晶圆级芯片用喷涂装置制造方法
【专利摘要】本实用新型公开一种晶圆级芯片用喷涂装置，所述晶圆级芯片表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔；所述晶圆级静电喷涂装置包括腔体、金属托盘、喷嘴和静电发生器，所述喷嘴上端安装有高压气体输入管，喷嘴侧壁安装有用于传输保护光阻液的液体传输管，所述金属托盘设置于腔体底部的中央区域，所述静电发生器的第一电极输出端通过导线连接到金属托盘，所述静电发生器的第二电极输出端通过导线连接到喷嘴，所述晶圆级芯片放置于所述金属托盘上表面上。本实用新型有利于在高深宽比的盲孔内，将保护光阻液均匀覆盖于盲孔四壁、底部，提升产品性能，也提局了后续显影的精度，进一步提升电性能、产品可靠性和良率。
【专利说明】晶圆级芯片用喷涂装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种晶圆级芯片用喷涂装置，属于半导体封装【技术领域】。
【背景技术】
[0002]目前，半导体芯片的TSV封装一般采用先开槽状开口，再开圆孔硅开口，使圆孔硅底部露出芯片的引脚焊盘，然后激光打孔打穿芯片引脚焊盘，完成电路的导出。这种方式，比较适合芯片引脚焊盘较大的结构，而对于芯片的引脚焊盘偏小的产品，在芯片的引脚焊盘上开圆孔的开口大小相对具有局限性，这就导致激光打孔的偏移量允许范围较小，激光打孔容易打到圆孔边缘的硅造成短路，从而使产品的不良率较高；其次，由于底部盲孔的焊盘厚度仅为Ium左右，且此种方式封装线路和晶圆触点连接是环形的线接触，接触面积很有限，同时受热冲击或者机械冲击的情况下，容易造成触点处断裂等不良，可靠性较差。
【发明内容】
[0003]本实用新型目的是提供一种晶圆级芯片用喷涂装置，该喷涂装置有利于在高深宽比的盲孔内，将保护光阻液均匀覆盖于盲孔四壁、底部，提升产品性能，也提高了后续显影的精度，进一步提升电性能、广品可罪性和良率。
[0004]为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是:一种晶圆级芯片用喷涂装置，所述晶圆级芯片表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔，所述晶圆级芯片表面和盲孔侧表面、底部具有钝化层，位于此盲孔底部钝化层下方具有氧化硅层，一引脚焊盘位于氧化硅层与盲孔相背的一侧且位于盲孔正下方；所述晶圆级静电喷涂装置包括腔体、金属托盘、喷嘴和静电发生器，所述喷嘴上端安装有高压气体输入管，喷嘴侧壁安装有用于传输保护光阻液的液体传输管，所述金属托盘设置于腔体底部的中央区域，所述静电发生器的第一电极输出端通过导线连接到金属托盘，所述静电发生器的第二电极输出端通过导线连接到喷嘴，所述晶圆级芯片放置于所述金属托盘上表面上，至少2个固定于金属托盘边缘区域的压爪夹持所述晶圆级芯片边缘区。
[0005]上述技术方案中进一步改进的方案如下:
[0006]上述方案中，所述压爪的数量为4个，相邻压爪之间沿周向的夹角为90°。
[0007]由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点和效果:
[0008]本实用新型晶圆级芯片用喷涂装置，其有利于在高深宽比的盲孔内，将保护光阻液均匀覆盖于盲孔四壁、底部，提升产品性能，也提高了后续显影的精度，进一步提升电性能、产品可靠性和良率。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]附图1为本实用新型重布线后晶圆级芯片的结构示意图；
[0010]附图2为本实用新型晶圆级静电喷涂装置结构示意图。
[0011]以上附图中:1、晶圆级芯片；2、盲孔；3、钝化层；4、氧化硅层；5、引脚焊盘；6、晶圆级静电喷涂装置；7、腔体；8、金属托盘；9、喷嘴；10、静电发生器；11、高压气体输入管；12、液体传输管；13、压爪。
【具体实施方式】
[0012]下面结合实施例对本实用新型作进一步描述:
[0013]实施例:一种晶圆级芯片用喷涂装置，所述晶圆级芯片I表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔2,所述晶圆级芯片I表面和盲孔2侧表面、底部具有钝化层3,位于此盲孔
2底部钝化层3下方具有氧化硅层4，一引脚焊盘5位于氧化硅层4与盲孔2相背的一侧且位于盲孔2正下方；所述晶圆级静电喷涂装置6包括腔体7、金属托盘8、喷嘴9和静电发生器10，所述喷嘴9上端安装有高压气体输入管11，喷嘴9侧壁安装有用于传输保护光阻液的液体传输管12，所述金属托盘8设置于腔体7底部的中央区域，所述静电发生器10的第一电极输出端通过导线连接到金属托盘8，所述静电发生器10的第二电极输出端通过导线连接到喷嘴9，所述晶圆级芯片I放置于所述金属托盘8上表面上，至少2个固定于金属托盘8边缘区域的压爪13夹持所述晶圆级芯片I边缘区。
[0014]上述压爪13的数量为4个，相邻压爪13之间沿周向的夹角为90°
[0015]工作过程如下:开启所述静电发生器10从而使得金属托盘8带上正电荷或负电荷，喷嘴9带上正电荷或负电荷，金属托盘8和喷嘴9带电荷相反，保护光阻液从液体传输管12进入喷嘴9并在来自高压气体输入管11的高压氮气驱动下，喷射至晶圆级芯片I表面、盲孔2侧表面和底部从而在晶圆级芯片I表面、盲孔2侧表面和底部形成一层均匀的保护光阻层14，所述保护光阻液带上正电荷或负电荷。
[0016]采用上述晶圆级芯片用喷涂装置时，其有利于在高深宽比的盲孔内，将保护光阻液均匀覆盖于盲孔四壁、底部，提升产品性能，也提高了后续显影的精度，进一步提升电性能、产品可靠性和良率。
[0017]上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种晶圆级芯片用喷涂装置，其特征在于:所述晶圆级芯片(I)表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔(2)，所述晶圆级芯片(I)表面和盲孔(2)侧表面、底部具有钝化层(3)，位于此盲孔(2)底部钝化层(3)下方具有氧化硅层(4)，一引脚焊盘(5)位于氧化硅层(4)与盲孔(2)相背的一侧且位于盲孔(2)正下方；所述晶圆级静电喷涂装置(6)包括腔体(7)、金属托盘(8)、喷嘴(9)和静电发生器(10)，所述喷嘴(9)上端安装有高压气体输入管(11)，喷嘴(9)侧壁安装有用于传输保护光阻液的液体传输管(12)，所述金属托盘(8)设置于腔体(7)底部的中央区域，所述静电发生器(10)的第一电极输出端通过导线连接到金属托盘(8)，所述静电发生器(10)的第二电极输出端通过导线连接到喷嘴(9)，所述晶圆级芯片(I)放置于所述金属托盘(8)上表面上，至少2个固定于金属托盘(8)边缘区域的压爪(13)夹持所述晶圆级芯片(I)边缘区。
2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片用喷涂装置，其特征在于:所述压爪(13)的数量为4个，相邻压爪(13)之间沿周向的夹角为90°。
【文档编号】H01L21/56GK204029766SQ201420434285
【公开日】2014年12月17日 申请日期:2014年8月4日 优先权日:2014年8月4日
【发明者】赖芳奇, 张志良, 吕军, 陈 胜 申请人:苏州科阳光电科技有限公司