一种遮光器件及其制备方法
【专利摘要】本发明涉及一种遮光器件及其制备方法，本发明适用于集成电路制造领域，提供了射频LDMOS器件及其制造方法，所述器件包括：P+硅衬底；在所述P+硅衬底上外延形成的P型外延区域；P+下沉区域；源区；多晶硅栅；沟道区；漂移区；漏区。本发明实施例，通过调整射频LDMOS器件的漂移区长度，使得射频LDMOS器件的击穿电压得到改变，优化了射频LDMOS器件的性能。
【专利说明】一种遮光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明属于集成电路领域，尤其涉及一种反射型显示器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002]娃基液晶(Liquid Crystal on Silicon, LCoS)是一种液晶显示器(LCD)的新兴技术，是由Aurora Systems融合半导体CMOS集成电路与液晶两项技术的优势,于2000年开发出的一种高分辨率，低价格，反射式新型显示技术。它是一种将LCD直接制于单晶硅片上的新型液晶显示器件。单晶硅片上可将LCD的有源矩阵薄膜晶体管(AMTFT)，外部驱动电路及控制电路等全部制于上面，以此作为LCD的一块基板，与另一块作为公共电极的涂上透明导电层的玻璃基板共同封接成一个薄盒，注入液晶即可制成硅基液晶显示器件。
[0003]LCoS具有智能化、引线少、体积小、像素开口率高、分辨率高、光利用率高、显示方式多样化、易于实现彩色化、投资少、利于大批量生产等优点。同时又需要特殊的材料、工艺、设计、检测及配套等关键技术，提高了 LCoS微显示技术的难度。
[0004]LCoS技术是集成电路技术与液晶技术的有机融合，LCoS制程主要分为三部分:CMOS驱动电路制备、液晶灌装以及集成电路技术与液晶技术的协同技术。在集成电路与液晶工艺的整合方面，LCoS技术有许多特殊的技术要求。
[0005]LCoS为反射型显示器件，外部强光源透过液晶层，照射到反射镜面电极上，经镜面电极反射入人眼，利用液晶层两端电压控制液晶层的透明度来控制反射出液晶层的光线的强度，实现灰度调制功能。
[0006]在使用过程中，LCoS面板长时间受到外界强光的照射，为了保证硅衬底上的集成电路不受外界强光照射的影响，需要制作遮光层，遮挡外界强光入射，保护下层电路正常工作。
[0007]普遍采用的一种遮光层结构如图1所示，采用四层金属工艺制备硅基板，其中金属一、金属二两层金属布线，单独制作一层金属制备遮光层遮蔽外部光线，像素中部遮光层开孔，把下层金属电极引上来，再制作铝反射镜面电极，完成硅基板的制备。传统的四层金属工艺遮光结构工艺复杂，成本较高。
[0008]存在寻求更为简易、可靠的遮光层结构及其制备工艺的需求。
【发明内容】
[0009]本发明实施例的目的在于提供一种遮光器件及其制备方法，以解决现有技术的遮光器件结构复杂，制备方法繁琐的问题。
[0010]本发明实施例是这样实现的，一种遮光器件，所述器件包括:
[0011]覆盖在集成电路之上的像素镜面反射电极；
[0012]覆盖在相邻两个所述像素镜面反射电极之间的沟槽上的金属层。
[0013]本发明实施例的另一目的在于提供一种遮光器件的制备方法，所述方法包括:
[0014]制备覆盖在集成电路上的像素镜面反射电极；
[0015]制备覆盖在相邻两个所述像素镜面反射电极之间的沟槽上的金属层。
[0016]本发明实施例，通过调整射频LDMOS器件的漂移区长度，使得射频LDMOS器件的击穿电压得到改变，优化了射频LDMOS器件的性能。
【专利附图】
【附图说明】
[0017]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1是现有技术提供的LCOS像素剖面图；
[0019]图2是本发明实施例提供的LCOS像素电路版不意图；
[0020]图3是本发明实施例提供的LCOS驱动电路像素区域显微照片示意图。
【具体实施方式】
[0021]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0022]为了说明本发明所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。
[0023]实施例一
[0024]如图2所示为本发明实施例提供的LCOS像素电路版示意图，为了便于说明，仅示出与本发明实施例相关的部分，包括:
