本发明涉及发光装置用基板、利用该发光装置用基板的发光装置、和制造该发光装置用基板的制造方法。
背景技术：
作为发光装置用基板基本所需要具备的性能，能举出高反射率、高散热性、高绝缘耐压、和长期可靠性。
作为这样的发光装置用基板的代表，例如能举出利用陶瓷基板的发光装置用基板，在板状的陶瓷基板形成电极图案而制作。与发光装置的高输出化倾向相伴，将发光元件大量并排，追求提升明亮度，其结果，近年来陶瓷基板不断大型化。
具体地，例如在将尺寸650μm×650μm左右或其前后的蓝色LED元件并排在分类为中型尺寸的1个基板来实现在接通电力30W下使用的一般的LED发光装置的情况下，需要100个左右的LED元件。作为将这个数量的LED元件并排的陶瓷基板，例如使用平面尺寸20mm×20mm以上、厚度1mm程度的陶瓷基板。
另外，在要实现接通电力100W以上的更加明亮的LED照明用发光装置的情况下，作为以这样的基板的大型化为基本的技术开发的结果，需要能一举搭载400个以上的LED元件的至少平面尺寸40mm×40mm以上的更大型的陶瓷基板。
但是，根据上述那样的陶瓷基板的大型化的要求，即使要将陶瓷基板大型化而在商业基础上实现，也面临基板的强度、制造精度和制造成本这3个课题，因此难以在商业基础上实现。
陶瓷材料由于基本都是烧制物，因此若大型化，则会在基板强度出现问题。若为了克服该问题而加厚基板，则在热阻变高(散热性变差)的同时，还会出现基板的材料成本也上升这样新的问题。另外，若将陶瓷基板大型化，则不光是基板的外形尺寸，形成在基板上的电极图案的尺寸也变得易于失准，作为结果，有制造成品率降低、易于影响到基板制造成本上升这样的问题。
为此，为了克服上述的陶瓷基板的大型化中的各种问题，例如如专利文献1到4那样，提出在金属基体表面使用陶瓷系涂料来形成光反射层的发光装置用基板，这样的发光装置用基板的反射率以及绝缘耐压卓越，能实现良好的发光装置用基板。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本公开专利公报「特昭59-149958号」公报(1984年8月28日公开)
专利文献2：日本公开专利公报「特开2012-102007号」公报(2012年5月31日公开)
专利文献3：日本公开专利公报「特开2012-69749号」公报(2012年4月5日公开)
专利文献4：日本公开专利公报「特开2006-332382号」公报(2006年12月7日公开)
技术实现要素：
发明要解决的课题
但是，在金属基体表面使用陶瓷系涂料形成光反射层的发光装置用基板的情况下，虽然反射率以及绝缘耐压卓越，但存在热阻高、散热性差的问题。
为此，还进行了大量的用于改善散热性的尝试，但出于以下说明的理由，在现有的基板的层结构以及现有的基板的制造方法，不能进一步改善散热性。
在金属基体表面使用陶瓷系涂料形成光反射层的发光装置用基板中，用由陶瓷构成的高反射率的薄膜层被覆金属基体当中的发光元件搭载面侧，兼顾了高反射率和高的绝缘耐压，但将其作为不能改善散热性的1个要因而列举出。
上述陶瓷层一般用热传导率低于陶瓷的物质作为粘合剂来将陶瓷粒子烧结在金属基体上而形成，因此相比于本来的纯粹的陶瓷，热传导率要低1个数量级到2个数量级程度。为了对此进行弥补，而提高上述陶瓷层的散热性，极力减薄上述陶瓷层的层厚，抑制在50μm～100μm程度，来降低热阻。为了进一步改善散热性，需要更加减薄上述陶瓷层的层厚，但若过薄，则作为光反射层的功能降低，同时在绝缘耐压上也出现问题。
具体地，例如在比50μm～100μm程度薄的情况下，基板难以确保照明器具等所需的超过5kV那样的绝缘耐压性。因此，50μm～100μm程度的层厚对上述陶瓷层而言，可以说是兼顾散热性和超过5kV那样的绝缘耐压性的下限的层厚。
对高输出的发光装置而言，散热性的改善在更加高输出化中不可欠缺。例如如照明用发光装置那样在同一基板上集成大量发光元件而得到的高输出的发光装置中，通过改善散热性，发光元件的活性层温度降低，同一接通电力下的长期可靠性得到改善，器件的寿命也延长。另外，由于若能改善散热性，则能够提高每1元件的能接通的电力的上限，因此不变更在同一基板上集成的发光元件的个数就能提升发光装置的输出。
在现有构成中，在考虑基板的更进一步的散热性改善以及发光装置的更进一步的高效率化的情况下，为了实现高反射率、高散热性、高绝缘耐压和长期可靠性而导入的形成在金属基体上的由陶瓷构成的高反射率的薄膜层自身反而会成为阻碍要因。
如以上那样，在现有的将金属用在基体中的发光装置用基板中，不存在热阻低、散热性卓越且反射率和绝缘耐压性也卓越的基板。
本发明鉴于上述现有的问题点而提出，其目的在于，提供兼具高反射率、高散热性、绝缘耐压性和长期可靠性、进而量产性也卓越的发光装置用基板、利用该发光装置用基板的发光装置、和制造该发光装置用基板的制造方法。
用于解决课题的手段
为了解决上述课题，本发明的发光装置用基板是具备由铝构成的基体的发光装置用基板，其特征在于，在上述基体的一侧的面形成被铝的阳极氧化覆膜所覆盖的光反射面，在上述基体的一侧的面中在上述光反射面以外的区域形成第1绝缘层、和设于上述第1绝缘层上的电极图案，至少在与上述基体的一侧的面对置的上述基体的另一侧的面形成第2绝缘层。
为了解决上述课题，本发明的发光装置用基板的制造方法是具备由铝构成的基体的发光装置用基板的制造方法，其特征在于，包含：通过上述基体的阳极氧化处理在上述基体的一侧的面形成被铝的阳极氧化覆膜覆盖的光反射面的工序；在上述基体的一侧的面中在上述光反射面以外的区域形成第1绝缘层的工序；在上述第1绝缘层上形成导电层的工序；在上述导电层上形成电极图案的工序；和至少在与上述基体的一侧的面对置的上述基体的另一侧的面形成第2绝缘层的工序。
根据上述构成以及方法，通过使用由铝构成的基体，能利用上述基体的阳极氧化处理形成被铝的阳极氧化覆膜覆盖的光反射面。
另外，由于形成于上述基体的一侧的面的上述铝的阳极氧化覆膜对光和热极其稳定，被上述铝的阳极氧化覆膜覆盖的光反射面能不出现变色等稳定地维持高的光反射率，因此，通过使用上述铝的阳极氧化覆膜，能提高长期可靠性。另外，上述铝的阳极氧化覆膜在量产性上也卓越。
并且，通过在与上述基体的一侧的面对置的上述基体的另一侧的面形成第2绝缘层，能确保高散热性和绝缘耐压性。
如以上那样，在上述发光装置用基板中，形成上述铝的阳极氧化覆膜的上述基体的一侧的面具有作为光反射面的功能，由与上述基体的一侧的面对置的上述基体的另一侧的面确保高散热性和绝缘耐压性。
另外，上述第1绝缘层由于形成在上述基体的上述光反射面以外的区域，因此第1绝缘层不会简单地剥离。进而，通过设置上述第1绝缘层，能防止上述基体与上述电极图案的短路。
发明的效果
本发明的发光装置用基板、利用该发光装置用基板的发光装置、和制造该发光装置用基板的制造方法能提供兼具高反射率、高散热性、绝缘耐压性、和长期可靠性、进而在量产性上也卓越的发光装置用基板、利用该发光装置用基板的发光装置、和制造该发光装置用基板的制造方法。
附图说明
图1是表示实施方式1的发光装置的概略构成的图。
图2是表示用在实施方式1的发光装置中的发光装置用基板的图。
图3是用于说明图2所图示的发光装置用基板的制造工序的图。
