专利名称：显示器及其制造方法
显示器及其制造方法技术领域
实施例涉及一种显示器。更具体地说，实施例涉及一种具有氧化物半导体层的 OLED显示器。
背景技术：
OLED显示器是通过使用发射光的有机发光元件来显示图像的自发射型显示装 置。与液晶显示器(LCD)不同，OLED显示器不需要单独的光源，因而OLED显示器更 薄且更轻。另外，由于OLED显示器具有诸如低功耗、高亮度、快响应速度之类的高质 量特性，因此OLED显示器作为例如移动电子设备的下一代显示装置正受到诸多关注。
OLED显示器可以包括氧化物薄膜晶体管(TFT)，即具有氧化物半导体的TFT。 然而，因为氧化物半导体内氧的缺乏增加了载流子的供给，所以氧化物半导体可以具有 高的载流子密度。因此，氧化物半导体的电学特性可能是不稳定的。
在此背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对所描述技术的背景的理解， 因此，上述信息可以包含并不构成在本国对于本领域普通技术人员已知的现有技术的信 肩、ο发明内容
实施例致力于一种具有氧化物半导体层的显示器，这种显示器基本上克服了由 于相关技术的限制和缺点所导致的问题中的一个或多个问题。
因此，实施例的一个特征在于提供一种具有氧化物半导体层的显示器，其中所 述氧化物半导体层覆盖有用于稳定地保护氧化物半导体层的保护膜。
因此，实施例的另一特征在于提供一种制造在氧化半导体层上具有保护膜的显 示器的方法。
上述以及其它特征和优点中的至少一个可以通过提供一种显示器实现，所述显 示器包括基板主体和形成在所述基板主体上的TFT。所述TFT可以具有氧化物半导体层 和金属氧化物膜顺次堆叠的结构。
所述TFT可以进一步包括栅极以及分别与所述氧化物半导体层相接触并且被布 置为隔开的源极和漏极。所述氧化物半导体层可以与所述栅极绝缘。所述金属氧化物 膜可以形成在所述氧化物半导体层上并且具有暴露所述氧化物半导体层的部分的多个开 口。所述源极和所述漏极可以通过所述开口与所述氧化物半导体层相接触。所述氧化物 半导体层的长度和所述金属氧化物膜的长度可以基本相同，并且所述氧化物半导体层和 所述金属氧化物膜彼此重叠，所述氧化物半导体层和所述金属氧化物膜的长度都沿着所 述氧化物半导体层和所述金属氧化物膜的各自的最外面边缘之间的第一方向测得。
上述以及其它特征和优点中的至少一个还可以通过提供一种显示器实现，所述 显示器包括基板主体；形成在所述基板主体上的栅极；形成在所述栅极上的栅绝缘 层；形成在所述栅极上的氧化物半导体层，所述栅绝缘层介于所述氧化物半导体层与所4述栅极之间；直接形成在所述氧化物半导体层上并且具有暴露所述氧化物半导体层的部 分的多个开口的金属氧化物膜；以及通过所述金属氧化物膜的所述开口与所述氧化物半 导体层相接触并且被布置为隔开的源极和漏极。
所述显示器可以进一步包括形成在所述金属氧化物膜与所述源极和漏极之间的 层间绝缘层。所述层间绝缘层可以具有与所述金属氧化物膜的开口一起暴露所述氧化物 半导体层的部分的多个接触孔。
在所述显示器中，除了所述多个开口外，所述氧化物半导体层和所述金属氧化 物膜可以具有相同的图案。所述氧化物半导体层的长度可以被限定在其两个第一最外面 边缘之间，并且所述金属氧化物膜的长度可以被限定在其两个第二最外面边缘之间，所 述氧化物半导体层的长度和所述金属氧化物膜的长度基本相同，并且第一最外面边缘与 相应的第二最外面边缘对准。所述金属氧化物膜的部分以及所述金属氧化物膜的开口中 所述源极和漏极的部分可以被布置为与所述氧化物半导体层完全重叠。
所述氧化物半导体层可以包含镓(Ga)、铟(In)、锌(Zn)、铪(Hf)和锡(Sn)中 的一种或多种以及氧(O)。
所述金属氧化物膜可以由铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、银(Ag)、铬(Cr)、钛 (Ti)和钽CTa)中的金属之一或者包括所述金属中的一种或多种的合金制成。所述金属氧 化物膜可以具有从50 A到2000A范围的平均厚度。所述金属氧化物膜可以通过对金属膜 进行加热或者通过等离子体氧化而形成。
