显示器及其制造方法、显示驱动方法以及电子设备的制作方法

显示器及其制造方法、显示驱动方法以及电子设备的制作方法
【专利摘要】本发明涉及显示器及其制造方法、显示驱动方法以及电子设备。显示单元包括在堆叠方向上设置的多个显示功能层，且每个显示功能层包括多个像素电路。由预定数量的像素电路配置的像素电路组配置单个显示像素，且预定数量的像素电路横跨多个显示功能层。
【专利说明】显示器及其制造方法、显示驱动方法以及电子设备
[0001]相关申请的交叉参考
[0002]本申请要求于2013年3月4日提交的日本在先专利申请JP2013-041574的权益，将其全部内容结合于此以供参考。
【技术领域】
[0003]本公开涉及包括电流驱动显示装置的显示单元、显示驱动方法、制造这种显示单元的方法、以及包括这种显示单元的电子设备。
【背景技术】
[0004]在执行图像显示的显示单元领域中，近年来已经开发并商业化了显示单元(诸如有机EL显示单元),其包括,如发光元件(light emitting element),发射根据施加的电流值改变其亮度的光的电流驱动光学元件，例如，有机电致发光装置(organic electroluminescence (EL) device)。不同于液晶装置等,发光元件是自发发光元件，因此不需要光源(背光)的供应。因此，与必需包括光源的液晶显示单元相比，有机EL显示单元具有高图像观看性、低功耗和快速响应的特征。
[0005]例如，显示单元可通过组合红色(R)、绿色(G)、和蓝色(B)的光(基本色光)来产生任何适当颜色的光。例如，日本待审专利申请公开N0.2011-90894公开了有机EL显示单元，其中在一个基板上堆叠发射青色光的发光层和发射紫红色光的发光层，且允许从这样的两个发光层发射的光通过滤色片以分离红色、绿色和蓝色的光。

【发明内容】

[0006]指示显示单元的图像品质的参数包括分辨率。例如，可通过每英寸像素(ppi)的数量来估计分辨率。分辨率越高，显示图像越流畅，并且因此图像品质越高；因此，通常优选具有高分辨率的显示单元。具体地，在例如智能电话的便携式终端中，由于观察者短距离观察显示屏，因此期望显示单元具有高分辨率。
[0007]通常，从环保角度等来看，期望电子设备功耗很低。也希望减少显示单元的功耗。
[0008]期望提供显示单元、显示驱动方法、制造显示单元的方法以及能够增加分辨率和减少功耗的电子设备。
[0009]根据本公开的实施方式，提供了包括在堆叠方向设置的多个显示功能层的显示单元，且每一个包括多个像素电路。由预定数量的像素电路配置的像素电路组配置单个显示像素，且预定数量的像素电路横跨多个显示功能层。
[0010]根据本公开的实施方式，提供了显示驱动方法，该方法包括:制备第一显示功能层和第二显示功能层，第一显示功能层包括多个像素电路，并且第二显示功能层包括多个像素电路且被安置在第一显示功能层的堆叠方向上；以及以像素行为基础执行多个显示像素的扫描，每个显示像素包括在第一显示功能层中设置的多个像素电路中的一个或多个第一像素电路和在第二显示功能层中设置的多个像素电路中的多个第二像素电路。[0011]根据本公开的实施方式，提供了制造显示单元的方法，该方法包括:制作各自包括多个像素电路的多个显示功能层；以及彼此重叠多个显示功能层，以允许由预定数量的像素电路配置的像素电路组配置单个显示像素，预定数量的像素电路横跨多个显示功能层。
[0012]根据本公开的实施方式，提供了具有显示单元和控制部的电子设备。控制部被配置为对显示单元执行操作控制。显示单元包括在堆叠方向设置的多个显示功能层，且每个包括多个像素电路。由预定数量的像素电路配置的像素电路组配置单个显示像素，且预定数量的像素电路横跨多个显示功能层。电子设备的实例可包括电视机单元、数码相机、个人计算机、摄像机和诸如移动电话的便携式终端单元。
[0013]在根据本公开的上述相应的实施方式的显示单元、显示驱动方法、制造显示单元的方法和电子设备中，通过在堆叠方向安置的多个显示功能层来显示图像。通过由横跨多个显示功能层的预定数量的像素电路配置的像素电路组配置每个显示像素。
[0014]根据本公开的上述相应的实施方式的显示单元、显示驱动方法、制造显示单元的方法和电子设备，通过由横跨多个显示功能层的预定数量的像素电路配置的像素电路组配置来单个显示像素。因此，实现分辨率的增加和功耗的降低。
[0015]应理解，上述一般性描述和下面的详细描述都是示例性的，且旨在提供对所保护的技术的进一步说明。
【专利附图】

【附图说明】
[0016]包括附图以提供对本公开的进一步理解，并且附图被结合于该说明书中并组成该说明书的一部分。附图示出了实施方式并与说明书一起用于解释本技术的原理。
[0017]图1是示出根据本公开的实施方式的显示单元的示例性配置的方框图。
[0018]图2是示出图1中示出的显示部的示例性配置的示意图。
[0019]图3是示出图2中示出的像素电路的示例性配置的电路图。
[0020]图4是示出根据第一种实施方式的显示部的示例性配置的截面图。
[0021]图5是示出图1中示出的像素的功能的示意图。
[0022]图6A是示出图5中示出的上基板发光区域的功能的示意图。
[0023]图6B是示出图5中示出的下基板发光区域的功能的示意图。
[0024]图7A是示出图2中示出的上基板与下基板的示例性连接部分的截面图。
[0025]图7B是示出图2中示出的上基板与下基板的另一种示例性连接部分的截面图。
[0026]图8是示出图3中示出的像素电路的示例性操作的时序波形图。
[0027]图9是示出图4中示出的显示部的制作工艺的流程图。
[0028]图10是示出根据第一种实施方式的比较实施例的像素的功能的示意图。
[0029]图11是示出根据第一种实施方式的另一种比较实施例的像素的示意性截面结构的截面图。
[0030]图12是示出图11中示出的每个发光元件的连接状态的电路图。
[0031]图13是示出图4中示出的像素的示意性截面结构的截面图。
[0032]图14是示出图13中示出的每个发光元件的连接状态的电路图。
[0033]图15是示出根据第一种实施方式的变形例的显示部的示例性配置的截面图。
[0034]图16是示出根据第一种实施方式的另一种变形例的显示部的示例性配置的截面图。
[0035]图17是示出根据第一种实施方式的另一种变形例的显示部的示例性配置的截面图。
[0036]图18是示出根据第一种实施方式的另一种变形例的显示部的示例性配置的截面图。
[0037]图19是示出根据第一种实施方式的另一种变形例的显示部的示例性配置的截面图。
[0038]图20是示出根据第一种实施方式的另一种变形例的显示部的示例性配置的截面图。
[0039]图21是示出根据第一种实施方式的另一种变形例的显示部的示例性配置的截面图。
[0040]图22是示出根据第一种实施方式的另一种变形例的显示部的示例性配置的截面图。
[0041]图23是示出根据第一种实施方式的另一种变形例的显示部的示例性配置的截面图。
[0042]图24是示出根据第一种实施方式的另一种变形例的显示部的示例性配置的截面图。
[0043]图25是示出根据第二种实施方式的显示部的示例性配置的截面图。
[0044]图26A是示出图25中示出的显示部的示例性操作的示意图。
[0045]图26B是示出图25中示出的显示部的另一个示例性操作的示意图。
[0046]图27A是示出根据第二种实施方式的比较实施例的显示部的示例性操作的示意图。
[0047]图27B是示出根据第二种实施方式的比较实施例的显示部的另一个示例性操作的示意图。
[0048]图28是示出根据第三实施方式的显示部的示例性配置的截面图。
[0049]图29是示出图28中示出的光屏蔽部的示例性布局的平面图。
[0050]图30是示出图28中示出的显示部的示例性操作的示意图。
[0051]图31A是示出根据第三实施方式的变形例的光屏蔽部的布局的平面图。
[0052]图31B是示出根据第三实施方式的另一种变形例的光屏蔽部的布局的平面图。
[0053]图32是示出根据第三实施方式的另一种变形例的显示部的示例性配置的截面图。
[0054]图33是示出根据第三实施方式的另一种变形例的显示部的示例性配置的截面图。
[0055]图34是示出应用了根据实例实施方式和变形例的任意一种的电视单元的外观配置的透视图。
【具体实施方式】
[0056]在下文中，将参照附图详细地描述本公开的某些实施方式。应注意，按照下列顺序进行描述。[0057]1.第一种实施方式
[0058]2.第二种实施方式
[0059]3.第三实施方式
[0060]4.应用实例
[0061][1.第一种实施方式]
[0062][示例性配置]
[0063]图1示出了根据第一种实施方式的显示单元的示例性配置。显示单元I可以是利用有机EL装置的有源矩阵型显示单元(active-matrix display unit)。由于通过第一种实施方式呈现根据本公开的实例实施方式的显示驱动方法和制造显示单元的方法，因此同时描述显示驱动方法和制造显示单元的方法。
[0064]显示单元I包括显示部10和驱动部20。驱动部20包括图像信号处理部21、时序生成部22、扫描线驱动部23、电源线驱动部26和数据线驱动部27。
[0065]显示部10包括布置成矩阵的多个像素Pix。每个像素Pix包括红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)和白色(W)四个子像素11 (11R、11G、11B和11W)。在该示例性实例中，四个子像素I IR、11G、11B和IlW以两行-两列的方式布置在像素Pix中。具体地,在像素Pix中，红色(R)子像素IlR安置在左上方，绿色(G)子像素IlG安置在右上方，蓝色(B)子像素IlB安置在左下方，以及白色(W)子像素IlW安置在右下方。
