沉积装置制造方法
【专利摘要】一种用于通过使用关于基板的掩膜执行沉积过程的沉积装置，所述沉积装置包括：室；在所述室中的支撑单元，所述支撑单元包括第一孔并且被配置为支撑所述基板；供应单元，被配置为向所述基板供应至少一种沉积原材料；和通过所述支撑单元的所述第一孔的能移动的对齐单元，所述对齐单元被配置为支撑所述掩膜，并且将所述掩膜关于所述基板对齐。
【专利说明】沉积装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2012年12月12日递交到韩国知识产权局的韩国专利申请N0.10-2012-0144673的权益，其公开内容通过引用全部并入本文。
【技术领域】
[0003]示例实施例涉及沉积装置。更具体而言，示例实施例涉及一种提供有效沉积过程和具有改进特性的沉积膜的沉积装置。
【背景技术】
[0004]半导体设备、显示设备和其它电子设备包括多个薄膜。各种方法可被用于形成多个薄膜，其中一种方法即为沉积方法。
[0005]沉积方法使用例如一种或多种气体等各种原材料来形成薄膜。沉积方法包括化学气相沉积(CVD)方法、原子层沉积(ALD)方法等。
[0006]在显示装置中，有机发光显示装置由于其宽视角、高对比性和快速反应速度而被期望成为下一代显示装置。传统的有机发光显示装置包括具有在彼此面对的第一电极和第二电极之间的有机发射层的中间层，还包括一个或多个具有不同特性的薄膜。在此情形下，使用沉积过程形成有机发光显示装置的薄膜。
【发明内容】
[0007]示例实施例提供一种可被用于有效地执行沉积过程以便容易地改进沉积膜的特性的沉积装置。
[0008]根据示例实施例的方面，提供一种用于通过使用与基板有关的掩膜执行沉积过程的沉积装置，所述沉积装置包括:室；在所述室中的支撑单元，包括第一孔并且被配置为支撑所述基板；供应单元，被配置为向所述基板供应至少一种沉积原材料；和通过所述支撑单元的所述第一孔的能移动的对齐单元，所述对齐单元被配置为支撑所述掩膜，并且将所述掩膜与所述基板对齐。
[0009]所述沉积装置可进一步包括对齐确认构件，所述对齐确认构件被配置为通过所述支撑单元中的第二孔确认所述基板和所述掩膜的对齐状态。
[0010]所述对齐确认构件可被配置为检查所述基板上的对齐标记与所述掩膜上的对齐标记的对齐，以便确认所述基板和所述掩膜的对齐状态。
[0011]所述支撑单元中的所述第二孔可比所述第一孔更靠近所述支撑单元的中心区域。
[0012]所述对齐确认构件可比所述支撑单元更远离所述供应单元。
[0013]所述支撑单元可位于所述对齐确认构件与所述供应单元之间。
[0014]所述室可包括与所述第二孔重叠的透明窗，所述对齐确认构件被配置为通过所述透明窗确认所述基板和所述掩膜的对齐状态。
[0015]所述对齐单元的横截面积可小于所述第一孔的尺寸，所述对齐单元在所述第一孔中能三维移动。
[0016]所述对齐单元可被配置为支撑所述掩膜的同时在所述第一孔内竖直和水平地移动。
[0017]所述支撑单元的上表面可为弯曲的。
[0018]所述支撑单元的所述上表面的中心区域可相对于所述支撑单元的所述上表面的端部区域向上凸出。
[0019]所述支撑单元的下表面根据所述支撑单元的所述上表面的曲度而被弯曲。
[0020]所述支撑单元的下表面可为平的。
[0021]所述沉积装置可进一步包括通过所述支撑单元中的第三孔的升降销，所述升降销被配置为支撑所述基板，并且在所述第三孔中竖直移动以便将所述基板布置在所述支撑单元上。
[0022]所述第三孔可比所述第一孔更靠近所述支撑单元的中心区域。
[0023]所述沉积装置可进一步包括被配置为支撑所述供应单元的基底板，所述基底板被定位为比所述供应单元更远离所述支撑单元。
[0024]所述沉积装置可进一步包括被配置为向所述供应单元和所述支撑单元之间施加电压以便产生等离子体的电力单元。
[0025]所述沉积装置可进一步包括被配置为产生等离子体并且将所述等离子体添入所述室中以便清洁所述室的内部的清洁单元。
[0026]所述支撑单元可能够向上和向下竖直移动。
