及在该混合配管13a内对硫酸以及双氧水进行搅拌的搅拌构造13b。
[0028]混合配管13a是用于将被压送来的高温的硫酸与被压送来的常温的双氧水混合的配管。该混合配管13a以混合部13的容量变大的方式、即以混合配管13a的内径(粗细)比第I供给配管Ilc的内径以及第2供给配管12b的内径大的方式形成。由此，相比于混合配管13a的内径为第I供给配管Ilc的内径以及第2供给配管12b各自的内径以下的情况，能够使在混合配管13a的内部流动的混合液的流速减慢。若流速减慢，则供硫酸与双氧水反应的时间变长，因此即使配管长度较短，也能够充分进行反应。但是，并非一定要使混合配管13a的配管内径较大，只要能够获得供硫酸与双氧水充分反应的时间即可，混合配管13a的配管内径不大也可以。例如，也可以是:混合配管13a的配管内径与第I供给配管Ilc的内径以及第2供给配管12b的内径相同，而较长地设置混合配管13a的配管长度。
[0029]搅拌构造13b被设置为能够在混合配管13a的内部对硫酸以及双氧水进行搅拌，通过搅拌促进高温的硫酸与常温的双氧水之间的混合。作为该搅拌构造13b，例如，可以使用在混合部13的内壁上设置使流路成为螺旋状的多片叶片而成的搅拌构造。另外，在仅使用混合配管13a就能使硫酸与双氧水充分混合的情况下，也可以不设置搅拌构造13b。
[0030]另外，在上述混合部13设有用于对其内部的混合液的温度以及压力这两者进行检测的检测部13c。该检测部13c与控制部4电连接，将检测出的温度以及压力输出到控制部4。另外，作为检测部13c，除了使用对混合液的温度以及压力这两者都进行检测的检测部以外，还可以使用对混合液的温度以及压力中的任意一者进行检测的检测部。控制部4能够根据上述检测部13c的检测结果来控制加热部lie的温度设定，进而能够控制第I压送部lid、第2压送部12c的压力。
[0031]如图2所示，气泡产生部14具有:形成有能供混合液通过的贯通孔Hl的孔构件14a、以及用于调整该贯通孔Hl的开口度的调整机构14b。
[0032]与混合部13的配管13a的内径以及喷出配管15的内径相比，贯通孔Hl非常细，即形成为能够产生微小气泡。另外，调整机构14b与控制部4电连接，根据该控制部4的控制，对贯通孔Hl的开口度进行调整。另外，作为调整机构14b，例如，可以使用能使用于堵塞贯通孔Hl的构件移动而改变贯通孔Hl的开口度的调整机构。
[0033]此时，控制部4根据由检测部13c检测出的温度以及压力，通过调整机构14b控制贯通孔Hl的开口度，以稳定地产生所需的规定数量的微小气泡。例如，在由检测部13c检测出的温度、压力低于预先通过实验求出的所需的目标数量的微小气泡所需的温度、压力时，将贯通孔Hl的开口度控制得较窄。由此，能够稳定地得到含有目标数量的微小气泡的混合液。
[0034]该气泡产生部14连接于混合部13的流出口侧，混合部13内的混合液通到贯通孔Hl而压力得到释放，在混合液中产生大量的微小气泡。在混合部13中，混合液(溶液)的温度由于反应热(中和热)而为供给前的硫酸的温度以上，双氧水分解而产生水和氧气。并且，混合液的温度成为超过100°C的温度，因此水的一部分成为水蒸气。因此，在即将到达该气泡产生部14之处，在从贯通孔Hl通过的混合液中产生的气体(氧气以及蒸气)的作用下，内部压力升高而使混合液的沸点升高。并且，在含有气体的混合液从细小孔径的贯通孔Hl通过时，该混合液中的气体的气泡分裂而成为微小(细小)的气泡。