[0066]图2示出了显示部10以及扫描线驱动部23和电源线驱动部26的示例性配置。由在上基板2中设置的的像素阵列102和在下基板3中设置的像素阵列103配置显示部10。如稍后描述的，上基板2和下基板3粘结在一起以彼此重叠。像素阵列102包括像素电路12B和12W1，而像素阵列103包括像素电路12W2、12R和12G。稍后描述的像素电路12R和红色滤色片206配置子像素I IR，稍后描述的像素电路12G和绿色滤色片206配置子像素HG,以及稍后描述的像素电路12B和蓝色滤色片206配置子像素11B。稍后描述的像素电路12W1和12W2与白色滤色片206配置子像素11W。以这种方式，由在上基板2中设置的两个像素电路12B和12W1与在下基板3中设置的三个像素电路12W2、12R和12G配置每个像素Pix。在下文中，在适当情况下，使用术语“像素电路12”以表示像素电路12R、12G、12B、12W1 和 12W2 之一。
[0067]像素阵列102和103的每一个包括在行方向上延伸的多个扫描线WSL和多个电源线PL以及在列方向上延伸的多个数据线DTL。每个像素电路12连接至扫描线WSL、电源线PL和数据线DTL。扫描线WSL的一端连接至扫描线驱动部23，以及电源线PL的一端连接至电源线驱动部26。数据线DTL的一端连接至未描述的数据线驱动部27。在该示例性实例中，连接至在上基板2中的属于某一像素Pix的像素电路12B和12W1的扫描线WSL与连接至在下基板3中的属于该像素Pix的像素电路12W2U2R和12G的扫描线WSL连接。同样地，连接至在上基板2中的属于某一像素Pix的像素电路12B和12W1的电源线PL与连接至在下基板3中的属于该像素的像素电路12W2U2R和12G的电源线PL连接。
[0068]图3示出了像素电路12的示例性电路配置。像素电路12包括写晶体管WSTrjg动晶体管DRTr、发光元件30和电容器Cs。具体地，在该示例性实例中，像素电路12具有所谓的包括两个晶体管(写晶体管WSTr和驱动晶体管DRTr)和一个电容器Cs的“2TrlC”的配置。[0069]例如，可由N-沟道金属氧化物半导体(MOS)类型的薄膜晶体管(TFT)配置写晶体管WSTr和驱动晶体管DRTr的每一个。写晶体管WSTr具有连接至扫描线WSL的栅极、连接至数据线DTL的源极以及连接至驱动晶体管DRTr的栅极和电容器Cs的第一端的漏极。驱动晶体管DRTr具有连接至写晶体管WSTr的漏极和电容器Cs的第一端的栅极、连接至电源线PL的漏极以及连接至电容器Cs的第二端和发光元件30的阳极的源极。
[0070]电容器Cs的第一端可例如连接至驱动晶体管DRTr的栅极，并且电容器Cs的第二端可例如连接至驱动晶体管DRTr的源极。发光元件30是有机EL装置配置的发光元件，其阳极连接至驱动晶体管DRTr的源极和电容器Cs的第二端，并且阴极从驱动部20接收作为预定直流电压的电压Vcath。如稍后描述的，在上基板2中的像素电路12B和12W1的每一个的发光元件30发射蓝光，而在下基板3中的像素电路12W2、12R和12G的每一个的发光元件30发射黄光。
[0071]图4示出了显示部10的截面图。如图4所示,通过粘结材料9将上基板2粘结至下基板3。粘结材料9由透明的或半透明的树脂形成，且在该示例性示例中是绝缘的。
[0072]上基板2包括透明基板200、栅极201、多晶硅203、滤色片206、阳极212、蓝色发光层214和阴极215。透明基板200用作上基板2的支撑基板，并且例如可由玻璃或塑料形成。在透明基板200上设置栅极201。例如，栅极201可由钥(Mo)等形成。在透明基板200和栅极201上设置绝缘层202。例如，绝缘层202可由二氧化硅(Si02)、氮化硅(SiNx)等形成。在绝缘层202上对应栅极201的区域中设置多晶硅203。栅极201和多晶硅203构成驱动晶体管DRTr。在多晶硅203和绝缘层202上设置绝缘层204。例如，绝缘层204可由与绝缘层203的材料类似的材料形成。接触点和配线205设置在设置了多晶硅203的区域的一部分中同时穿过绝缘层204。例如，可由钛(Ti)、铝(Al)和钛(Ti)三层配置配线205。在绝缘层204上设置滤色片206。具体地，在对应子像素IlR的部分中设置红色(R)滤色片206，在对应子像素IlG的部分中设置绿色(G)滤色片206，在对应子像素IlB的部分中设置蓝色(B)滤色片206，以及在对应子像素IlW的部分中设置白色(W)滤色片206。设置子像素IlB的滤色片206以调整由稍后描述的蓝色发光层214发射的蓝色(B)光的色域，以及设置子像素IlW的滤色片206以调整由稍后描述的蓝色发光层214和黄色发光层314作为合成光发射的白色(W)光的色域。
[0073]在绝缘层204和滤色片206上设置绝缘层211。例如，绝缘层211可由聚酰亚胺、丙烯酸树脂等形成。具体地，由透明材料配置绝缘层211。在绝缘层211上，在关于子像素IlB和IlW的区域中设置阳极212。阳极212连接至穿过绝缘层211向上到驱动晶体管DRTr的源极的接触点和配线205。例如，阳极212可由铟锡氧化物(ITO)形成。具体地，阳极212可以是透明的或半透明的。例如，阳极212可具有数十至数百纳米的厚度。在阳极212和绝缘层211上设置绝缘层213。例如，绝缘层213可由与绝缘层212的材料类似的材料形成。绝缘层213在它的其下设置了阳极212的部分区域中具有开口 WIN2。在阳极212和绝缘层213上均匀地设置蓝色发光层214。在该示例性实例中，蓝色发光层214是有机EL层且发射蓝色(B)光。在蓝色发光层214上均匀地设置阴极215。阴极215可以是透明的或半透明的电极，并且例如可由镁-银(MgAg)或IZO (注册商标)形成。在其中阴极215是由镁-银形成的实例中，例如，可通过将阴极215的厚度调整为大约几个纳米来使阴极215为半透明的。在其中阴极215是由IZO形成的实例中，例如，可期望地形成具有数十至数百纳米的厚度的阴极215。具体地，IZO是透明的材料，但是具有稍微高的电阻率；因此，期望形成稍微厚的IZO以减小阴极215的电阻值。阳极212、蓝色发光层214和阴极215配置发光元件30。在阴极215上设置绝缘层216。例如,绝缘层216可由氮化娃(SiNx)等形成。绝缘层216用作保护层以减小由于在制造工艺期间基板2暴露于空气中而引起的蓝色发光层214的光发射特性等的退化的可能性。
[0074]根据这种配置，从上基板2中的蓝色发光层214的开口 WIN2发射的光向作为上基板2的支撑基板的透明基板200行进。具体地，从蓝色发光层214发射到图4中的顶侧的光通过滤色片206到达显示表面侧，而从蓝色发光层214发射到图4中的底侧的光被下基板3中的阳极312 (稍后描述)和反射膜312R (稍后描述)反射并通过滤色片206到达显示表面侧。换言之，在上基板2中设置的发光元件是所谓的底部发射型的发光元件。
[0075]下基板3包括基板300、栅极301、多晶硅303、以及阳极312、反射膜312R、黄色发光层314和阴极315。基板300用作基板3的支撑基板，并且例如可由玻璃或塑料形成。应注意，在其表面上具有绝缘层的金属基板也可用作基板300。具体地，不同于上基板2中的透明基板200，基板300可以不是透明的。如在上基板2的实例中，在基板300上设置栅极301、绝缘层302、多晶硅303、绝缘层304以及接触点和配线305。
[0076]在绝缘层304上设置绝缘层311。例如，绝缘层311可由聚酰亚胺、丙烯酸树脂等形成。在绝缘层311上，在对应子像素IlRUlG和IlW的每一个的区域中设置阳极312，以及在对应子像素IlB的区域中设置反射膜312R。阳极312连接至穿过绝缘层311向上到驱动晶体管DRTr的源极的接触点和配线305。例如，阳极312和反射膜312R可由ITO-Al合金或Al合金形成。具体地，阳极312和反射膜312R期望地具有光反射特性。在阳极312、反射膜312R和绝缘层311上设置绝缘层313。例如，绝缘层313可由与绝缘层311的材料类似的材料形成。绝缘层313具有开口 WIN3，每个开口 WIN3形成在设置了阳极312的区域一部分上。在该示例性示例中，开口 WIN3的大小与上基板2中的开口 WIN2的尺寸基本相同。在阳极312和绝缘层313上均匀地设置黄色发光层314。在该示例性示例中，黄色发光层314是有机EL层,且发射黄色(Y)光。黄色发光层314可由黄色发射材料形成或可由掺杂有红色(R)发射材料的绿色(G)发射材料形成。在黄色发光层314上设置阴极315。阴极315可以是透明的或半透明的电极，并且例如可由镁-银(MgAg)或IZO形成。在其中阴极315是由镁-银形成的实例中，例如，可通过将阴极315的厚度调整为大约几个纳米来使阴极315为半透明的。在其中阴极315是由IZO形成的实例中，例如，可期望地形成具有数十至数百纳米的厚度的阴极315。在阴极315上设置绝缘层316。例如，绝缘层316可由氮化硅(SiNx)等形成。绝缘层316用作保护层以减少由于在制造工艺期间下基板3暴露于空气中而引起的黄色发光层314的光发射特性等的退化的可能性。
[0077]根据这种配置，从下基板3中的黄色发光层314的开口 WIN3发射的光在与作为下基板3的支撑基板的基板300相反的方向上行进。换言之，在下基板3中设置的发光元件是所谓的顶部发射型的发光元件。