[0027]所述室可包括至少一个出入口，所述基板或所述掩膜通过所述至少一个出入口被插入所述室中。
【专利附图】
【附图说明】
[0028]通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域普通技术人员来说将变得明显，在附图中:
[0029]图1例示出根据实施例的沉积装置的示意图；
[0030]图2例不出通过使用图1的沉积装置的对齐单兀对齐的掩I旲和基板的视图；
[0031]图3例示出图1的部分R的放大视图；
[0032]图4例示出图1的支撑单元的详细平面视图；
[0033]图5例示出图4的支撑单元的一个第一孔的详细平面视图；
[0034]图6A例示出图1的支撑单元的剖视图；
[0035]图6B和图6C例示出图1的支撑单元的修改示例；
[0036]图7例示出根据另一实施例的沉积装置的示意图；
[0037]图8例示出图7的部分R的放大视图；
[0038]图9例示出图7的支撑单元210的详细平面视图；
[0039]图10例示出使用根据实施例的沉积装置制造的有机发光显示装置的示意性剖视图；以及
[0040]图11例示出图10的部分F的放大视图。【具体实施方式】
[0041]现在将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例；然而，它们可以被实施为不同的形式，并且不应被解释为限于本文提出的实施例。而是，这些实施例被提供为使得本公开将完全和完整，并且将示例性实施方式充分传达给本领域技术人员。
[0042]在附图中，层和区域的尺寸为了例示的清楚可能被夸大。还将理解的是，当一层或元件被提及为在另一层或基板“上”时，其能够直接在另一层或基板上，或者还可存在中间层。另外，还将理解的是，当一层被提及为在两层“之间”时，其能够是这两层之间的唯一的层，或者还可存在一个或多个中间层。全文中，同样的附图标记指代同样的元件。
[0043]下文中,将参照示出本申请的示例性实施例的附图更充分地描述示例实施例。
[0044]图1为根据实施例的沉积装置100的示意图。图2为通过使用沉积装置100的对齐单元140对齐的掩膜130和基板S。
[0045]参照图1和图2，沉积装置100可包括室101、支撑单元110、供应单元120、对齐单元140和对齐确认构件150。
[0046]室101可被连接到泵(未示出)以便在沉积过程期间控制气压，并且可容纳和保护基板S、支撑单元110和供应单元120。而且，室101可包括至少一个出入口 101a，通过该出入口 101a，基板S或掩膜130可移入或移出。
[0047]用于沉积过程的基板S布置在支撑单元110上。支撑单元110使基板S能够在在基板S上执行的沉积过程期间不可移动或不可晃动。对此，支撑单元110可包括夹具(未示出)。而且，支撑单元110可包括一个或多个吸附孔(未示出)用于支撑单元110与基板S之间的吸附。支撑单元110包括第一孔111和第二孔112，这将在下面更详细地描述。
[0048]对齐单元140被放置为穿过支撑单元110的第一孔111。例如线形构件的对齐单元140被形成为可在支撑掩膜130的下表面的同时移动。具体地，对齐单元140可沿Z轴移动，如图2中所示。而且，对齐单元140可沿X轴方向和与图1和图2中的X-Z平面垂直的方向移动(将在稍后详细描述)。对齐单元140布置在基板S的外侧，例如各个对齐单元140可与基板S的相邻边缘水平地分开，从而至少沿竖直方向不与基板S重叠。
[0049]掩膜130具有与沉积图案(即要形成在基板S上的图案)对应的开口单元(未示出)。而且，掩膜130可为开放式掩膜。在沉积过程期间，掩膜130和基板S可被定位为彼此紧密靠近，如图2中所示。
[0050]供应单元120布置为与基板S相对，从而沿朝向基板S的方向供应一种或多种原材料，即沉积材料，以便针对基板S推进沉积过程。也就是，供应单元120被放置在支撑单元110上方以便与基板S重叠。例如，供应单元120可为沿朝向基板S的方向供应一种或多种气体的喷头类型。