上述以及其它特征和优点中的至少一个还可以通过提供一种制造显示器的方法 实现，所述方法包括在基板主体上形成栅极；在所述栅极上形成栅绝缘层；在所述栅 绝缘层上顺次堆叠氧化物半导体层和金属膜；氧化所述金属膜以产生金属氧化物膜；图 案化所述氧化物半导体层和所述金属氧化物膜，使得它们具有相同的形状；去除所述金 属氧化物膜的部分以形成暴露所述氧化物半导体层的部分的多个开口 ；以及形成源极和 漏极使得所述源极和漏极通过所述金属氧化物膜的所述开口与所述氧化物半导体层相接 触并且被布置为隔开。
所述氧化物半导体层和所述金属膜可以在真空环境下被连续沉积。
所述金属氧化物膜和所述氧化物半导体层可以通过刻蚀工艺连续图案化。
图案化后的氧化物半导体层和金属氧化物膜可以被形成为使得所述氧化物半导 体层和所述金属氧化物膜中的至少部分与所述栅极重叠。
所述方法可以进一步包括在所述金属氧化物膜与所述源极和漏极之间形成层间绝缘层。
所述方法可以进一步包括在所述层间绝缘层上形成多个接触孔，其中所述多个 接触孔和所述金属氧化物膜的多个开口可以通过刻蚀工艺连续形成。
所述金属氧化物膜可以用作刻蚀停止层，用于防止所述氧化物半导体层在通过 所述刻蚀工艺形成所述多个接触孔的工艺中被损伤或者被部分刻蚀。
所述氧化物半导体层可以包含镓(Ga)、铟(In)、锌(Zn)、铪(Hf)和锡(Sn)中 的一种或多种以及氧(O)。
所述金属氧化物膜可以由铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、银(Ag)、铬(Cr)、钛 (Ti)、钽(Ta)中的一种或多种或者包括所述金属中的一种或多种的合金制成。
所述金属氧化物膜可以具有从50A到2000A范围的平均厚度。所述金属氧化物 膜可以通过对所述金属膜进行加热或者通过等离子体氧化形成。
通过参照附图详细描述示例性实施例，上述以及其它特征和优点对于本领域普 通技术人员来说将变得更明显，其中
图1示出根据示例性实施例的显示器的示意性平面图2示出图1的显示器中的像素电路的电路图3示出图1的显示器中的TFT的详细横截面图；以及
图4至图6示出在图3的TFT的制造工艺中各阶段的横截面图。
具体实施方式
下文中，将参照附图更充分地描述示例性实施例；然而，这些实施例可以具体 实现为不同的形式，并且不应当被解释为限于这里所记载的实施例。相反，提供这些实 施例的目的在于，使得本公开内容全面且完整，并且向本领域技术人员充分地传达本发 明的范围。
附图中，为了图示的清楚起见，层和区域的尺寸可能被放大。还应当理解，当 提到一个层或元件在另一层或基板“上”时，它可能直接位于另一层或基板上，或者也 可能存在中间层。另外，还应当理解，当提到一个层在两层“之间”时，该层有可能是 这两层之间唯一的一层，或者也可以存在一个或多个中间层。相同的附图标记始终表示 相同的元件。
现将参照图1至图3描述OLED显示器的示例性实施例。
如图1中所示，OLED显示器101可以包括划分成显示区(DA)和非显示区(NA) 的基板主体111。多个像素可以形成在基板主体111的显示区DA上以显示图像，并且各 种驱动电路可以形成在非显示区(NA)上。图2中示出OLED显示器101的多个像素中 的一个像素(PE)。
如图2中所示，OLED显示器101的单个像素PE可以具有包括有机发光元件 70、第一 TFT 10和第二 TFT 20以及存储电容器80的2Tr_lCap结构。然而，示例性实 施例不限于此。也就是说，OLED显示器101可以在单个像素中包括三个或更多个TFT 以及两个或更多个存储电容器，并且可以进一步包括配线以具有各种结构。额外形成的 TFT和存储电容器可以构成补偿电路。补偿电路可以通过抑制图片质量中偏差的产生来 改善各个像素PE处形成的有机发光元件70的均勻性。例如，补偿电路可以包括四到八 个TFT。形成在基板主体111的非显示区(NA)上的驱动电路可以包括例如一个TFT。
