一种电感元件结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种电感元件结构，包括基座、线圈、中柱以及外罩。基座具有第一容置空间，其两端部分别为第一开口及第二开口，该基座的第一开口与第二开口的下侧分别设有第一底座与第二底座，且该第一底座与第二底座底部分别排列设置有若干个导针。线圈卷绕于基座的外表面，该线圈的前端与后端为出线端。中柱装设于该基座的第一容置空间。外罩具有用于容置基座、中柱及线圈的第二容置空间。本实用新型改良了电感元件的结构，以解决已知技术中磁力线在基座移动时遇到间隙造成磁力线散射而切割线圈的问题。
【专利说明】一种电感元件结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种电感元件，尤其涉及的是一种改变电感结构的电感元件结构。
【背景技术】
[0002]请同时参阅图1a及图lb，图1a为已知电感元件的结构示意图，图1b为图1a的局部放大示意图。如图1a及图1b所示，电感元件常作为电子电路中的被动元件，已知电感元件包含基座10以及线圈11。线圈11是绕制于基座10的外围，用于导通电流，并且在导通电流后，基座10产生磁力线M并移动。
[0003]已知的电感元件的基座10为EE型基座10，即由两个E字型基座10组合而成，而两个E型基座10的结合处会形成间隙G，如图1a所示。当线圈11通电时会在基座10上产生磁力线M，并且在基座10上移动，当磁力线M经过间隙G时，间隙G会造成磁力线M散射而切割线圈11，进而在线圈11上产生涡流，从而影响了电感元件的使用效果，如图1b所
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[0004]因此，现有技术还有待于改进和发展。
实用新型内容
[0005]本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种电感元件结构，通过改变电感元件的结构，以解决磁力线散射切割线圈的问题。
[0006]本实用新型解决技术问题所采用的技术方案如下:
[0007]一种电感元件结构，包括:
[0008]基座，具有第一容置空间，其两端部分别为第一开口及第二开口，所述基座的第一开口与第二开口的下侧分别设有第一底座与第二底座，且所述第一底座与第二底座的底部分别排列设置有若干个导针；
[0009]线圈，利用一导线卷绕于所述基座外表面，所述导线的前端与后端为所述线圈的出线端；
[0010]中柱，安装在所述基座的第一容置空间内；
[0011]外罩，罩设在所述基座的外围，具有用于容置所述基座、中柱及线圈的第二容置空间。
[0012]作为优选方案，还包括磁性粉末层，设置在所述第二容置空间中，用于填补所述外罩与所述基座之间的间隙。
[0013]作为优选方案，所述线圈的出线端朝所述第一底座与第二底座的方向延伸，且外露在所述外罩外。
[0014]作为优选方案，所述基座还包括第一侧板及第二侧板，分别设置设置于第一开口及第二开口处，且所述第一侧板及第二侧板边分别与第一底座和第二底座连接。
[0015]作为优选方案，所述导线为铜线。[0016]本实用新型的有益效果:
[0017]由上可知，本实用新型的电感元件是改良了基座的结构，以中空状基座取代已知的EE型基座，并且在该基座的中空状容置空间装设有中柱，以解决已知技术采用EE型基座，在基座的结合处产生间隙，而该间隙造成磁力线散射而切割线圈的问题。而且，本实用新型在基座的底部设有底座，底座排列设置有若干个用于插件的导针，以解决已知技术中因线圈的线径过细造成不易插件的问题。
【专利附图】
【附图说明】
[0018]图1a是已知电感元件的结构示意图。
[0019]图1b是图1a中的局部放大示意图。
[0020]图2a是本实用新型一种电感元件结构较佳实施例1的结构示意图。
[0021]图2b是本实用新型一种电感元件结构较佳实施例1图2a的A-A剖面图。
[0022]图2c是本实用新型一种电感元件结构较佳实施例1的爆炸示意图。
[0023]图2d是本实用新型一种电感元件结构较佳实施例1外罩分离时的结构示意图。
[0024]图3a是本实用新型一种电感元件结构较佳实施例2的结构示意图。
[0025]图3b是本实用新型一种电感元件结构较佳实施例2的剖面图。
【具体实施方式】
[0026]本实用新型提供了一种电感元件结构，为使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本实用新型进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0027]实施例1:
[0028]本实用新型所提供的一种电感元件结构较佳实施例1，如图2a至2c所示，所述电感元件结构包括基座20、线圈21、中柱22以及外罩23。