[0051]另外，可在供应单元120和支撑单元110之间施加电压，以便将作为气态从供应单元120沿朝向基板S的方向供应的原材料转变为等离子体态。也就是，沉积装置100可为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)装置。例如，电压可被施加到供应单元120和支撑单元110的每一个上。然而，示例实施例不限于此，并且独立的电极(未示出)可布置在沉积装置100中，以便在供应单元120和支撑单元110之间产生等离子体。
[0052]供应单元120的尺寸不限，只要供应单元120可被形成为具有比基板S大的面积，例如供应单元120的面对基板S的表面的面积可比基板S的面对供应单元120的表面的面积大。因此，可形成在基板S的整个表面上都均匀的沉积层。
[0053]图3为图1的部分R的放大视图。图4为图1的支撑单元110的详细平面视图。图5为图4的支撑单元110的一个第一孔111的详细平面视图。
[0054]参照图3至图5，支撑单元110包括第一孔111和第二孔112。
[0055]每个对齐单元140被放置为穿过一个第一孔111。也就是，第一孔111的数量对应于对齐单元140的数量。例如，如图4中所示，第一孔111可被定位在支撑单元110的四个角处，例如邻近于支撑单元110的四个角，并且对齐单元140可布置为穿透四个第一孔111，如图3中所示。也就是，对齐单元140的数量和第一孔111的数量可相同。
[0056]另外，第一孔111被形成为至少大于对齐单元140的横截面积。也就是，如图5中所示，每个第一孔111的直径可大于对应的对齐单元140的截面的直径，例如，在对齐单元的外侧壁和对应的第一孔111的内壁之间(图3)可限定一空间。因此，对齐单元140可移动通过第一孔111。亦即，如图2所示，对齐单元140可竖直(沿图2的Z轴)移动通过第一孔111，并且如图5中所示，对齐单元140还可平行于平面X-Y，即沿图5的方向X1、X2、Yl和Y2中的任一方向,在第一孔111内移动。
[0057]对齐单元140接触掩膜130的下表面以便支撑掩膜130。对齐单元140可在支撑掩膜130的同时沿X、Y或Z轴(即3维)移动。因此，被对齐单元140支撑的掩膜130也可由于对齐单元140的移动而沿X、Y或Z轴移动。
[0058]第二孔112被定位为与基板S重叠，例如对应。例如，如图3中例示，基板S可覆盖第二孔112。第二孔112可被定位为比第一孔111更靠近支撑单元110的中心区域。例如，如图4中所例示，每个第二孔112可在支撑单元110的中心与对应的第一孔111之间从而形成通过支撑单元的中心的斜线。
[0059]对齐确认构件150被放置在室101下方，以便与第二孔112重叠，例如对应。而且，对齐确认构件150被定位为不移动到支撑单元110的外侧，例如支撑单元110可被定位为完全覆盖对齐确认构件150的上表面或与其完全重叠。因此，可防止对齐确认构件150被从供应单元120喷溅的原材料污染，因此可以保持对齐确认构件150的精确的确认能力。
[0060]对齐确认构件150可通过支撑单元110的第二孔112确认基板S和掩膜130的对齐状态。对齐确认构件150可为例如照相机。透明窗IOlb可形成在位于室101的下部处的与第二孔112重叠(例如对应)的区域处，以便使对齐确认构件150的确认容易执行。例如，对齐确认构件150可与基板S—起位于通过透明窗IOlb和第二孔112的光轴上(图3中的虚线)。而且，尽管未示出，但可在基板S和掩膜130中每一个上形成对齐标记(未示出)，并且因此对齐确认构件150可通过检查基板S和掩膜130中每一个的对齐标记来确认基板S和掩膜130的对齐状态。
[0061]下文中，将简略描述根据实施例的沉积装置100的操作。
[0062]基板S被插入沉积装置100的室101中，并且布置在支撑单元110上。而且，掩膜130被插入室101中并且布置在对齐单元140上，以便被对齐单元140支撑。