[0035]另外，作为气泡产生部14，除了使用孔构件14a以外，例如，还可以使用文丘里管等，只要是能在上述混合液中产生微小气泡的构造即可，其构造没有特别的限定。
[0036]在此，微小气泡是指包含微米等级气泡(MB)、微米纳米等级气泡、(MNB)、纳米等级气泡(NB)等概念的气泡。例如，微米等级气泡是指具有10 μ m?几十μ m的直径的气泡，微米纳米等级气泡是指具有几百nm?10 μ m的直径的气泡,纳米等级气泡是指具有几百nm以下的直径的气泡。
[0037]返回图1，喷出配管15是将含有由气泡产生部14产生的多个微小气泡的混合液喷出的配管，以其喷出侧的前端部以与基板W的表面相对的状态设于清洗部3内。含有微小气泡的液体具有能提高基板W的清洗效率的特性。微小气泡具有这样的性质:在液体中的上浮速度慢，能在液体中长时间停留，通过与基板W上存在的颗粒等异物接触而将异物吸附而去除异物。
[0038]喷出配管15形成为其内径(粗细)大于第I供给配管Ilc的内径以及第2供给配管12b的内径。由此，相比于喷出配管15的内径为第I供给配管Ilc的内径以及第2供给配管12b的内径以下的情况，能够降低在喷出配管15中流动的混合液的流速，因此，能够减轻自喷出配管15喷出的混合液对基板W的表面造成的损伤。
[0039]另外，喷出配管15在一部位具有弯曲成90度的弯曲部15a。即，喷出配管15具有至少一个作为弯曲部15a的弯曲成45度以上的弯曲部。由此，与喷出配管15为直线型的情况相比，能够降低在喷出配管15中流动的混合液的流速，因此，能够减轻自喷出配管15喷出的混合液对基板W的表面造成的损伤。并且，混合液中的微小气泡能够与喷出配管15的内壁发生碰撞，因此能够使微小气泡进一步分裂、细微化。
[0040]此外，喷出配管15具有用于使含有多个微小气泡的混合液的流速减低并且使微小气泡细微化的网构件15b。该网构件15b形成为网状，且设于喷出配管15的内部。由此，能够使在喷出配管15中流动的混合液的流速减低，因此，能够减轻自喷出配管15喷出的混合液对基板W的表面造成的损伤。并且，由于能够使混合液中的微小气泡分裂，因此，能够使微小气泡进一步细微化。
[0041]另外，上述喷出配管15使用内径(粗细)恒定的配管，但不限于此，例如，也可以使用火箭喷管形状(锥形)的配管。
[0042]清洗部3是使用含有大量微小气泡的混合液来将抗蚀剂膜从基板W的表面去除的清洗装置。该清洗部3包括:用于使基板W旋转的旋转机构3a、向通过该旋转机构3a而旋转的基板W上供给上述混合液的喷嘴3b。该喷嘴3b为喷出配管15的一端部，从该喷嘴3b喷出作为清洗液的上述混合液。S卩，在清洗部3中，从喷嘴3b朝向旋转的基板W的表面供给作为清洗液的含有大量微小气泡的混合液，从而从基板W的表面去除抗蚀剂膜。从基板W上流到清洗部3的底面的清洗液，流入与该底面相连接的排液管(未图示)而被排出。
[0043]在此，作为上述清洗部3，使用了从基板W的表面去除抗蚀剂膜的清洗部，但不限于此，例如，也可以使用从基板W的表面去除金属的清洗部、去除颗粒的清洗部。在该情况下，作为酸性液体，除了使用去除抗蚀剂膜用的硫酸(H2SO4)以外，还可以使用去除金属用的盐酸(HCl )，此外，作为碱性液体，也可以使用去除颗粒用的氢氧化铵(NH4OHX其中，在使用盐酸的情况下，盐酸与双氧水这两者的混合液成为HPM(盐酸和双氧水的混合物)。另外，在使用氢氧化铵的情况下，氢氧化铵与双氧水这两者的混合液成为APM(氢氧化铵和双氧水的混合物)。此外，作为清洗部3，不限于一边使基板W旋转一边进行处理的清洗部，也可以使用对基板W进行辊输送那样的清洗部。
