一种发光二极管的外延片结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及半导体发光【技术领域】，具体地说，涉及一种发光二极管的外延片结构。本实用新型包括金刚石衬底层，所述金刚石衬底层上方从下至上依次成型有GaN缓冲层、下GaN接触层、发光层、上GaN接触层以及透明导电层。本实用新型采用金刚石衬底层，可以避免GaN生长的晶体缺陷，另外还设计了透明导电层，可以增加发光层的透光率，增大发光功率。
【专利说明】一种发光二极管的外延片结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体发光【技术领域】，具体地说，涉及一种发光二极管的外延片结构。
【背景技术】
[0002]随着社会的发展，人们越来越重视节能环保，因此发光二极管被广泛的推广和使用，如LED灯。目前的大功率蓝光LED的外延结构，大多采用的是蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上依次成型有=GaN缓冲层、N-GaN接触层、发光层、P-GaN接触层、透明导电层。该外延片结构由于GaN层在生长时，GaN与蓝宝石AI2O3晶格不十分匹配，造成GaN有一定的晶格缺陷，这些缺陷将导致半导体的P-N结发生隧道击穿，降低了二极管的抗静电能力，容易失效；影响其性能参数。不能满足单颗的大功率的照明要求。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的在于解决现有技术的不足，提供一种发光二极管的外延片结构，具有该外延片结构的发光二极管的抗静电能力强，照明功率大。
[0004]为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案为:
[0005]一种发光二极管的外延片结构，包括金刚石衬底层，所述金刚石衬底层上方从下至上依次成型有GaN缓冲层、下GaN接触层、发光层、上GaN接触层以及透明导电层。
[0006]进一步地,所述金刚石衬底层的厚度为8(Tl00um。
[0007]进一步地，GaN缓`冲层包括低温GaN缓冲层和高温GaN缓冲层。
[0008]进一步地，所述发光层为InGaN/GaN发光层。
[0009]进一步地，所述下GaN接触层为n型GaN接触层，上GaN接触层为P型GaN接触层。
[0010]进一步地，所述上GaN接触层为n型GaN接触层，下GaN接触层为P型GaN接触层。
[0011]本实用新型在实施时，下GaN接触层和上GaN接触层分别为P型、n型的一种。
[0012]本实用新型取得的有益效果为:本实用新型采用金刚石衬底层，可以避免GaN生长的晶体缺陷，另外还设计了透明导电层，可以增加发光层的透光率。增大发光功率。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]图1为本实用新型的结构示意图。
[0014]附图标记为:
[0015]I——金刚石衬底层2——低温GaN缓冲层
[0016]3——高温GaN缓冲层4——下GaN接触层
[0017]5——发光层6——上GaN接触层
[0018]7——透明导电层。
【具体实施方式】[0019]下面结合附图对本实用新型做进一步地说明。
[0020]实施例1:。
[0021]一种发光二极管的外延片结构，包括金刚石衬底层，所述金刚石衬底层上方从下至上依次成型有GaN缓冲层、下GaN接触层、发光层、上GaN接触层以及透明导电层。
[0022]进一步地，所述金刚石衬底层的厚度为8(Tl00um。
[0023]本实用新型采用金刚石材料作为衬底层，金刚石的晶格与GaN的晶格参数较为接近，这样可以减少GaN缓冲层在金刚石衬底材料上生长时的晶格缺陷，为了让GaN缓冲层能够较好的生长，金刚石衬底层的厚度通过多次试验后，设置为8(Tl00Um。
[0024]进一步地，GaN缓冲层包括低温GaN缓冲层和高温GaN缓冲层。
[0025]为了让下GaN接触层能够在较高温度下较好的生长，将GaN缓冲层分为低温层和高温层，分别在两个不同的温度下生长，以使得高温GaN缓冲层与下GaN接触层的生长温度相近或相同。
[0026]其中，所述发光层为InGaN/GaN发光层。
[0027]所述下GaN接触层为η型GaN接触层，上GaN接触层为P型GaN接触层。
[0028]实施例2:—种发光二极管的外延片结构，与实施例1不同之处在于:所述上GaN接触层为η型GaN接触层，下GaN接触层为P型GaN接触层。
[0029]本实用新型作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的实质和范围。
【权利要求】
1.一种发光二极管的外延片结构，其特征在于:包括金刚石衬底层，所述金刚石衬底层上方从下至上依次成型有GaN缓冲层、下GaN接触层、发光层、上GaN接触层以及透明导电层。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管的外延片结构，其特征在于:所述金刚石衬底层的厚度为8(Tl00um。
3.根据权利要求1所述的一种发光二极管的外延片结构，其特征在于:GaN缓冲层包括低温GaN缓冲层和高温GaN缓冲层。
4.根据权利要求1所述的一种发光二极管的外延片结构，其特征在于:所述发光层为InGaN/GaN 发光层。
5.根据权利要求1所述的一种发光二极管的外延片结构，其特征在于:所述下GaN接触层为n型GaN接触层，上GaN接触层为P型GaN接触层。
6.根据权利要求1所述的一种发光二极管的外延片结构，其特征在于:所述上GaN接触层为n型GaN接触层，下GaN接触层为P型GaN接触层。
【文档编号】H01L33/44GK203406316SQ201320358931
【公开日】2014年1月22日 申请日期:2013年6月21日 优先权日:2013年6月21日
【发明者】牛志宇 申请人:东莞市德颖光电有限公司