[0063]对齐单元140在平行于基板S的平面运动方式移动时将掩膜130关于基板S对齐。也就是，对齐单元140在沿X轴或Y轴在支撑单元110的第一孔111中移动时执行对齐任务。这里，对齐确认构件150实时地确认掩膜130的对齐标记(未示出)和基板S的对齐标记(未示出)。对此，对齐单元140可容易地将掩膜130关于基板S对齐。[0064]在X-Y平面上执行对齐任务之后，对齐单元140沿Z轴移动。也就是，如图2中所示，对齐单元140向下朝基板S移动，并将掩膜130和基板S定位为紧密靠近。在对齐任务之后，期望的原材料被从供应单元120提供，因此期望图案的沉积层可容易地形成在基板S上。
[0065]图6A为图1的支撑单元110的剖视图。图6B和图6C为支撑单元110’和110’’的修改示例。为了便于说明，支撑单元110、110’或110’’、基板S和掩膜130之外的其它元
件被省略。
[0066]如图6A中所示，例如，支撑单元110可具有平坦上表面。基板S和掩膜130布置在支撑单元110的平坦上表面上。
[0067]而且，如图6B中所示，支撑单元110’可具有弯曲上表面。具体地，中心区域与支撑单元110’的上表面的端部区域相比可向上凸出。并且，支撑单元110’的下表面也可弯曲，以便与支撑单元110’的上表面对应。由于支撑单元110’的这种弯曲，当基板S布置在支撑单元110’上时，基板S也可具有与支撑单元110’的上表面对应的弯曲。因此，基板S和支撑单元110’可被有效地彼此附着。当基板S和支撑单元110’被彼此附着时，可有效地防止基板S的下表面和支撑单元110’的上表面被从供应单元120喷溅的原材料污染。而且，掩膜130也可被弯曲以便对应于基板S，因此基板S和掩膜130可被有效地彼此附着，从而有利于对基板S上的期望图案的沉积层的精确控制。
[0068]弯曲的程度可变，但支撑单元110’的上表面的中心区域的最凸出部分与支撑单元110’的上表面的端部区域之间的在竖直方向(Z轴方向)上的距离为大约Imm或更少。也就是，当支撑单元110’的上表面弯曲太大时，基板S可能弯曲的太大，因此导致其上的沉积层在沉积过程中品质降低。特别是，当无机沉积层形成在基板S上时，诸如裂缝等的缺陷可发生，因此弯曲的程度需要按照如上所述被控制。
[0069]另外，如图6C中所示，支撑单元110”的上表面可被弯曲，而支撑单元110”的下表面可为平坦的。在此情形下，可以在室101中容易地执行支撑单元110”的稳定定位。
[0070]根据当前实施例的沉积装置100，基板S布置在支撑单元110的上表面上，并且供应单元120布置在支撑单元110的上方并且与基板S相对。而且，掩膜130可布置在基板S的上表面上，以便形成期望图案的沉积层。掩膜130可通过使用对齐单元140而与基板S容易地对齐。特别是，通过将穿透支撑单元110的第一孔111以便接触掩膜130的对齐单元140三维移动从而将掩膜130与基板S对齐，掩膜130和基板S可在不影响供应单元120的情况下被对齐。
[0071]进一步，被设置在支撑单元110的下方的对齐确认构件150可通过支撑单元110的第二孔112实时地检查和确认基板S和掩膜130的对齐状态，因此基板S和掩膜130的对齐任务可被有效地执行。具体地，对齐确认构件150可布置为与供应单元120相对，支撑单元110位于它们之间。也就是，供应单元120布置在支撑单元110的上方，并且对齐确认构件150布置在支撑单元110的下方。因此，对齐确认构件150可屏蔽于供应单元120，从而由从供应单元120喷溅的沉积原材料导致的针对对齐确认构件150的污染可被防止或基本最小化。
[0072]而且，当使用具有弯曲上表面的支撑单元110’或110”时，基板S和掩膜130可容易地彼此附着。因此，可提供为基板S上的沉积层形成精确图案。[0073]图7为根据另一实施例的沉积装置200的示意图。图8为图7的部分R的放大视图。图9为图7的支撑单元210的详细平面视图。
[0074]参照图7和图8，沉积装置200可包括室201、支撑单元210、供应单元220、对齐单元240、对齐确认构件250、电力单元275、升降销260、基底板225和清洁单元290。