[0078]以这种方式，显示部10通过向图4中的顶侧发射光来执行显示。具体地，在子像素IlR中，从下基板3中的黄色发光元件层314的开口 WIN3发射的黄色(Y)光到达图4中的顶侧，并且通过红色(R)滤色片206从显示表面输出。具体地，由于黄色光包括红色光部分和绿色光部分，因此通过红色滤色片206分离红色光部分并将红色光部分输出。在子像素IlG中，从下基板3中的黄色发光元件层314的开口 WIN3发射的黄色(Y)光到达图4中的顶侧，并且通过绿色(G)滤色片206从显示表面输出。在子像素IlB中，从上基板2中的蓝色发光元件层214的开口 WIN2发射的蓝色(B)光到达图4中的顶侧，并且通过蓝色(B)滤色片206从显示表面输出。在子像素IlW中，从上基板2中的蓝色发光元件层214的开口 WIN2发射的蓝色(B)光和从下基板3中的黄色发光元件层314的开口 WIN3发射的黄色(Y)光到达图4中的顶侧，并且通过白色(W)滤色片206从显示表面输出。换言之，蓝色光和黄色光混合成通过白色滤色片206输出的白色光。
[0079]图5示意性示出了像素Pix的功能。在像素Pix的四个子像素I IR、11G、IIB和IlW的每一个中，从上基板2的发光区域(上基板发光区域R2)发射的蓝色(B)光和从下基板3的发光区域(下基板发光区域R3)发射的黄色(Y)光中的其中一个或两者穿过滤色片206。在对应子像素IlB和IlW的位置处设置上基板发光区域R2，以及在对应子像素I IR、IIG和IlW的位置处设置下基板发光区域R3。
[0080]图6A示意性示出了上基板发光区域R2的功能。图6B示意性示出了下基板发光区域R3的功能。在上基板发光区域R2中，如图6A所示，从蓝色发光层214的开口 WIN2发射光。在下基板发光区域R3中，如图6B所不,从黄色发光层314的开口 WIN3发射光。在下基板3中，如图6B所示，三个像素电路12R、12G、和12W2的写晶体管WSTr、驱动晶体管(DRTr)和电容器Cs可分别安置在像素Pix (下基板电路区域RC3)的区域中的任何位置上。具体地，如图4所示，在下基板3中的基板300上设置这些元件；因此，无论将元件安置在哪里，每个元件都不会阻挡光的行进。另一方面，在上基板2中，如图6A所示，在上基板2中的每个开口 WIN2的区域之外的区域(上基板电路区域RC2)以及在下基板3中的每个开口 WIN3的区域之外的区域中设置两个像素电路12B和12W1的每一个中的写晶体管WSTr、驱动晶体管DRTr和电容器Cs。具体地，如图4所示，在上基板2中的透明基板200上设置这些元件；因此，在上基板电路区域RC2中安置元件以免阻挡光的行进。
[0081]现在对图2中示出的上基板2中的每个扫描线WSL与下基板3中的每个扫描线WSL的连接进行描述。应注意，该描述同样适用于上基板2中的每个电源线PL与下基板3中的每个电源线PL的连接。
[0082]图7A示出了上基板2中的扫描线WSL与下基板3中的扫描线WSL的连接部分。在该连接部分中，在上基板2和下基板3的每一个中设置垫PAD。垫PAD是其中在上基板2和下基板3的每一个中暴露扫描线WSL的部分。在设置垫PAD的区域中，以封闭的方式在上基板2和下基板3之间填充含有导电颗粒CB的树脂98。例如，可将镍颗粒或镀金树脂颗粒用作导电颗粒CB。根据这种配置，上基板2中的扫描线WSL经由导电颗粒CB与下基板3中的扫描线WSL电连接。
[0083]应注意，这种配置不是限制性的。例如，可使用如图7B所示的配置。在该示例性实例中，在上基板2和下基板3之间设置导电柱(conductive posts) CP。例如,可通过光刻法或蒸镀形成这种柱CP。在该示例性实例中，由绝缘柱330和导电膜331形成柱CP。例如，可通过容易形成厚膜的聚酰亚胺、丙烯酸树脂或酚醛清漆树脂形成绝缘柱330。设置导电膜331以覆盖绝缘柱330。例如，可由铝(Al)、镁-银等形成导电膜331。
[0084]在图1中，图像信号处理部21对外部提供的图像信号Sdisp执行预定的信号处理以产生图像信号Sdisp2。预定的信号处理的实例可包括伽马校正、过载校正等。[0085]响应于外部提供的同步信号Ssync，时序生成部22是向扫描线驱动部23、电源线驱动部26和数据线驱动部27的每一个提供控制信号以允许这些部彼此同步操作的电路。
[0086]响应于从时序生成部22提供的控制信号，扫描线驱动部23顺序地将扫描信号WS施加至多个扫描线WSL以顺序地选择像素电路12。在该示例性实例中，如图2所示，在上基板2中的像素阵列102 (所谓的边框区域(bezel reg1n))之外的区域中设置扫描线驱动部23。
[0087]响应于从时序生成部22提供的控制信号，电源线驱动部26顺序地将驱动信号DS施加至多个电源线PL以控制像素电路12的每个发光元件30的发光操作和消光操作。驱动信号DS各自进行从电压Vccp至电压Vini的转换，并且反之亦然。如稍后描述的，电压Vini是用于初始化像素电路12的电压，以及电压Vccp是用于发光元件30的光发射的允许电流Ids流经驱动晶体管DRTr的电压。在该示例性实例中，如图2所示，在下基板3中的像素阵列103 (所谓的边框区域)之外的区域中设置电源线驱动部26。
[0088]在该示例性实例中，在上基板2中设置扫描线驱动部23，而在下基板3中设置电源线驱动部26。然而这并不是限制性的。可替代地，例如，可在下基板3中设置扫描线驱动部23，而在上基板2中设置电源线驱动部26。
[0089]响应于从图像信号处理部21提供的图像信号Sdisp2和从时序生成部22提供的控制信号，数据线驱动部27产生信号Sig(其包括指示每个像素电路12中的发光元件30的发光的亮度的像素电压Vsig并包括用于稍后描述的Vth校正的电压Vofs)，并将信号Sig施加至每一个数据线DTL。
[0090]根据这种配置，如稍后描述的，驱动部20执行校正(Vth校正和迁移率(μ )校正)以最小化由于驱动晶体管DRTr的变化对图像品质的影响，并在一个水平周期内将像素电压Vsig写入像素电路12。随后，像素电路12的发光元件30发射具有与接收的像素电压Vsig对应的亮度的光。
[0091]上基板2对应本公开的一个实施方示中的“第一显示功能层”的特定的但非限制性的实例，以及下基板3对应本公开的一个实施方示中的“第二显示功能层”的特定的但非限制性的实例。像素Pix对应本公开的一个实施方示中的“显示像素”的特定的但非限制性的实例。蓝色发光层214对应本公开的一个实施方示中的“第一发光层”的特定的但非限制性的实例，以及黄色发光层314对应本公开的一个实施方示中的“第二发光层”的特定的但非限制性的实例。设置了栅极201的层和设置了多晶硅203的层共同地对应本公开的一个实施方示中的“第一晶体管层”的特定的但非限制性的实例。设置了栅极301的层和设置了多晶硅303的层共同地对应本公开的一个实施方示中的“第二晶体管层”的特定的但非限制性的实例。阳极212对应本公开的一个实施方示中的“第一阳极”的特定的但非限制性的实例，以及阳极312对应本公开的一个实施方示中的“第二阳极”的特定的但非限制性的实例。阴极215对应本公开的一个实施方示中的“第一阴极”的特定的但非限制性的实例，以及阴极315对应本公开的一个实施方式中的“第二阴极”的特定的但非限制性的实例。粘结材料9的层对应本公开的一个实施方式中的“绝缘层”的特定的但非限制性的实例。对应开口 WIN2的区域对应本公开的一个实施方式中的“第一发光区域”的特定的但非限制性的实例。对应开口 WIN3的区域对应本公开的一个实施方式中的“第二发光区域”的特定的但非限制性的实例。[0092][操作和功能]
[0093]现在描述根据第一种实施方式的显示单元I的操作和功能。
[0094](整体操作的概述)
[0095]首先，参照图1描述显示单元I的整体操作的概述。图像信号处理部21对外部提供的图像信号Sdisp执行预定的信号处理以产生图像信号Sdisp2。响应于外部提供的同步信号Ssync，时序生成部22将控制信号提供给扫描线驱动部23、电源线驱动部26和数据线驱动部27的每一个以允许这些部彼此同步地运行。响应于从时序生成部22提供的控制信号，扫描线驱动部23顺序地将扫描信号WS施加至多个扫描线WSL以顺序地选择像素电路
12。响应于从时序生成部22提供的控制信号，电源线驱动部26顺序地将驱动信号DS施加至多个电源线PL以控制每个像素电路12中的发光元件30的发光操作和消光操作。响应于从图像信号处理部21提供的图像信号Sdisp2和从时序生成部22提供的控制信号，数据线驱动部27产生信号Sig(其包括指示每一个像素电路12中的发光元件30的发光的亮度的像素电压Vsig并且包括用于稍后描述的Vth校正的电压Vofs)，并将信号Sig施加至每一个数据线DTL。响应于从驱动分20提供的扫描信号WS、驱动信号DS和信号Sig，显示部10执行显示。
[0096](详细的操作)
[0097]现在描述显示单元I的详细的操作。
[0098]图8示出了显示单元I的操作的时序图，其中，(A)示出了扫描信号WS的波形，(B)示出了驱动信号DS的波形，(C)示出了信号Sig的波形，(D)示出了驱动晶体管DRTr的栅极电压Vg的波形，以及(E)示出了驱动晶体管DRTr的源极电压Vs的波形。
[0099]在一个水平周期(IH)内，驱动部20初始化像素电路12(初始化周期P1)，执行Vth校正以最小化由于驱动晶体管DRTr的变化对图像品质的影响(Vth校正周期P2)，并将像素电压Vsig写入像素电路12以及执行不同于像素电路12的像素电压Vsig校正的迁移率(μ)校正(写和μ校正周期Ρ3)。随后，发光元件30发射具有对应接收的像素电压Vsig的特定亮度的光(发光周期Ρ4)。下面详细地描述该操作。