图4是表示在实施方式1的发光装置中设置发光元件的区域的概略的层结构的图。
图5是表示与图4所示的各层对应的热传导率σth、层厚d、热阻Rth、和温度上升ΔT的图。
图6是表示比较例的发光装置中的设置发光元件的区域的概略的层结构的图。
图7是表示与图6所示的各层对应的热传导率σth、层厚d、热阻Rth、和温度上升ΔT的图。
图8是表示图4所图示的本实施方式的发光装置中的热阻的铝基体的厚度依赖性的图。
图9是表示图6所图示的比较例的发光装置中的热阻的铝基体的厚度依赖性的图。
图10是汇总仅表示在图8以及图9发光装置用基板所引起的热阻即基板热阻的图。
图11是表示在将多个发光元件并排的发光装置中在相邻的发光元件彼此散热区域重合的情况的图。
图12是表示将多个发光元件并排的发光装置中考虑相邻的发光元件彼此的散热区域的干扰、将发光元件间的间隔W0调整为650μm的情况的图。
图13是表示在图12所示那样将发光元件间的间隔W0调整为650μm的情况下用于求取热阻的模型结构的图。
图14是表示基于图13所示的模型结构根据与各层对应的热传导率σth和层厚d求得的热阻Rth、和温度上升ΔT的图。
图15是表示在使用图4所示的本实施方式的发光装置用基板和图6所示的比较例的发光装置用基板的情况下改变发光元件间的间隔(发光元件最接近距离)W0时的每1发光元件的基板热阻的图。
图16是表示在具有低的热传导率的玻璃系绝缘体层配置在铝基体的背面的本实施方式的发光装置用基板上排列发光元件的情况的示意图。
图17是表示在具有低的热传导率的玻璃系绝缘体层配置在铝基体的上表面的比较例的发光装置用基板上排列发光元件的情况的示意图。
图18是表示在利用图4所示的本实施方式的发光装置用基板的情况下改变发光元件间的间隔W0时的每1发光元件的基板热阻和全热阻的图。
图19是表示在使用图6所示的比较例的发光装置用基板的情况下改变发光元件间的间隔W0时的每1发光元件的基板热阻和全热阻的图。
图20是用于说明制造实施方式2的发光装置用基板的工序的图。
图21是表示实施方式3的发光装置的概略构成的图。
图22是表示实施方式3的照明装置的概略构成的图。
图23是用于说明实施方式4的发光装置用基板的制造工序的图。
图24是表示实施方式5的发光装置用基板的概略构成的图。
图25是表示实施方式5的其他发光装置用基板的概略构成的图。
图26是表示实施方式6的发光装置用基板的概略构成的图。
图27是表示实施方式6的其他发光装置用基板的概略构成的图。
图28是用于说明在图4所图示的本实施方式的发光装置中若铝基体的厚度增加则热阻骤减的理由的示意图。
图29是用于说明在图6所图示的比较例的发光装置中即使铝基体的厚度增加热阻的值也大致恒定的理由的示意图。
具体实施方式
以下，基于附图来详细说明本发明的实施方式。其中，本实施方式所记载的构成部件的尺寸、材质、形状、其相对配置等只是1个实施方式，并不应由它们限定解释本发明的范围。
若基于图1～图29说明本发明的实施方式，则如以下那样。
〔实施方式1〕
若基于图1～图19、图28以及图29对本发明的1个实施方式进行说明，则如以下那样。
(发光装置)
图1表示本实施方式的发光装置1的概略构成，图1(a)是发光装置1的俯视图，图1(b)是发光装置1的截面图。
如图示那样，发光装置1成为在发光装置用基板2上安装多个发光元件7的COB(chiponboard，板上芯片)型的发光装置。
另外，在本实施方式中，作为发光元件7而使用发光二极管(以后称作LED元件)，但并不限定于此，还能使用EL元件等。
在发光装置用基板2上设置包围多个发光元件7的周围的密封树脂周缘框体10，在密封树脂周缘框体10的内部填充密封树脂9来密封发光元件7。另外，在密封树脂9中，为了用发光元件7的射出光激发荧光体而将其变换成不同波长的光而包含荧光体，发光装置1在密封树脂9的表面进行面发光。
另外，关于发光装置用基板2的详细构成，由于使用图2以及图3在后面叙述，因此在图1中省略了发光装置用基板2的详细构成而进行图示。另外，为了简化图面，大幅省略发光装置用基板2上的发光元件7的数量来进行描绘。在图1以外的附图中，也同样为了说明的方便而适宜调整尺寸，因此存在不一定成为表示实际的个数、实际的相似关系的尺寸的情况。
在发光装置1中，若提高发光元件7的集成度，则其接通电力变大到10W、50W、100W或100W以上，得到高亮度的射出光。
在本实施方式中，作为发光元件7而使用650μm×650μm程度的中型尺寸的LED元件，为了集成发光元件7来实现接通电力100W程度的大输出的发光装置1，需要集成大量300个到400个程度的大量的发光元件7。
另外，在本实施方式中，由于在密封树脂9中包含荧光体，因此作为发光元件7，能使用蓝色LED元件、紫色LED元件、紫外线LED元件等，作为上述荧光体，能使用蓝色、绿色、黄色、橙色以及红色中的任意一色或任意的多色的荧光体的组合。由此能射出所期望的颜色的射出光。
在本实施方式中，举出在密封树脂9中包含荧光体的示例，但并不限定于此，也可以在密封树脂9中不含荧光体，将发光波长不同的蓝色、绿色以及红色这3色的发光元件7在发光装置用基板2上排列，也可以将任意2色的发光元件7在发光装置用基板2上排列。进而还可以将单色的发光元件7在发光装置用基板2上排列。
另外，如图1所图示那样，在发光装置用基板2上具备与外部的电源连接的正极连接器3和负极连接器4，进而在发光装置用基板2上设置与正极连接器3电连接的正极电极图案5、和与负极连接器4电连接的负极电极图案6。
另外，由于发光装置1是需要明亮度的高亮度型，因此构成为将多个发光元件7用引线8串联连接，从两端的引线8提供高的电压来使发光，但发光元件7的连接方式等并不限定于此。
(发光装置用基板)
以下基于图2来说明发光装置1中所用的发光装置用基板2。
图2是表示发光装置用基板2的图，图2(a)是发光装置用基板2的俯视图，图2(b)是发光装置用基板2的截面的部分放大图。
如图示那样，发光装置用基板2由铝基体14构成。另外，在本实施方式中使用铝基体14，但并不限定于此，只要是以铝为主成分的基体，就能使用。
在本实施方式中使用纵宽50mm、横宽50mm、厚度3mm的铝基体14，但铝基体14的尺寸并不限定于此，考虑发光元件7的尺寸、发光元件7的集成度等适宜决定即可。
另外，在本实施方式中，作为铝基体14而使用由铝构成的基体，但并不限定于此，还能使用能进行铝的阳极氧化处理程度地包含铝的成分的基体，即，还能使用不妨碍铝的阳极氧化处理程度地包含其他成分的铝基体。
如图2(b)所图示的那样，在铝基体14的一侧的面上，设置玻璃系绝缘体层11(第1绝缘层)、和被覆在耐蚀铝层12的高反射率的光反射层。并且，至少在基体14的另一侧的面(铝基体14中的与形成耐蚀铝层12的面对置的背面)设置玻璃系绝缘体层13。另外，在本实施方式中，在铝基体14的侧面也设置玻璃系绝缘体层13。
进而，在铝基体14的一侧的面上形成：玻璃系绝缘体层11；形成于玻璃系绝缘体层11上的由导电层构成的基底的电路图案(图2中未显示)；和覆盖由上述导电层构成的基底的电路图案的负极电极图案6(或正极电极图案5)。
另外，玻璃系绝缘体层11是为了防止铝基体14与负极电极图案6(或正极电极图案5)的短路而设的绝缘体层。