[0075]室201可被连接到泵(未示出)以便在沉积过程期间控制气压，并且可容纳和保护基板S、支撑单元210和供应单元220。而且，室201可包括至少一个出入口 201a，通过该出入口 201a，基板S或掩膜230可移入和移出。
[0076]用于沉积过程的基板S布置在支撑单元210上。具体地，当基板S通过室201的出入口 201a插入室201中时，基板被布置在升降销260上。升降销260可竖直移动，即沿图7的Z轴移动，因此其上具有基板S的升降销260沿朝向支撑单元210的方向向下移动以便将基板S放置在支撑单元210上。升降销260布置为穿透支撑单元210的第三孔213。升降销260沿竖直方向移动通过第三孔213。
[0077]支撑单元210能够使基板S在基板S上执行沉积过程期间不可移动或不可晃动。在此情形下，支撑单元210可包括夹具(未示出)。而且，支撑单元210可包括吸附孔(未示出)用于支撑单元210和基板S之间的吸附。支撑单元210包括第一孔211、第二孔212和第三孔213。并且，支撑单元210被形成为竖直地移动。也就是，支撑单元210如图7所示那样沿Zl或Z2方向移动。在此情形下，在基板S布置在支撑单元210上之后，基板S与供应单元220之间的空间可被控制，从而可改变沉积状况，特别是等离子体产生状况。
[0078]对齐单元240被放置为穿透支撑单元210的第一孔211。对齐单元240被形成为可在支撑掩膜230的下表面的同时移动。特别地，对齐单元240可以与先前实施例中描述的方式相同的方式，在支撑掩膜130时沿X、Y或Z轴移动。对齐单元240布置在基板S的外侧，至少不与基板S重叠。
[0079]掩膜230包括掩膜主体231和掩膜框架232。掩膜主体231具有与将形成在基板S上的沉积图案对应的开口单元(未示出)。这里，掩膜主体231可具有多个图案化的开口单元。在另一实施例中，掩膜230可为开放式掩膜，并且具体地，掩膜231可具有一个延伸类型的开口单元，不具有分开的图案。在沉积过程期间，掩膜230和基板S可被定位为彼此紧密靠近。
[0080]供应单元220布置为与基板S相对，从而沿朝向基板S的方向供应一种或多种原材料，以便关于基板S进行沉积过程。也就是，供应单元220被放置在支撑单元210的上方。例如，供应单元220可为沿朝向基板S的方向供应一种或多种气体的喷头。而且，供应单元220可被形成为将原材料均匀地供应到基板S的整个表面上，并且可为扩散器类型。
[0081]基底板225可布置在供应单元220的上方。也就是，基底板225可被布置为比供应单元220更远离基板S。基底板225支撑供应单元220。
[0082]另外，电压可施加在供应单元220和支撑单元210之间以便将作为气态从供应单元220沿朝向基板S的方向被供应的原材料转变为等离子体态。例如，电压可被施加到供应单元220和支撑单元210中的每一个上。在另一示例中，电压可被施加到基底板225。并且，当电压被施加时，地电压可施加到一侧。
[0083]电力单元275提供电压用于将作为气态从供应单元220沿朝向基板S的方向被供应的原材料转变为等离子体态。电力单元275可提供各种类型的电压，例如射频(RF)电压。电力单元275可布置在室201的外部。然而，示例实施例不限于此，并且独立的电极(未示出)可布置在沉积装置200中以便在供应单元220和支撑单元210之间产生等离子体。
[0084]供应单元220的尺寸不限，只要供应单元220可被形成为具有比基板S大的面积即可。因此，可形成在基板S的整个表面上都均匀的沉积层。
[0085]清洁单元290可布置为被连接到室201。当室201在执行沉积过程时被污染时，清洁单元290清洁室201。清洁单元290可产生并提供远程等离子体到室201中，以便清洁室201。例如，当清洁单元290被提供有NF3气体时，气体被转变为等离子体，并且等离子体被添入室201中，从而等离子体可接触形成在室201的内壁上的层，因此室201的内壁可被清洁。
[0086]将详细描述对齐单元240、支撑单元210等。