[0029]基座20具有中空状的第一容置空间201，用于容置中柱22，第一容置空间201的两端部分别为第一开口 202及第二开口 203，该基座20的第一开口 202与第二开口 203的下侧分别设有第一底座204与第二底座205，且该第一底座204与第二底座205的底部分别排列设置有若干个导针206，用于使电感元件结构插置定位。
[0030]其中，基座20还包括第一侧板207及第二侧板208，分别设置于该第一开口 202及第二开口 203处，该第一侧板207与该第二侧板208分别与第一底座204及第二底座205连接。
[0031]线圈21是利用一根以铜线所制成的导线卷绕而成，该线圈21是卷绕于基座20外表面上，该导线的前端与后端为线圈21的出线端211，用于导通电流。
[0032]中柱22是装设于该基座20的第一容置空间201内，当线圈21导通电流而产生磁力线时，该磁力线可在中柱22上移动。
[0033]外罩23罩设于该基座20外围，具有用于容置该基座20、中柱21以及线圈22的第二容置空间231，其中，当外罩23罩设在基座20外围时，基座20的第一底座204与第二底座205以及位于第一底座204与第二底座205底部的导针206是外露在外罩23外。
[0034]从图2d中可以看出，线圈21的出线端211是朝第一底座204与第二底座205的方向延伸，并外露在该外罩23外,且平行于第一底座204与第二底座205的导针206,通过导针206以辅助出线端211插件。
[0035]进一步，如图2b所示，由于本实用新型的电感元件结构2是以中柱22设置于基座20的第一容置空间201，以填补基座20内的间隙G，使得该电感元件结构的间隙G并非位于基座20中，而是位于基座20的两侧，并通过外罩23罩设于该基座20外围，使得外罩23、基座20以及中柱22形成闭磁回路。当线圈21导通电流时，因电流流过所产生的磁力线M是在中柱22上移动，并且在移动至基座20两侧而遇到间隙G时而产生磁力线M散射的情形。
[0036]由于本实用新型对现有的电感元件结构做了改进，使得间隙G是位于基座20的两侧边，以解决已知技术中，因为间隙G位于基座20内，当磁力线M在基座20移动遇到间隙G，容易造成磁力线M散射而切割线圈21，在线圈21产生涡流，从而影响电感元件的使用效果O
[0037]实施例2:
[0038]本实用新型所提供的一种电感元件结构较佳实施例2，如图3a及图3b所示，与实施例I重合部分不再赘述，为了提升该电感元件结构的效率，可进一步在外罩23的第二容置空间231中，即基座20两侧的间隙G (图中未标出，可参照实施例1中图2b所示)设置有磁性粉末层24,用于填充。
[0039]为了使磁性粉末层24填充在基座20两侧的间隙G，基座20在第一容置空间201的第一开口 202及第二开口 203分别形成有容置槽209。磁性粉末层24是填充于基座20的容置槽209内，用于填补外罩23与该基座20之间的间隙G。
[0040]通过磁性粉末层24以填补外罩23与该基座20之间的间隙G,以将原本较大的间隙G填补为数个较小的间隙G。为此，当磁力线M在基座中柱移动时，可由磁性粉末层降低磁力线M的散射，进而提升电感量，解决已知技术中，因为磁力线M散射造成电感量降低的问题。
[0041]综上所述，本实用新型的电感元件是改良了基座的结构，以中空状基座取代已知的EE型基座，并且在该基座的中空状容置空间装设有中柱，以解决已知技术采用EE型基座，在基座的结合处产生间隙，而该间隙造成磁力线散射而切割线圈的问题。而且，本实用新型在基座的底部设有底座，底座排列设置有若干个用于插件的导针，以解决已知技术中因线圈的线径过细造成不易插件的问题。
[0042]应当理解的是，本实用新型的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。
【权利要求】
1.一种电感元件结构，其特征在于，包括: 基座，具有第一容置空间，其两端部分别为第一开口及第二开口，所述基座的第一开口与第二开口的下侧分别设有第一底座与第二底座，且所述第一底座与第二底座的底部分别排列设置有若干个导针； 线圈，利用一导线卷绕于所述基座外表面，所述导线的前端与后端为所述线圈的出线端; 中柱，安装在所述基座的第一容置空间内； 外罩，罩设在所述基座的外围，具有用于容置所述基座、中柱及线圈的第二容置空间。
2.根据权利要求1所述的电感元件结构，其特征在于，还包括磁性粉末层，设置在所述第二容置空间中，用于填补所述外罩与所述基座之间的间隙。
3.根据权利要求1所述的电感元件结构，其特征在于，所述线圈的出线端朝所述第一底座与第二底座的方向延伸，且外露在所述外罩外。
4.根据权利要求1所述的电感元件结构，其特征在于，所述基座还包括第一侧板及第二侧板，分别设置于第一开口及第二开口处，且所述第一侧板及第二侧板分别与第一底座和第二底座连接。
5.根据权利要求1所述的电感元件结构，其特征在于，所述导线为铜线。
【文档编号】H01F17/04GK203521105SQ201320550013
【公开日】2014年4月2日 申请日期:2013年9月5日 优先权日:2013年9月5日
【发明者】罗鹏程 申请人:重庆美桀电子科技有限公司