[0100]首先，电源线驱动部26在初始化周期Pl之前的时刻tl将驱动信号DS的电压从电压Vccp改变为电压Vini ((B))。因此，驱动晶体管DRTr被打开，从而驱动晶体管DRTr的源极电压Vs被设置为电压Vini ((E))。
[0101]随后，驱动部20在从时刻t2至时刻t3的周期(初始化周期Pl)中初始化像素电路12。具体地，在时刻t2，数据线驱动部27将信号Sig设置为电压Vofs ((C))，并且扫描线驱动部23将扫描信号WS的电压从低电平改变为高电平((A))。因此，写晶体管WSTr被打开，从而驱动晶体管DRTr的栅极电压Vg被设置为电压Vofs((D))。以这种方式，驱动晶体管DRTr的栅极至源极电压Vgs (=Vofs-Vini)被设置为大于驱动晶体管DRTr的阈值电压Vth的电压，并且因此初始化像素电路12。
[0102]随后，驱动部20在从时刻t3至时刻t4的周期(Vth校正周期P2)中执行Vth校正。具体地，电源线驱动部26在时刻t3将驱动信号DS的电压从电压Vini改变为电压Vccp((B))。结果，驱动晶体管DRTr操作在饱和区域中，从而电流Ids从驱动晶体管DRTr的漏极流向源极，导致源极电压Vs的增加((E))。在该操作期间，在该示例性实例中，由于源极电压Vs低于发光元件30的阴极电压Vcath，因此发光元件30被维持为反向偏压状态，从而没有电流流经发光元件30。这样增加的源极电压Vs引起栅极至源极电压Vgs的减小，并且因此减小电流Ids。这种负反馈操作导致电流Ids趋向于零。换言之，驱动晶体管DRTr的栅极至源极电压Vgs趋向于等于驱动晶体管的阈值电压Vth (Vgs = Vth)。
[0103]随后，在时刻t上，扫描线驱动部23将扫描信号WS的电压从高电平改变为低电平((A))。因此，写晶体管WSTr被关闭。随后，数据线驱动部27在时刻t5将信号Sig设置为像素电压Vsig ((C))。
[0104]随后，驱动部20在从时刻t6至t7的周期(写和μ校正周期Ρ3)中执行像素电压Vsig到像素电路12的写入并执行像素电路12的μ的校正。具体地，在时刻t6，扫描线驱动部23将扫描信号WS的电压从低电平改变为高电平((A))。结果，写晶体管被打开，从而驱动晶体管DRTr的栅极电压Vg从电压Vofs升高到像素电压Vsig((D))。在该操作期间，驱动晶体管DRTr的栅极至源极电压Vgs变得大于阈值电压Vth (Vgs)Vth),并且因此电流Ids从驱动晶体管DRTr的漏极流向源极，导致驱动晶体管DRTr的源极电压Vs增加((E))。这种负反馈操作允许最小化由于驱动晶体管DRTr的变化对图像品质的影响(μ校正)，并且驱动晶体管DRTr的栅极至源极电压Vgs被设置为对应像素电压Vsig的电压Vemi。
[0105]随后，驱动部20允许发光元件30在时刻t7和时刻t7之后的周期(发光周期P4)中发射光。具体地，扫描线驱动部23在时刻t7将扫描信号WS的电压从高电平改变为低电平((A))。结果，写晶体管WSTr被关闭，从而驱动晶体管DRTr的栅极维持浮置状态，在其之后电容器Cs的端间电压(即，驱动晶体管DRTr的栅极至源极电压Vgs)因此被维持。随后，当电流Ids流经驱动晶体管DRTr时，驱动晶体管DRTr的源极电压Vs增加((E))，并且驱动晶体管DRTr的栅极电压Vg相应地增加((D))。当驱动晶体管DRTr的源极电压Vs超过发光元件30的阈值电压Vel和电压Vcath的总和Vel + Vcath时，电流在发光元件30的阳极和阴极之间流动，并且因此发光元件30发射光。换言之，源极电压Vs增加了对应发光元件30中的元件变化的电压量，导致发光元件30的光发射。
[0106]然后，在过去预定的周期(一个帧周期)之后，显示单元I从发光周期P4转移到初始化周期P1。驱动部20驱动每一个部以重复这样的一系列操作。
[0107](制造工艺)
[0108]现在描述制造根据一种实施方式的显示单元I的方法。
[0109]图9示出了制造显示单元I的方法的流程图。在该制造工艺中，在上基板制作工艺SA中制作上基板2，而在下基板制作工艺SB中制作下基板3。在这些工艺中制作的上基板2和下基板3粘结在一起以制造显示单元I。下面详细地描述这种制作工艺。
[0110]在上基板制作工艺SA中，首先，制作TFT基板(步骤SI)。具体地，如图4所示，例如，通过光刻法在透明基板200上形成栅极201、绝缘层202、多晶硅203、绝缘层204以及接触点和配线205。各种用于例如制造液晶显示设备的已知技术可被用于TFT基板的制作。
[0111]随后，形成滤色片206 (步骤S2)。各种例如用于制造液晶显示设备的已知技术也可被用于滤色片206的形成。
[0112]随后，形成绝缘层211 (步骤S3)。在该步骤中，同时形成各自将阳极212连接至配线205的接触孔。具体地，例如，首先，在绝缘层204上安置由光敏聚酰亚胺等形成的绝缘膜，并且随后利用其对应于每个接触孔的部分被打开的掩膜来暴露出绝缘膜，从而形成接触孔。[0113]随后，通过图案化形成阳极212 (步骤S4)。每个阳极212通过接触孔连接至配线205。
[0114]随后，在除了开口 WIN2的区域中，通过图案化形成绝缘层213 (步骤S5)。
[0115]随后，形成蓝色发光层214 (步骤S6)。通过蒸镀发射蓝色光的发光材料形成蓝色发光层214。在这样的蒸镀步骤中，例如，可使用其对应于像素阵列102的区域被打开的所谓的区域掩膜在整个像素阵列102上均匀地蒸镀发光材料。应注意，蒸镀工艺并不限于这样简单的工艺，并且例如，可使用其对应开口 WIN2的区域被打开的槽状掩膜来蒸镀发光材料。
[0116]随后，形成阴极215 (步骤S7)。使用区域掩膜在整个像素阵列102上均匀地形成阴极215。
[0117]在上基板制作工艺SA的最后形成绝缘层216 (步骤S8)。
[0118]在下基板制作工艺SB中，如上基板制作工艺SA，制作TFT基板(步骤S11)，形成绝缘层311 (步骤S12)，形成阳极312和反射膜312R (步骤S13)，形成绝缘层313 (步骤S14)，形成黄色发光层314 (步骤S15)，形成阴极315 (步骤S16)，以及形成绝缘层316 (步骤 S17)。
[0119]随后，将在上基板制作工艺SA中制作的上基板2和在下基板制作工艺SB中制作的下基板3粘结在一起(步骤S21 )。在具体的示例性实例中，首先，在真空中，在上基板2和下基板3的一个或两个上形成密封的区域以围绕像素阵列102和103，并且随后滴下用于粘结的树脂(粘结材料9)。随后，在真空中将上基板2和下基板3彼此堆置。随后，减小真空度，从而使压力返回到大气压力。结果，滴下的树脂在密封区域扩散，从而使上基板2和下基板3粘结在一起。应注意，在这样的粘结期间可另外地施加机械压力。
[0120](显示单元的功能)
[0121]在显示单元I中，在上基板2中均匀地设置蓝色发光层214，在下基板3中均匀地设置黄色发光层314，并且设置红色、绿色、蓝色和白色的滤色片206。因此，如稍后与比较实施例1比较所描述的，允许增加显示装单元I的分辨率。
[0122]在显示单元I中，在上基板2中对应子像素IlB和IlW的区域设置蓝色发光元件30，并且在下基板3中对应子像素IlRUlG和IlW的区域设置黄色发光元件30。因此，如稍后与比较实施例2比较所描述的，例如，与产生白色光(利用滤色片从其产生四种颜色)的实例比较，可降低功耗。
[0123]在显示单元I中，在上基板2中设置蓝色发光层214，而在下基板3中设置黄色发光层214 ;因此，允许增加开口率。具体地，在更接近于显示表面的上基板2中，如图6A所示,必需在上基板2中的开口 WIN2的区域之外以及在下基板3中的开口 WIN3的区域之外的区域中(上基板电路区域RC2)设置像素电路12的诸如晶体管的元件。因此，当在上基板2中设置黄色发光层时，必需在上基板2中设置三个像素电路12 (像素电路12R、12G和12W2)。结果，扩大了上基板电路区域RC2，并且因此使开口变窄了，导致减少开口率的可能性。与此相反，在显示单元中，由于在上基板2中设置蓝色发光层214，仅有两个像素电路(像素电路12B和12W1)应设置在上基板2中，并且因此允许增加开口率。
[0124]在显示单元I中，如图2所示，上基板2中的扫描线WSL连接至下基板3中的扫描线WSL，并且在上基板2的边框区域中设置的扫描线驱动部23共同地驱动这些扫描线WSL。另外，上基板2中的电源线PL连接至下基板3中的电源线PL，并且在下基板3的边框区域中设置的电源线驱动部26共同地驱动这些电源线PL。因此，获得具有小边框区域的显示单元。具体地，例如，在其中分别在上基板2与下基板3之间驱动扫描线WSL和电源线PL的情况下，必需在上基板2和下基板3的每一个上设置扫描线驱动部23和电源线驱动部26 ；因此，可扩大边框区域。与此相反，在显示单元中，在上基板2与下基板3之间共同地使用扫描线驱动部23和电源线驱动部26。另外，在上基板2中设置扫描线驱动部23，而在下基板3中设置电源线驱动部26 ;因此允许边框区域变窄。