在本实施方式中，作为玻璃系绝缘体层11以及玻璃系绝缘体层13，为了降低热阻而使用以玻璃质覆盖由氮化铝构成的陶瓷粒子的绝缘体层，但并不限定于此。
例如，也可以取代玻璃系绝缘体层13而使用陶瓷绝缘体层。在该情况下，由于在铝那样低熔点的基体上不能在高温下使陶瓷层烧结，因此使陶瓷粒子高速喷射在铝基体14来使陶瓷层沉积即可。作为将陶瓷粒子喷射在铝基体14的方法，能举出热喷涂法或AD法(Aerosoldeposition气溶胶沉积法)等作为具体的制造法的示例。若是热喷涂法，则陶瓷层沉积时的基板温度即便变高也就200℃程度，若是AD法则低到室温程度，在哪种情况下都较低，通过使用这样的制造法，对铝这样低熔点金属也能容易地形成陶瓷层。
另外，在本实施方式中，在铝基体14的一侧的面上，作为形成的第1绝缘层而使用玻璃系绝缘体层11，但并不限定于此，作为第1绝缘层，还能使用通过铝基体14的耐蚀铝处理(阳极氧化处理)而由阳极氧化覆膜构成的耐蚀铝层。该情况下的耐蚀铝层的膜厚只要是为了防止铝基体14与负极电极图案6(或正极电极图案5)的短路而需要的厚度，就没有特别的限定。
(发光装置用基板的制造工序)
以下基于图3来说明图2所图示的发光装置用基板2的制造工序。
图3是用于说明图2所图示的发光装置用基板2的制造工序的图。
如图3(a)所图示的那样，首先从厚度3mm的铝板切出纵宽50mm以及横宽50mm的铝基体14，在铝基体14的一侧的面上设置以玻璃质覆盖由氮化铝构成的陶瓷粒子的绝缘体层即玻璃系绝缘体层11，防止铝基体14与图3(a)中未显示的负极电极图案6(或正极电极图案5)的短路。
另一方面，铝基体14的另一侧的面(铝基体14中的与形成耐蚀铝层12d的面对置的背面)也设置以玻璃质覆盖由氮化铝构成的陶瓷粒子的绝缘体层即玻璃系绝缘体层13。另外，在本实施方式中，铝基体14的侧面也使用以玻璃系绝缘体层13覆盖的构成，但并不限定于此，铝基体14的侧面也可以取代用玻璃系绝缘体层13覆盖，而用耐蚀铝层12覆盖。
即，在本实施方式中，铝基体14中被耐蚀铝层12被覆的部分以外的铝的露出部分被玻璃系绝缘体层11和玻璃系绝缘体层13所覆盖。
另外，在本实施方式中，玻璃系绝缘体层11的材质和玻璃系绝缘体层13的材质相同，但并不限定于此，玻璃系绝缘体层11的材质和玻璃系绝缘体层13的材质也可以不同。
玻璃系绝缘体层11的膜厚只要是为了防止铝基体14与负极电极图案6(或正极电极图案5)的短路所需的厚度，就没有特别的限定，但期望设为大约50μm以上。
另一方面，玻璃系绝缘体层13的膜厚考虑发光装置用基板2的绝缘耐压性和散热性而期望设为50μm～150μm程度。通过将玻璃系绝缘体层13的膜厚设为50μm以上，能确保至少5kV以上的绝缘耐压性。
另外，为了形成图3(a)所图示的玻璃系绝缘体层11以及玻璃系绝缘体层13，例如能在铝基体14涂布玻璃系绝缘体层11以及玻璃系绝缘体层13的原料后，进行烧成来形成。
在本实施方式中，作为玻璃系绝缘体层11以及玻璃系绝缘体层13的原料，将包含由高温烧成的氮化铝构成的陶瓷粒子和玻璃原料在内的陶瓷涂料涂布或印刷在铝基体14后，从玻璃原料通过溶胶凝胶法来合成玻璃，来形成以玻璃质覆盖由氮化铝构成的陶瓷粒子的绝缘体层即玻璃系绝缘体层11以及玻璃系绝缘体层13。
如此，通过使用从玻璃原料通过溶胶凝胶法来合成玻璃的方法来形成玻璃系绝缘体层11以及玻璃系绝缘体层13，即使用比较低温的250℃～500℃的热处理工艺，也能形成由利用了玻璃系粘合剂的陶瓷层构成的玻璃系绝缘体层11以及玻璃系绝缘体层13。
例如烧成由氮化铝构成的陶瓷的原料的温度通常为1200℃～1400℃的高温，在烧成使如此高温烧成的陶瓷在粒子状化的基础上含有在通常的玻璃系粘合剂中的陶瓷涂料的情况下，由于通常的玻璃系粘合剂经过高温的熔融状态，因此其烧成温度高到约900℃，需要在相当的高温下进行热处理。
由于本实施方式中所用的铝基体14的铝的熔点为约660℃，因此铝基体14不能承受这样的高温工艺。
出于这样的理由，在本实施方式中，不经过高温的熔融状态，使用从玻璃原料通过溶胶凝胶法直接合成玻璃质的方法，通过使用这样的方法，即使采用比铝的熔点约660℃低的工艺温度的250℃～500℃的热处理工艺，也能形成由利用玻璃系粘合剂的陶瓷层构成的玻璃系绝缘体层11以及玻璃系绝缘体层13。
如以上那样，通过使用从玻璃原料用溶胶凝胶法合成玻璃的方法，最初作为发光装置用基板2的基体的材质，能使用铝。
另外，在本实施方式中，为了改善玻璃系绝缘体层的热传导率，作为陶瓷而混入由氮化铝构成的粒子，但并不限定于此，作为陶瓷，也可以混入由包含氮化铝、氧化铝、氧化锆以及氧化钛中的至少一者的陶瓷构成的粒子。
也可以与此分开，以膜质稳定化、使其增强为目的而使二氧化硅(SiO2)粒子混合在玻璃系粘合剂中，来形成玻璃系绝缘体层。在该情况下，也可以进一步混合陶瓷粒子。
另外，在本实施方式中，由于在玻璃系绝缘体层的原料中，作为陶瓷的粘合剂而使用溶胶状的玻璃的原料，通过干燥而凝胶化后所呈现的玻璃成分通过又进一步经过烧成，与陶瓷同样具有耐热性以及绝缘耐压性，因此优选用作发光装置用基板的绝缘材料。特别在发光装置的接通电力为10W～100W或超过其的情况下，由于发光装置用基板也因发光元件的发热而成为高温，因此，作为发光装置用基板的绝缘材料，优选使用玻璃那样稳定的物质。在此，也可以在溶胶状的玻璃的原料即玻璃系粘合剂中添加作为玻璃成分的二氧化硅(SiO2)粒子来使用。
另外，作为上述陶瓷，期望不妨碍上述玻璃原料的绝缘耐压性、降低热阻的陶瓷。
另外，只要被玻璃系绝缘体层覆盖的部分与光反射面分开，则关于混合的陶瓷的光吸收性的有无，就没有特别规定。例如也可以是碳化硅(SiC)、氮化硅(Si3N4)这样黑色的粒子。
并且，上述陶瓷并不限定于金属氧化物，也可以是氮化铝、碳化硅、氮化硅那样金属氧化物以外的更一般的无机固体物，只要是不妨碍上述玻璃原料的绝缘耐压性、而降低热阻的稳定的无机固体物即可。
当然，这样的玻璃系绝缘体层也可以是不混合陶瓷粒子而形成的玻璃质单独的膜。在该情况下，也可以在玻璃质的膜中进一步包含玻璃质的二氧化硅(SiO2)粒子。
进一步地，也可以是将陶瓷粒子和二氧化硅(SiO2)粒子同时取入到玻璃系绝缘体层的情况。
(玻璃系绝缘体层中的玻璃粘合剂(玻璃质))
以下说明实施方式的发光装置用基板中所具备的玻璃系绝缘体层中的玻璃粘合剂(玻璃质)、即通过溶胶凝胶法形成的玻璃粘合剂(玻璃质)。
例如，将有机聚硅氧烷等的形成玻璃质的前阶段物质用作溶胶状态的原料，在250℃～400℃(500℃)的温度下推进化学反应，由此不经过熔融状态而直接转换成玻璃质，从而能形成玻璃系绝缘体层。
溶胶状态的原料若在比较低温下干燥，则会重复缩聚合，形成三维结构的网格并转换成凝胶状态而玻璃质化，但在该状态下，由于因多孔性而作为膜的强度也弱，进而例如进行400℃～500℃的高温热处理(烧成)。通过该烧成而凝胶内的细孔消灭，能形成致密的玻璃系绝缘体层。
另外，作为通过本实施方式中所用的溶胶凝胶法形成的玻璃粘合剂(玻璃质)的原料，例如能举出将四乙氧基硅烷(Si(OCH2CH3)4)等的金属醇盐加水分解、缩聚合而得到的溶胶状物质。或者，作为同样的溶胶状物质，例如也可以是有机聚硅氧烷以及其缩合物。
