专利名称：一种抑制串扰的影像传感器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种影像传感器，尤其涉及一种抑制串扰的影像传感器。
背景技术：
背照式影像传感器越来越多的应用于摄像头，然而背照式影像传感器的成像质量是摄像头摄像质量的一个重要制约因素，串扰是背照式影像传感器成像质量的一个重要影响因素，传统的工艺一般是采用金属遮蔽层来解决串扰问题，这虽然在一定程度上可以解决色彩串扰所带来的影像成像问题，然而由于金属遮蔽工艺本身的限制，遮蔽易形成锥状，所以会有串扰的问题产生。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种抑制串扰的影像传感器，在金属遮蔽层的均匀连续的梯形凹槽的两个侧面上和两个凹槽的连接处淀积淀积一层消光物质来解决串扰问题的产生。本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下:一种抑制串扰的影像传感器，包括载片、器件晶圆、光电二极管、高介电层，金属遮蔽层；所述高介电层为高介电常数的介质，影响影像传感器的灵敏；所述的金属遮蔽层为一层金属物质，在一定的程度上可以抑制串扰的产生；所述器件晶圆的正面与载片相接触，所述器件晶圆的背面上有一层高介电层，所述金属遮蔽层位于高介电层上，所述金属遮蔽层上设有均匀连续的梯形凹槽，所述光电二极管内嵌于器件晶圆的背面且正对于梯形凹槽的底部，在金属遮蔽层的均匀连续的梯形凹槽的两个侧面上和两个凹槽的连接处淀积有一层高消光物质层，凹槽的底部没有此高消光物质层，高消光物质可以吸收造成反射的入射光线，避免串扰的形成，所述消光物质层的
厚度范围为200A 700A，所述的消光物质层为氮化物，如氮氧化硅(sion)，氮化硅(SiN)，
氮化钛(TiN)，氮化钽(TaN)等。本实用新型的有益效果是:金属遮蔽层的均匀连续的梯形凹槽的两个侧面上和两个凹槽的连接处淀积淀积一层消光物质，解决了串扰问题的产生，提高了影像传感器的成
像质量。
图1为本实用新型一种抑制串扰的影像传感器的结构示意图。附图中，各标号所代表的部件列表如下:1、载片，2、器件晶圆,3、光电二极管,4、高介电层,5、金属遮蔽层,6、消光物质层。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。[0010]如图1所示，一种抑制串扰的影像传感器，包括载片1、器件晶圆2、光电二极管3、高介电层4，金属遮蔽层5，所述器件晶圆2的正面与载片I相接触，所述器件晶圆2的背面上有一层高介电层4,所述金属遮蔽层5位于高介电层4上,所述金属遮蔽层5上设有均勻连续的梯形凹槽，所述光电二极管3内嵌于器件晶圆2的背面且正对于金属遮蔽层5的梯形凹槽的下面，在金属遮蔽层5的均匀连续的梯形凹槽的均匀连续的梯形凹槽的两个侧面上和两个凹槽的连接处淀积淀积有一层高消光物质层6，金属遮蔽层5的梯形凹槽底部没
有此高消光物质层6，所述消光物质层6的厚度范围为200A~700A，所述的消光物质层6
为氮化物，可以为氮氧化硅(S10N)，氮化硅(SiN)，氮化钛(TiN)，氮化钽(TaN)等。所述高消光物质层6可以通过等离子体增强化学气相淀积或者炉管等生长，在金属遮蔽层5的表面淀积一层高消光物质层6后，通过干法蚀刻掉凹槽底部的高消光物质层6，其最佳的实施方式为采用等离子体增强化学气相淀积氮氧化硅的高消光物质层6，其中氮氧化娃高消光物质层6的厚度为4OOA。在现有技术中，没有高消光物质层6,由于金属遮蔽工艺本身的限制，遮蔽会形成锥状，入射光线经金属遮蔽层侧壁反射至相邻的光电二极管3，造成色彩的串扰，而在本实用新型中，增加了一层高消光物质层6，入射光线射入高消光物质层6的侧壁后，被高消光物质层6吸收，不会造成色彩的串扰，所以提高了影像传感器的成像质量。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种抑制串扰的影像传感器，包括载片、器件晶圆、光电二极管、高介电层，金属遮蔽层，所述器件晶圆的正面与载片相接触，所述器件晶圆的背面上有一层高介电层，所述金属遮蔽层位于高介电层上，所述金属遮蔽层上设有均匀连续的梯形凹槽，所述光电二极管内嵌于器件晶圆的背面且正对于梯形凹槽的底部，其特征在于:在金属遮蔽层的均匀连续的梯形凹槽的两个侧面上和两个凹槽的连接处淀积有一层高消光物质层。
2.根据权利要求1所述的一种抑制串扰的影像传感器，其特征在于:所述消光物质层的厚度范围为200A 700A。
3.根据权利要求1或2所述的一种抑制串扰的影像传感器，其特征在于:所述的消光物质层为氮化物。
专利摘要本实用新型涉及一种抑制串扰的影像传感器，包括载片、器件晶圆、光电二极管、高介电层，金属遮蔽层，所述器件晶圆的正面与载片相接触，所述器件晶圆的背面上有一层高介电层，所述金属遮蔽层位于高介电层上，所述金属遮蔽层上设有均匀连续的梯形凹槽，所述光电二极管内嵌于器件晶圆的背面且正对于梯形凹槽的下面，在金属遮蔽层的均匀连续的梯形凹槽的均匀连续的梯形凹槽的两个侧面上和两个凹槽的连接处淀积有一层高消光物质层，所述消光物质层的厚度范围为所述的消光物质层为氮化物，如氮氧化硅(SION)，氮化硅(SiN),氮化钛(TiN),氮化钽(TaN)等。金属遮蔽层上淀积一层消光物质，解决了串扰问题的产生，提高了影像传感器的成像质量。
文档编号H01L27/146GK203013728SQ20132001660
公开日2013年6月19日 申请日期2013年1月11日 优先权日2013年1月11日
发明者李平 申请人:陆伟