发光器件、包括该发光器件的显示部以及电子设备的制作方法
【专利摘要】一种发光器件，其包括：第一电极(21)；有机层(23)，所述有机层包括发光层；电阻层(50)，所述电阻层包括氧化锌；以及第二电极(22)，所述第一电极、所述有机层、所述电阻层和所述第二电极按此顺序而被设置着。在所述发光器件中，所述氧化锌的晶体取向包括多个晶面指数分量。
【专利说明】发光器件、包括该发光器件的显示部以及电子设备
【技术领域】
[0001]本技术涉及发光器件、包括所述发光器件的显示部以及电子设备，所述发光器件具有与有机层一起位于两个电极之间的电阻层。
【背景技术】
[0002]作为能够利用低电压直流驱动而进行高亮度发光的器件，有机电致发光(EL:Electroluminescence)器件被应用于显示部。这样的有机EL器件可以具有例如依次设置的第一电极、包括发光层的有机层、和第二电极。为了控制该有机EL器件的所发出的光，已经提议了引入共振器结构(例如，PTL I)。
[0003]在构成所述有机层的各层的厚度通过所述共振器结构而被优化的情况下，发光颜色的颜色纯度和发光效率都被提高了。然而，当所述有机层的厚度被减小时，所述第一电极与所述第二电极之间可能发生短路。为了防止这样的短路，在PTL 2至PTL 6中，披露了在有机EL器件中插入具有高电阻的膜的方法。
[0004]引用文献列表
[0005]专利文献
[0006][PTL l]W001/39554
[0007][PTL 2]日本未经审查的专利申请公开第2001-035667号
[0008][PTL 3]日本未经审查的专利申请公开第2006-338916号
[0009][PTL 4]日本未经审查的专利申请公开第2005-209647号
[0010][PTL 5]日本未经审查的专利申请公开第2011-103205号
[0011][PTL 6]日本未经审查的专利申请公开第2011-040244号
【发明内容】
[0012]然而，即使利用前述方法，也未能充分地防止因为短路而出现的不良器件。因此，目前期望的是，更可靠地防止第一电极与第二电极之间的短路。
[0013]本发明期望提供能够更可靠地防止第一电极与第二电极之间的短路的发光器件、包括该发光器件的显示部以及电子设备。
[0014]本技术的实施例提供了一种发光器件，其包括:第一电极；包括发光层的有机层；包括氧化锌的电阻层；以及第二电极，所述第一电极、所述有机层、所述电阻层和所述第二电极按此顺序而被设置着。在所述发光器件中，所述氧化锌的晶体取向包括多个晶面指数分量。
[0015]本技术的实施例提供了一种显示部，其设置有多个发光器件，各所述发光器件包括:第一电极；包括发光层的有机层；包括氧化锌的电阻层；以及第二电极，所述第一电极、所述有机层、所述电阻层和所述第二电极按此顺序而被设置着。在所述发光器件中，所述氧化锌的晶体取向包括多个晶面指数分量。
[0016]本技术的实施例提供了一种电子设备，其设置有显示部，所述显示部设置有多个发光器件，各所述发光器件包括:第一电极；包括发光层的有机层；包括氧化锌的电阻层；以及第二电极，所述第一电极、所述有机层、所述电阻层和所述第二电极按此顺序而被设置着。在所述发光器件中，所述氧化锌的晶体取向包括多个晶面指数分量。
[0017]在本技术实施例的发光器件中，即使由于例如异物的附着等而产生了在所述第一电极与所述第二电极之间未形成有有机层的区域，但是含有氧化锌的所述电阻层被插入这两个电极之间。因为氧化锌的晶体取向包括多个晶面指数分量，所以膜应力被减小了，并且能够允许氧化锌被包含于所述电阻层中。与其他的高电阻材料相比较，氧化锌具有接近于所述有机层的光学特性的光学特性。
[0018]根据本技术各实施例的发光器件、显示部和电子设备，含有氧化锌的所述电阻层被设置于所述有机层与所述第二电极之间。因此，能够更可靠地防止所述第一电极与所述第二电极之间的短路。而且，还使得能够提高光提取效率。
[0019]应当理解的是，前述的一般说明和下面的详细说明都是示例性的，并且旨在提供对本发明所要保护的技术的进一步说明。
【专利附图】
【附图说明】
[0020]图1是图示了本技术实施例的显示部的构造的截面图。
[0021]图2是图示了图1所示的显示部的整体构造的图。
[0022]图3是图示了图2所示的像素驱动电路的示例的图。
[0023]图4A是用于解释图1所示的有机层的构造的截面图。
[0024]图4B是图示了图4A所示的有机层的另一个示例的截面图。
[0025]图5是图示了图1所示的半透射型反射膜的构造的平面图。
[0026]图6A是图示了图1所示的显示部的制造方法的截面图。
[0027]图6B是图示了跟在图6A的步骤之后的步骤的截面图。
[0028]图6C是图示了跟在图6B的步骤之后的步骤的截面图。
[0029]图7A是图示了跟在图6C的步骤之后的步骤的截面图。
[0030]图7B是图示了跟在图7A的步骤之后的步骤的截面图。
[0031]图8A是图示了跟在图7B的步骤之后的步骤的截面图。
[0032]图8B是图示了跟在图8A的步骤之后的步骤的截面图。
[0033]图9是用于解释有异物存在于图1所示的第一电极上的情况的截面图。
[0034]图10是图示了图1所示的电阻层的X射线分析的结果的图。
[0035]图11是图示了氧化锌的晶体取向中的(101)分量的比率与应力大小之间的关系的图。
[0036]图12是图示了变形例I的显示部的构造的截面图。
[0037]图13是图示了变形例2的显示部的构造的截面图。
[0038]图14是图示了变形例3的显示部的构造的截面图。
[0039]图15是图示了图14所示的引出电极的构造的平面图。
[0040]图16是图示了图14所示的引出电极的另一个示例的截面图。
[0041]图17是图示了包括图1所示的显示部等的模块的示意性构造的平面图。
[0042]图18是图示了应用例I的外观的立体图。
[0043]图19A是图示了从应用例2的正面所观察到的外观的立体图。
[0044]图19B是图示了从应用例2的背面所观察到的外观的立体图。
[0045]图20是图示了应用例3的外观的立体图。
[0046]图21是图示了应用例4的外观的立体图。
[0047]图22A是图示了处于闭合状态下的应用例5的图。
[0048]图22B是图示了处于打开状态下的应用例5的图。
[0049]图23是图示了应用例6的外观的立体图。
【具体实施方式】