将在上述溶胶状物质中混合陶瓷粒子而得到的材料涂装或印刷在基体后，在250℃～400℃(500℃)程度下慢慢干燥、烧结，由此能得到包含烧结体的上述玻璃系绝缘体层。
上述溶胶状物质可以具有以乙氧基、甲氧基等为代表的烷氧基。另外，例如在有机聚硅氧烷中有乙氧基的情况下，通过使用酸触媒，进一步提高温度，来适度推进缩合反应，形成三维结构的网格，从而凝胶化。进而，通过将凝胶化的材料烧成，残留在凝胶内的细孔消灭，得到致密、稳定的玻璃系绝缘体层。
另外，作为干燥/烧成温度，由于在比较低温的250℃～400℃(500℃)程度下反应易于推进，因此可以适度混合金属氧化物或金属氢氧化物等，降低玻璃的软化点或熔点。混合氧化物等的方法是溶胶凝胶法以外的一般的玻璃制造中广泛采用的手法，作为要添加的金属氧化物，能举出在硼硅酸玻璃中也会使用的氧化硼、氧化钠、氧化铝等作为代表性的示例。另外，也可以添加包含硼、纳、铝等的氢氧化物。
另外，如上述那样，也可以以得到稳定的玻璃系绝缘体层为目的，在上述溶胶状物质(上述溶胶状粘合剂)中添加已经作为玻璃质而稳定的二氧化硅(SiO2)粒子来进行烧成。在该情况下，虽然在原料中已经放入玻璃质，但由于通常的二氧化硅粒子稳定，因此判断为即使稳定的二氧化硅粒子(玻璃质)被新形成的玻璃质包裹，稳定的二氧化硅粒子(玻璃质)和新形成的玻璃质也难以新形成化学键。因此认为，在添加稳定的二氧化硅粒子(玻璃质)的情况下，和陶瓷粒子同样，上述二氧化硅粒子成为由玻璃粘合剂将周围凝结的粒子。
另一方面，虽然由于伴随比较高温的热处理工序(烧成温度约900℃)因而不能用于在由铝构成的基体上形成玻璃系绝缘体层的情况，但在是能进行铝的阳极氧化处理的程度地包含铝的基体(不妨碍铝的阳极氧化处理地包含其他成分的铝基体)，这样的基体的熔点能承受上述比较高温的热处理工序的情况下，还能使用溶胶凝胶法以外的通常的方法来形成玻璃粘合剂(玻璃质)。
这样通常的方法中所用的原料和上述的溶胶凝胶法中所用的原料不同，在对基体进行印刷的时间点就已经混合玻璃的粒子作为原料。
在使该原料中的玻璃的粒子通过烧成而再熔融后，进行硬化而在基体上得到致密、平滑的玻璃系绝缘体层。以下说明在基体上用通常的方法形成玻璃粘合剂(玻璃质)的情况。
首先，使用有机粘合剂、有机溶剂等，将通过将熔融状态下制作的低熔点玻璃粉碎、或者通过气相生长而得到的粒子状的低熔点玻璃(例如具有800℃前后的熔点的玻璃)的粒子调和成膏状。接下来，将准备的上述膏印刷在基体，在高温的800℃前后下进行烧成。于是，有机粘合剂中所用的树脂、有机溶剂通过蒸发、燃烧而消失，在仅玻璃粒子再熔融后，在基体上硬化，得到致密、平滑的玻璃系绝缘体层。另外，若在上述膏中预先混合陶瓷粒子、高熔点的二氧化硅粒子，则这些粒子被取入到上述玻璃系绝缘体层，再熔融后硬化的玻璃质作为这些粒子的粘合剂而发挥功能。
(关于玻璃系绝缘体层中的陶瓷粒子的含有量)
在本实施方式中，作为玻璃系绝缘体层11以及玻璃系绝缘体层13的原料，使用包含陶瓷粒子和玻璃原料的陶瓷涂料，但在这样的情况下，期望玻璃系绝缘体层中的陶瓷粒子的重量％在玻璃系绝缘体层完成的时间点成为50％-90％。以下说明其理由。
这是因为：一般由于陶瓷的热传导率比玻璃高，因此在将陶瓷用玻璃质封住而作为玻璃系绝缘体层使用的情况下，若要提高该绝缘体层的热传导率，就要极力抑制玻璃粘合剂(玻璃质)的量，需要增多陶瓷的量。
另外，作为热传导率高的陶瓷的一例，能举出本实施方式中所用的氮化铝粒子。若将该氮化铝粒子用玻璃粘合剂(玻璃质)封住而做出的玻璃系绝缘体层当中以重量计氮化铝粒子占50％以上，提高传导率的效果就开始显著呈现，直到最终完成的玻璃系绝缘体层当中以重量计超过90％左右为止，热传导率都单调增加。
然而，若最终形成的玻璃系绝缘体层当中氮化铝粒子以重量计为95％以上、玻璃粘合剂(玻璃质)以重量计为5％以下的状态下，存在向基体的紧贴不充分而易于剥落的问题。同时，不能充分得到氮化铝粒子彼此的紧贴。
作为结果，不仅玻璃系绝缘体层向基体的紧贴性降低，热传导率也急剧降低。在如此改善热传导率的目的下，期望玻璃系绝缘体层中的陶瓷粒子的重量％设为50％-90％。
当然，还能如已经上述那样，不混合陶瓷而单独用玻璃质来作为玻璃系绝缘体层使用的情况。这是因为，即使玻璃系绝缘体层的热传导率小，但只要在基体背面使用，给基板热阻带来影响就大体轻微。
是不混合陶瓷而单独用玻璃质作为玻璃系绝缘体层来使用，还是作为混合了陶瓷的玻璃系绝缘体层使用，根据使用基板的具体的条件适宜决定即可。
另外，不管混合还是不混合陶瓷，都可以如上述那样，玻璃系绝缘体层在玻璃粘合剂混合二氧化硅粒子等的玻璃粒子而形成。由于二氧化硅粒子自身是稳定的玻璃质，因此混合二氧化硅粒子对于形成稳定的特性的玻璃系绝缘体层是有作用的。
如图3(b)所图示那样，在铝基体14，玻璃系绝缘体层11和玻璃系绝缘体层13所覆盖的部分以外的铝的露出部分被耐蚀铝层12被覆。
被耐蚀铝层12被覆的铝基体14所构成的光反射层由于能防止铝基体14的氧化所引起的腐蚀，因此能长期维持高的光反射率。
作为发光装置用基板2的基体而使用以铝为主成分的铝基体14，能如图3(b)所示那样形成通过铝基体14的耐蚀铝处理(阳极氧化处理)而由阳极氧化覆膜构成的耐蚀铝层12。如此形成的耐蚀铝层12非常硬质，耐久性也卓越。
以下研讨耐蚀铝层12给发光装置用基板2的热阻(散热性)带来的影响。
在本实施方式中，以膜厚5μm～10μm比较薄地形成耐蚀铝层12，即便在较厚的情况下也为30μm程度。
另外，耐蚀铝的热传导率为大约67W/(m·K)，相比于铝的热传导率236W/(m·K)只是约1/3，但相比于玻璃的热传导率(约1W/(m·K))或硅酮树脂的热传导率(0.15-0.30W/(m·K))，则是比较高的传导率。
若考虑这样的耐蚀铝的热传导率、和耐蚀铝层12的膜厚，则耐蚀铝层12给发光装置用基板2的热阻(散热性)带来的影响轻微，是能无视的程度。
(封孔处理)
另外，在本实施方式中，为了堵塞在作为阳极氧化覆膜的耐蚀铝层12出现的多孔质的孔，在阳极氧化处理后，即在耐蚀铝层12的形成后，进行封孔处理。
若如此在阳极氧化处理后进行到封孔处理，则铝的阳极氧化覆膜即耐蚀铝层12稳定化，铝基体14的耐久性、耐腐蚀性以及耐侵蚀性更加提升。其结果，被耐蚀铝层12被覆的铝基体14所构成的光反射层能长期维持高的光反射率。
另外，封孔处理按照本领域中通常的手法进行即可，作为其代表的方法，能举出沸腾水中的封孔处理。即，在形成阳极氧化覆膜后，将耐蚀铝层12充分水洗，在纯水的加热水中保持30分钟程度。该方法由于能一次性处理大量的基板，因此作业效率高。
该封孔处理对应于耐蚀铝层12的膜形成状态，根据需要进行即可，并不是非要进行。
另外，出于以下说明的理由，如本实施方式那样，基于阳极氧化处理的耐蚀铝层12的形成优选在玻璃系绝缘体层11和玻璃系绝缘体层13的形成后进行。
如已经上述那样，在形成玻璃系绝缘体层11和玻璃系绝缘体层13的工序中，在将包含高温烧成的陶瓷的粒子以及玻璃原料在内的陶瓷涂料涂布或印刷在铝基体14后，从玻璃原料通过溶胶凝胶法合成玻璃，来形成玻璃系绝缘体层11和玻璃系绝缘体层13，但这时的烧成温度比铝的熔点约660℃低，为250℃～500℃。