[0087]一个对齐单元240被放置为穿透一个第一孔211。也就是，第一孔211的数量对应于对齐单元240的数量。例如，如图9中所示，第一孔211可被定位为与支撑单元210的四个角相邻，并且尽管未示出，对齐单元240也可布置为穿透四个第一孔211。另外，第一孔211被形成为至少大于对齐单元240的横截面积。因此，对齐单元240可移动通过第一孔 211。
[0088]对齐单元240接触掩膜230的下表面，以便支撑掩膜230。对齐单元240在支撑掩膜230的同时可沿X、Y或Z轴(即3维)移动。因此，被对齐单元240支撑的掩膜230也可由于对齐单元240的移动而沿X、Y或Z轴移动。
[0089]第二孔212被定位为对应于基板S。第二孔212可被定位为比第一孔211更靠近支撑单元210的中心区域。
[0090]对齐确认构件250被放置在室201的下方，以便对应于第二孔212。而且，对齐确认构件250被定位为不移动到支撑单元210的外侧。因此，可防止对齐确认构件250被从供应单元220喷溅的原材料污染，从而可保持对齐确认构件250的精确的确认能力。
[0091]对齐确认构件250可通过支撑单元210的第二孔212确认基板S和掩膜230的对齐状态。对齐确认构件250可为例如照相机。透明窗(未示出)可形成在位于室201的下部处的与第二孔212对应的区域处，以便使对齐确认构件250的确认容易执行。而且，尽管未示出，对齐标记(未示出)形成在基板S和掩膜230中的每一个上，并且因此对齐确认构件250通过检查基板S和掩膜230中的每一个的对齐标记来确认基板S和掩膜230的对齐状态。
[0092]第三孔213被定位为比第一孔211和第二孔212更靠近支撑单元210的中心区域。升降销260被放置为穿透第三孔213，并且第三孔213的尺寸可被形成为大于升降销260的横截面积。因此，升降销260可容易地竖直移动通过第三孔213，即不接触第三孔213的侧壁。
[0093]下文中，将简略描述根据另一实施例的沉积装置200的操作。
[0094]当基板S被插入沉积装置200的室201中时，基板S被布置为穿透支撑单元210的第三孔213的升降销260支撑。升降销260在支撑基板S的同时向下朝支撑单元210移动，并且将基板S布置在支撑单元210的上表面上。为了允许升降销260的竖直移动，升降销260可被布置在室201中，或者如图7和图8中所示，升降销260的某些区域可布置为穿透室201。[0095]而且，掩膜230被插入室201中，并且布置在对齐单元240上以便被对齐单元240支撑。对齐单元240在平行于基板S以平面运动方式移动时将掩膜230关于基板S对齐。也就是，对齐单元240在沿X轴或Y轴在支撑单元210的第一孔211中移动时执行对齐任务。这里，对齐确认构件250实时地确认掩膜230的对齐标记(未示出)和基板S的对齐标记(未示出)。在此情形下，对齐单元240可将掩膜230关于基板S容易地对齐。
[0096]在X-Y平面上执行对齐任务之后，对齐单元240沿Z轴朝支撑单元210移动。也就是，对齐单元240向下朝支撑单元210移动，并且将掩膜230和基板S定位为紧密靠近。在对齐任务之后，期望的原材料从供应单元220被提供，因此期望图案的沉积层可容易地形成在基板S上。这里，为了增加原材料供应的效率，供应单元220和基板S之间的距离可通过支撑单元210的竖直移动而被控制。
[0097]如上所述，可产生等离子体用于沉积过程。
[0098]尽管未示出，当前实施例的支撑单元210也可具有平坦表面或弯曲表面，如参照图6A至图6C描述的那样。
[0099]根据当前实施例的沉积装置200，基板S布置在支撑单元210的上表面上，并且供应单元220布置在支撑单元210上方并且与基板S相对。而且，掩膜230可布置在基板S的上表面上，以便形成期望图案的沉积层。通过使用对齐单元240，掩膜230可容易地与基板S对齐。特别地，通过在支撑单元210的第一孔211中移动对齐单元240，可在不影响供应单元220的情况下将掩膜230和基板S对齐。进一步，由于对齐确认构件250设置在支撑单元210的下方，并且对齐确认构件250通过支撑单元210的第二孔212实时确认基板S和掩膜230的对齐状态，从而推进对齐任务，因此基板S和掩膜230的对齐任务可被有效地执行。