[0050]下面，将参照附图来详细地说明本技术的优选实施例。将按照下列顺序进行说明。
[0051]1.实施例(显示部:电阻层包括氧化锌的示例)
[0052]2.变形例I (在电阻层与第二电极之间包括导电树脂层的示例)
[0053]3.变形例2 (包括辅助电极的示例)
[0054]4.变形例3 (包括弓丨出电极的示例)
[0055]实施例
[0056]显示部I的整体构造
[0057]图1图示了本技术实施例的显示部(显示部I)的主要部分的截面构造。显示部I是包括多个有机EL器件20的自发光型显示部，并且具有依次设置在支撑基板11上的像素驱动电路形成层L1、包括有机EL器件20的发光器件形成层L2、和对向基板33。显示部I是所谓的顶出射型显示部，它的光提取方向是在对向基板33侧。像素驱动电路形成层LI可以包括例如用于显示图像的信号线驱动电路和扫描线驱动电路(未图示)。关于各个部件的细节，稍后将给出说明。
[0058]图2图示了显示部I的整体构造。显示部I具有支撑基板11上的显示区域110，并且可以被用作例如超薄型有机发光彩色显示部等。在支撑基板11上的显示区域110的周围，例如，可以设置有信号线驱动电路120和扫描线驱动电路130，它们两者是用于显示图像的驱动器。在显示区域110中，形成有以矩阵的状态呈二维状布置着的多个有机EL器件20(20R、20G和20B)以及用于驱动有机EL器件20的像素驱动电路140。有机EL器件20R、20G和20B分别指的是发出红光、绿光和蓝光的有机EL器件20。
[0059]图3图示了像素驱动电路140的示例。像素驱动电路140是有源型驱动电路，其被形成于后面提及的第一电极21(图1)下方的层中。即，像素驱动电路140具有:驱动晶体管Trl ;写晶体管Tr2 ;处于晶体管Trl与Tr2之间的电容器(保持电容)Cs ；以及在第一电源线(Vcc)与第二电源线(GND)之间被串联地连接至驱动晶体管Trl的有机EL器件20R、20G或20B。驱动晶体管Trl和写晶体管Tr2各者是由一般的薄膜晶体管(TFT =Thin FilmTransistor)构成的。
[0060]在像素驱动电路140中，多个信号线120A被布置在列方向上，并且多个扫描线130A被布置在行方向上。在各信号线120A和各扫描线130A的每个交叉处设置着有机EL器件20R、20G和20B中的一者。各信号线120A与信号线驱动电路120连接，并且各扫描线130A与扫描线驱动电路130连接。从信号线驱动电路120向晶体管Tr2的源极电极按顺序地提供图像信号，并且从扫描线驱动电路130向晶体管Tr2的栅极电极按顺序地提供扫描信号。
[0061]显示部I的主要部分的构造
[0062]接着，将再次参照图1而给出支撑基板11、像素驱动电路形成层L1、发光器件形成层L2、对向基板33等的详细构造的说明。
[0063]支撑基板11可以用例如石英、玻璃、硅(Si)晶片、金属箔、或者由树脂制成的膜或片来形成。作为前述的玻璃，例如可以使用高应变点玻璃、钠玻璃(Na2OXaO和S12)、硼硅酸盐玻璃(Na20、B2O3和S12)、镁橄榄石(2Mg0和S12)、铅玻璃(Na20、PbO和S12)、或者类似物。作为树脂材料，例如可以使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚萘二甲酸丁二醇酯(PBN)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯苯酚(PVP)、聚醚砜(PES)、聚酰亚胺、聚碳酸酯树脂、或者类似物。在支撑基板11是利用所述树脂材料而被形成的情况下，支撑基板11可以优选地具有层叠结构并且经受表面处理以便抑制透水性和透气性。因为在顶出射型显示部中光是从对向基板33被提取的，所以支撑基板11可以由透射材料或非透射材料形成。支撑基板11可以由柔性材料制成，从而实现可弯曲的显示部。支撑基板11的杨氏模量和曲率半径的值不受限制。
[0064]像素驱动电路形成层LI具有层间绝缘层16A和16B，在层间绝缘层16A和16B中埋有TFT 1T(图3中的驱动晶体管Trl和写晶体管Tr2)和配线17。
[0065]TFT 1T包括栅极电极12、栅极绝缘膜13和半导体层，该半导体层具有源极/漏极区域14A和14B以及沟道区域15。该半导体层的沟道区域15被设置于与栅极电极12相对的位置中。栅极绝缘膜13被夹在该半导体层与栅极电极12之间。在该半导体层中，源极/漏极区域14A和源极/漏极区域14B被设置成让沟道区域15处于它们两者之间。TFT1T通过配线17而被电连接至有机EL器件20。关于该半导体层，例如可以使用a-Si (非晶硅)、氧化物半导体、有机半导体、或者类似物。在图1中，图示了其中栅极电极12被设置于基板11上的所谓底栅型晶体管。然而，TFT 1T可以是顶栅型晶体管。
[0066]层间绝缘层16A和16B使支撑基板11的上面形成有像素驱动电路140 (诸如TFT10T)的表面平坦化。层间绝缘层16A和16B可以优选地由具有良好图案精确度的材料制成，这是因为在该材料内设置有细小的连接孔。配线17将TFT 1T的源极/漏极区域14A和14B与有机EL器件20 (后面提及的第一电极21)电连接起来。配线17通过被设置于下层中的(支撑基板11侧的)层间绝缘层16A中的接触部而被连接至TFTlOT的源极/漏极区域14A和14B，并且通过被设置于上层中的(对向基板33侧的)层间绝缘层16B的连接孔中的接触部而被连接至第一电极21。层间绝缘层16A和16B的构成材料的示例可以包括:诸如聚酰亚胺等有机材料；以及诸如二氧化硅(S12)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(S1N)等无机材料。
[0067]有机EL器件20、绝缘层(隔离壁)24、保护层31和粘接层32被设置于发光器件形成层L2中。保护层31和粘接层32覆盖有机EL器件20和绝缘层24。在有机EL器件20中，作为阳极的第一电极21、有机层23、半透射型反射膜40、电阻层50和作为阴极的第二电极22按此顺序从支撑基板11侧开始被层叠着。