但是，若将由阳极氧化覆膜构成的耐蚀铝层12提高到该温度来进行烧成，则会在耐蚀铝层12出现开裂，在后工序的形成电极图案的工序中的镀覆处理时，不光从镀液中保护铝基体14的功能显著降低，作为进行氧化防止、腐蚀防止、浸蚀防止的保护膜的功能同样也会降低。进而，作为电的绝缘层的功能也会降低。
另外，通过在玻璃系绝缘体层11和玻璃系绝缘体层13的形成后进行基于阳极氧化处理的耐蚀铝层12的形成，玻璃系绝缘体层11和玻璃系绝缘体层13在阳极氧化处理时起到掩模的作用，仅铝基体14中未被玻璃系绝缘体层11和玻璃系绝缘体层13覆盖、露出的部分被耐蚀铝层12覆盖。
并且，优选在玻璃系绝缘体层11和玻璃系绝缘体层13的形成后进行基于阳极氧化处理的耐蚀铝层12的形成，还有一个理由。
这是因为，难以在耐蚀铝层12上形成玻璃系绝缘体层11和玻璃系绝缘体层13，即使形成了，也会简单剥离。
在耐蚀铝层12的形成工序，由于将铝基体14浸渍在药液中并通电，来形成耐蚀铝层12，因此铝基体14中铝露出的面全都被耐蚀铝覆盖。为此，在耐蚀铝层12的形成后进行玻璃系绝缘体层11和玻璃系绝缘体层13的形成的情况下，为了避免上述的剥离问题，只能对铝基体14部分地进行阳极氧化处理，仅在铝基体14的一部分形成耐蚀铝层12，或者只能对铝基体14整体进行阳极氧化处理，在铝基体14整体形成耐蚀铝层12后，将形成玻璃系绝缘体层11和玻璃系绝缘体层13的区域的耐蚀铝层12除去。
这些处理均困难，为了实现会增加无谓的工序，制造工序会变得烦杂。因此，从削减制造的工夫来简化制造工序这样的观点出发，基于阳极氧化处理的耐蚀铝层12的形成优选在玻璃系绝缘体层11和玻璃系绝缘体层13的形成后进行。
另外，在本实施方式中同时形成玻璃系绝缘体层11和玻璃系绝缘体层13，但并不限定于此，也可以个别形成玻璃系绝缘体层11和玻璃系绝缘体层13，以制造装置方便的形成次序进行即可。
(用于光反射面的高亮度化的阳极氧化处理前的研磨工序)
在本实施方式中，为了提升被耐蚀铝层12覆盖的铝基体14的光反射面的反射率，在阳极氧化处理前，进行研磨铝基体14的表面的工序。
若在用抛光研磨法、化学研磨法以及电解研磨法等研磨铝基体14的表面后进行阳极氧化处理，则能得到光反射率高的高亮度反射面。
另外，在本实施方式中，在用抛光研磨法进行研磨后，作为完工研磨而用电解研磨法进行研磨。作为完工研磨，也可以用化学研磨法进行研磨。
入射到被耐蚀铝层12覆盖的铝基体14的光反射面的光在铝的阳极氧化覆膜(耐蚀铝层12)反射或散射，或者透过耐蚀铝层。透过耐蚀铝层而到达铝基体的光在铝基体的上表面反射或散射。
通过如本实施方式那样进行到完工研磨，能在阳极氧化处理前消除铝基体14表面的凹凸，使阳极氧化处理后的表面完工精致。即，若在研磨铝基体后进行阳极氧化处理，则还改善了铝基体的上表面的平滑性，从而能抑制散射，因此能实现高反射率的基板。进而，由于在研磨铝基体后进行阳极氧化处理的情况下，形成于改善了平滑性的铝基体的上表面的阳极氧化覆膜的平滑性也得到改善，因此还能抑制在该层的光的散射，能实现高反射率基板。作为结果，能在发光装置用基板2形成光反射率高的高亮度反射面。另外，在本实施方式中，将抛光研磨法和电解研磨法组合使用，但并不限定于此，上述研磨工序能使用抛光研磨法、化学研磨法以及电解研磨法中的至少一者进行。
另外，在本实施方式中，上述研磨工序在阳极氧化处理前进行，但上述研磨工序也可以在形成玻璃系绝缘体层11前进行。
根据以上，如图3(b)所图示那样，能实现如下那样的发光装置用基板2，铝基体14具备被耐蚀铝层12保护的光反射率高的光反射面，铝基体14被玻璃系绝缘体层11和玻璃系绝缘体层13覆盖，兼具高的光反射率、高的散热性以及高的绝缘耐压性。
(正极电极图案和负极电极图案的制造)
以下基于图3(c)以及图3(d)来说明正极电极图案5和负极电极图案6的制造次序。
如图3(c)所图示那样，在铝基体14的一侧的面上，以防止铝基体14与正极电极图案5或负极电极图案6的短路为目的而形成玻璃系绝缘体层11。
另外，在本实施方式中，考虑到相比于耐蚀铝层而玻璃系绝缘体层的绝缘耐压更高，作为绝缘体层，以防止铝基体14与正极电极图案5或负极电极图案6的短路为目的而使用玻璃系绝缘体层11，但并不限定于此，根据发光装置用基板2的使用目的或用途不同，作为绝缘体层，还能取代玻璃系绝缘体层11而使用耐蚀铝层12。
在取代玻璃系绝缘体层11而使用耐蚀铝层12的情况下，绝缘体层还能形成得与耐蚀铝层12连在一起。
并且在本实施方式中，如图3(c)所图示的那样，在玻璃系绝缘体层11上，作为电极图案的基底，使用由含有金属粒子的树脂构成的金属膏，通过印刷等描绘电路图案，使其干燥来形成基底的电路图案15。
基底的电路图案15的表面由于被树脂(被覆树脂层)较薄地覆盖，因此在这样的状态下，在基底的电路图案15的表面，镀覆不会析出。因此，通过蚀刻而除去基底的电路图案15的表面的树脂(被覆树脂层除去)，使基底的电路图案15的导电层露出。
然后，如图3(d)所图示那样，通过在使基底的电路图案15的导电层露出的基础上进行镀覆处理，在基底电路图案15上使电极形成用金属析出，从而完成正极电极图案5或负极电极图案6。
另外，由于铝基体14整体已经被耐蚀铝层12、玻璃系绝缘体层11和玻璃系绝缘体层13被覆，因此铝基体14不会被上述镀覆处理工序中所用的镀液侵蚀。进而，由于铝基体14被在电气上绝缘的物质即耐蚀铝层12、玻璃系绝缘体层11和玻璃系绝缘体层13覆盖，因此能够仅在基底电路图案15上使电极形成用金属从镀液有效率地析出。
(发光装置以及发光装置用基板的热解析结果)
以下，基于图4～图7来比较本实施方式的发光装置用基板和比较例的发光装置用基板的热解析结果，其中，在本实施方式的发光装置用基板中，铝基体的一侧的面具有作为光反射面的功能，通过上述铝基体的与一侧的面对置的另一侧的面来确保高散热性和绝缘耐压性，在比较例的发光装置用基板中，在同一层承担光反射功能和绝缘耐压功能，将包含高温烧成的陶瓷和玻璃原料的陶瓷涂料涂在铝基体的一侧的面。
在由包含高温烧成的陶瓷和玻璃原料的陶瓷涂料形成的玻璃系绝缘体层中，虽然能得到高的反射率以及高的绝缘耐压，但由于用作粘合剂的玻璃质的材料的热阻高，因此如此得到的玻璃系绝缘体层的热传导率低到大约1～3W/(m·℃)，比通常的陶瓷低1个数量级，比金属低2个数量级。
并且，在将由包含高温烧成的陶瓷和玻璃原料的陶瓷涂料形成的这样的玻璃系绝缘体层用作光反射层和绝缘耐压层的情况下，需要大约100μm的膜厚。
如此在膜厚比较厚、有低的热传导率的玻璃系绝缘体层位于发光元件的正下方的比较例的发光装置用基板的结构中，存在热阻高(散热性差)、温度上升易于变大这样的问题。
图4是表示本实施方式的发光装置中设置发光元件的区域的概略的层结构的图，图5表示与图4所示的各层对应的热传导率σth、层厚d、热阻Rth、和温度上升ΔT。
如图4所图示那样，在发光装置用基板上配置发光元件，发光装置用基板成为3层结构(耐蚀铝层、铝基体以及玻璃系绝缘体层)。
发光装置用基板的中层由3mm厚的铝基体构成，上述铝基体的上表面为了将上述铝基体的上表面作为反射面而被厚度10μm的耐蚀铝层被覆，上述铝基体的下表面为了得到绝缘耐压而被由包含高温烧成的陶瓷和玻璃原料的陶瓷涂料形成的厚度100μm的玻璃系绝缘体层覆盖。
