一种零交叠的梳齿型电容组的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种零交叠的梳齿型电容组，包括相对设置的可动端和固定端，在可动端与固定端相对的端面上分别相向伸出一排上梳齿和下梳齿，其特征在于：所述上梳齿与下梳齿之间交错设置，且上梳齿、下梳齿的齿头对齐并在同一水平线上。本实用新型的零交叠的梳齿型电容组，上下梳齿之间无交叠，且上下梳齿处于同一水平面，面积利用率高，能够提供较大的电容变化量和较好的线性度。
【专利说明】—种零交叠的梳齿型电容组
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种电容组，尤其涉及一种零交叠的梳齿型电容组。
【背景技术】
[0002]微机电系统器件体积小、成本低、集成性好，已得以越来越广泛的应用，如在移动终端、相机防抖、游戏手柄、玩具飞机、导航等产品中。MEMS器件中，尤其是惯性器件中，如力口速度计和陀螺仪，往往会需要驱动或检测装置。驱动或检测可以通过压电、压阻及电容组等实现方式，其中电容组方式的驱动或检测方式应用最为广泛。电容式驱动依靠电容组两端在外加电压作用下的相对位移来实现。
[0003]电容组可以是平板电容组1，包括平板11和连接端12，平板11互相伸入至相对平板11之间的间隙13内，如图1。现有的另一种梳齿电容组2，包括梳齿21和两个连接端22，相对设置的梳齿21互相伸入至相对梳齿21之间的间隙23内，如图2。
[0004]在相同面积和相同相对位移前提下，平板电容组可以提供较大的电容变化量，不过线性度较差。普通梳齿电容组线性度较好，不过电容变化量较小。
实用新型内容
[0005]本实用新型的目的是解决现有技术中线性度较差、电容变化量较小的问题，提供一种零交叠的梳齿型电容组。
[0006]本实用新型的技术方案是:一种零交叠的梳齿型电容组，包括相对设置的可动端和固定端，在可动端与固定端相对的端面上分别相向伸出一排上梳齿和下梳齿，所述上梳齿与下梳齿之间交错设置，且上梳齿、下梳齿的齿头对齐并在同一水平线上。
[0007]所述上梳齿的梳齿长度相同。
[0008]所述上梳齿的相邻梳齿之间的间隙与所述下梳齿的相邻梳齿之间的间隙相同。
[0009]所述上梳齿与下梳齿的间隙相对，所述下梳齿与上梳齿的间隙相对。
[0010]本实用新型的零交叠的梳齿型电容组，上下梳齿之间无交叠，且上下梳齿处于同一水平面，面积利用率高，能够提供较大的电容变化量和较好的线性度。
[0011]【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1为现有技术中平板电容组的结构示意图；
[0013]图2为现有技术中梳齿电容组的结构示意图；
[0014]图3为本实用新型的结构示意图。
[0015]【具体实施方式】
[0016]为了使本实用新型实现的技术手段、技术特征、实用新型目的与技术效果易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。
[0017]如图3所示，一种零交叠的梳齿型电容组3，包括相对设置的可动端4和固定端5，在可动端4与固定端5相对的端面41、51上分别相向伸出一排上梳齿42和下梳齿52，上梳齿42的相邻梳齿之间的间隙43与所述下梳齿52的相邻梳齿之间的间隙53相同。[0018]上梳齿42的梳齿44与下梳齿52的间隙53相对，下梳齿52的梳齿54与上梳齿42的间隙43相对，且上梳齿42、下梳齿52的齿头441、541在同一水平线上，使上梳齿42与下梳齿52之间没有交叠。
[0019]本实用新型中的上梳齿长度与下梳齿的梳齿长度可以相同，也可以不同。
[0020]本实用新型提出的零交叠的梳齿电容组配置方式，可动端和固定端两端对齐，而且在Y方向上没有重合。本实用新型的另一个好处是相邻梳齿间在X方向的距离在同等工艺条件下可以进一步缩小，以增大梳齿密度，从而提高面积利用率，增大电容变化量，进一步提闻驱动力或期间灵敏度。
[0021]综上所述仅为本实用新型较佳的实施例，并非用来限定本实用新型的实施范围。即凡依本实用新型申请专利范围的内容所作的等效变化及修饰，皆应属于本实用新型的技术范畴。
【权利要求】
1.一种零交置的梳齿型电各组，包括相对设直的可动端和固定端，在可动端与固定端相对的端面上分别相向伸出一排上梳齿和下梳齿，其特征在于:所述上梳齿与下梳齿之间交错设置，且上梳齿、下梳齿的齿头对齐并在同一水平线上。
2.根据权利要求1所述的零交叠的梳齿型电容组，其特征在于:所述上梳齿的梳齿长度相问。
3.根据权利要求2所述的零交叠的梳齿型电容组，其特征在于:所述上梳齿的相邻梳齿之间的间隙与所述下梳齿的相邻梳齿之间的间隙相同。
4.根据权利要求2或3所述的零交叠的梳齿型电容组，其特征在于:所述上梳齿与下梳齿的间隙相对，所述下梳齿与上梳齿的间隙相对。
【文档编号】H01G5/16GK203588851SQ201320516376
【公开日】2014年5月7日 申请日期:2013年8月22日 优先权日:2013年8月22日
【发明者】邹波, 罗浩, 王辉 申请人:深迪半导体(上海)有限公司