[0068]第一电极21是将空穴注入到有机层23 (图4A中的后面提及的空穴输运层23B)中的电极，并且对应于各个有机EL器件20(20R、20G和20B)而被设置于层间绝缘层16B上。第一电极21还具有作为反射层的功能，并且可以优选地具有尽可能高的反射率以便提高发光效率。例如，第一电极21可以由下列材料制成:诸如钼(Pt)、金(Au)、银(Ag)、铬(Cr)、钨(W)、镍(Ni)、铜(Cu)、铁(Fe)、钴(Co)、钽(Ta)、铝(Al)、钕(Nd)和钥(Mo)等金属元素；或者它们的合金。例如，作为这样的合金，可以使用:具有银作为主要成分且包含0.3wt%至Iwt %的钯(Pd)和0.3被％至Iwt %的铜的Ag-Pd-Cu合金；或者Al-Nd合金。通过设置适当的空穴注入层，就使得可以使用如下的诸如铝元素和铝合金等材料作为第一电极21:该材料虽然具有高的反射率，但是具有因为表面氧化物膜的存在而造成的空穴注入障碍的缺点且具有小的功函数。由铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)制成的透明导电膜可以被设置于第一电极21的表面上。第一电极21的厚度可以是在例如从0.01微米至I微米且含两端点的范围内。
[0069]绝缘层24确保第一电极21与第二电极22之间的绝缘，并且获得发光区域的所期望形状。开口 25被设置成与发光区域对应。有机层23被设置于开口 25中。绝缘层24可以是例如锥形的。随着开口 25的位置从第一电极21侧到第二电极22侧，该开口 25是逐渐变宽的。绝缘层24可以由例如无机绝缘材料(诸如S12)或者有机绝缘材料(诸如感光树脂材料)制成。该无机绝缘材料和该有机绝缘材料可以层叠起来。在除了开口 25以外的部分中(在绝缘层24上)可以设置有有机层23。然而，仅在开口 25中出现发光。
[0070]例如，如图4A所示，有机层23可以通过从第一电极21侧依次层叠空穴输运层23B、发光层23A和电子输运层23C而被构成。空穴注入层(未图不)可以被设置于第一电极21与空穴输运层23B之间，并且电子注入层(未图示)可以被设置于电子输运层23C与第二电极22之间。前述各层之中的除了发光层23A以外的层可以在必要时才被设置。有机层23可以例如对应于各个有机EL器件20R、20G和20B而被设置(图1)。有机层23可以被设置成由有机EL器件20R、20G和20B共用，并且例如，可以出射白光(未图示)。也可能的是:空穴输运层23B、发光层23A和电子输运层23C的层叠结构被视为一个串列单兀(tandem unit)，并且在各个有机EL器件20R、20G和20B中层叠着两个以上的串联单元。
[0071]空穴输运层23B将第一电极21中所生成的空穴有效地输送到发光层23A。它的厚度可以是例如从1nm至200nm(包括两端点)。关于空穴输运层23B，可以使用例如4，4’，4"-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)或者α -萘基苯基二胺(a NPD)。有机EL器件20R、20G和20B的空穴输运层23B可以由例如相同材料制成。
[0072]在发光层23A中，当电场被施加时，生成了电子-空穴复合，且因此生成了光。例如，有机EL器件20R的发光层23A发出红光，有机EL器件20G的发光层23A发出绿光，并且有机EL器件20B的发光层23A发出蓝光。发光层23A的厚度可以是例如从Inm至10nm(包括两端点)。
[0073]有机EL器件20R的发光层23A可以具有例如大约5nm的厚度，并且可以由通过在4，4-双(2，2-二苯乙烯基)联苯(DPVBi)中混合30wt%的2，6-双〈(4’-甲氧基二苯胺)苯乙烯基>-1，5-二氰基萘(BSN)而获得的化合物组成。
[0074]有机EL器件20G的发光层23A可以具有例如大约1nm的厚度，并且可以由通过在DPVBi中混合5wt%的香豆素6而获得的化合物组成。
[0075]有机EL器件20B的发光层23A可以具有例如大约30nm的厚度，并且可以由通过在DPVBi中混合1.5界七％的4，4’ -双〈2-{4-(N，N- 二苯胺)苯基}乙烯基 > 联苯(DPAVBi)而获得的化合物组成。
[0076]电子输运层23C提高了将电子输运至发光层23A的效率。电子输运层23C可以由例如喹啉(quinolone)、二萘嵌苯、菲咯啉、菲、嵌二萘、双苯乙烯、吡嗪、三唑、噁唑、富勒烯、噁二唑、芴酮、蒽、萘、丁二烯、香豆素、吖啶、芪及它们的衍生物或者金属络合物构成。电子输运层23C的厚度可以是例如从5nm至300nm (包括两端点)。关于电子输运层23C，可以使用例如具有大约20nm厚度的8-羟基喹啉铝(缩写:Alq3)。有机EL器件20R、20G和20B的各电子输运层23C可以由例如相同材料制成。
[0077]半透射型反射膜40构成有机EL器件20的共振器结构，并且可以被设置成例如由所有的有机EL器件20共用。更具体地,来自发光层23A的光在处于第一电极21与有机层23(图4A中的空穴输运层23B)之间的界面Pl (第一界面)和处于半透射型反射膜40与有机层23(图4A中的电子输运层23C)之间的界面P2(第二界面)之间发生共振，并且该光的一部分经过半透射型反射膜40而从第二电极22被提取。因为有机EL器件20具有这样的共振结构，所以发光层23A中所发射的光产生多重干涉，并且从第二电极22侧提取的光的光谱的半带宽被减小了。即，能够让正面方向上的光辐射强度增大，并且能够让发光的颜色纯度提高。而且，从对向基板33侧进入的外部光因为多重干涉而被衰减，且因此，它的反射被减小了。需要注意的是，显示部I可以被构造成不用设置半透射型反射膜40。
[0078]当从界面Pl到发光层23A的最大发光位置的光程是OL1,并且从界面P2到最大发光位置的光程是OL2时，OL1和OL2可以满足例如下面的数学表达式I和下面的数学表达式2。最大发光位置(最大发光位置Ml)可以是例如电子输运层23C与发光层23A之间的界面(图4A)。最大发光位置(最大发光位置M2)可以是如图4B所示的空穴输运层23B与发光层23A之间的界面。例如，针对有机EL器件20R，最大发光位置是Ml，并且针对有机EL器件20G和20B，最大发光位置是M2。
[0079][数学表达式I]
[0080]0.7 (-F1/(2C) +I1I < = 2XOL1ZR <= 1.2 (-F1/(2C) +Hi1}
[0081][数学表达式2]
[0082]0.7 (-F2/(2C) +m2} < = 2X0L2/R <= 1.2 (-F2/(2C) +m2}