[0025]覆盖在集成电路之上的像素镜面反射电极I。
[0026]在本发明实施例中，反射型显示器件中的集成电路用于控制该反射型显示器件进行显示，如果该集成电路长期被外界强光照射，则会对该集成电路造成影响，因此在该集成电路之上会覆盖像素镜面反射电极I。
[0027]需要指出的是，像素镜面反射电极I呈方形覆盖在集成电路上。
[0028]覆盖在相邻两个所述像素镜面反射电极I之间的沟槽上的金属层2。
[0029]在本发明实施例中，两个相邻的像素镜面反射电极I之间具有沟槽，而在该沟槽之上即覆盖有金属层2，该金属层2用于填补该沟槽。需要说明的是，两个相邻的像素镜面反射电极I之间的沟槽，可以为横向沟槽，也可以为纵向沟槽，因此该金属层2可以为横向金属层2也可以为纵向金属层2，其中横向金属层2呈横条状，纵向金属层2呈竖条状。
[0030]在本发明的一个优选实施例中，所述金属层2的材料为铝。
[0031]如图3所示为本发明实施例提供的LCOS驱动电路像素区域显微照片示意图。
[0032]实施例二
[0033]本发明实施例还提供的遮光器件制备方法的流程图，所述方法包括以下步骤:
[0034]在步骤S301中，制备覆盖在集成电路上的像素镜面反射电极。
[0035]在本发明实施例中，反射型显示器件中的集成电路用于控制该反射型显示器件进行显示，如果该集成电路长期被外界强光照射，则会对该集成电路造成影响，因此需要制备覆盖在集成电路上的像素镜面反射电极。
[0036]需要指出的是，像素镜面反射电极呈方形覆盖在集成电路上。
[0037]在步骤S302中，制备覆盖在相邻两个所述像素镜面反射电极I之间的沟槽上的金属层。
[0038]在本发明实施例中，两个相邻的像素镜面反射电极之间具有沟槽，而在该沟槽之上即覆盖有金属层，该金属层用于填补该沟槽。需要说明的是，两个相邻的像素镜面反射电极之间的沟槽，可以为横向沟槽，也可以为纵向沟槽，因此在制备金属层时需要制备横向金属层和纵向金属层，其中横向金属层呈横条状，纵向金属层呈竖条状。
[0039]本领域普通技术人员还可以理解，实现上述实施例方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成，所述的程序可以在存储于一计算机可读取存储介质中，所述的存储介质，包括R0M/RAM、磁盘、光盘等。
[0040]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种遮光器件，其特征在于，所述器件包括: 覆盖在集成电路之上的像素镜面反射电极； 覆盖在相邻两个所述像素镜面反射电极之间的沟槽上的金属层。
2.如权利要求1所述的遮光器件，其特征在于，所述金属层为两层。
3.如权利要求2所述的遮光器件，其特征在于，所述金属层包括横向金属层和纵向金属层。
4.如权利要求3所述的遮光器件，其特征在于，所述横向金属层为横条状，所述纵向金属层为竖条状，所述像素镜面反射电极为方形。
5.如权利要求1?4任一项所述的遮光器件，其特征在于，所述金属层的材料为铝。
6.一种遮光器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括: 制备覆盖在集成电路上的像素镜面反射电极； 制备覆盖在相邻两个所述像素镜面反射电极之间的沟槽上的金属层。
7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述金属层为两层。
8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述制备覆盖在相邻两个所述像素镜面反射电极之间的沟槽上的金属层的步骤包括: 制备覆盖在相邻两个所述像素镜面反射电极之间的沟槽上的横向金属层和制备覆盖在相邻两个所述像素镜面反射电极之间的沟槽上的纵向金属层。
9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述横向金属层为横条状，所述纵向金属层为竖条状，所述像素镜面反射电极为方形。
10.如权利要求6?9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述金属层的材料为铝。
【文档编号】H01L23/552GK104347597SQ201410458343
【公开日】2015年2月11日 申请日期:2014年9月10日 优先权日:2014年9月10日
【发明者】杜寰 申请人:中国科学院微电子研究所