[0100]具体地，对齐确认构件250可布置为与供应单元220相对，支撑单元210位于它们之间。也就是，供应单元220布置在支撑单元210的上方，并且对齐确认构件250布置在支撑单元210的下方。因此，可防止从供应单元220喷溅的原材料对对齐确认构件250造成污染。
[0101]而且，当基板S布置在支撑单元210上时，通过使用穿透支撑单元210的第三孔213的升降销260，来放置基板S。因此，基板S可被不可移动或不可晃动地布置在支撑单元210上的期望位置处。特别地，第三孔213可被定位为比第一孔211和第二孔212更靠近支撑单元210的中心区域，以便升降销260不影响掩膜230的对齐任务。另外，如果支撑单元210的上表面是弯曲的，则基板S和掩膜230可被彼此附着，因此可在基板S的沉积层上形成精确的图案。
[0102]图10为使用根据实施例的沉积装置100和200制造的有机发光显示装置10的示意性剖视图。图11为图10的部分F的放大视图。
[0103]参照图10和图11，有机发光显示装置10可包括基板30。基板30可由例如玻璃材料、塑料材料或金属形成。缓冲层31可形成在基板30上，以便提供平坦化表面，并防止湿气和异物向基板30渗透。
[0104]薄膜晶体管(TFT)40、电容器50和有机发光器件60可形成在缓冲层31上。TFT40可包括有源层41、栅电极42和源/漏电极43。有机发光器件60可包括第一电极61、第二电极62和中间层63。电容器50可包括第一电容器电极51和第二电容器电极52。[0105]更具体而言，形成为预定图案的有源层41可布置在缓冲层31的上表面上。有源层41可包括例如硅的无机半导体材料、有机半导体材料或氧化物半导体材料，并且可通过选择性地掺杂P型掺杂剂或η型掺杂剂而被形成。
[0106]栅极绝缘膜32可形成在有源层41上。栅电极42可形成在栅极绝缘膜32上以对应于有源层41。通过使用与形成栅电极42所使用的材料相同的材料，第一电容器电极51可形成在栅极绝缘膜32上。
[0107]覆盖栅电极42的层间绝缘层33可被形成，并且源/漏电极43可在层间绝缘层33上被形成为接触有源层41的预定区域。通过使用与形成源/漏电极43所使用的材料相同的材料，第二电容器电极52可形成在层间绝缘层33上。
[0108]覆盖源/漏电极43的钝化层34可被形成，并且附加绝缘层可进一步形成在钝化层34上，以便使TFT40平坦化。
[0109]第一电极61可形成在钝化层34上。第一电极61可形成为被电连接到源/漏电极43中的一个。之后，覆盖第一电极61的像素限定膜35可被形成。在像素限定膜35中形成预定开口 64之后，包括有机发光层的中间层63可形成在开口 64所限定的区域中。第二电极62可形成在中间层63上。
[0110]封装层70可形成在第二电极62上。封装层70可包含有机材料或无机材料，并且可具有有机材料和无机材料被交替堆叠的结构。例如，封装层70可通过使用沉积装置100或200形成。也就是，在其上形成有第二电极62的基板30被插入室101或201中之后，可通过使用沉积装置100或200形成期望的层。
[0111]特别地，封装层70可包括无机层71和有机层72。无机层71可包括多个层71a、71b和71c，并且有机层72可包括多个层72a、72b和72c。在此情形下，无机层71的层71a、71b和71c可通过使用沉积装置100或200而形成。
[0112]然而，示例实施例不限于此。也就是，缓冲层31、栅极绝缘膜32、层间绝缘层33、钝化层34、像素限定膜35和其它绝缘层也可通过使用根据示例实施例的沉积装置100或200形成。而且，有源层41、栅电极42、源/漏电极43、第一电极61、中间层63、第二电极62和其它各种薄膜可通过使用根据示例实施例的沉积装置100或200形成。
[0113]如上所述，当使用根据示例实施例的沉积装置100或200时，形成在有机发光显示装置10中的沉积膜的特性改进，例如电特性和图像质量特性改进。而且，包括在液晶显示(LCD)装置中的薄膜以及包括在除了有机发光显示装置10之外的各种显示装置中的薄膜可通过使用根据示例实施例的沉积装置100或200形成。