[0083](在数学表达式I和数学表达式2中，OL1表示从界面Pl到发光层23A的最大发光位置的光程；0L2表示从界面P2到最大发光位置的光程；R表示发光层23A中所生成的光的光谱的最大峰值波长；F1表示界面Pl中所生成的反射光的相移量(单位:弧度，并且IP(F1SO) ;F2表示界面P2中所生成的反射光的相移量(单位:弧度，并且-2P〈F2<0)；C表示圆周率；并且(m” m2)的值是(0，0)、(1,0)和(O, I)中的任一个)。
[0084]通过规定利用如上所述的有机EL器件20的有机层23、第一电极21和半透射型反射膜40而构成的光的干涉条件或者共振条件，允许亮度和色度对于视角的依赖性降低。
[0085]半透射型反射膜40可以含有例如碱金属和银，或者碱土金属和银。具体地，半透射型反射膜40含有镁(Mg)和银，并且它们的体积比(Mg:Ag)可以是在例如从5:1到30:1(1%^8 = 5:1到30:1)的范围内。半透射型反射膜40可以含有例如镁和钙(Ca)，并且它们的体积比(Mg:Ca)可以是在例如从2:1到10:1 (Mg:Ca = 2:1到10:1)的范围内。半透射型反射膜40可以由铝或银制成。半透射型反射膜40的厚度可以是例如从大约Inm至大约6nm(包括两端点)。
[0086]半透射型反射膜40具有断裂部40A。具有如上所述的薄膜厚度(诸如从Inm到6nm(包括两端点)的厚度)的半透射型反射膜40不太可能被形成于绝缘层24的侧壁上，并且在绝缘层24的侧壁上例如可以设置有断裂部40A。因此，如图5所示，断裂部40A存在于开口 25的周围。
[0087]电阻层50被设置于有机层23与第二电极22之间，具体地，在支撑基板11上的显示区域I1的整个表面上处于半透射型反射膜40与第二电极22之间，并且电阻层50的电阻高于第一电极21和第二电极22的电阻。在这个实施例中，电阻层50含有氧化锌(ZnO)，并且氧化锌的晶体取向包括多个晶面指数分量。因而，虽然稍后才会说明细节，但是应使得能够更可靠地防止第一电极21于第二电极22之间的短路，并且应使得能够提高光提取效率。电阻层50包括电荷输运功能或电荷注入功能。电阻层50可以被设置于任何位置中，只要该位置位于有机层23与第二电极22之间即可。例如，在显示部I被构造成未设置有半透射型反射膜40的情况下，电阻层50可以被设置于电子输运层23C与第二电极22之间。而且，在省略了电子输运层23C的情况下，电阻层50可以被设置于发光层23A与第二电极22之间。
[0088]优选地，流过电阻层50的电流可以是流过一整个有机EL器件20的电流的十分之一或者大约十分之一。电阻层50的电阻率可以是在例如从I X 12欧姆米到I X 16欧姆米且含两端点的范围内(从IXlO4欧姆米到IXlO8欧姆米且含两端点的范围内)。电阻层50的厚度可以是在例如从0.1微米到10微米且含两端点的范围内。更具体地，电阻层50的电阻率可以优选地是在从5X 12欧姆米到5X 14欧姆米且含两端点的范围内(从5X 14欧姆米到5X106欧姆米且含两端点的范围内)，并且电阻层50的厚度优选地可以优选地是在从0.15微米到I微米且含两端点的范围内。如上所述，电阻层50含有氧化锌。氧化锌的晶体取向可以包括例如(002)晶面指数分量和(101)晶面指数分量。除了包括(002)分量和(101)分量之外，氧化锌的晶体取向还可以包括例如(001)分量或(212)分量。氧化锌的晶体取向包括这些分量之中的两个以上分量就足够了。因为氧化锌的晶体取向包括多个晶面指数分量，所以使得电阻层50的膜应力能够减小，并且使得电压能够被可靠地施加给有机层23。(101)分量相对于(002)分量的比率(亦即(101)/(002))优选地可以是5%以上，并且更优选地可以是15%以上。通过包含相对于(002)分量的比率为5%以上的
(101)分量，使得电阻层50的膜应力能够被抑制，并且使得有机EL器件20能够可靠地发光。氧化锌比诸如氧化铌(Nb2O5)等其他高电阻材料具有更接近有机层23的光学特性的光学特性，发光层23A中所生成的光的提取效率被提高了，并且使得电力消耗能够被抑制。电阻层50优选地可以含有30%以上比率的氧化锌。
[0089]电阻层50优选地可以含有与氧化锌一起的添加剂，以便提高光学特性和调节电阻率。这样的添加剂的组分的示例可以包括:过渡金属元素；类金属元素；和具有30以下的原子序数的轻元素。这些元素的具体示例可以包括锡(Sn)、铟(In)、镓(Ga)、镁(Mg)、钙(Ca)、铝(Al)、硅(Si)、铊(Tl)、秘(Bi)和铅(Pb)。前述元素之中的镁、铝和硅可以是优选地含有的。在电阻层50中可以含有多种这些元素。电阻层50可以含有例如比率为大约10%到20% (包括两端点)的这样的添加剂。电阻层50可以是非晶膜。在电阻层50是由具有低透水性的致密膜形成的情况下，显示部I可以被构造成未设置后面提及的保护层31。
[0090]在半透射型反射膜40与电阻层50之间可以进一步设置有有机层(未图示)。该有机层可以包括发光层。
[0091]第二电极22在与第一电极21绝缘的状态下被设置于电阻层50上，并且被设置成由所有的有机EL器件20共用。第二电极22是由透光性透明材料制成的。该透光性透明材料的示例可以包括ΙΤ0、ΙΖ0、氧化锌(ZnO)、掺有氧化铝的氧化锌(AZO)、掺有镓的氧化锌(GZO)、铟钛氧化物(IT1)或者铟钨氧化物(IWO)。关于第二电极22，例如，可以优选地使用诸如ITO等具有I欧姆米(100欧姆米)以下的体积电阻率的材料。第二电极22的厚度可以是例如500nm。
[0092]保护层31可以优选地由如下的材料制成:该材料对发光层23A中所生成的光是透明的，且是致密的，并且具有低的透水性。这样的材料的示例可以包括:非晶硅(α-Si);非晶碳化硅(a-SiC);非晶氮化硅(C1-SipxNx);非晶氧化硅U-SihOy);非晶碳(a-C);非晶氮氧化硅；和三氧化二铝(Al2O3)。
[0093]关于粘接层32，例如，可以使用:诸如丙烯酸粘合剂、环氧粘合剂、聚氨酯系粘合齐U、硅酮系粘合剂、氰基丙烯酸酯系粘合剂等热固化型粘合剂；或紫外光固化型粘合剂。
[0094]对向基板33位于有机EL器件20的第二电极22侧，并且与粘接层32 —起密封有机EL器件20。关于对向基板33，可以使用与前述的支撑基板11的材料相似的材料，只要该材料对发光层23A中所生成的光是透明的即可。在对向基板33中，可以设置有例如彩色滤光片和作为黑矩阵的遮光膜(两者都没有被图示)。