然后，在上述发光装置用基板上配置发光元件，上述发光元件和上述发光装置用基板用厚度5μm的芯片焊接膏连接。另外，上述发光元件的平面尺寸为纵宽650μm以及横宽650μm，将从上述芯片焊接膏层到上述发光元件的活性层的厚度设为100μm，作为发光元件基板，使用材质为蓝宝石的发光元件基板。
发光装置的热阻的值依赖于热源的位置、尺寸，但在图5所示的热阻Rth的结果中，将上述发光元件的活性层假定为唯一的热源来计算各层的热阻Rth。进而，在图5中，不仅求取各层的热阻Rth，还求取各层的温度上升ΔT，但该温度上升ΔT是将热源的发热量假定为0.15W的情况下的值。
另外，在各层中的热阻Rth的计算中，考虑向横方向的热的蔓延。具体地，如图4中虚线所示那样，假定热均匀扩散，向相对于基板垂直方向左右45°方向蔓延，来进行求取。
若基于这样的假定来求取热阻Rth、温度上升ΔT，则在热传导率σth(W/(m·℃))、层厚d(m)的基板载置一边的尺寸a(m)的正方形的热源的情况下，该层中的热阻以Rth(℃/W)＝d/(σth·a·(a+2d))近似，该层中的温度上升成为ΔT(℃)＝Rth·Q。其中Q(W)是热源中的发热量。
图5所示的各层的热阻Rth以及温度上升ΔT是如此计算来求得的。
图6是为了进行与图4所图示的本实施方式的发光装置的比较而示出比较例的发光装置中的设置发光元件的区域的概略的层结构的图，在该比较例的发光装置中，在同一层承担光反射功能和绝缘耐压功能，将包含高温烧成的陶瓷和玻璃原料的陶瓷涂料涂在铝基体的一侧的面，图7表示与图6所示的各层对应的热传导率σth、层厚d、热阻Rth、和温度上升ΔT。
如图6所图示那样，比较例的发光装置用基板的中层由3mm厚的铝基体构成，在上述铝基体的上表面形成具有光反射功能和绝缘耐压功能的厚度100μm的玻璃系绝缘体层，在上述铝基体的下表面作为保护膜而形成厚度10μm的耐蚀铝层。因此，比较例的发光装置用基板成为3层结构(玻璃系绝缘体层、铝基体以及耐蚀铝层)。
然后，以图7所示的与各层对应的热传导率σth以及层厚d为基础，用与求取图5的热阻Rth以及温度上升ΔT的方法同样的方法来求取图6的各层中的热阻Rth以及温度上升ΔT。
在图4所示那样的在铝基体的下表面仅用作绝缘层的玻璃系绝缘体层、图6所示那样的在铝基体的上表面兼用作绝缘层和光反射层的玻璃系绝缘体层中，所需的材质、所需的膜厚以及热传导率当然不同。但在此硬是无视两者的微妙的差异，设为热传导率2.4W/(m·℃)、膜厚100μm、相同材质的层来进行比较。如此一来，能仅关注玻璃系绝缘体层的位置(层结构的差异)来进行比较。
如图5所示那样，图4所图示的本实施方式的发光装置中的在从发光元件的活性层正下方的蓝宝石基板到散热用散热片正上方的散热脂膏层之间求得的全热阻为68.9℃/W。这当中，3层结构(耐蚀铝层、铝基体以及玻璃系绝缘体层)的发光装置用基板的热阻为3.9℃/W。其贡献率相对于全热阻只有6％。
与此相对，如图7所示那样，图6所图示的比较例的发光装置中的在从发光元件的活性层正下方的蓝宝石基板到散热用散热片正上方的散热脂膏层之间求得的全热阻为140.5℃/W。这当中，3层结构(玻璃系绝缘体层、铝基体以及耐蚀铝层)的现有的发光装置用基板的热阻为75.6℃/W，相对于全热阻的比较例的发光装置用基板的热阻的贡献率上升到54％。
由于图4所图示的本实施方式的发光装置的全热阻为68.9℃/W，图6所图示的比较例的发光装置的全热阻为140.5℃/W，因此本实施方式的发光装置的全热阻只有现有的发光装置的全热阻的49％。
另外，由于图4所图示的本实施方式的发光装置的发光装置用基板的热阻为3.9℃/W，图6所图示的比较例的发光装置的发光装置用基板的热阻为75.6℃/W，因此本实施方式的发光装置的发光装置用基板的热阻只有比较例的发光装置的发光装置用基板的热阻的5％。
如以上那样，若只看发光装置用基板，则可知本实施方式的发光装置的发光装置用基板的热阻得到显著改善。
另外，在图5以及图7中，若比较各层，则可知热阻的改善效果最高的层是玻璃系绝缘体层。
如图6所图示那样，仅将铺在发光元件正下方的低热传导率2.4W/(m·℃)、厚度100μm的玻璃系绝缘体层如图4所图示那样从发光元件拆下移到铝基体的下表面，就能使该层的热阻从73.41℃/W骤减到仅0.89℃/W，即，骤减到约80分之1。
如此，即使是相同热传导率、相同层厚的层，根据该层配置在发光装置用基板的哪个位置、是靠近还是远离热源，各层的热阻完全改变。这能以热横穿各层时的通路的截面的截面积的大小来说明。
在图4以及图6中以虚线示意示出将发光元件作为热源、热从发光装置用基板的上表面流向下表面的情况下、向发光装置用基板的水平方向的热的扩散区域。虚线所包围的区域相当于热的通路，虚线越往下层越宽是因为，热一边在发光装置用基板的垂直方向上推进一边还向水平方向慢慢扩散。热横穿热传导率低到2.4W/(m·℃)的玻璃系绝缘体层的通路的截面积在图4中变宽，在图6中变窄。为此，热的通路的截面积大的图4所图示的玻璃系绝缘体层的热阻变低。
具体地，若用数值进行比较，则相比于图6所图示的玻璃系绝缘体层，图4所图示的玻璃系绝缘体层从热源远离了3.0mm，若将该层中的热的路径的截面积以层中的平均值进行比较，在相对于图6所图示的玻璃系绝缘体层，图4所图示的玻璃系绝缘体层扩大约80倍，其结果，热阻反而低到约80分之1。
如图6所图示的构成那样，在发光元件中的发热大致直接进入到热传导率低的玻璃系绝缘体层的情况下，该层中的热的通路的截面积与发光元件尺寸大致同等。与此相对，如图4所图示的构成那样，在经由铝基体而进入到热传导率低的玻璃系绝缘体层的情况下，由于在通过铝基体之间热预先向铝基体的水平方向充分扩散，因此在玻璃系绝缘体层中，热的通路的截面积非常大，能降低热阻。另外，玻璃系绝缘体层的热传导率为2.4W/(m·℃)，与此相对，铝基体的热传导率为236W/(m·℃)，高到100倍，因此铝基体给全热阻带来的影响轻微。
另外，在图6中，仅将位于铝基体的上表面的玻璃系绝缘体层如图4所图示那样移到铝基体的下表面，热阻就显著降低，通过以上的考察而明白。
但是，图6中的玻璃系绝缘体层由于在是绝缘体层的同时还作为光反射层发挥功能，因此在将该层移动的情况下，需要承担光反射功能的代替结构。
为了活用将玻璃系绝缘体层移动到铝基体的下表面所引起的热阻的降低，对该代替结构谋求的特性是光反射率高、热阻低、和稳定。
作为满足这样的条件的光反射面，用耐蚀铝层被覆上述的铝基体的光反射面最合适。
(铝基体的厚度依赖性)
至此，如图4以及图6所图示的那样，将铝基体的厚度固定在3mm，进行与比较例的构成的热阻、温度上升的比较。
以下研讨图4以及图6所图示的本实施方式的构成和比较例的构成中的热阻的铝基体的厚度依赖性。
通过进行这样的比较而更加明确，通过将热传导率低的玻璃系绝缘体层置于远离热源的场所，会使热阻下降。
图8是表示图4所图示的本实施方式的发光装置中的热阻的铝基体的厚度依赖性的图，图9是表示图6所图示的比较例的发光装置中的热阻的铝基体的厚度依赖性的图。
在图8以及图9中，示出在本实施方式的发光装置以及比较例的发光装置各自中使横轴所示的铝基体的厚度(mm)变化的情况下，纵轴所示的热阻(℃/W)怎样变化。
