一种led器件的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及LED封装领域，尤其涉及一种LED器件的封装结构。
【背景技术】
[0002]目前，LED封装结构中为了提高芯片的反射效率，支架底部采用镀银工艺处理。芯片固定在支架上，固定后，使用金线连接到支架的正、负两极。然后采用荧光粉和封装胶混合灌在支架内。现有的LED封装使用硅胶或者硅树脂封装来提升LED产品的寿命，解决了光衰等问题，但由于硅胶或者硅树脂本身具有透湿透氧的特性，空气中的硫分子可以透过封装胶体渗透到LED支架的镀银层，与银反应变成黑色的硫化银。另外，空气中的硫分子也会透过器件底部的金属基板与反射外壳结合的缝隙处渗透到LED支架的镀银层，与银反应生成黑色的硫化银，以至于器件的出光率降低。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的在于针对目前LED器件的封装结构的不足，提供一种可防止硫化的LED器件，可以显著提高LED器件的气密性，防潮防硫化的性能更强，可靠性更好。
[0004]本实用新型是采用如下技术方案来实现上述目的:
[0005]一种LED器件，包括:LED支架，设置在所述LED支架上的LED芯片，覆盖所述LED芯片的封装胶体，其特征在于，所述LED器件上表面和至少部分侧面覆盖防硫化层I。
[0006]优选地，所述LED器件底部包括两个相互绝缘的金属电极以及包围所述金属电极的反射外壳，在所述LED器件底部的两个相互绝缘的金属电极与所述反射外壳结合的至少部分缝隙处覆盖防硫化层II。
[0007]优选地，除了主要的金属电极区外，在所述LED器件底部的两个相互绝缘的金属电极与所述反射外壳结合的缝隙处的周围区域也覆盖防硫化层II。
[0008]优选地，所述防硫化层I是一层连续的高致密、高防水且透明的薄膜层。
[0009]优选地，所述防硫化层II是一层连续的高致密、高防水的薄膜层。
[0010]优选地，所述LED支架包括基板以及设置在所述基板上的反射外壳，所述基板包括两个相互绝缘的金属电极，所述两个相互绝缘的金属电极分别为第一电连接部和第二电连接部，所述反射外壳呈一体结构包括设置于所述基板上面的反射杯，包裹所述基板四周的包覆层，位于所述第一电连接部和所述第二电连接部中间的绝缘层，以及填充所述通孔的填充件。
[0011 ] 优选地，所述第一电连接部呈一体结构，其包括第一焊盘部，与所述第一焊盘部相连接且呈一体结构的第一侧面电极部，所述第一电连接部设置有通孔以及所述第一焊盘部的至少部分上表面设置有一层银镜层；所述第二电连接部呈一体结构，包括第二焊盘部，与所述第二焊盘部相连接且呈一体结构的第二侧面电极部，以及所述第二焊盘部的至少部分上表面设置有一层银镜层。
[0012]优选地，所述防硫化层I覆盖所述LED器件上表面且分别向第一侧面电极部和第二侧面电极部延伸，直到两侧面电极部的上表面被完全覆盖。
[0013]优选地，防硫化层II共包括三个连续的防硫化层，分别是所述第一电连接部与所述包覆层和所述绝缘层共同形成的缝隙处覆盖有一层防硫化层，所述第二电连接部分别与所述包覆层和所述绝缘层共同形成的缝隙处覆盖有一层防硫化层，以及所述第一电连接部与所述填充件形成的缝隙处覆盖有一层防硫化层。
[0014]优选地，防硫化层II共包括两个连续的防硫化层，分别是所述包覆层、所述绝缘层、以及所述包覆层和所述绝缘层与两个金属电极的缝隙处覆盖有一层防硫化层，所述填充件、以及所述第一电连接部与所述填充件形成的缝隙处还覆盖有一层防硫化层。
[0015]本实用新型具有以下优点:
[0016]1、本实用新型提供的一种LED器件，通过在LED器件上表面和侧面覆盖防硫化层I，LED器件封装胶体层、反射杯的上表面和侧面以及封装胶体层与反射杯的缝隙处覆盖防硫化层；这样不仅能保护封装胶体面，同时保护了 LED器件不同材质之间的缝隙，可有效避免硫分子通过缝隙处运动到LED器件底部镀银层，防止LED器件硫化；同时，底部焊盘裸露或部分裸露、侧面电极裸露，LED器件可以进行良好测试与贴片。
[0017]2、本实用新型提供的一种LED器件，在LED器件的底部，两个相互绝缘的金属电极与所述反射外壳结合的至少部分缝隙处覆盖防硫化层II，或者除了主要的金属电极区外，两个相互绝缘的金属电极与所述反射外壳结合的缝隙处及其周围区域也覆盖防硫化层II，可以避免硫元素通过底部的金属与支架材料的缝隙处进入到支架的内部到达反射杯底部的银镜层发生反应生成硫化银，提高LED产品可靠性。