[0095]显示部I的制造方法
[0096]例如，可以按如下方式(图6A至图8B)来制造如上所述的显示部I。
[0097]首先，在支撑基板11上形成TFT 1T0具体地，在支撑基板11上设置呈图案状的栅极电极12之后，依次形成栅极绝缘膜13和半导体层以覆盖栅极电极12。此后，在所述半导体层中设置沟道区域15以及源极/漏极区域14A和14B，且由此形成了 TFT 1T0接着，可以利用例如化学气相沉积(CVD:Chemical Vapor Deposit1n)方法在TFT 1T上形成氧化硅。此后，利用光刻和蚀刻在该氧化硅膜中设置连接孔，然后形成层间绝缘层16A(图6A)。
[0098]随后，可以利用例如真空蒸发方法在层间绝缘层16A上形成铝。此后，对所得到的铝进行蚀刻以形成配线17。配线17通过被设置于层间绝缘层16A中的接触部而被电连接至半导体层的源极/漏极区域14A和14B。在设置了配线17之后，如图6B所示，可以形成由例如氧化硅制成的层间绝缘层16B。可以例如使用与层间绝缘层16A的方法相似的方法来形成层间绝缘层16B。层间绝缘层16B已经预先在与配线17的一部分相对的位置中设置有连接孔。
[0099]在设置了层间绝缘层16B之后，可以利用例如真空蒸发方法形成Al-Nd合金，对所得到的Al-Nd合金进行蚀刻以形成呈图案状的第一电极21 (图6C)。第一电极21通过被设置于层间绝缘层16B中的接触部而被电连接至配线17。接着，可以利用例如旋转涂敷方法形成由聚酰亚胺制成且为I微米厚的绝缘层24。此后，对绝缘层24进行蚀刻，以使第一电极21的一部分或全部露出从而设置开口 25 (图7A)。
[0100]随后，如图7B所示，可以利用例如真空蒸发方法针对每个有机EL器件20而在开口 25中依次形成空穴输运层23B、发光层23A和电子输运层23C，从而形成有机层23。接着，可以利用例如真空蒸发方法在显示区域110 (图2)的整个表面上形成由平均膜厚为5nm的Mg-Ag(体积比:Mg:Ag = 10:1)制成的半透射型反射膜40 (图8A)。因为在半透射型反射膜40中设置有断裂部40A，所以半透射型反射膜40可以优选地在诸如IXlO-3Pa以下的相对较低压力下被形成。这时，通过在与有机层23的真空蒸发装置为同一个装置的真空蒸发装置中跟着有机层23而继续形成半透射型反射膜40，能够防止因为大气中的湿气和氧气而造成的有机层23的劣化。
[0101]在设置了半透射型反射膜40之后，在半透射型反射膜40上形成含有氧化锌的电阻层50。例如，电阻层50可以具有0.5微米的厚度，并且它的电阻率可以是I X 14欧姆米(IXlO6欧姆米)。为了改善覆盖，电阻层50可以优选地在例如从0.1Pa到1Pa (包括两端点)的相对较高压力下被形成。
[0102]电阻层50可以优选地被形成为不会使氧化锌过度结晶化，以使电阻层50中所含有的氧化锌的晶体取向包括多个晶面指数分量，诸如(101)分量和(002)分量。例如，在利用溅射方法来形成电阻层50的情况下，如果使用了限制板，那么具有高能量的溅射粒子的数量被减少，因而，能够防止过度结晶化。或者，可以做出设定以使溅射粒子与载气分子发生五次以上的碰撞，直到溅射粒子到达基板。具体地，首先，使用基板旋转式溅射沉积设备，并且在明显靠近靶材的位置中设置限制板。接着，引入相对于氩气(Ar)为1.5%的氧气(O2)，然后可以例如在0.7Pa的腔室压力下形成电阻层50。腔室压力被调节以使得溅射粒子与载气分子发生五次以上的碰撞，直到溅射粒子到达基板。因此，例如，形成了具有如下晶体取向的氧化锌:该晶体取向中，(101)分量相对于(002)分量的比率是10%。如上所述，可以通过将添加剂与氧化锌混合来形成电阻层50。
[0103]在设置了电阻层50之后，可以在电阻层50上形成由例如ITO制成且厚度为0.5微米的第二电极22 (图8B)。第二电极22的电阻率可以是例如I欧姆米(100欧姆米)。例如，可以使用真空蒸发方法、溅射方法、或离子镀方法等来形成第二电极22。
[0104]随后，可以利用例如CVD方法或溅射方法在支撑基板11的整个表面上形成保护层31。此后，将对向基板33粘至保护层31且粘接层32介于它们两者之间。具体地，在支撑基板11 (保护层31)的边缘设置了密封剂(未图示)之后，将粘接层32填充于该密封剂内以粘住对向基板33 (0DF方法:液晶滴注法(One Drop Fill))。例如，可以将粘接层32加热，以使对向基板33固定于支撑基板11上。粘接层32可以被设置于对向基板33侧，或者可以使用片状粘接层32。于是，完成了图1至图3所示的显示部I。
[0105]显示部I的功能和效果
[0106]在显示部I中，扫描信号从扫描线驱动电路130通过写晶体管Tr2的栅极电极而被提供给各个有机EL器件20 (20R、20G和20B)。图像信号从信号线驱动电路120通过写晶体管Tr2而被提供给保持电容Cs，并且被保持在保持电容Cs中。S卩，驱动晶体管Trl是根据被保持在保持电容Cs中的信号而被接通/断开地控制的。因此，驱动电流Id被注入有机EL器件20中，产生了电子-空穴复合，且因此，发出光。该光在第一电极21 (界面Pl)与半透射型反射膜40 (界面P2)之间被多次反射，经过半透射型反射膜40、电阻层50、第二电极22和对向基板33而被透射，然后被提取。通过包括这样的共振器结构，已经透过第二电极22且被出射的光具有在共振的中心波长附近的波长，显示光的颜色纯度被提高，且它的光强度也被提高。
[0107]在这种情况下，含有氧化锌的电阻层50被设置于第一电极21与第二电极22之间，具体地，半透射型反射膜40与第二电极22之间。因而，能够更可靠地防止第一电极21与第二电极22之间的短路，并且能够提高光提取效率。关于这些的细节，下面将给出说明。
[0108]当显示部I被制造时，如图9所示，异物F可能粘附在第一电极21上。由于异物F，有机层23的覆盖变得不完整，并且在异物F的附近产生了未形成有有机层23的区域。因为除了异物F以外的诸如第一电极21的一部分表面的隆起等其他因素，也产生了未形成有有机层23的区域。在这样的区域中，在有机层23上方的半透射型反射膜40也由于其小的膜厚而具有间隙。因此，在其中没有设置电阻层的显示部中，在异物F的附近会发生第一电极与第二电极之间的短路，并且显示质量降低。相比之下，在PTL 2(底出射型)中，提出了在阳极与有机层之间设置由氧化铟系化合物制成的电阻层的方法。而且，在PTL 3(顶出射型)中，披露了使阳极的一部分的电阻增大的方法。在PTL 4(底出射型)中，披露了使阴极的一部分的电阻增大的方法。然而，如上所述，这些方法都不能使得有效地防止因为短路而造成的不良装置的发生。