另外，在此所用的计算条件直接使用将上述的铝基体的厚度固定在3mm、计算热阻时所用的条件。然后，在此求得的热阻Rth是每1个发光元件的值，对全热阻和基板热阻这2种情况求取。在此所说的全热阻是指从发光元件的活性层到达散热片的热阻，这当中，将发光装置用基板所引起的热阻称作基板热阻。
如图8以及图9所图示的那样，关于全热阻，若铝基体的厚度增加，则本实施方式的发光装置相比于比较例的发光装置更加骤减。另一方面，关于基板热阻，若铝基体的厚度增加，则在本实施方式的发光装置中，热阻的值骤减，与此相对，在比较例的发光装置中，热阻的值大致恒定，若详细来看，则从74℃/W向76℃/W渐增。
图28是用于说明在图4所图示的本实施方式的发光装置中若铝基体的厚度增加则热阻骤减的理由的示意图。
图28(a)是表示铝基体的厚度薄的情况下的图，图28(b)是表示铝基体的厚度厚的情况下的图。
另一方面，图29是用于说明在图6所图示的比较例的发光装置中即使铝基体的厚度增加热阻的值也大致恒定的理由的示意图。
图29(a)是表示铝基体的厚度薄的情况下的图，图29(b)是表示铝基体的厚度厚的情况下的图。以下一边比较图28和图29一边进行说明。
另外，在图28以及图29所示的示意图中，关于活性层、蓝宝石基板、芯片焊接膏以及耐蚀铝层，省略图示。
如图示那样，在图28的示意图中，热传导率低的玻璃系绝缘体层配置在铝基体的下表面，若和图29的示意图相比，则位于从作为热源的发光元件(发热体)远离的位置。为此如图28所图示的那样，若使图28(a)中的铝基体的厚度tsub(a)增加到图28(b)中的铝基体的厚度tsub(b)，则能使玻璃系绝缘体层以及散热脂膏层都远离发光元件，作为结果，能使基板热阻和全热阻都降低。
即，由于相比于热传导率低的层即玻璃系绝缘体层以及散热脂膏层，铝基体的热传导率充分高，因此向热阳的贡献率小。因此，若加厚热传导率高的铝基体的厚度，(从图28(a)中铝基体的厚度tsub(a)到图28(b)中的铝基体的厚度tsub(b))，则如图28(b)所图示的那样，热的通路的宽度在热传导率低的层即玻璃系绝缘体层以及散热脂膏层变宽(从图28(a)中的L3(a)到图28(b)中的L3(b))。因而，热所通过的路径的截面积变宽，由于热阻与热路径的截面积成反比，因此热阻降低。
另一方面，如图29的示意图所图示那样，在比较例的发光装置中，热传导率低的层当中的玻璃系绝缘体层配置在铝基体的上表面，位于作为热源的发光元件(发热体)近旁。并且，配置在铝基体的下表面的是散热脂膏层。为此，和上述图28中说明的情况同样，即使使铝基体的厚度tsub(a)增加到铝基体的厚度tsub(b)，能远离发光元件的也仅有散热脂膏层，如图29所图示的那样，热传导率低的玻璃系绝缘体层留在发光元件近旁。其结果，如图9所示那样，虽然全热阻降低，但基板热阻未降低。
即，由于相比于热传导率低的层即玻璃系绝缘体层以及散热脂膏层，铝基体的热传导率充分高，因此向热阻的贡献率小。因此加厚热传导率高的铝基体的厚度(从图29(a)中的铝基体的厚度tsub(a)到图29(b)中的铝基体的厚度tsub(b))。但是，如图29(b)所图示那样，在热传导率低的层当中的玻璃系绝缘体层中，热的通路的宽度恒定(图29(a)以及图29(b)中的L1)。因此，在玻璃系绝缘体层中，热通过的路径的截面积恒定，由于热阻与热路径的截面积成反比，因此即使加厚铝基体的厚度，热阻也恒定。但若加厚铝基体的厚度(从图29(a)中的铝基体的厚度tsub(a)到图29(b)中的铝基体的厚度tsub(b))，在配置于铝基体的下表面的热传导率低的散热脂膏层中，热的通路的宽度变宽(从图29(a)中的L3(a)到图29(b)中的L3(b))。因而在散热脂膏层中，热阻降低。
图10是汇总仅表示图8以及图9中发光装置用基板所引起的热阻即基板热阻的图。
用实线表示本实施方式的发光装置中的墓板热阻，用虚线表示比较例的发光装置中的基板热阻。
如图10所图示那样，具体地，铝基体的厚度为0.1mm时的基板热阻分别为41℃/W(本实施方式的构成)和74℃/W(比较例的构成)，铝基体的厚度为0.5mm时的基板热阻分别为15℃/W(本实施方式的构成)和75℃/W(比较例的构成)，铝基体的厚度为1mm时的基板热阻分别为8℃/W(本实施方式的构成)和75℃/W(比较例的构成)，铝基体的厚度为3mm时的基板热阻分别为4℃/W(本实施方式的构成)和76℃/W(比较例的构成)。
若以相对于比较例的发光装置中的基板热阻的比例来看本实施方式的发光装置中的基板热阻，则在铝基体的厚度为0.1mm时还有55％，与此相对，若铝基体的厚度成为0.5mm，则成为19％，不足20％，铝基体的厚度为1mm时成为10％，铝基体的厚度为3mm时仅成为5％。
通过图10所示的热阻与铝基体的厚度的关系、和图28以及图29所示的示意图，更加明确了：将铝基体的厚度固定在3mm来求取热阻时已经叙述的、使具有低的热传导率的玻璃系绝缘体层远离热源在降低热阻上是有效的。
(将多个发光元件并排的发光装置)
以下研讨将多个发光元件并排的发光装置中的热阻。
在发光元件彼此的间隔充分空开的情况下，例如能如图4所图示那样不考虑相邻的发光元件的散热地对虚线所示的散热区域求取热阻。但是，在发光装置用基板上将发光元件相邻配置的情况下，会出现散热区域相邻的发光元件彼此重合，相互干扰的情况。
图11是表示在将多个发光元件并排的发光装置中在相邻的发光元件彼此散热区域重合的情况的图。
如图示那样，以虚线示出的相邻的发光元件彼此的散热区域重合，相互干扰。考虑这样的干扰，需要对来自各个发光元件的热的流动进行修正。
图12是表示考虑相邻的发光元件彼此的散热区域的干扰、将发光元件间的间隔W0调整为650μm的情况的图。
如图示那样，在将发光元件间的间隔W0调整为650μm的情况下，对热的流动的区域进行修正，以使在虚线所示的相邻的发光元件彼此的散热区域不会出现重合。
图13是表示在如图12所示那样将发光元件间的间隔W0调整为650μm的情况下用于求取热阻的模型结构的图。
如已经上述那样，每1个发光元件的发光装置用基板的热阻Rth根据图4所图示的本实施方式的发光装置的构成求取，与此相对，将使发光元件间的间隔W0为650μm的本实施方式的多个发光元件并排的发光装置中的每1个发光元件的发光装置用基板的热阻Rth根据图13所示的模型结构求取。
另外，在此，对使发光元件间的间隔W0为650μm的一例进行说明，进行模型化，使得在相邻的发光元件彼此的散热区域不出现干扰。所述修正对任意的发光元件的间隔W0都成立，发光元件间的间隔W0并不限定于650μm。
图14表示基于图13所示的模型结构根据与各层对应的热传导率σth和层厚d求得的热阻Rth、和温度上升ΔT。
另外，对图6所图示的比较例的发光装置的构成，也同样能基于调整了发光元件间的间隔W0的模型结构，根据与各层对应的热传导率σth和层厚d来求取热阻Rth、和温度上升ΔT。
图15是表示在使用图4所示的本实施方式的发光装置用基板和图6所示的比较例的发光装置用基板的情况下改变发光元件间的间隔(发光元件最接近距离)W0时的每1发光元件的基板热阻的图。