有机发光元件70可以包括阳极即空穴注入电极、阴极即电子注入电极以及布置 在阳极和阴极之间的有机发光层。
在示例性实施例中，第一TFT 10和第二TFT 20中的每一个可以包括栅极、氧化 物半导体层、源极和漏极。也就是说，第一 TFT 10和第二 TFT 20可以是氧化物TFT。
例如，第一 TFT 10可以是驱动TFT 10，而第二 TFT 20可以是开关TFT20。例 如，如图2中所示，驱动TFT 10与有机发光元件70连接，并且开关TFT 20连接至扫描线SL和数据线DL。详细地说，开关TFT 20可以用作选择用来发光的像素PE的开关元 件。开关TFT 20的栅极可以与扫描线SL连接，并且开关TFT 20的源极与数据线DL连 接。开关TFT 20根据输入至扫描线SL的开关电压将从数据线DL输入的数据电压传送 给驱动TFT 10。
存储电容器80与开关TFT 20和共用电源线VDD连接，并且存储对应于从开关 TFT 20接收的电压与供应给共用电源线VDD的电压之差的电压。
驱动TFT 10供应用于使所选像素PE内的有机发光元件70发射的驱动功率。驱 动TFT 10的栅极与存储电容器80的一个电容器板以及与开关TFT20的漏极连接。驱动 TFT 10的源极和存储电容器80的另一电容器板与共用电源线VDD连接。驱动TFT 10的 漏极与有机发光元件70的阳极连接。如此，与共用电源线VDD和存储电容器80连接的 驱动TFT 10向有机发光元件70供应与存储在存储电容器80中的电压和阈值电压之差的 平方成比例的输出电流IQlED。有机发光元件70通过从驱动TFT 10供应的输出电流I。LED 而发光。
像素PE的配置可以进行各种改变，而不限于如上所述的配置。
现在将根据驱动TFT 10的堆叠顺序详细描述根据示例性实施例的驱动TFT 10的结构。
如图3中所示，驱动TFT 10可以形成在基板主体111上，并且可以包括栅极 121、氧化物半导体层141、金属氧化物膜Ml、源极163以及漏极164。
基板主体111可以形成为绝缘基板，例如，基板主体111可以包括玻璃、石英、 陶瓷、塑料等中的一种或多种。然而，示例性实施例不限于此，并且基板主体111可以 形成为金属基板，例如基板主体111可以包括不锈钢。
缓冲层115可以形成在基板主体111上。缓冲层115可以形成为包括各种无机 膜和有机膜中的一种或多种。缓冲层115可以防止诸如杂质元素或湿气之类的污染物渗 透到基板主体111中，并且可以使基板主体111的上表面平滑。然而，缓冲层115可以 根据基板主体111的类型和处理条件而省略。
驱动TFT 10的栅极121可以形成在基板主体111上，例如直接形成在缓冲层115 上。栅极121可以由导电材料形成。例如，栅极121可以由金属，例如Al、Ag、Cr、 Ti、Ta> Mo等中的一种或多种，或者包括上述金属中的一种或多种的合金形成。栅极 121可以形成为单层或多层。例如，如果栅极121是多层，则栅极121可以包括具有良好 物理化学特性的金属膜，例如Cr、Mo、Ti和办中的一种或多种和/或其合金，以及具 有较低比电阻的Al基或Ag基金属膜。在另一示例中，栅极121可以由掺杂的多晶硅膜 形成。
例如由氮化硅^iNx)、氧化硅MiOx)等中的一种或多种形成的栅绝缘层130可 以形成在栅极121上，例如直接形成在栅极121上。然而，在示例性实施例中，栅绝缘 层130的材料不限于此。
驱动TFT 10的氧化物半导体层141可以形成在栅绝缘层130上，例如直接形成 在栅绝缘层130上。氧化物半导体层141的至少一部分可以与栅极121重叠。
氧化物半导体层141可以由氧化物形成，例如由镓(Ga)、铟Ctn)、锌(Zn)、铪 (Hf)和锡(Sn)中的一种或多种的氧化物形成。例如，氧化物半导体层141可以由诸如InZnO、 InGaO、 InSnO、 ZnSnO、 GaSnO、 GaZnO、 或 GaInZnO 的混合氧化物形成。