[0125]在显示单元I中，上基板2中的信号线DTL与下基板3中的信号线DTL并未彼此连接，并且因此允许数据线驱动部27分别驱动这些信号线DTL ;因此，容易地调整白平衡。具体地，例如，如扫描线WSL等，在上基板2中的信号线DTL连接至下基板3中的信号线DTL的情况下，子像素IlW的像素电路12W1和像素电路12W2接收相同的像素电压Vsig。结果，由像素电路12W1的发光元件30发射的蓝色光和由像素电路12W2的发光元件30发射的黄色光的合成光可能偏离期望的白色。在这种情况下，例如，可通过调整子像素IlRUlG和IlB的每一个的发射光的亮度来调整白平衡，导致复杂系统的可能性。与此相反，在显示单元I中，在上基板2中的信号线DTL和下基板3中的信号线DTL并未彼此连接，并且因此允许数据线驱动部27分别地驱动这些信号线DTL。因此，允许通过将各自不同的像素电压Vsig施加至子像素IlW的像素电路12W1和像素电路12W2来调整白平衡。在该情况下，由于可不调整子像素IlRUlG和IlB的每一个的发射光的亮度，因此获得更简单的系统。应注意，例如，在其中色度要求低并且因此较少需要调整白平衡的应用中，如扫描线WSL等，上基板2中的信号线DTL和下基板3中的信号线DTL可彼此连接。
[0126]现在与比较实施例1和2比较来描述第一种实施方式的功能。
[0127](比较实施例1)
[0128]根据比较实施例1的显示单元IR是包括显示部1R的显示单元,显示部1R具有设置在一个透明基板上的底部发射型的发光元件。显示部1R包括红(R)、绿(G)、蓝(B)和白(W)的子像素SPixR，每个子像素SPixR具有发射相应颜色的光的发光层ER。
[0129]图10示意性地示出了根据比较实施例1的像素PixR。在红色(R)子像素SPixR中，从红色(R)发光层ER的开口 WINR发射红光。在绿色(G)子像素SPixR中，从绿色(G)发光层ER的开口 WINR发射绿光。在蓝色(B)子像素SPixR中，从蓝色(B)发光层ER的开口 WINR发射蓝光。在白色(W)子像素SPixR中，从白色(W)发光层ER的开口 WINR发射白光。正如根据第一种实施方式的上基板2，在除了开口 WINR的区域(电路区域RCR)中设置对应四个子像素SPixR的四个像素电路的每一个的元件(诸如晶体管)。
[0130]在根据比较实施例1的显示单元IR中，在四种颜色的各自的子像素SPixR中设置发射不同颜色的光的发光层ER，从而可减小了分辨率。具体地，例如，在制造工艺中，可使用四个掩膜(槽状掩模)(其每一个的对应于每种颜色的发光层ER的区域被打开)通过蒸镀形成这些发光层。在该步骤中，在平面中通过彼此远离的“预定间隔”形成相应颜色的发光层ER，以在彼此适当地分离的同时形成相应颜色的发光层ER。因此，这种设计规则限制了每单位长度(例如，每英寸)可形成的子像素SPixR的数量的上限，并且因此可能防止分辨率的增加。
[0131 ] 此外，当在电路区域RCR中形成像素PixR的四个像素电路中的元件(诸如晶体管)时，为了确保放置这些元件的面积，不可避免地扩大每个子像素SPixR，并且因此可能防止分辨率的增加。
[0132]与此相反，在根据第一种实施方式的显示单元I中，在上基板2中均匀地设置蓝色发光层214，在下基板3中均匀地设置黄色发光层314，并且设置红色、绿色、蓝色和白色的滤色片206。如上所述，在制造工艺中，使用所谓的区域掩膜分别均匀地蒸镀蓝色发光层214和黄色发光层314。因此，不同于比较实施例1的情况，显示单元I在对发光层的设计规则中不具有限制。通常允许高分辨率地对滤色片进行图案化。因此，显示单元I允许增加分辨率。
[0133]此外，在显示单元I中，分别地在上基板2与下基板3之间设置像素Pix的五个像素电路12。具体地，如图2所示，在上基板2中设置两个像素电路12B和12W1，并且在下基板3中设置三个像素电路12R、12G和12W2。这使得可以减少设置在上基板2 (其在放置诸如晶体管的元件的面积上具有限制)中的元件的数量。因此，允许增加分辨率或所谓的开口率。(比较实施例2)
[0134]根据比较实施例2的显示单元IS是包括设置有产生作为合成光的白色光(利用滤色片从其产生四种颜色)的多个发光层的显示部1S的显示单元。
[0135]图11示意性示出了根据比较实施例2的显示部1S的像素PixS的配置。显示部1S包括阳极401、黄色发光层402、电荷产生层403、蓝色发光层404、阴极405和滤色片406。电荷产生层403改进了黄色发光层402和蓝色发光层404的界面以增加空穴注入效率，并限制了在黄色发光层402中产生的电子空穴对以增加发光效率。该配置具有分别均匀地设置的黄色发光层402和蓝色发光层404并具有红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)和白色(W)的滤色片406，因此允许增加分辨率。
[0136]在每个子像素SPixS中，阳极401、黄色发光层402、电荷产生层403、蓝色发光层404和阴极405按照该顺序堆叠。根据该配置，按照发射蓝色光和黄色光的两个发光元件30S串联连接的这种方式来配置每个子像素SPixS。每个子像素SPixS通过两个发光元件30S产生白色(W)光，并利用滤色片406从白色光中产生与子像素SPixS对应的颜色。
[0137]图12示出了像素PixS的功耗。在该示例性实例中，为了描述的方便，假设对像素PixS中的任何发光元件30S施加相同的电位差(Void)，并且因此相同的电流1led流经单个发光元件30S。这时，由下列公式(I)表示由像素PixS消耗的功率Power。
[0138]Power=8XVoledX 1led...(I)
[0139]以这种方式，在根据比较实施例2的显示单元IS中，堆叠黄色发光层402和蓝色发光层404 (两者之间具有电荷产生层403 )，导致高驱动电压，2 X VoId。此外，在红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的子像素SPixS的每一个中，黄色发光层402和蓝色发光层404发射作为合成光的白色光，并且滤色片406阻挡除了期望的颜色之外的颜色的光。换言之，黄色发光层402和蓝色发光层404不仅分别发射期望颜色的光而且发射不必要的颜色的光，导致功率的浪费。因此，显示单元IS的功耗可能很大。
[0140]现在对根据第一种实施方式的显示单元I的每个像素Pix的功耗进行描述。
[0141]图13示意性示出了像素Pix的配置。在显示单元I中，在上基板2中对应子像素IIB和IlW的区域中设置蓝色(B)发光元件30，而在下基板3中对应子像素I IR、IIG和IlW的区域中设置黄色(Y)发光元件。因此，彼此独立地驱动发光元件30。[0142]图14示出了像素Pix的功耗。在该示例性实例中，如在比较实施例2中的实例，假设对像素Pix中的任何发光元件30施加相同的电位差Void，并且因此相同的电流1led流经单个发光元件30。这时，由下列公式(2)表示由像素Pix消耗的功率Power。
[0143]Power=5XVoledX 1led...(2)
[0144]换言之，该粗略的估计显示根据第一种实施方式的显示单元I允许功耗降低根据比较实施例2的显示单元IS的功耗的八分之五。
[0145]以这种方式，在根据第一种实施方式的显示单元I中，蓝色发光层214在上基板2中被设置为单层发光层，并且黄色发光层314在下基板3中被设置为单层发光层。因此，允许独立地控制这些发光层的光发射；所以，不同于比较实施例2的情况(图12等)，驱动电压未增加。此外，在显示单元I中，例如，黄色发光层314在红色(R)子像素IlR和绿色(G)子像素IlG的每一个中发射黄光,而蓝色发光层214在蓝色(B)子像素IlB中发射蓝光。因此，相比实施例2的情况(图12等)，更多地抑制不必要的光发射，导致功耗的降低。
[0146][效果]
[0147]如上所述，在第一种实施方式中，由于在像素阵列中分别均匀地设置蓝色发光层和黄色发光层，因此允许增加分辨率。
[0148]此外，在第一种实施方式中，蓝色发光层在上基板中被设置为单层发光层，并且黄色发光层在下基板中被设置为单层发光层；因此，允许降低功耗。
[0149]此外，在第一种实施方式中，上基板中的扫描线和下基板中的扫描线彼此连接，并且在上基板的边框区域中设置的扫描线驱动部共同地驱动这些扫描线。另外，上基板中的电源线和下基板中的电源线彼此连接，并且在下基板的边框区域中设置的电源线驱动部共同地驱动这些电源线。因此，允许边框区域变窄。
[0150]此外，在第一种实施方式中，上基板中的信号线未连接至下基板中的信号线，并且因此允许数据线驱动部分别驱动这些信号线。因此，允许容易地调整白平衡。
[0151][变形例1-1]
[0152]尽管在第一种实施方式中，在上基板2中设置绝缘层216，并且在下基板3中设置绝缘层316，但这并不是限制性的，可替代地，例如，如图15示出的显示部10A，可无需设置这些绝缘层而来配置上基板2A和下基板3A。具体地，例如，绝缘层216和316分别用作抑制由于上基板2或下基板3暴露于空气中而引起的蓝色发光层214或黄色发光层314的光发射特性的退化的可能性的保护层。因此，例如，在图9示出的制造工艺中，在其中仍然在真空中处理在上基板制作工艺SA中制作的上基板2和在基板制作工艺SB中制作的下基板3并且仍然在真空中利用粘结材料9将上基板2和下基板3粘结在一起的情况下，可不设置绝缘层216和316。
[0153]此外，例如，如图15示出的显示部10B，可使用导电性粘结材料9B代替绝缘粘结材料9。因此，允许减小阴极215和315的每一个的阻抗，并且因此允许较小由于阴极215或315的高阻抗引起的故障的可能性。
[0154][变形例1-2]
[0155]第一种实施方式中的滤色片206的配置并不限于图4示出的配置。下面描述滤色片206的几种变形例。
[0156]尽管在第一种实施方式中，为子像素11R、11G、11B和IlW的每一个设置相应颜色的滤色片206，但是这并不是限制性的。可替代地，例如，如图16示出的显示部10C，可省略用于子像素IlB和IlW的每一个的滤色片206。具体地，蓝色发光层214在子像素IlB中发射蓝色光，并且蓝色发光层214和黄色发光层314在子像素IlW中发射作为合成光的白色光。因此，在例如对图像品质(色域)要求不是很高的应用中，可从子像素IlB和IlW的每一个中省略滤色片206。