[0109]在本实施例中，含有氧化锌的电阻层50被设置于半透射型反射膜40与第二电极22之间。因此，在异物F的附近电阻层50被夹在第一电极21与第二电极22之间。因此，第一电极21和第二电极22不会彼此直接地接触，防止了过大的电流集中到异物F的附近，并且使得能够将电压施加给有机EL器件20的有机层23的整个表面。因此，就能够更可靠地防止第一电极21与第二电极22之间的短路。需要注意的是，即使不存在半透射型反射膜40，但电阻层50具有足够的电荷输运层，因而，电压从第二电极22被可靠地施加给有机层23。
[0110]一个貌似合理的想法是:第一电极与第二电极之间的电阻层可以由诸如作为主要成分的氧化铌等高电阻材料制成(例如，PTL 5和PTL 6)。下面将氧化铌的光学特性与氧化锌的光学特性进行比较。在具有作为主要成分的氧化铌的电阻层中，在633nm波长下的折射率(η)是从2.3到2.4 (包括两端点)，并且在450nm波长下的消光系数(k)等于或小于0.005。相比之下，在具有作为主要成分的氧化锌的电阻层50中，在633nm波长下的折射率(η)是从1.8到1.9 (包括两端点)，并且在450nm波长下的消光系数(k)等于或小于0.001。S卩，通过在电阻层50中含有氧化锌，电阻层50的光学特性变得接近有机层23的光学特性，并且使得能够提高显示部I的光提取效率。因此，就能够节省电力。而且，色度对于视角的依赖性也被降低了。
[0111]然而，在氧化锌的晶体取向包括单个分量(诸如只有(002)晶面指数分量)的情况下，电阻层的膜应力增大了。因此，不能够均匀地形成电阻层，并且在有机层与电阻层之间可能发生膜的剥离。随着显示部的尺寸越大，形成均匀膜就变得越困难。这同样适用于为了提高制造效率而利用大的设备来制造小的显示器的情况。膜的剥离可能会使有机层断裂，并且有机EL器件的正常发光可能会受阻。
[0112]在显示部I中，因为电阻层50中的氧化锌的晶体取向包括多个晶面指数分量，所以电阻层50的膜应力被减小了。因此，在平面内均匀地形成了电阻层50以防止膜的剥离，并且电压被可靠地施加给有机层23。
[0113]图10图示了其中晶体取向包括(002)晶面指数分量和(101)晶面指数分量的电阻层50(氧化锌)以及其中晶体取向只包括(002)晶面指数分量的电阻层150(氧化锌)的利用X射线衍射法的测量结果。在电阻层150的峰的数量是I个(2 Θ:在34度附近)的同时，在电阻层50中观察到了两个峰(2Θ:在34度和36度的附近)。
[0114]图11图示了 (101)分量相对于(002)分量的比率(亦即(101)/(002))与应力之间的关系。需要注意的是，(101)/(002)是从X射线分析的峰值强度比获得的。根据图11，可以发现:随着(101)分量变大，应力变小。在(101)/(002)小于5% (0.005)的膜中，SP，在应力的绝对值大于_400MPa时，会频繁地看到不良的有机EL器件。相比之下，在(101)/
(002)等于或大于5%的膜中，几乎所有的有机EL器件20都能正常地发光。在应力绝对值小于250MPa((101)/(002)等于或大于15% )的具有减缓应力的膜(所谓的无应力膜)中，能够更可靠地使得所有的有机EL器件20正常发光。在氧化锌的晶体取向只包括(002)晶面指数分量的情况下，不良的有机EL器件的比率为30%以上；在(101)/(002)是1.9%的情况下，不良的有机EL器件的比率是0.1929% ;在(101)/(002)是17.1 %的情况下，不良的有机EL器件的比率是0.0096%;并且在(101) / (002)是46.2%的情况下，不良的有机EL器件的比率是0.0039%。
[0115]如上所述，在本实施例中，含有氧化锌的电阻层50被设置于第一电极21与第二电极22之间，并且氧化锌的晶体取向包括多个晶面指数分量。因此，能够更可靠地防止第一电极21与第二电极22之间的短路，并且能够提高光提取效率。
[0116]下面，将给出前述实施例的变形例的说明。在下面的说明中，对于与前述实施例中的部件相同的部件，将赋予它们相同的附图标记，并且将适当地省略它们的说明。
[0117]变形例I
[0118]图12图示了变形例I的显示部(显示部1A)的截面构造。显示部IA具有位于电阻层50与第二电极22之间的导电树脂层60。除了前述的这一点以外，显示部IA具有与显示部I的构造相似的构造，并且它的操作和效果类似于显示部I的操作和效果。
[0119]导电树脂层60承担第二电极22与电阻层50之间的传导。导电树脂层60的电阻率可以是在例如从IX 10_4欧姆米到I X 12欧姆米且含两端点的范围内(从I X 10_2欧姆米到IXlO4欧姆米且含两端点的范围内)。导电树脂层60的厚度可以是在例如从I微米到100微米且含两端点的范围内。关于导电树脂层60，例如可以使用通过在树脂材料中包含导电聚合物而获得的材料。树脂材料的示例可以包括:诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、聚氨酯系树脂、硅酮系树脂和氰基丙烯酸酯系树脂等热固化型树脂；或者紫外光固化型树脂。导电聚合物的示例可以包括聚吡咯、聚醚、聚苯胺和聚噻吩。导电树脂层60可以由共聚物制成。该共聚物可以是例如通过使诸如吡咯和噻吩等导电聚合物与丙烯酸聚合物、环氧聚合物、聚氨酯系聚合物、硅酮系聚合物或氰基丙烯酸酯系聚合物共聚合而形成的。
[0120]在具有导电树脂层60的显示部IA中，可以省略保护层31和粘接层32 (图12)。这样的显示部IA能够通过将设置有第二电极22的对向基板33粘附至设置有有机层23的支撑基板11而制造出来。即，因为能够省略在有机层23上形成第二电极22的步骤，所以能够防止有机层23的劣化。而且，这使得能够形成高质量的第二电极22。
[0121]变形例2