具有氧化物半导体层141的驱动TFT 10可以具有比传统TFT，例如具有氢化非 晶硅半导体层的TFT，高大约2至大约100倍的电荷有效迁移率，例如高电子迁移率和可 靠性。进一步，具有氧化物半导体层141的驱动TFTlO可以具有大约105至大约108的 通/断电流比，从而显示出极好的半导体特性和性能。另外，氧化物半导体层141可以 具有从大约3.0eV至大约3.5eV范围的带隙，因而相对于可见光不会发生光电流的泄漏。 因此，可以防止驱动TFT 10的瞬时残留影像。而且，为了进一步改善驱动TFT 10的特 性，可以在氧化物半导体层141中另外包括周期表中的第三族元素、第四族元素、第五 族元素或者过渡元素。应当进一步注意，例如与使用多晶硅的TFT相比，具有TFT 10的 OLED显示器101可以显示出优良的均勻性，并且可以实施为例如透明显示装置。
金属氧化物膜241可以例如直接形成在氧化物半导体层141上，例如氧化物半导 体层141可以直接位于栅绝缘层130和金属氧化物膜241之间。金属氧化物膜241可以包 括诸如源区开口 243和漏区开口 244的多个开口，用于暴露氧化物半导体层141的部分， 例如暴露氧化物半导体层141的远离主体基板111的相对的上表面的部分。换句话说， 氧化物半导体层141和金属氧化物膜241可以顺次堆叠在栅绝缘层130上。
除了多个开口即源区开口 243和漏区开口 244之外，金属氧化物膜241可以形成 为与氧化物半导体层141具有相同的图案。例如，除了多个开口之外，氧化物半导体层 141的长度和金属氧化物膜Ml的长度可以基本相同，因而氧化物半导体层141和金属氧 化物膜241可以彼此重叠。
金属氧化物膜241可以用作保护膜以防止或基本上最小化例如由等离子体对氧 化物半导体层141造成的损伤。例如，金属氧化物膜241可以将氧化物半导体层141与 诸如湿气和氧吸收之类的外部元素屏蔽开。比较而言，在传统的OLED显示器，例如 不具有覆盖氧化物半导体层的金属氧化物膜的显示器中，氧化物半导体层由于相对较高 的载流子密度而不稳定，例如，氧化物半导体的电学特性可能由于氧化物半导体与等离 子体、湿气和/或氧之间的相互作用而容易改变，从而提供相对较低的可靠性和可操作 性。因此，具有金属氧化物膜Ml的OLED显示器101可以由于在其中实现了稳定且可 靠的氧化物半导体TFT而具有改善的可靠性和可操作性。
金属氧化物膜241可以通过对诸如铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、银(Ag)、铬(Cr)、钛(Ti)、钽(Ta)中的一种或多种或者包括一种或多种金属的合金的金属膜进行氧 化而形成。金属膜可以通过任何合适的方法进行氧化，例如，金属膜可以通过加热或通 过使用等离子体氧化进行氧化。
金属氧化物膜241可以具有从大约50A到大约2000A范围的平均厚度tl。平均 厚度tl指沿着法线到半导体层141的上表面所测量的、在排除掉源区开口 243和漏区开 口 244的区域中金属氧化物膜Ml的上下表面之间的距离。应当注意，术语“厚度”和 “平均厚度”可以互换使用。如果金属氧化物膜Ml的平均厚度tl小于大约50A，则金属氧化物膜Ml的厚度可能不足以完全保护氧化物半导体层141，例如污染物或等离子体 可能透过金属氧化物膜241以损伤氧化物半导体层141。如果金属氧化物膜241的平均厚 度tl大于大约2000A,则可能在沉积并氧化金属氧化物膜241的金属膜的工艺中对氧化物 半导体层141造成负面影响，例如，氧化物半导体层141可能在相对较厚的层在其上沉积和处理时受到损伤。
层间绝缘层150可以形成在金属氧化物膜241上。层间绝缘层150可以具有与 金属氧化物膜241的多个开口 243和244 —起暴露氧化物半导体层141的部分的多个接触 孔153和154。多个接触孔可以包括与源区开口 243相对应(例如与源区开口 243对准) 的源区接触孔153以及与漏区开口 244相对应(例如与漏区开口 244对准)的漏区接触 孔154。与栅绝缘层130相同，层间绝缘层150可以包括氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx) 等，但不限于此。
