专利名称：片式抗电磁干扰高频电感元件的制作方法
技术领域：
本实用新型属于抗电磁干扰高频电感元件技术领域，涉及一种片式抗
电磁干扰高频电感元件。
技术背景电磁干扰(EMI)对公共环境和人身安全的危害已被世界各国所公认。作为抑制电磁干扰三大技术屏蔽、接地、滤波之一的滤波技术是目前抑制电磁干扰最有效最经济的手段。运用方法非常简单，在电气设备电源线的人口处插入抗电磁干扰滤波器(简称EMIF)，滤波器将通过电源线传导的电磁干扰给予充分的抑制，它既能抑制电气设备内部的电磁干扰，又能抑制外界电网传入的电磁干扰。由于EMIF应用范围广泛，它与传统滤波器相比有其特殊性，首先是EMIF要求有尽可能宽的阻带，除工频50 400Hz以外都可视为有害的干扰频率。另外，由于电子技术向高频化、小型化发展，EMI F也相应趋于小型化、片式化。作为EMIF的材料必须具备以下两个基本条件其一，具有高磁导率和高饱和磁化强度，使EMIF在低频段具有最小匝数，减小绕线电容，并扩展工作频率范围；其二， EMIF必须具有极低的磁芯损耗，以提高工作效率和降低成本。 近年来，以计算机为主的各种数字设备的小型化、高性能化十分引人注目。不过，也带来了由整机中辐射电磁波的问题，故有关EMC的标准和规定逐年严格起来。随着电子整机的进一步高功能化、高速化和高密度组装化，迫切要求起抑制噪声作用的电子元器件进一步小型化和高频化。目前，我国还没有既能抑制辐射电磁场强度又能抑制噪声用的抗电磁干扰高频电感元件。 实用新型内容本实用新型的目的是解决现有技术没有既能抑制辐射电磁场强度又能抑制噪声用的抗电磁干扰高频电感元件的技术问题，提供一种片式抗电磁干扰高频电感元件，以克服现有技术的不足。 为了实现上述目的，本实用新型片式抗电磁干扰高频电感元件，由电阻和电容组成的串联电路和在片式锰锌铁氧体材料磁芯上缠绕两圈半而形成的线圈构成的，所说电阻值为50 150欧姆，电容的电容量为0. OOluF。 本实用新型片式抗电磁干扰高频电感元件，是在几乎不影响传输信号的波形质量的前提下，既具有抑制辐射电磁场强度又有抑制辐射噪声的效果，针对高速信号使用效果最好；还具有体积小、片式化的特点。
附图是本实用新型电路原理示意图。
具体实施方式
根据附图，本实用新型它由电阻R和电容C组成的串联电路和在片式锰锌铁氧体材料磁芯1上缠绕两圈半而形成的线圈L构成的，电阻值为50 150欧姆，电容C的电容量为0. OOluF，锰锌铁氧体材料磁芯由68%的三氧化二铁、20%的四氧化三锰20、10%的氧化锌、1%的纳米碳酸钙1和1%的纳米五氧化二钒按重量配比经成型、烧结制备而成。 本实用新型片式抗电磁干扰高频电感元件主要技术指标[0010] 阻抗10MHz时，大于50欧姆，100MHz时，大于150欧姆；[0011]插入损耗(IL) :10MHz时，大于10， 100MHz时，大于20。 本实用新型片式化以适合于表面贴装，其工作原理是，对应信号源VSC(差模)，因磁心内部的磁通小相互抵消，故不产生电感(因此不防碍信号的波形质量)，另一方面，对 应共模噪声(VG)，磁通(小')在同一方向发生，而产生电感，起到抑制噪声的效果。
权利要求一种片式抗电磁干扰高频电感元件，其特征是它由电阻和电容组成的串联电路和在片式锰锌铁氧体材料磁芯上缠绕两圈半而形成的线圈构成的，所说电阻值为50～150欧姆，电容的电容量为0.001uF。
专利摘要本实用新型公开了一种片式抗电磁干扰高频电感元件，由电阻和电容组成的串联电路和在片式锰锌铁氧体材料磁芯上缠绕两圈半而形成的线圈构成的，所说电阻值为50～150欧姆，电容的电容量为0.001uF。本实用新型片式抗电磁干扰高频电感元件，是在几乎不影响传输信号的波形质量的前提下，既具有抑制辐射电磁场强度又有抑制辐射噪声的效果，针对高速信号使用效果最好；还具有体积小、片式化的特点。
文档编号H01F1/34GK201449835SQ20092003078
公开日2010年5月5日 申请日期2009年7月30日 优先权日2009年7月30日
发明者周兴建, 谢真, 高启龙 申请人:临沂正原电子有限公司