[0114]相反，当传统的有机发光显示装置的尺寸增加并且被期望具有高清晰度时，可能难以沉积具有期望特性的大薄膜。而且，在对形成大薄膜的过程的效率增加方面可具有限制。
[0115]本文已经公开了示例实施例，尽管采用了具体术语，但它们仅以通用和描述性的含义被使用和解释，而不用于限制的目的。在一些实例中，对于在本申请递交时的本领域普通技术人员明显的是，结合特定实施例描述的特征、特点和/或元件可被单独使用或与结合其它实施例描述的特征、特点和/或元件组合使用，除非另有专门指定。因此，本领域技术人员将理解，可在不脱离由所述权利要求给出的示例实施例的精神和范围的情况下进行各种形式和细节上的改变。
【权利要求】
1.一种用于通过使用与基板有关的掩膜执行沉积过程的沉积装置，该沉积装置包括: 室; 在所述室中的支撑单元，包括第一孔并且被配置为支撑所述基板； 供应单元，被配置为向所述基板供应至少一种沉积原材料；和 通过所述支撑单元的所述第一孔的能移动的对齐单元，所述对齐单元被配置为支撑所述掩膜，并且将所述掩膜与所述基板对齐。
2.如权利要求1所述的沉积装置，进一步包括对齐确认构件，所述对齐确认构件被配置为通过所述支撑单元中的第二孔确认所述基板和所述掩膜的对齐状态。
3.如权利要求2所述的沉积装置，其中所述对齐确认构件被配置为检查所述基板上的对齐标记与所述掩膜上的对齐标记的对齐，以便确认所述基板和所述掩膜的对齐状态。
4.如权利要求2所述的沉积装置，其中所述支撑单元中的所述第二孔比所述第一孔更靠近所述支撑单元的中心区域。
5.如权利要求2所述的沉积装置，其中所述对齐确认构件比所述支撑单元更远离所述供应单元。
6.如权利要求2所述的沉积装置，其中所述支撑单元位于所述对齐确认构件与所述供应单元之间。
7.如权利要求2所述的沉积装置，其中所述室包括与所述第二孔重叠的透明窗，所述对齐确认构件被配置为通过所述透明窗确认所述基板和所述掩膜的对齐状态。
8.如权利要求1所述的 沉积装置，其中所述对齐单元的横截面积小于所述第一孔的尺寸，所述对齐单元能在所述第一孔中三维移动。
9.如权利要求1所述的沉积装置，其中所述对齐单元被配置为支撑所述掩膜的同时在所述第一孔内竖直和水平地移动。
10.如权利要求1所述的沉积装置，其中所述支撑单元的上表面是弯曲的。
11.如权利要求10所述的沉积装置，其中所述支撑单元的所述上表面的中心区域相对于所述支撑单元的所述上表面的端部区域向上凸出。
12.如权利要求11所述的沉积装置，其中所述支撑单元的下表面根据所述支撑单元的所述上表面的曲度而弯曲。
13.如权利要求11所述的沉积装置，其中所述支撑单元的下表面是平的。
14.如权利要求1所述的沉积装置，进一步包括通过所述支撑单元中的第三孔的升降销，所述升降销被配置为支撑所述基板，并且在所述第三孔中竖直移动以便将所述基板布置在所述支撑单元上。
15.如权利要求14所述的沉积装置，其中所述第三孔比所述第一孔更靠近所述支撑单元的中心区域。
16.如权利要求1所述的沉积装置，进一步包括被配置为支撑所述供应单元的基底板，所述基底板被定位为比所述供应单元更远离所述支撑单元。
17.如权利要求1所述的沉积装置，进一步包括被配置为向所述供应单元和所述支撑单元之间施加电压以便产生等离子体的电力单元。
18.如权利要求1所述的沉积装置，进一步包括被配置为产生等离子体并且将所述等离子体添入所述室中以便清洁所述室的内部的清洁单元。
19.如权利要求1所述的沉积装置，其中所述支撑单元能够向上和向下竖直移动。
20.如权利要求1所述的沉积装置，其中所述室包括至少一个出入口，所述基板或所述掩膜通过所述至少一个出 入口被插入所述室中。
【文档编号】H01L51/56GK203582967SQ201320630234
【公开日】2014年5月7日 申请日期:2013年10月12日 优先权日:2012年12月12日
【发明者】许明洙, 郑石源, 李正浩, 洪祥赫, 李勇锡 申请人:三星显示有限公司