源极163和漏极164可以独立形成在层间绝缘层150上，例如彼此隔开地形成在 层间绝缘层150上。源极163和漏极164可以通过层间绝缘层150的源区接触孔153和 漏区接触孔154以及金属氧化物膜241的源区开口 243和漏区开口 244与氧化物半导体层 141相接触。例如，源区接触孔153和源区开口 243可以对准，因而源极163可以透过源 区接触孔153和源区开口 243与氧化物半导体层141直接，例如直接接触。漏极164针 对漏区接触孔154和漏区开口 244的结构可以与源极163针对相应孔/开口的结构相同。
应当注意，示例性实施例不限于以上所述，例如，层间绝缘层150可以省略。 如果层间绝缘层150省略，则源极163和漏极164可以直接形成在金属氧化物膜241上， 并且源极163和漏极164的部分可以通过源区开口 243和漏区开口 244与氧化物半导体层 141相接触。
根据示例性实施例的OLED显示器101可以包括具有直接位于氧化物半导体层 141上的金属氧化物膜241的驱动TFT 10，因而氧化物半导体层141可以被有效地保护。 也就是说，金属氧化物膜241可以防止或者基本上最小化氧化物半导体层141暴露于其外 部环境，例如等离子体或污染物，从而增加氧化物半导体层141的稳定性，即最小化氧 化物半导体层141与其外部环境的相互作用。因此，OLED显示器101的驱动TFT 10可 以具有提高的稳定性和改善的性能。
现在将参照图4至图6描述根据示例性实施例的OLED显示器101的制造方法。 图4至图6示出在形成OLED显示器101的TFT 10工艺中各阶段的横截面图。
首先，如图4中所示，缓冲层115可以形成在基板主体111上，并且导电膜可以 沉积在缓冲层115上。接下来，导电膜可以被图案化以形成栅极121。
然后，栅绝缘层130可以形成在基板主体111上以覆盖栅极121。栅绝缘层130 可以由氮化硅MiNx)或氧化硅MiOx)等形成。
此后，如图4中进一步所示，初级氧化物半导体层140和初级金属膜可以顺次沉 积在栅绝缘层130上。例如，初级氧化物半导体层140和初级金属膜可以在真空环境下 连续沉积在栅绝缘层130上。因此，通过最小化跟随初级氧化物半导体层140的沉积之 后必须执行的工艺，可以防止初级氧化物半导体层140被不必要地损伤。换句话说，由 于初级金属膜的沉积在真空条件下紧随在初级氧化物半导体层140的沉积之后，因此可 以防止或者基本上最小化初级氧化物半导体层140在其沉积期间与诸如湿气或氧的外部 元素的任何相互作用。初级氧化物半导体层140和/或初级金属膜可以通过诸如物理气 相沉积(PVD)方法、溅射、蒸发等任何合适的方法沉积。
接下来，初级金属膜可以被氧化以形成初级金属氧化物膜M0。例如，可以通过 加热或等离子体氧化来氧化初级金属膜。而且，初级金属氧化物膜240可以被形成为具有从大约50A到大约2000A范围的平均厚度tl。
之后，如图5中所示，初级氧化物半导体层140和初级金属氧化物膜240可以被 图案化以分别形成氧化物半导体层141和金属氧化物膜Ml。图案化后的氧化物半导体层 141和金属氧化物膜241可以具有基本相同的形状。例如，图案化后的氧化物半导体层 141和金属氧化物膜241可以彼此完全重叠，因而图案化后的氧化物半导体层141的最外 面边缘141a可以与金属氧化物膜241的相应最外面边缘Mla对准。图案化后的氧化物 半导体层141和金属氧化物膜241可以被形成为使得图案化后的氧化物半导体层141和金 属氧化物膜Ml的至少部分与栅极121重叠。例如，图案化后的氧化物半导体层141可 以与栅极121完全重叠。