[0044]控制部4包括对各部进行集中控制的微型计算机以及用于存储与清洗液生成以及基板清洗相关的处理信息、各种程序等的存储部。该控制部4根据处理信息、各种程序进行下述控制，即:通过清洗液生成装置2生成含有上述大量微小气泡的混合液(SPM:硫酸和双氧水的混合物)来作为清洗液，通过清洗部3利用该生成的混合液对基板W进行清洗。
[0045]接着，参照图3说明上述基板清洗装置I进行的基板清洗工序(包括生成清洗液的清洗液生成工序在内)。
[0046]如图3所示，实施方式的基板清洗工序包括:对硫酸进行加热的工序(步骤SI);将加热后的硫酸以及常温的双氧水混合的混合工序(步骤S2);使混合液中产生大量微小气泡的工序(步骤S3);通过混合液对基板进行清洗的工序(步骤S4);最后，对基板进行水洗、干燥的工序(步骤S5)。
[0047]详细而言，首先，通过第I压送部Ild而在循环配管Ilb中循环的硫酸被加热部Ile加热而被加热到规定温度(例如，120°C)(步骤SI)。通过该加热使在循环配管Ilb中循环的硫酸的温度以规定温度维持恒定。
[0048]之后，若通过控制部4使第I供给配管Ilc中的开闭阀V3以及第2供给配管12b中的开闭阀V5成为打开状态，则高温的硫酸以及常温的双氧水由于被压送而被供给到混合部13。供给来的高温的硫酸以及常温的双氧水在混合部13的作用下混合而生成混合液，并且该生成的混合液的压力升高(步骤S2)。
[0049]此时，在混合部13中，混合液(溶液)的温度由于反应热(中和热)而成为供给来的硫酸的温度以上，双氧水分解而生成水和氧气。并且，由于混合液的温度成为超过100°C的温度，因此水的一部分变成水蒸气。双氧水分解而产生的氧气或者因沸腾而产生的蒸气使得混合液的压力升高。另外，通过混合部13的搅拌构造13b对高温的硫酸和双氧水进行搅拌，也促进了硫酸和双氧水的混合。
[0050]接着，若压力升高后的混合液从气泡产生部14的贯通孔Hl通过，则由于压力得到释放而在该混合液中产生多个微小气泡(步骤S3)。此时，在气泡产生部14中，由于在混合液中产生了氧气以及蒸气，因此内部压力升高，引起混合液的沸点升高。并且，在含有氧气以及蒸气的混合液通过细小孔径的贯通孔Hl时，该混合液中的氧气以及蒸气的气泡分裂而成为微小的气泡。另外，与混合部13的配管13a的内径相比，贯通孔Hl非常细小，因此，该贯通孔Hl有助于混合液的压力上升。
[0051]之后，含有大量微小气泡的混合液流过喷出配管15，从该喷出配管15的前端部、即喷嘴3b朝向基板W的表面喷出，通过混合液从基板W的表面去除抗蚀剂膜，对基板W的表面进行清洗(步骤S4)。在进行该清洗时，基板W在旋转机构3a的带动下在平面内旋转。
[0052]在使用该混合液进行的清洗之后，对基板W进行水洗，在该水洗之后，进行干燥(步骤S5)，然后向下一制造工序搬运。另外，干燥可以采用下述方法，即:通过清洗部3的旋转机构3a使基板W旋转、利用所产生的离心力将基板W上的水甩掉的干燥方法，或者，在涂敷具有速干性的有机溶剂(例如，IPA:异丙醇)之后与上述同样地甩掉基板W上的有机溶剂的干燥方法等。
