一种基于SiC衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种基于SiC衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片，包括n型电极、氮化物外延层和p型电极，所述n型电极附着在所述氮化物外延层上，所述氮化物外延层附着在所述p型电极上；其中，所述氮化物外延层为基于SiC衬底的氮化物LED外延片中的氮化物外延层；所述基于SiC衬底的氮化物LED外延片包括SiC衬底、石墨烯层及所述氮化物外延层，所述石墨烯层附着在所述SiC衬底上，所述氮化物外延层附着在所述石墨烯层上。由于石墨烯层的加入，使得氮化物外延层与石墨烯之间存在着较弱的分子键相连接，为之后氮化物外延层与SiC衬底的分离提供了条件。
【专利说明】一种基于SiC衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及一种基于Sic衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片，属于LED光电子 器件的制造【技术领域】。
【背景技术】
[0002] 使用氮化物
【权利要求】
1. 一种基于Sic衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片，其特征在于：包括n型电极、氮化物 外延层和P型电极，所述n型电极附着在所述氮化物外延层上，所述氮化物外延层附着在所 述P型电极上；其中， 所述氮化物外延层为基于SiC衬底的氮化物LED外延片中的氮化物外延层； 所述基于SiC衬底的氮化物LED外延片包括SiC衬底、石墨稀层及所述氮化物外延层， 所述石墨烯层附着在所述SiC衬底上，所述氮化物外延层附着在所述石墨烯层上。
2. 根据权利要求1所述的基于SiC衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片，其特征在于：所 述氮化物外延层包括n型缓冲层、n型电子注入层、有源层和p型空穴注入层，所述n型电 子注入层及所述有源层位于所述n型缓冲层和p型空穴注入层之间，且所述n型缓冲层、n 型电子注入层、有源层和P型空穴注入层依次相连接； 在所述基于SiC衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片上，所述n型电极附着在所述n型缓 冲层上，所述P型空穴注入层附着在所述P型电极上； 在所述基于SiC衬底的氮化物LED外延片上，所述n型缓冲层附着在所述石墨烯层上。
3. 根据权利要求2所述的基于SiC衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片，其特征在于：所 述n型缓冲层包括至少一个n型缓冲层子层，所述n型缓冲层子层由氮化物AIJnyGamN 中的至少一种构成，其中，〇<x，y< l，x+y< 1 ;每个所述n型缓冲层子层分别进行n型掺 杂；所述n型掺杂的掺杂浓度相同或不同，且所述n型掺杂的掺杂元素为Si、Ge和Sn中的 至少一种。
4. 根据权利要求2所述的基于SiC衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片，其特征在于：所 述n型电子注入层包括至少一个n型子层，所述n型子层由氮化物AlJriyGahiN中的至少 一种构成，其中，〇 < X，y < 1，x+y < 1 ;每个所述n型子层分别进行n型掺杂；每个所述n 型子层的n型掺杂的掺杂浓度相同或不同，且所述n型掺杂的掺杂元素为Si、Ge和Sn中的 至少一种。
5. 根据权利要求2所述的基于SiC衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片，其特征在于：所述 有源层包括至少一个薄膜子层，所述薄膜子层由氮化物AlxInyGai_ x_yN中的至少一种构成， 其中，0彡x，y彡1，x+y彡1 ;所述薄膜子层进行n型掺杂、p型掺杂或非掺杂；所述n型掺 杂的惨杂兀素为Si、Ge和Sn中的至少一种；所述p型惨杂的惨杂兀素为Be、Mg和Zn中的 至少一种。
6. 根据权利要求2所述的基于SiC衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片，其特征在于：所 述P型空穴注入层包括至少一个P型子层，所述P型子层由氮化物AlJriyGahiN中的至少 一种构成，其中，〇 < x，y < 1，x+y < 1 ;每个所述p型子层分别进行p型掺杂；每个所述p 型子层的P型掺杂的掺杂浓度相同或不同，且P型掺杂的掺杂元素为Be、Mg和Zn中的至少 一种。
7. 根据权利要求1至6任一项所述的基于SiC衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片，其特 征在于：所述SiC衬底的衬底晶面方向与（0001)或（000-1)晶面方向存在0°至20°的偏 角度。
8. 根据权利要求1至6任一项所述的基于SiC衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片，其特 征在于：所述P型电极的厚度为0. 1?5000微米；所述n型电极的厚度为0. 01?10微米， 使用金属1';1、六11、六1、0、附、？1:、六8、1和？13中的至少一种。
9. 根据权利要求8所述的基于SiC衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片，其特征在于：所述 P型电极包括依次叠加连接的欧姆接触层、反射层、阻挡层和支撑层，且所述欧姆接触层、反 射层、阻挡层和支撑层均由金属制成，所述欧姆接触层与所述P型空穴注入层相连接。
10. 根据权利要求9所述的基于SiC衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片，其特征在于：所 述欧姆接触层由Ni和Au组合制成；所述反射层由Ag或A1制成；所述阻挡层由Ni制成，或 者由Ti和W组合制成；所述支撑层由Cu或A1制成。
【文档编号】H01L33/12GK204216066SQ201420703603
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2014年11月20日 优先权日:2014年11月20日
【发明者】马亮, 李金权, 裴晓将, 刘素娟, 胡兵 申请人:北京中科天顺信息技术有限公司