[0157]尽管在第一种实施方式中，仅在上基板2中设置了滤色片206，但这并不是限制性的。例如，如图17和图18所示，可从上基板2D中省略红色(R)和绿色(G)的滤色片，而可在下基板3D中设置红色(R)、绿色(G)和黄色(Y)的滤色片。在图17的示例性实例(显示部1D)中，在下基板3D中的绝缘层316上设置红色(R)、绿色(G)和黄色(Y)的滤色片317。在图18的示例性实例(显示部10E)中，在下基板3E中的阴极电极315上设置红色(R)、绿色(G)和黄色(Y)的滤色片318。
[0158]在其中如图17和图18示出的在下基板中设置滤色片的情况下，可省略上基板2D中的蓝色(B)和白色(W)的滤色片206。图19示出了通过将这种变形例应用于图17的配置所设置的显示部10F。在该实例中，还省略了下基板3D中的黄色(Y)滤色片317。因此，允许在上基板2F的制作步骤中省略滤色片形成步骤，使得可以更加简化制造工艺。
[0159]如图20示出的显示部10G，可在不同于上基板2和下基板3的层中设置滤色片。在该示例性实例中，通过粘结材料252将在其上具有滤色片251的透明基板250粘结到上基板2F的显示表面侧。例如，透明基板250可由玻璃、塑料等形成。粘结材料252由透明树脂形成。
[0160][变形例1-3]
[0161]尽管在第一种实施方式中，分别由红色、绿色、蓝色和白色的四个子像素11R、11G、11B、和IlW配置像素Pix，但这并不是限制性的。可替代地，例如，如图21示出的显示部10H，可分别由红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)和黄色(Y)的四个子像素11R、11G、11B、和IlY配置像素Pix。可替代地，如图22示出的显示部101，可分别由红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的三个子像素I IR、IIG和IIB配置像素Pix。在每个实例中，获得了于第一种实施方式的效果类似的效果。
[0162][变形例1-4]
[0163]尽管在第一种实施方式中，在上基板2中设置蓝色发光层214，并且在下基板3中设置黄色发光层314，但这并不是限制性的。可替代地，例如，如图23示出的显示部10J，可在上基板2J中设置黄色发光层214J，并且可在下基板3J中设置蓝色发光层314J。尽管通过将变形例1-4应用于显示部1G (图20)来设置显示部10J，但这并不是限制性的。可将变形例1-4应用于任何其他显示部。
[0164][变形例1-5]
[0165]尽管在第一种实施方式中，在上基板2中设置发射蓝色光的蓝色发光层214，并且在下基板3中设置发射作为蓝色的互补色的黄色光的黄色发光层314，但这并不是限制性的。例如，可在上基板2中设置发射红色光的红色发光层，并且可在下基板3中设置发射作为红色的互补色的青色光的青色发光层。可替代地，例如，可在上基板2中设置发射绿色光的绿色发光层，并且可在下基板3中设置发射作为绿色的互补色的紫红色光的紫红色发光层。[0166][变形例1-6]
[0167]尽管在第一种实施方式中，在上基板2中设置底部发射型的发光元件，并且在下基板3中设置顶部发射型的发光元件，但这并不是限制性的，并且可使用发光元件类型的任何组合。例如，如图24示出的显示部10K，可在上基板2K中设置顶部发射型的发光元件，摈弃可在下基板3K中设置底部发射型的发光元件。可替代地，可在基板和下基板的每一个中设置顶部发射型的发光元件，或可在基板和下基板的每一个中设置底部发射型的发光元件。
[0168][2.第二种实施方式]
[0169]现在描述根据第二种实施方式的显示单元5。在第二种实施方式中，在下基板中形成比在上基板中小的开口。应注意，与根据第一种实施方式的显示单元I的部件基本相同的部件由相同的标号表示，并且适当地省略它们的描述。
[0170]如图1所示，根据第二种实施方式的显示单元5包括显示部50。其他配置类似于显示单元I等的配置。
[0171]图25示出了显示部50的截面图。显示部50包括上基板2F、下基板4、滤色片451和黑色矩阵452。在下基板4中，形成小于上基板2F中的蓝色发光层214的开口 WIN2的黄色发光层314的开口 WIN4。具体地，尽管在根据第一种实施方式的显示部10中，下基板3中的开口 WIN3的尺寸与上基板2中的开口 WIN2的尺寸基本相同，但是在根据第二种实施方式的显示部50中，下基板4中的开口 WIN4小于上基板2F中的开口 WIN2。在该示例性实例中，考虑到开口 WIN2与WIN4之间的尺寸上的这种差异，数据线驱动部27等调整白平衡。
[0172]在与滤色片451的层相同的层中，在彼此临近的子像素11之间设置黑色矩阵452。在该示例性实例中，为了描述的方便，省略用于子像素IlB和IlW的滤色片，并且仅为子像素I IR和IlG设置滤色片451。
[0173]以这种方式，在显示部50中，下基板4中的开口 WIN4小于上基板2F中的开口WIN2。这使得可以减小如下面描述的色度根据观察者的观察角度而变化的可能性，并且因此使得可以扩大所谓的色度视角。
[0174]图26A示出了当观察者从显示部50的前方观测显示部50时观察者的视线。图26B示出了当观察者从偏离显示部50的前方观测角Θ的方向观测显示部50时通过观察者的光的视觉。在从前方观测白色(W)子像素IlW的实例(图26A)和以观测角Θ来观测白色(W)子像素IlW的实例(图26B)的每一个中，允许观察者观察开口 WIN2中的蓝色发光层214的整个区域以及开口 WIN4中的黄色发光层314的整个区域。从而，允许观察者观察白色。
[0175]随后，利用比较实施例描述第二种实施方式的功能。在根据比较实施例3的显示部50R中，下基板中的开口 WIN3的尺寸等于上基板中的开口 WIN2的尺寸。
[0176]图27A示出了当观察者从显示部50R的前方观测显示部50R时通过观察者的光的视觉。图27B示出了当观察者从偏离显示部50R的前方观测角Θ的方向观测显示部50R时通过观察者的光的视觉。如图27A所示，当观察者从前方观测白色(W)子像素IlW时，允许观察者通过开口 WIN2观察蓝色发光层214的整个区域以及通过开口 WIN3观察黄色发光层314的整个区域。因此，允许观察者观察白色。另一方面，如图27B所示，当观察者以观测角Θ来观测白色(W)子像素IlW时，允许观察者通过开口 WIN2观察蓝色发光层214的整个区域，但是不允许通过开口 WIN3观察黄色发光层314的整个区域，因为黄色发光层314的部分区域被黑色矩阵452阻挡。因此，在这种情况下，与从前方观测的情况相比较，在以观测角Θ来观测的情况下，观察者观测到少许的蓝白色。
[0177]以这种方式，在根据比较实施例3的显示部50R中，色度可能根据观测角而改变。换言之，其中色度不会改变的观测角范围变窄，并且因此色度视角可能变窄。
[0178]与此相反，在根据第二种实施方式的显示部50中，下基板4中的开口 WIN4小于上基板2F中的开口 WIN2，这使得可以减小如图26A和26B所示的色度根据观测角而变化的可能性。换言之，显示部50允许扩大其中色度不会改变的观测角范围，并且因此允许扩大色度视角。
[0179]尽管，为了描述的方便，已经利用其中省略了用于子像素IlB和IlW的滤色片并且仅为子像素IlR和HG设置滤色片451的实例描述了该示例性实例，但是也可为子像素IlB和IlW设置滤色片451。在这样的实例中，也扩大了色度视角。
[0180]如上所述，在第二种实施方式中，由于下基板中的开口小于上基板中的开口，因此允许扩大色度视角。其他效果类似于第一种实施例中的效果。
[0181][变形例2_1]
[0182]第二种实施方式的配置并不限于图25示出的配置。可替代地，例如，在第一种实施方式及其变形例的任何一种配置中，下基板中的开口可被制成小于上基板中的开口。
[0183][3.第三种实施方式]
[0184]现在描述根据第三种实施方式的显示单元8。在第三种实施方式中，在彼此临近的子像素11之间设置光屏蔽部。应注意，与根据第一种实施方实的显示单元I的部件基本相同的部件由相同的标号表示，并且适当地省略它们的描述。
[0185]如图1所示，根据第三种实施方式的显示单元8包括显示部80。其他配置类似于显示单元I等的配置。
[0186]图28示出了显示部80的截面图。显示部80包括上基板6、下基板7和滤色片451。通过从上基板2F省略绝缘层216设置上基板6。换言之，阴极215暴露于上基板6中。下基板7具有光屏蔽部321。在绝缘层313上设置光屏蔽部321。例如，光屏蔽部321可由聚酰亚胺、丙烯酸树脂、酚醛清漆树脂等形成。如稍后描述的，光屏蔽部321被如此烧制以具有较低的透光率。在绝缘层313和光屏蔽部321上均匀地设置黄色发光层314，并且在黄色发光层314上设置阴极315。换言之，阴极315在对应每个光屏蔽部321的区域中具有突出部分322。通过粘结上基板6和下基板7，阴极315与上基板6中的阴极215接触。从而，允许减小阴极215和315的每一个的阻抗，并且因此允许减小由于阴极215或315的高阻抗引起的故障的可能性。