[0053]根据这样的基板清洗工序，被加热成高温的硫酸和常温的双氧水的混合所产生的反应热(中和热)使混合液的温度升高，因此能够利用高温以及高氧化能力去除有机抗蚀剂层。并且，通过双氧水分解而产生的氧气或者因沸腾而产生的蒸气，使混合液的压力升高，利用沸点升高，能够进一步提高混合液的温度，能够进一步提高去除抗蚀剂层的性能。此夕卜，通过双氧水分解而产生的氧气或者因沸腾而产生的蒸气致使压力升高了的混合液，随后从贯通孔Hl通过而压力得到释放，在混合液中产生多个微小气泡，能够通过含有该微小气泡的混合液将在基板W上碳化了的抗蚀剂层等残渣连同气泡一起容易地去除，因此能够提高清洗性能。并且，双氧水分解而产生的氧气或者因沸腾而产生的蒸气与混合液一起通到孔径细小的贯通孔H1，从而还能够使该混合液中的氧气以及蒸气分裂而成为微小的气泡。另外，由于硫酸在高温下也稳定，而双氧水在高温下会加速分解反应，因此，在混合之前不使双氧水成为高温。
[0054]另外，在混合部13中，混合配管13a的内径比第I供给配管Ilc的内径以及第2供给配管12b的内径大，因此混合液的流速降低。并且，对于喷出配管15，该喷出配管15的内径也比第I供给配管Ilc的内径以及第2供给配管12b的内径大，因此混合液的流速仍然会降低，并且，喷出配管15的弯曲部15a、网构件15b也会使混合液的流速降低。由此，在喷出配管15中流动的混合液的流速降低，能够减轻自喷出配管15喷出的混合液对基板W的表面造成的损伤。
[0055]此外，在气泡产生部14中，调整机构14b在控制部4的控制下，调整贯通孔Hl的开口度。即，控制部4根据由检测部13c检测出的温度以及压力对调整机构14b进行控制，以使贯通孔Hl的开口度成为能够稳定地产生目标数量的微小气泡的开口度。由此，能够稳定地得到含有目标数量的微小气泡的混合液。
[0056]另外，在喷出配管15中，该喷出配管15的弯曲部15a使得混合液中的大量微小气泡与喷出配管15的内壁发生碰撞。因此，能够使微小气泡分裂而细微化。并且，含有大量微小气泡的混合液从网构件15b通过，因此能够使微小气泡进一步分裂，因此能够使微小气泡进一步细微化。由此，能够稳定且可靠地得到含有大量微小气泡的混合液。
[0057]如以上说明的那样，根据实施方式，将双氧水混合到硫酸中而生成混合液，通过双氧水分解而产生的氧气或者因反应热而产生的蒸气，使其生成的混合液的压力升高，将混合液的该升高了的压力释放而在混合液中产生多个微小气泡。由此，通过双氧水分解而产生的氧气或者因沸腾而产生的蒸气，使混合液的压力升高，利用沸点升高，能够使混合液的温度上升，能够使从基板W的表面去除抗蚀剂膜的清洗性能得到提高。并且，含有双氧水分解而产生的氧气或者因沸腾而产生的蒸气的混合液的压力被释放，在混合液中产生多个微小气泡，能够通过含有该微小气泡的混合液容易地去除基板W上的抗蚀剂层等残渣，因此能够提高清洗性能。
[0058]以上说明了本发明的几个实施方式，但上述实施方式是作为例子而例示的，并非用于限定本发明的范围。这些新的实施方式能够利用其它的各种实施方式来实施，在不脱离本发明的主旨的范围内，能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形例包含在本发明的范围、主旨内，并且包含在权利要求书所记载的发明及其等同的范围内。
【权利要求】
1.一种清洗液生成装置，其特征在于，包括: 混合部，在酸性或者碱性的液体中混合双氧水而生成混合液，通过上述双氧水分解而产生的氧气或者因反应热而产生的蒸气，使该生成的混合液的压力升高；以及 气泡产生部，使上述混合液的被上述混合部升高了的压力释放，从而使上述混合液中产生多个微小气泡。
2.如权利要求1所述的清洗液生成装置，其特征在于， 该清洗液生成装置还包括: 加热部，对上述液体进行加热； 上述混合部将被上述加热部加热了的上述液体与上述双氧水混合。
