技术总结
本发明公开了一种基于有机/无机杂化钙钛矿材料的阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括底电极、顶电极以及位于底电极和顶电极之间的阻变功能层材料，该阻变功能层材料由一层或多层有机/无机杂化钙钛矿薄膜材料构成。其制备方法包括：(1)衬底清洗；(2)利用物理气相沉积技术在衬底上沉积底电极；(3)利用旋转涂覆、浸渍涂布、真空蒸镀等技术在底电极上形成有机/无机杂化钙钛矿薄膜材料作为阻变功能层；(4)利用物理气相沉积技术在阻变功能层上沉积顶电极。本发明的阻变存储器结构简单，能够进行低温、低成本制备。所制备的器件具有大存储窗口、低转变电压、高转变速度、多值存储能力和良好的热稳定性以及器件耐久性等技术优势。
技术研发人员：赵鸿滨;屠海令
受保护的技术使用者：北京有色金属研究总院
技术研发日：2014.12.25
技术公布日：2018.08.28