[0187]图29示出了像素Pix中的光屏蔽部321的布局。光屏蔽部321设置在水平方向(横向)中的彼此临近的子像素11的边界的附近并且设置在垂直方向(纵向)中的彼此临近的子像素11的边界的附近。换言之，这样设置光屏蔽部321以部分地围绕每个发光区域(开口 WIN2或WIN3)，而不是在每个子像素11的四个拐角附近分别设置光屏蔽部321。从而，当上基板6被粘结于下基板7时，允许粘结材料9流入子像素11以外的区域。具体地，例如，当光屏蔽部321在所有的方向围绕发光区域时(开口 WIN2或WIN3)时，并且当上基板6被粘结于下基板7时，粘结材料9可能被保留在子像素11中，并且因此可能部分地形成空隙。在这种情况下，可能减小粘结强度。此外，图像品质可能由于通过空隙的光的散射而退化。与此相反，在显示部80中，由于光屏蔽部321部分地围绕发光区域(开口)，因此粘结材料9流入子像素11以外的区域。这使得可以减小子像素11中的粘结材料9被保留的可能性；因此，允许防止粘结强度等的减小。
[0188]以这种方式，在显示部80中，在子像素11之间设置光屏蔽部分321，并且因此允许减小由于彼此临近的子像素11而引起的光学色彩混合出现的可能性。
[0189]图30示出了当观察者从偏离显示部80的前方观测角Θ的方向观测显示部80时通过观察者的光的视觉。在其中观察者以观测角Θ来观测显示部80的情况下，也允许减小观测到由于彼此临近的子像素11而引起的光学色彩混合的可能性。具体地，当未设置光屏蔽部321时，例如，观察者观测到由临近的子像素IlR的黄色发光层314发射的黄色光而不是由子像素IlW的蓝色发光层214和黄色发光层314发射的作为合成光的白色光。因此，出现光学色彩混合。与此相反，在显示部80中，每个光屏蔽部321阻挡由临近的子像素IlR的黄色发光层314发射的黄光；因此，允许减小这种光学色彩混合出现的可能性。
[0190]以这种方式，由于光屏蔽部321屏蔽来自临近的子像素11的光，光屏蔽部321优选地具有低的透光率。因此，作为光屏蔽部321的材料，聚酰亚胺比丙烯酸树脂更优选。此夕卜，酚醛清漆树脂比聚酰亚胺更优选。在使用酚醛清漆树脂的情况下，例如，优选的烧制条件可以如下:有氧环境，200°C或更高，以及20min或更长。允许通过这样的烧制条件减小透光率。
[0191]如上所述，在第三种实施方式中，设置光屏蔽部；因此，允许减小光学色彩混合出现的可能性。
[0192]此外，在第三种实施方式中，上基板的阴极和下基板的阴极在每个光屏蔽部的上端彼此接触；因此，允许较小每个阴极的阻抗。
[0193]此外，在第三种实施方式中，由于光屏蔽部321部分地围绕发光区域(开口)，粘结材料流入子像素以外的区域；因此，允许防止粘结强度等的减小。
[0194]其他效果类似于第一种实施方式中的效果。
[0195][变形例3-1]
[0196]尽管在第三种实施方式中，光屏蔽部321设置在水平方向(横向)中的彼此临近的子像素11的边界的附近并且设置在垂直方向(纵向)中的彼此临近的子像素11的边界的附近，但这并不是限制性的。可使用任何其他配置，只要光屏蔽部部分地围绕发光区域(开口)。例如，如图31A所示，光屏蔽部321A可仅设置在水平方向中(横向)的彼此临近的子像素11的边界的附近。可替代地，如图31B所述，光屏蔽部321B可仅设置在垂直方向中(纵向)的彼此临近的子像素11的边界的附近。
[0197][变形例3-2]
[0198]尽管在第三种实施方式中，在下基板7中设置光屏蔽部321，但这并不是限制性的。可替代地，例如，可在上基板6中设置光屏蔽部321。可替代地，如图32示出的显示部80C，可在上基板6C中设置光屏蔽部221C，并且可在下基板7C中设置光屏蔽部321C。光屏蔽部221C可由与光屏蔽部321C的材料类似的材料形成。
[0199]此外，如图33示出的显示部80D，可增加下基板7D中的每个光屏蔽部321D的高度，并且可在上基板6D中对应光屏蔽部32ID的位置处形成凹陷部分(depress1nport1n)221D，从而使突出部分322D适合于凹陷部分221D。在这种情况下，光屏蔽部321D的上端能够更接近显示表面侧；因此，允许进一步减小光学色彩混合出现的可能性。
[0200][变形例3-3]
[0201]尽管在第三种实施方式中，上基板6中的阴极215和下基板7中的阴极315在每个光屏蔽部分321的上端彼此接触，但这并不是限制性的。可替代地，阴极215和216可在彼此未接触的情况下彼此分离。在这种情况下，也减小了光学色彩混合出现的可能性。
[0202][4.应用实例]
[0203]现在描述在上述实施方式及其变形例中描述的每个显示单元的应用实例。
[0204]图34示出了应用了任何上述实施方式及其变形例的显示单元的电视机单元的外观。例如，电视机单元具有包括前面板911和滤光镜912的图像显示屏部910。由根据任何上述实施方式及其变形例的显示单元来配置图像显示屏部910。
[0205]根据任何上述实施实施方式及其变形例的显示单元适用于任何领域的电子设备。除了电视机单元，电子设备的实例可包括数码相机、笔记本个人计算机、诸如移动电话的移动终端单元、便携式视频游戏机和摄像机。换言之，根据任何上述实施方式及其变形例的显示单元适用于任何领域中显示图像的电子设备。
[0206]尽管已经利用上文的实例实施方式、其变形例和应用实例描述了本技术，但本技术并不限于这些，并且可做出各种变形及其替代。
[0207]例如，可将上述实施方式及其变形例彼此结合。具体地，可将根据第一种实施方式或它的一个变形例的配置与根据第二种实施方式的配置相结合。可进一步将这种结合与根据第三种实施方式的配置相结合。
[0208]此外，例如，尽管在上述实施方式及其变形例中，由两个基板(上基板和下基板)配置显示部，但这并不是限制性的。可替代地，例如，可由三个基板(第一基板、第二基板和第三基板)配置显示部。在这种情况下，例如，允许显示部被配置成使得第一基板包括黄色发光层、第二基板包括绿色发光层以及第三基板包括蓝色发光层。
[0209]此外，例如，尽管在上述实施方式及其变形例中，像素电路12具有所谓的“2TrlC”的配置，但这并不是限制性的。可替代地，例如，像素电路12可具有其中相对图3中的发光元件30并行地设置电容性元件的所谓的“2Tr2C”的配置。可替代地，像素电路12可具有其中在驱动电流(其经由驱动晶体管DRTr从电源线PL流向发光元件30)的通路上设置控制晶体管的所谓的“3TrlC”的配置，以便控制驱动电流的开和关。
[0210]此外，例如，尽管在上述实施方式及其变形例中，分别由NMOS配置写晶体管WSTr和驱动晶体管DRTr，但这并不是限制性的。可替代地，可由PMOS配置这些晶体管的一个或两个。
[0211]此外，例如，在任何上述实施方式及其变形例中，可在上基板中设置除了像素电路12之外的电路和/或传感器。具体地，例如，如图2所示，由于在上基板2中设置的像素电路12的数量少于在下基板3中设置的像素电路12的数量，因此可在上基板2中形成空闲空间。例如，可使用这种空闲空间设置光传感器及其控制电路。具体地，可设置测量从有机EL装置发射的光的亮度的时间变化性的光传感器、用于光学触控面板的光传感器等。
[0212]此外，例如，尽管在上述实施方式及其变形例中，显示单元包括有机EL显示装置，但显示单元并不限于此。可使用任何类型的显示单元，只要显示单元包括电流驱动显示装置。
[0213]此外，本技术包括本文描述的并结合于本文中的各种实施方式的某些或全部任何可能的组合。
[0214]可以从本公开的上述实例实施方式中获得至少下列配置。
[0215](I)显示单元,包括
[0216]多个显示功能层，在堆叠方向设置，且每一个包括多个像素电路，
[0217]其中，由预定数量的像素电路配置的像素电路组配置单个显示像素，且预定数量的像素电路横跨多个显示功能层。
[0218](2)根据(I)所述的显示单元，其中，多个显示功能层是第一显示功能层和第二显示功能层，在显示表面侧上安置第一显示功能层，并且在与显示表面侧相对的一侧上安置第二显示功能层。
[0219](3)根据(2)所述的显示单元，其中
[0220]第一显示功能层包括发射基本色的光的第一发光层，以及
[0221]第二显示功能层包括发射基本色的互补色的光的第二发光层。
[0222](4)根据(2)所述的显示单元，其中
[0223]第一显不功能层包括第一发光层，
[0224]第二显示功能层包括发射基本色的光的第二发光层，以及
[0225]第一发光层发射基本色的互补色的光。
[0226](5)根据(3)或(4)所述的显示单元，其中
[0227]第一显示功能层进一步包括:
[0228]第一晶体管层，
[0229]第一阳极，设置在第一发光层和第一晶体管层之间并且为每个像素电路安置，以及
[0230]第一阴极，安置在第一发光层的与第一晶体管层相对的一侧，以及
[0231]第二显示功能层进一步包括:
[0232]第二晶体管层，
[0233]第二阳极，设置在第二发光层和第二晶体管层之间并且为每个像素电路安置，以及
[0234]第二阴极，安置在第二发光层的与第一晶体管层相对的一侧上。
[0235]( 6 )根据(5 )所述的显示单元，其中
[0236]第一晶体管层被安置在第一显示功能层中的第一发光层的显示表面侧上，以及
[0237]第二晶体管层被安置在第二显示功能层中的第二发光层的显示表面侧上。
[0238](7)根据(6)所述的显示单元，进一步包括在第一阴极与第二阴极之间设置的导电层，导电层使第一阴极传与第二阴极导电。
[0239](8)根据(6)所述的显示单元，进一步包括在第一阴极与第二阴极之间设置的绝缘层。
[0240](9)根据(6)或(7)所述的显示单元，其中，第一阴极和第二阴极之一或两者包括各自从第一阴极和第二阴极之一突出到第一阴极和第二阴极的另一个的多个突出部分。
[0241](10)根据(6)或(7)所述的显示单元，其中[0242]第一阴极和第二阴极之一包括各自突出到第一阴极和第二阴极的另一个的多个突出部分，以及