[0122]图13图示了变形例2的显示部(显示部1B)的截面构造。显示部IB具有辅助电极70。辅助电极70将第二电极22电连接至外部电路。除了前述的这一点以外，显示部IB具有与显示部I的构造相似的构造，并且它的操作和效果类似于显示部I的操作和效果。
[0123]例如，辅助电极70可以通过被设置于粘接层32中的导电肋条(conductiverib) 71而被电连接至第二电极22。肋条71可以通过在由例如聚酰亚胺树脂或丙烯酸树脂等制成的肋条的表面上设置导电材料膜来获得。该导电材料膜的示例可以包括铝、银、铜、钛、钨、钽、钥、ITO、IZO和氧化锡。肋条71的高度可以是例如5微米。辅助电极70可以由例如I微米厚的铝制成。
[0124]变形例3
[0125]图14图示了变形例3的显示部(显示部1C)的截面构造。显示部IC具有引出电极80。引出电极80将第二电极22连接至外部电路。除了前述的这一点以外，显示部IC具有与显示部I的构造相似的构造，并且它的操作和效果类似于显示部I的操作和效果。
[0126]如图15所示，引出电极80可以例如以框架的状态被设置于对向基板33的边缘上。引出电极80的一部分重叠于第二电极22上(重叠部80Α)。引出电极80可以由例如钛制成。引出电极80可以被设置于支撑基板11侧(图16)。
[0127]模块和应用例
[0128]将给出前述实施例中所说明的显示部的应用例的说明。前述实施例的显示部I可适用于用来把从外部输入的视频信号或者在内部生成的视频信号显示为图像或视频的任何领域内的电子设备的显示部，该电子设备例如是电视机、数码相机、笔记本式个人计算机、诸如移动电话等便携终端设备、以及可携式摄影机。
[0129]模块
[0130]例如，如图17所示，前述实施例等的显示部1、1Α、1Β和IC(下面，称为显示部I)可以作为模块而被并入诸如后面提及的应用例I至应用例5等各种电子设备中。在该模块中，例如，在支撑基板11的一边处设置有从保护层31和对向基板33暴露出来的区域210，并且通过使信号线驱动电路120和扫描线驱动电路130的配线延伸而在暴露区域210中形成了外部连接终端(未图示)。该外部连接终端可以设置有柔性印刷电路(FPC-flexibleprinted circuit) 220以便输入和输出信号。
[0131]应用例I
[0132]图18图示了应用了前述实施例的显示部I的电视机的外观。该电视机可以具有例如包括前面板310和滤光玻璃320的图像显示屏部300。图像显示屏部300由前述实施例的显示部I构成。
[0133]应用例2
[0134]图19A和图19B图示了应用了前述实施例的显示部I等的数码相机的外观。该数码相机可以具有例如用于闪光的发光部410、显示部420、菜单开关430、以及快门按钮440。显示部420由前述实施例的显示部I构成。
[0135]应用例3
[0136]图20图示了应用了前述实施例的显示部I等的笔记本式个人计算机的外观。该笔记本式个人计算机可以具有例如主体510、用于输入字符等的操作的键盘520、以及用于显示图像的显示部530。显示部530由前述实施例的显示部I构成。
[0137]应用例4
[0138]图21图示了应用了前述实施例的显示部I的可携式摄影机的外观。该可携式摄影机可以具有例如主体610、被设置于主体610的前侧表面上且用于拍摄被摄对象的透镜620、用于拍摄的开始/停止开关630、以及显示部640。显示部640由前述实施例的显示部I构成。
[0139]应用例5
[0140]图22A和图22B图示了应用了前述实施例的显示部I的移动电话的外观。在该移动电话中，例如，上壳体710和下壳体720可以通过接合部(铰链部)730而被接合起来。该移动电话可以具有显示部740、副显示部750、图片灯760和照相机770。显示部740和副显示部750中的任一者或两者由前述实施例的显示部I构成。
[0141]应用例6
[0142]图23图示了应用了前述实施例的显示部I的智能手机(多功能手机)的外观。该智能手机可以由例如显示部810和非显示部820构成。该智能手机能够通过显示部810来操作，即，显示部810具有触控面板。显示部810由前述实施例的显示部I构成。
[0143]虽然已经参照优选实施例和变形例而说明了本技术，但是本技术不限于前述实施例等，并且可以做出各种各样的变形。例如，各层的材料、厚度、成膜方法、成膜条件等不限于前述实施例中所说明的那些，并且可以采用其他材料、其他厚度、其他成膜方法和其他成月吴条件。
[0144]而且，在前述实施例等中，已经给出了有机层23中的发光层23A发出红光、绿光和蓝光的情况的说明。然而，所发出的光可以是诸如白光和黄光等其他颜色的光。而且，例如，在前述实施例等中，已经给出了有源矩阵型显示部的说明。然而，本技术可应用于无源矩阵型显示部。
[0145]此外，在前述实施例等中，已经给出了第一电极21是阳极且第二电极22是阴极的情况的说明。然而，以相反的方式，第一电极21可以是阴极且第二电极22可以是阳极。除此之外，光可以从支撑基板11侧被提取(底出射型)。
[0146]此外，本技术可应用于不具有共振器结构的显示部。
[0147]除此之外，在前述实施例等中，已经给出了位于第一电极21与第二电极22之间的电阻层50含有氧化锌的情况的说明。然而,第二电极22可以含有氧化锌。氧化锌的晶体取向包括多个晶面指数分量。因此，第二电极22的应力被释放了。于是，即使在大尺寸的显示部(显示器)的情况下，该显示部的整个表面也能够更稳定地发光。
[0148]需要注意的是，本技术可以被构造为如下。
[0149](I) 一种发光器件,其包括:
[0150]第一电极；
[0151]有机层，它包括发光层；
[0152]电阻层，它包括氧化锌；以及
[0153]第二电极，
[0154]所述第一电极、所述有机层、所述电阻层和所述第二电极按此顺序而被设置着，
[0155]其中所述氧化锌的晶体取向包括多个晶面指数分量。
[0156](2)如(I)所述的发光器件，其中所述氧化锌的所述晶体取向包括(002)分量以及除了所述(002)分量以外的至少一个分量。
[0157](3)如(I)或⑵所述的发光器件，其中所述氧化锌的所述晶体取向包括(002)分量和(101)分量。
[0158](4)如(3)所述的发光器件，其中所述氧化锌的所述(101)分量相对于所述(002)分量的比率(亦即(101)/(002))等于或大于大约5%。