【附图说明】
[0018]图1本实用新型实施例一中的LED器件的截面示意图；
[0019]图2本实用新型实施例一中的LED支架的截面示意图；
[0020]图3本实用新型实施例一中的LED支架对应的俯视示意图；
[0021]图4本实用新型实施例二中的LED器件的截面示意图；
[0022]图5本实用新型实施例二中的LED器件对应的俯视示意图；
[0023]图6本实用新型实施例二中的LED器件其它实施方式的截面示意图；
[0024]图7本实用新型实施例二中的LED器件其它实施方式对应的俯视示意图。
【具体实施方式】
[0025]为了使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图和优选实施例对本实用新型作进一步的详细说明。
[0026]实施例一
[0027]如图1所示，本实用新型提供一种LED器件10，其结构包括:LED支架1、设置在所述LED支架上的LED芯片2，覆盖所述LED芯片的封状胶体3。其中，所述LED器件的上表面和至少部分侧面覆盖防硫化层I。
[0028]所述LED支架可以是PCB基板，金属基板或者PLCC支架等，本实施例中LED支架采用的是金属基板。
[0029]如图2、图3所示，所述LED支架I包括基板11以及设置在所述基板11上的反射外壳12，所述基板11的上表面与所述反射外壳12的内壁形成反射腔13。
[0030]其中，所述基板11包括两个相互绝缘的金属电极，所述两个相互绝缘的金属电极分别为第一电连接部111和第二电连接部112，其中，所述基板的第一电连接部111呈一体结构，其包括第一焊盘部1111，与所述第一焊盘部相连接且呈一体结构的第一侧面电极部1112，所述第一电连接部设置有通孔以及所述第一焊盘部至少部分上表面设置有一层银镜层，在其他实施例中，所述第一电连接部也可以不设置有通孔；所述第二电连接部112呈一体结构，其包括第二焊盘部1121，与所述第二焊盘部相连接且呈一体结构的第二侧面电极部1122，以及所述第二焊盘部至少部分上表面设置有一层银镜层。所述第一侧面电极部1112和第二侧面电极部1122分别是所述基板的第一电连接部和第二电连接部突出的侧面电极，可以使LED器件进行良好测试与贴片。
[0031]所述反射外壳12包括设置于基板上面的反射杯121，包裹基板四周的包覆层122，位于第一电连接部111和第二电连接部112中间的绝缘层123，以及填充所述通孔的填充件124，其中，所述反射外壳12所包括的反射杯121、包覆层122、绝缘层123、填充件124呈一体结构。
[0032]如图1所示，所述芯片2可以是倒装芯片、单极芯片或者双极芯片，本实施例中采用双极芯片，所述芯片2设置在第一电连接部111。所述LED芯片2通过导线实现LED芯片2电极与第二电连接部112的电性连接，LED芯片电极与第一电连接部之间的电性连接采用本领域常规电连接方式，如导线等。
[0033]如图1所示，所述封装胶体3可以为环氧树脂、硅胶或硅树脂等，封装胶体中可以混有散射颗粒、红色荧光粉、黄色荧光粉、绿色荧光粉中的一种或几种。本实施例中优选为混有黄色荧光粉的有机硅胶，不限于本实施例。
[0034]所述防硫化层I是连续的高致密、高防水且透明的薄膜层，如是氟化物、硅化物等，由于高致密的薄膜层对硫元素具有拦截性，这样外界的硫元素不会渗透到荧光胶，从而阻隔了 S元素与LED器件的接触，有效防止硫元素与基板焊盘部上表面的银镜层的银发生反应，生成硫化银，从而提高LED产品可靠性，另外，透明的硫化层透光性好，因此也不会影响到LED器件的出光效果。
[0035]所述防硫化层I可以通过喷涂或者浸渍等方法覆盖于LED器件的上表面和侧面，本实施例中，所述防硫化层I是通过喷涂的方法覆盖于LED器件的上表面和侧面。所述防硫化层I覆盖所述LED器件上表面和侧面的所有缝隙，并且该防硫化层I是一层连续的薄膜层。本实施例中，所述防硫化层I完全覆盖LED器件的上表面且分别向第一侧面电极部和第二侧面电极部延伸，直到两侧面电极部的上表面被完全覆盖，这样防硫化层I可以完全覆盖LED器件的荧光胶层、反射外壳的上表面和侧面、荧光胶与反射外壳的粘结处、反射杯与金属电极电极部的