1.一种基于有机/无机杂化钙钛矿材料的阻变存储器，具有电极-绝缘体-电极结构，其特征在于，包括底电极、顶电极以及位于底电极和顶电极之间的阻变功能层材料，该阻变功能层材料由一层或多层有机/无机杂化钙钛矿薄膜材料构成；所述有机/无机杂化钙钛矿薄膜材料为CH3NH3PbI3、CH3NH3PbCl3、CH3NH3PbBr3、CH3NH3PbI3-xClx，0<x<3、(C4H9NH3)2(CH3NH3)n-1SnI3n+1，n＝1-5、(NH3C6H4O-C6H4NH3)PbI4、NH2CH＝NH2PbI3、(RNH3)2CuX4，R为CnH2n+1或C6H5CH2，n＝1、2、4、6、8、10，X为Cl、Br或I、(3-BrC3H6NH3)2CuBr4中的一种。
2.根据权利要求1所述的基于有机/无机杂化钙钛矿材料的阻变存储器，其特征在于，所述底电极材料为TiN、TaN、Pt、Ru、Al、Au、Ti、W、Cu、Ni、Ta、Ag、Co、Ir和Pd中的一种。
3.根据权利要求1所述的基于有机/无机杂化钙钛矿材料的阻变存储器，其特征在于，所述顶电极材料为TiN、TaN、Pt、Ru、Al、Au、Ti、W、Cu、Ni、Ta、Ag、Co、Ir和Pd中的一种。
4.根据权利要求1所述的基于有机/无机杂化钙钛矿材料的阻变存储器，其特征在于，所述顶电极、底电极厚度分别为30nm-230nm。
5.根据权利要求1所述的基于有机/无机杂化钙钛矿材料的阻变存储器，其特征在于，所述有机/无机杂化钙钛矿薄膜材料的厚度为15nm-500nm。
6.根据权利要求5所述的基于有机/无机杂化钙钛矿材料的阻变存储器，其特征在于，所述有机/无机杂化钙钛矿薄膜材料的厚度为30-100nm。
7.一种权利要求1-6中任一项所述的基于有机/无机杂化钙钛矿材料的阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括如下具体步骤：
(1)衬底清洗；
(2)利用物理气相沉积技术在衬底上沉积底电极；
(3)利用旋转涂覆、浸渍涂布或真空蒸镀法在底电极上形成有机/无机杂化钙钛矿薄膜材料作为阻变功能层；
(4)利用物理气相沉积技术在阻变功能层上沉积顶电极。
8.根据权利要求7所述的基于有机/无机杂化钙钛矿材料的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述衬底为石英玻璃、柔性衬底或硅衬底。