[0159](5)如(I)至(4)中任一项所述的发光器件，其中所述电阻层的体积电阻率是在从大约I X 12欧姆米到大约I X 16欧姆米且含两端点的范围内，并且所述电阻层的厚度是在从大约0.1微米到大约10微米且含两端点的范围内。
[0160](6)如(I)至(5)中任一项所述的发光器件，其中所述电阻层的体积电阻率是在从大约5 X 12欧姆米到大约5 X 14欧姆米且含两端点的范围内，并且所述电阻层的厚度是在从大约0.15微米到大约I微米且含两端点的范围内。
[0161](7)如(I)至(6)中任一项所述的发光器件，其中所述氧化锌在X射线衍射中包括多个峰。
[0162](8)如(I)至(7)中任一项所述的发光器件，其中所述电阻层包括与所述氧化锌一起的添加剂。
[0163](9)如⑶所述的发光器件，其中所述添加剂包括下列元素中的至少一种元素:锡(Sn)、铟(In)、镓(Ga)、镁(Mg)、钙(Ca)、铝(Al)、硅(Si)、铊(Tl)、铋(Bi)、铅(Pb)。
[0164](10)如⑴至(9)中任一项所述的发光器件，其中
[0165]在所述电阻层与所述有机层之间包括半透射型反射膜，并且
[0166]来自所述发光层的光在位于所述第一电极与所述有机层之间的第一界面和位于所述半透射型反射膜与所述有机层之间的第二界面之间发生共振。
[0167](11) 一种显示部，其设置有多个发光器件，各所述发光器件包括:
[0168]第一电极；
[0169]有机层，它包括发光层；
[0170]电阻层，它包括氧化锌；以及
[0171]第二电极，
[0172]所述第一电极、所述有机层、所述电阻层和所述第二电极按此顺序而被设置着，
[0173]其中所述氧化锌的晶体取向包括多个晶面指数分量。
[0174](12) 一种电子设备，其设置有显示部，所述显示部设置有多个发光器件，各所述发光器件包括:
[0175]第一电极；
[0176]有机层，它包括发光层；
[0177]电阻层，它包括氧化锌；以及
[0178]第二电极，
[0179]所述第一电极、所述有机层、所述电阻层和所述第二电极按此顺序而被设置着，
[0180]其中所述氧化锌的晶体取向包括多个晶面指数分量。
[0181]本发明包含与2012年7月30日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP2012-167986中所披露的主题相关的主题，因此将该日本优先权申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
[0182]本领域技术人员应当理解，依据设计要求和其他因素，可以在本发明随附的权利要求或其等同物的范围内进行各种修改、组合、次组合以及改变。
[0183]附图标记列表
[0184]IUAUBUC 显示部
[0185]11支撑基板
[0186]12栅极电极
[0187]13栅极绝缘膜
[0188]14AU4B源极/漏极区域
[0189]15沟道区域
[0190]16AU6B层间绝缘层
[0191]17 配线
[0192]1T TFT
[0193]20、20R、20G、20B 有机 EL 器件
[0194]21第一电极
[0195]22第二电极
[0196]23有机层
[0197]23A发光层
[0198]23B空穴输运层
[0199]23C电子输运层
[0200]24绝缘层
[0201]25 开口
[0202]31保护层
[0203]32粘接层
[0204]33对向基板
[0205]40半透射型反射膜
[0206]40A断裂部
[0207]50电阻层
[0208]60导电树脂层
[0209]70辅助电极
[0210]71 肋条
[0211]80引出电极
【权利要求】
1.一种发光器件，其包括: 第一电极； 有机层，所述有机层包括发光层； 电阻层，所述电阻层包括氧化锌；以及 第二电极， 所述第一电极、所述有机层、所述电阻层和所述第二电极按此顺序而被设置着， 其中所述氧化锌的晶体取向包括多个晶面指数分量。
2.如权利要求1所述的发光器件，其中所述氧化锌的所述晶体取向包括(002)分量以及除了所述(002)分量以外的至少一个分量。
3.如权利要求1所述的发光器件，其中所述氧化锌的所述晶体取向包括(002)分量和(101)分量。
4.如权利要求3所述的发光器件，其中所述氧化锌的所述(101)分量相对于所述(002)分量的比率亦即(101)/(002)是大约5%以上。
5.如权利要求1所述的发光器件，其中所述电阻层的体积电阻率是在从大约IX102欧姆米到大约1X10^欧姆米且含两端点的范围内，并且所述电阻层的厚度是在从大约0.1微米到大约10微米且含两端点的范围内。
6.如权利要求1所述的发光器件，其中所述电阻层的体积电阻率是在从大约〖X102欧姆米到大约5乂104欧姆米且含两端点的范围内，并且所述电阻层的厚度是在从大约0.15微米到大约1微米且含两端点的范围内。
7.如权利要求1所述的发光器件，其中所述氧化锌在X射线衍射中包括多个峰。
8.如权利要求1所述的发光器件，其中所述电阻层包括与所述氧化锌一起的添加剂。
9.如权利要求8所述的发光器件，其中所述添加剂包括下列元素中的至少一种元素:锡(811)、铟(111)、镓(⑶、镁(%)、韩(⑶、招(八1)、娃(81)、铊(11)、秘(81)、铅姊)。
10.如权利要求1所述的发光器件，其中 在所述电阻层与所述有机层之间包括半透射型反射膜，并且 来自所述发光层的光在位于所述第一电极与所述有机层间的第一界面和位于所述半透射型反射膜与所述有机层间的第二界面之间发生共振。
11.一种显示部，其设置有多个发光器件，各所述发光器件包括: 第一电极； 有机层，所述有机层包括发光层； 电阻层，所述电阻层包括氧化锌；以及 第二电极， 所述第一电极、所述有机层、所述电阻层和所述第二电极按此顺序而被设置着， 其中所述氧化锌的晶体取向包括多个晶面指数分量。
12.一种电子设备，其设置有显示部，所述显示部设置有多个发光器件，各所述发光器件包括: 第一电极； 有机层，所述有机层包括发光层； 电阻层，所述电阻层包括氧化锌；以及第二电极，所述第一电极、所述有机层、所述电阻层和所述第二电极按此顺序而被设置着，其中所述氧化锌的晶体取向包括多个晶面指数分量。
【文档编号】H01L51/52GK104335380SQ201380026234
【公开日】2015年2月4日 申请日期:2013年7月18日 优先权日:2012年7月30日
【发明者】和泉健一, 花轮幸治, 山田二郎 申请人:索尼公司