金属氧化物膜241和氧化物半导体层141可以通过刻蚀工艺被连续图案化。例 如，氧化物半导体层141的上表面，即与金属氧化物膜241相接触的表面，可以在刻蚀工 艺期间被金属氧化物膜241覆盖，因而氧化物半导体层141可以在刻蚀工艺期间受到保 护。因此，可以简化OLED显示器101的整体工艺，并且可以防止氧化物半导体层141 在图案化工艺期间被不必要地损伤。
随后，如图6中所示，层间绝缘层150可以形成在金属氧化物膜241上。层间 绝缘层150的部分和金属氧化物膜241的部分可以被连续去除以形成暴露氧化物半导体层 141的部分的多个接触孔153和154以及多个开口 243和M4。
多个接触孔153和154以及多个开口 243和244可以通过刻蚀工艺形成。在此 种情形下，金属氧化物膜241可以用作刻蚀停止层。也就是说，金属氧化物膜241可以 具有与层间绝缘层150不同的刻蚀选择性，因而金属氧化物膜241可以防止氧化物半导体 层141在通过刻蚀工艺形成多个接触孔153和154的工艺中被损伤或者被部分刻蚀。
现在将详细描述作为刻蚀停止层的金属氧化物膜Ml的作用效果。
在形成通过层间绝缘层150的源区接触孔153和漏区接触孔154时，层间绝缘 层150和栅绝缘层130的其它部分也可以同时被刻蚀，例如以形成用于配线连接的另外开 口。例如，为了连接形成在栅极121下层上的配线与形成在源极163和漏极164下层上的 配线，层间绝缘层150的部分和栅绝缘层130的部分可以被刻蚀。在此种情形下，刻蚀 工艺条件被设置为刻蚀层间绝缘层150和栅绝缘层130两者，而源区接触孔153和漏区接 触孔1 形成得相对较早。因此，由于具有与层间绝缘层150和栅绝缘层130相对不同 的刻蚀选择性的金属氧化物膜241位于氧化物半导体层141上，因此氧化物半导体层141 可以通过金属氧化物膜241与刻蚀剂屏蔽开，从而不具有刻蚀损伤。比较而言，如果不 在氧化物半导体层上形成金属氧化物膜，则氧化物半导体层会通过源区接触孔153和漏 区接触孔1 暴露于刻蚀剂中比所需时间更长的时间，例如暴露于用于刻蚀到所连接的 多层配线的刻蚀剂中。这样，不被金属氧化物膜覆盖的氧化物半导体层就可能在刻蚀工 艺期间受到损伤或被部分刻蚀。
之后，如图3中所示，源极163和漏极164可以被形成为在层间绝缘层150上隔 开。在此种情形下，源极163和漏极164可以通过层间绝缘层150的接触孔153和IM 以及金属氧化物膜Ml的开口 243和244与氧化物半导体层141相接触。应当注意，层 间绝缘层150可以省略。
通过如上所述的制造方法，可以形成根据示例性实施例的TFT 10。因此，在10OLED显示器101中，氧化物半导体层141可以受到有效保护，以保证TFTlO的稳定性并 改善TFT 10的性能。
此处已公开示例性实施例，并且尽管采用了特定术语，但它们仅在一般和描述 意义上使用和被解释，并不用于限制的目的。因此，本领域技术人员应当理解，可以在 不背离所附权利要求中记载的本发明的精神和范围的情况下，在形式和细节上做出各种 改变。
权利要求
1.一种显示器，包括基板主体；位于所述基板主体上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括顺次堆叠在彼此顶部的氧 化物半导体层和金属氧化物膜。
2.根据权利要求1所述的显示器，其中所述薄膜晶体管进一步包括栅极，所述氧化物半导体层和所述金属氧化物膜顺次堆叠在所述栅极上，并且所述 氧化物半导体层与所述栅极绝缘；以及源极和漏极，彼此隔开并且通过所述金属氧化物膜中的多个开口与所述氧化物半导 体层相接触。
3.根据权利要求1所述的显示器，其中所述氧化物半导体层的长度和所述金属氧化物 膜的长度相同，并且所述氧化物半导体层与所述金属氧化物膜彼此重叠，所述氧化物半 导体层和所述金属氧化物膜的长度都沿着所述氧化物半导体层和所述金属氧化物膜的各 自的最外面边缘之间的第一方向测得。