[0243]第一阴极和第二阴极的另一个包括适合于相应的突出部分的多个凹陷部分。
[0244](11)根据(9)或(10)所述的显示单元，其中，第一阴极和第二阴极通过突出部分彼此接触。
[0245](12)根据(9)至(11)中任何一个所述的显示单元，其中，设置突出部分以部分地围绕对应于每个第一阳极的第一发光区域，或者围绕对应于每个第二阳极的第二发光区域。
[0246](13)根据(5)至(12)中何一个所述的显示单元，其中，对应于每个第二阳极的第二发光区域小于对应于每个第一阳极的第一发光区域。
[0247](14)根据(2)至(13)中任何一个所述的显示单元，其中
[0248]第一显示功能层包括配置像素电路组的一部分的一个或多个第一像素电路，
[0249]第二显示功能层包括配置像素电路组的其余部分的多个第二像素电路，
[0250]第一显不功能层包括连接至一个或多个第一像素电路的第一扫描线和第一电源线，
[0251]第二显示功能层包括连接至多个第二像素电路的第二扫描线和第二电源线，
[0252]第一扫描线连接至第二扫描线，以及
[0253]第一电源线连接至第二电源线。
[0254]( 15)根据(14)所述的显示单元，进一步包括:
[0255]扫描线驱动部，设置在第一显示功能层和第二显示功能层之一中，且被配置为驱动第一扫描线和第二扫描线；以及
[0256]电源线驱动部，设置在第一显示功能层和第二显示功能层的另一个中，且被配置为驱动第一电源线和第二电源线。
[0257](16)根据(2)至(15)中任何一个所述的显示单元，其中
[0258]显示像素包括用于每一种基本色的光的子像素，以及
[0259]每个子像素包括在第一显示功能层和第二显示功能层之一中的发光区域。
[0260](17)根据(2)至(16)中任何一个所述的显示单元，其中，第一显示功能层和第二显示功能层之一或两者包括滤色片。
[0261 ] (18)根据(I)至(16)中任何一个所述的显示单元，进一步包括被设置为不同于第一显示功能层和第二显示功能层的层的滤色层。
[0262]( 19) 一种显示驱动方法，包括
[0263]制备第一显示功能层和第二显示功能层，第一显示功能层包括多个像素电路，并且第二显示功能层包括多个像素电路且被安置在第一显示功能层的堆叠方向上；以及
[0264]以像素行为基础执行多个显示像素的扫描，每个显示像素包括在第一显示功能层中设置的多个像素电路中的一个或多个第一像素电路和在第二显示功能层中设置的多个像素电路中的多个第二像素电路。
[0265](20)根据(19)所述的显示驱动方法，其中
[0266]经由第一扫描线将扫描信号提供给一个或多个第一像素电路，并且经由连接至第一扫描线的第二扫描线将扫描信号提供给多个第二像素电路，以及[0267]经由第一电源线将驱动信号提供给一个或多个第一像素电路，并且通过连接至第一电源线的第二电源线将驱动信号提供给多个第二像素电路。
[0268](21) —种制造显示单元的方法，该方法包括:
[0269]制作各自包括多个像素电路的多个显示功能层；以及
[0270]彼此重叠多个显示功能层，以允许由预定数量的像素电路配置的像素电路组配置单个显示像素，预定数量的像素电路横跨多个显示功能层。
[0271](22)—种设置有显示单元和被配置为对显示单元执行操作控制的控制部的电子设备，显示单元包括:
[0272]多个显示功能层，在堆叠方向设置，且每一个包括多个像素电路，
[0273]其中，由预定数量的像素电路配置的像素电路组配置单个显示像素，且预定数量的像素电路横跨多个显示功能层。
[0274]本领域的技术人员应理解，根据设计要求和其他因素，可出现各种变形、组合、子组合和替代，只要它们在所附权利要求或其等价物的范围内。
【权利要求】
1.一种显示单元，包括: 多个显示功能层，在堆叠方向上设置，且每一个包括多个像素电路， 其中，由预定数量的所述像素电路配置的像素电路组配置单个显示像素，且所述预定数量的所述像素电路横跨所述多个显示功能层。
2.根据权利要求1所述的显示单元，其中，所述多个显示功能层是第一显示功能层和第二显示功能层，在显示表面侧上安置所述第一显示功能层，并且在与所述显示表面侧相对的一侧上安置所述第二显示功能层。
3.根据权利要求2所述的显示单元，其中， 所述第一显示功能层包括发射基本色的光的第一发光层，以及 所述第二显示功能层包括发射所述基本色的互补色的光的第二发光层。
4.根据权利要求2所述的显示单元，其中， 所述第一显示功能层包括第一发光层， 所述第二显示功能层包括发射基本色的光的第二发光层，以及 所述第一发光层发射所述基本色的互补色的光。
5.根据权利要求3所述的显示单元，其中， 所述第一显示功能层进 一步包括: 第一晶体管层， 第一阳极，设置在所述第一发光层与所述第一晶体管层之间并且为每个所述像素电路安置，以及 第一阴极，安置在所述第一发光层的与所述第一晶体管层相对的一侧上，以及 所述第二显示功能层进一步包括: 第二晶体管层， 第二阳极，设置在所述第二发光层与所述第二晶体管层之间并且为每个所述像素电路安置，以及 第二阴极，安置在所述第二发光层的与所述第二晶体管层相对的一侧上。
6.根据权利要求5所述的显示单元，其中， 所述第一晶体管层被安置在所述第一显示功能层中的所述第一发光层的所述显示表面侧上，以及 所述第二晶体管层被安置在所述第二显示功能层中的与所述第二发光层的所述显示表面侧相对的一侧上。
7.根据权利要求6所述的显示单元，进一步包括在所述第一阴极与所述第二阴极之间设置的导电层，所述导电层使所述第一阴极与所述第二阴极之间导电。
8.根据权利要求6所述的显示单元，其中，所述第一阴极和所述第二阴极之一或两者包括各自从所述第一阴极和所述第二阴极之一突出到所述第一阴极和所述第二阴极的另一个的多个突出部分。
9.根据权利要求6所述的显示单元，其中， 所述第一阴极和所述第二阴极之一包括各自突出到所述第一阴极和所述第二阴极的另一个的多个突出部分，以及 所述第一阴极和所述第二阴极的所述另一个包括适合于相应的突出部分的多个凹陷部分。
10.根据权利要求8所述的显示单元，其中，所述第一阴极和所述第二阴极通过所述突出部分彼此接触。
11.根据权利要求8所述的显示单元，其中，设置所述突出部分以部分围绕对应于每个所述第一阳极的第一发光区域，或者围绕对应于每个所述第二阳极的第二发光区域。
12.根据权利要求5所述的显示单元，其中，对应于每个所述第二阳极的第二发光区域小于对应于每个所述第一阳极的第一发光区域。
13.根据权利要求2所述的显示单元，其中， 所述第一显示功能层包括配置所述像素电路组的一部分的一个或多个第一像素电路， 所述第二显示功能层包括配置所述像素电路组的其余部分的多个第二像素电路， 所述第一显示功能层包 括连接至所述一个或多个第一像素电路的第一扫描线和第一电源线， 所述第二显示功能层包括连接至所述多个第二像素电路的第二扫描线和第二电源线， 所述第一扫描线连接至所述第二扫描线，以及 所述第一电源线连接至所述第二电源线。
14.根据权利要求13所述的显示单元，进一步包括: 扫描线驱动部，设置在所述第一显示功能层和所述第二显示功能层之一中，且被配置为驱动所述第一扫描线和所述第二扫描线；以及 电源线驱动部，设置在所述第一显示功能层和所述第二显示功能层中的另一个中，且被配置为驱动所述第一电源线和所述第二电源线。
15.根据权利要求2所述的显示单元，其中， 所述显示像素包括用于每一种基本色的光的子像素，以及 每个所述子像素包括在所述第一显示功能层和所述第二显示功能层之一中的发光区域。
16.根据权利要求1所述的显示单元，进一步包括被设置为不同于所述第一显示功能层和所述第二显示功能层的层的滤色层。
17.—种显示驱动方法,包括: 制备第一显示功能层和第二显示功能层，所述第一显示功能层包括多个像素电路，并且所述第二显示功能层包括多个像素电路且被安置在所述第一显示功能层的堆叠方向上；以及 以像素行为基础执行多个显示像素的扫描，每个所述显示像素包括在所述第一显示功能层中设置的所述多个像素电路中的一个或多个第一像素电路和在所述第二显示功能层中设置的所述多个像素电路中的多个第二像素电路。
18.根据权利要求17所述的显示驱动方法，其中， 经由第一扫描线将扫描信号提供给所述一个或多个第一像素电路，以及经由连接至所述第一扫描线的第二扫描线将所述扫描信号提供给所述多个第二像素电路，以及 经由第一电源线将驱动信号提供给所述一个或多个第一像素电路，以及经由连接至所述第一电源线的第二电源线将所述驱动信号提供给所述多个第二像素电路。
19.一种制造显示单元的方法,所述方法包括:制作各自包括多个像素电路的多个显示功能层；以及 彼此重叠所述多个显示功能层，以允许由预定数量的所述像素电路配置的像素电路组配置单个显示像素，所述预定数目的所述像素电路横跨所述多个显示功能层。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述多个显示功能层是第一显示功能层和第二显示功能层，在显示表面侧上安置所述第一显示功能层，并且在与所述显示表面侧相对的一侧上安置所述第二显示功能层。
21.一种设置有显示单元和被配置为对所述显示单元执行操作控制的控制部的电子设备，所述显示单元包括: 多个显示功能层，在堆叠方向上设置，且每一个包括多个像素电路， 其中，由预定数量的所述像素电路配置的像素电路组配置单个显示像素，且所述预定数量的所述像素电路横跨 所述多个显示功能层。
【文档编号】H01L51/56GK104037193SQ201410065636
【公开日】2014年9月10日 申请日期:2014年2月25日 优先权日:2013年3月4日
【发明者】甚田诚一郎, 吉永祯彦 申请人:索尼公司