3.如权利要求1或2所述的清洗液生成装置，其特征在于， 该清洗液生成装置还包括: 第I压送部，向上述混合部压送上述液体； 第2压送部，向上述混合部压送上述双氧水， 上述混合部是将由上述第I压送部压送来的上述液体与由上述第2压送部压送来的上述双氧水混合的混合配管。
4.如权利要求1或2所述的清洗液生成装置，其特征在于， 该清洗液生成装置还包括: 第I供给配管，向上述混合部供给上述液体； 第2供给配管，向上述混合部供给上述双氧水， 上述混合部的内径比上述第I供给配管的内径以及上述第2供给配管的内径大。
5.如权利要求1或2所述的清洗液生成装置，其特征在于， 上述混合部具有对上述液体和上述双氧水进行搅拌的搅拌构造。
6.如权利要求1或2所述的清洗液生成装置，其特征在于， 上述气泡产生部具有: 孔构件，形成有供上述混合液通过的贯通孔；以及 调整机构，调整上述贯通孔的开口度。
7.如权利要求6所述的清洗液生成装置，其特征在于， 该清洗液生成装置还包括: 检测部，检测上述混合部内的上述混合液的温度及压力的两者或其中任一者；以及控制部，根据由上述检测部检测出的上述温度及压力的两者或者其中的任一者，通过上述调整机构控制上述贯通孔的开口度。
8.如权利要求1或2所述的清洗液生成装置，其特征在于， 该清洗液生成装置还包括: 第I供给配管，向上述混合部供给上述液体； 第2供给配管，向上述混合部供给上述双氧水；以及 喷出配管，喷出含有由上述气泡产生部产生的上述多个微小气泡的混合液； 上述喷出配管的内径比上述第I供给配管的内径以及上述第2供给配管的内径大。
9.如权利要求1或2所述的清洗液生成装置，其特征在于， 该清洗液生成装置还包括:喷出配管，喷出含有由上述气泡产生部产生的上述多个微小气泡的混合液； 上述喷出配管具有至少一个45度以上的弯曲部。
10.如权利要求1或2所述的清洗液生成装置，其特征在于， 该清洗液生成装置还包括: 喷出配管，喷出含有由上述气泡产生部产生的上述多个微小气泡的混合液；以及 网构件，设置于上述喷出配管的中途。
11.如权利要求1或2所述的清洗液生成装置，其特征在于， 上述混合部由陶瓷材料形成。
12.一种清洗液生成方法，其特征在于，包括: 在酸性或者碱性的液体中混合双氧水而生成混合液，通过上述双氧水分解而产生的氧气或者因反应热而产生的蒸气，使该生成的混合液的压力升高的工序；和 使上述混合液的升高了的压力释放，从而使上述混合液中产生多个微小气泡的工序。
13.—种基板清洗装置，其特征在于，包括: 混合部，在酸性或者碱性的液体中混合双氧水而生成混合液，通过上述双氧水分解而产生的氧气或者因反应热而产生的蒸气，使该生成的混合液的压力升高； 气泡产生部，使上述混合液的被上述混合部升高了的压力释放，从而使上述混合液中产生多个微小气泡；以及 清洗部，通过含有由上述气泡产生部产生的上述多个微小气泡的混合液，对基板进行清洗。
14.一种基板清洗方法，其特征在于，包括: 在酸性或者碱性的液体中混合双氧水而生成混合液，通过上述双氧水分解而产生的氧气或者因反应热而产生的蒸气，使该生成的混合液的压力升高的工序； 使上述混合液的升高了的压力释放，从而使上述混合液中产生多个微小气泡的工序；和 通过含有所产生的上述多个微小气泡的混合液对基板进行清洗的工序。
【文档编号】H01L21/027GK103579053SQ201310341712
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2013年8月7日 优先权日:2012年8月9日
【发明者】宫崎邦浩, 林航之介 申请人:芝浦机械电子株式会社