4.一种显示器，包括基板主体；位于所述基板主体上的栅极；位于所述栅极上的栅绝缘层；位于所述栅极上的氧化物半导体层，所述栅绝缘层位于所述栅极和所述氧化物半导 体层之间；直接位于所述氧化物半导体层上的金属氧化物膜，包括暴露所述氧化物半导体层的 部分的多个开口；以及源极和漏极，彼此隔开并且通过所述金属氧化物膜中的开口与所述氧化物半导体层 相接触。
5.根据权利要求4所述的显示器，进一步包括位于所述金属氧化物膜与所述源极和漏 极之间的层间绝缘层。
6.根据权利要求5所述的显示器，其中所述层间绝缘层具有暴露所述氧化物半导体层 的部分的多个接触孔，所述多个接触孔与所述金属氧化物膜中的开口对准。
7.根据权利要求4所述的显示器，其中所述氧化物半导体层的长度被限定在所述氧化物半导体层的两个第一最外面边缘之 间，以及所述金属氧化物膜的长度被限定在所述金属氧化物膜的两个第二最外面边缘之间， 所述氧化物半导体层的长度和所述金属氧化物膜的长度相同，并且第一最外面边缘与相 应的第二最外面边缘对准。
8.根据权利要求4所述的显示器，其中所述金属氧化物膜的部分以及所述金属氧化物 膜的开口中所述源极和漏极的部分被布置为与所述氧化物半导体层完全重叠。
9.根据权利要求4所述的显示器，其中所述氧化物半导体层包括氧以及镓、铟、锌、 铪和锡中的一种或多种。
10.根据权利要求4所述的显示器，其中所述金属氧化物膜包括铝、钼、镍、银、 铬、钛、钽及其合金中的至少一种。
11.根据权利要求10所述的显示器，其中所述金属氧化物膜具有50A到2000A的厚度。
12.一种制造显示器的方法，所述方法包括 在基板主体上形成栅极；在所述栅极上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上顺次堆叠氧化物半导体层和金属膜；氧化所述金属膜以形成金属氧化物膜，使得所述金属氧化物膜直接位于所述氧化物 半导体层上；图案化所述氧化物半导体层和所述金属氧化物膜以具有相同的形状；去除所述金属氧化物膜的部分以形成暴露所述氧化物半导体层的部分的多个开口；以及形成彼此隔开并且通过所述金属氧化物膜中的开口与所述氧化物半导体层相接触的 源极和漏极。
13.根据权利要求12所述的方法，其中顺次堆叠氧化物半导体层和金属膜包括在真空 环境下连续沉积所述氧化物半导体层和所述金属膜。
14.根据权利要求12所述的方法，其中图案化所述氧化物半导体层和所述金属氧化物 膜包括通过刻蚀工艺连续图案化所述金属氧化物膜和所述氧化物半导体层。
15.根据权利要求12所述的方法，其中图案化所述氧化物半导体层和所述金属氧化物 膜包括布置图案化后的氧化物半导体层和金属氧化物膜中的每一个的至少一部分与所述 栅极重叠。
16.根据权利要求12所述的方法，进一步包括在所述金属氧化物膜与所述源极和漏极 之间形成层间绝缘层。
17.根据权利要求16所述的方法，进一步包括形成通过所述层间绝缘层的多个接触 孔，所述多个接触孔和所述金属氧化物膜中的多个开口通过刻蚀工艺连续形成。
18.根据权利要求17所述的方法，其中在所述金属氧化物膜中形成所述开口之前，执 行在所述层间绝缘层中形成所述多个接触孔，所述金属氧化物膜具有相对于所述层间绝 缘层的刻蚀选择性。
19.根据权利要求12所述的方法，其中所述氧化物半导体层被形成为包括镓、铟、 锌、铪和锡中的一种或多种，并且所述金属氧化物膜由铝、钼、镍、银、铬、钛、钽及 其合金中的一种或多种形成。
20.根据权利要求12所述的方法，其中氧化所述金属膜包括对所述金属膜加热或者使 用等离子体氧化，所述金属氧化物膜具有50A到2000A的厚度。
全文摘要
公开了一种显示器及其制造方法。所述显示器包括基板主体和位于所述基板主体上的薄膜晶体管(TFT)，所述TFT包括顺次堆叠在彼此顶部的氧化物半导体层和金属氧化物膜。
文档编号H01L21/77GK102024842SQ201010280228
公开日2011年4月20日 申请日期2010年9月9日 优先权日2009年9月22日
发明者任章淳, 卢智龙, 崔钟炫, 李大宇 申请人:三星移动显示器株式会社