在图15中，在将发热体排列在基板上的情况下，将每1个发光元件的热阻Rth与发光元件间的间隔W0的关系在本实施方式的发光装置用基板和比较例的发光装置用基板中进行比较，用实线和虚线示出。另外，将发热体1个的平面尺寸设为650μm×650μm，将玻璃系绝缘体层的厚度tg设为100μm。并且，在图15中仅示出基板热阻，关于全热阻在后述的图18中进行说明。
如图示那样，在发光元件间的间隔(发光元件最接近距离)W0成为W0≥2×tg的区域，本实施方式的发光装置用基板的热阻Rth相比于比较例的发光装置用基板的热阻Rth得到较大改善。
在图15中，求取将玻璃系绝缘体层的厚度tg设为100μm的情况下的热阻，可知：W0≥2×tg＝200μm、即W0≥0.2mm的针对本实施方式的基板的基板热阻与现有的基板比较，急速变低。
若就这样扩大发光元件间的间隔W0，则针对本实施方式的发光装置用基板中的铝基体的厚度ds，在W0≤2×ds的范围内热阻减少，但若进一步成为W0≥2×ds，则热阻成为恒定。
如从图12获知的那样，在W0＝2·ds时，虚线所示的来白发光元件的热的流动在相邻发光元件间不再重合。在进一步拉大发光元件间的间隔的W0≥2×ds时，在相邻发光元件间相互没有散热的影响，和发光元件单独中的热阻相同。
反过来还可以说，针对所决定的发光元件间的间隔W0，为了使本实施方式的发光装置用基板的热阻最低，将铝基体的厚度ds设为ds≥W0/2即可。期望至少设为ds＝W0/2。
根据以上，首先在决定了铝基体的厚度ds的情况下，若针对发光元件间的间隔W0而W0≥2×ds的关系成立，则在相邻发光元件间相互没有散热的影响。具体地，例如在铝基体的厚度为3mm的情况下，发光元件间的间隔相当于6mm以上，这时能实现理想的散热。
相反，在决定了发光元件间的间隔W0的情况下，若针对铝基体的厚度ds而ds≥W0/2的关系成立，则能使本实施方式的发光装置用基板的热阻最低。具体地，在发光元件间的间隔W0固定在1mm的情况下，可以说只要铝基体的厚度为0.5mm以上，热阻就大致恒定。由于铝基体的热传导率高，因此即使铝基体的厚度变厚，例如在10mm以内、5mm以内这样常识的厚度下，对热阻的影响轻微。
以下，说明在成为W0≥2×tg的区域本实施方式的发光装置用基板的热阻Rth相比于比较例的发光装置用基板的热阻Rth得到较大改善的理由。
图16是在具有低的热传导率的玻璃系绝缘体层配置在铝基体的背面的、在本实施方式的发光装置用基板上将发光元件并排的情况下的示意图。
图16(a)～图16(d)是从侧面观察1边的长度L0的发光元件所构成的发热体以等间隔W0二维配置的情况的示意图。
另外，在此，假定从各个发光元件放出的热在虚线所示的区域流动，来求取热阻，图中，以斜线表示的区域相当于玻璃系绝缘体层的热阳当中的1个发光元件份的区域。
并且，若将在该斜线部分承受的热阻设为RH(玻璃系绝缘体层)，则该斜线所示的区域的宽度L2在图16(a)的情况下为L2＝L0+W0。另外，由于玻璃系绝缘体层的厚度为tg，因此在将玻璃系绝缘体层的热传导率表征为σth的情况下，在图16(a)的斜线部分承受的热阻RH(玻璃系绝缘体层)能用下述式1求取。
RH(玻璃系绝缘体层)＝tg/(σth·L2·L2)(式1)
其中在上述式1中，L2＝L0+W0。
上述式1在如图16(b)、图16(c)以及图16(d)那样W0变为0或接近于0的情况下也能直接运用。
另一方面，图17是在具有低的热传导率的玻璃系绝缘体层配置于铝基体的上表面的比较例的发光装置用基板上将发光元件并排的情况下的示意图。
图17(a)～图17(d)是从侧面观察1边的长度为L0的发光元件所构成的发热体在玻璃系绝缘体层的正上方以等间隔W0二维配置的情况的示意图。在图16和图17的对应的(a)～(d)的图编号中，W0分别对应。特别图16(b)、图17(b)都是表示W0＝2×tg的情况的示意图。
图16(a)所图示的玻璃系绝缘体层中的与斜线所示的区域对应的玻璃系绝缘体层中的区域在图17(a)依然以斜线示出。图17(a)中以斜线示出的区域相当于玻璃系绝缘体层的热阻当中1个发光元件份的区域。若将在该斜线部分承受的热阻设为RH′(玻璃系绝缘体层)，则以斜线示出的区域的下边的宽度L1成为L1＝L0+2×tg。
并且，图17(a)中在斜线部分承受的热阻RH′(玻璃系绝缘体层)能用下述式2求取。
RH′(玻璃系绝缘体层)＝tg/(σth·L0·L1)(式2)
其中在上述式2中，L1＝L0+2×tg。
在将发光元件间的间隔W0设为变量的情况下，在图17(a)到图17(b)的范围内，由于相对于W0而L1是恒定值，因此在该范围内RH′(玻璃系绝缘体层)也成为恒定。
并且，随着W0的值从图16(a)所示的值向图16(b)所示的值改变，L2的值接近于图17所示的L1的值，W0的值随着从图17(a)所示的值向图17(b)所示的值改变，图17所示的L2的值接近于图17所示的L1的值。
根据以上，在与示意图斜线部对应的热阻RH(玻璃系绝缘体层)和热阻RH′(玻璃系绝缘体层)中，热阻RH(玻璃系绝缘体层)的值接近于热阻RH′(玻璃系绝缘体层)的值。
最终，L2在W0的值为图16(b)以及图17(b)的情况下，与L1一致(L2＝L1)。
其结果，这时的热阻能根据上述式1以及式2在下述式3中求得。
RH′(玻璃系绝缘体层)/RH(玻璃系绝缘体层)＝L1/L0(式3)
其中在上述式3中，L1＝L0+2×tg。
在此，相对于发光元件的1边的长度L0，一般在玻璃系绝缘体层的厚度即tg充分小，tg＜＜L0的条件成立的情况下，成为
即，根据以上判明，在图16(b)以及图17(b)的情况下，的近似成立。
进而，随着W0的值从图16(b)所示的值向图16(c)所示的值改变，热阻RH(玻璃系绝缘体层)的值进一步接近于热阻RH′(玻璃系绝缘体层)的值。
同样地，随着W0的值从图17(b)所示的值向图17(c)所示的值改变，热阻RH(玻璃系绝缘体层)的值也进一步接近于热阻RH′(玻璃系绝缘体层)的值。
然后，最终在W0的值为0的图16(d)以及图17(d)中，成为RH′(玻璃系绝缘体层)＝RH(玻璃系绝缘体层)。
以调查发光元件间的间隔W0、玻璃系绝缘体层的厚度tg与发光装置用基板的热阻的关系为目的，研讨在上述示意图的斜线部之间的关系成立的图16(b)以及图17(b)的情况。
在此，L2＝L1的关系成立，根据与上述式1以及式2中的L1以及L2相关的定义式L1＝L0+2×tg、和L2＝L0+W0，在L2＝L1时，在发光元件间的间隔W0与玻璃系绝缘体层的厚度tg之间，W0＝2×tg的关系成立。
因此，在图16(a)以及图17(a)的情况下，在发光元件间的间隔W0与玻璃系绝缘体层的厚度tg之间，W0＞2×tg的关系成立，这时，对于各个玻璃系绝缘体层的热阻的值的关系，RH(玻璃系绝缘体层)＜RH′(玻璃系绝缘体层)的关系成立。
另一方面，在图16(c)以及图17(c)的情况下，在发光元件间的间隔W0与玻璃系绝缘体层的厚度tg之间，W0＜2×tg的关系成立，这时，对于各个玻璃系绝缘体层的热阻的值的关系，的关系成立，都示出高的热阻。
并且在图16(b)以及图17(b)的情况下，在发光元件间的间隔W0与玻璃系绝缘体层的厚度tg之间，W0＝2×tg的关系成立，这时，各个玻璃系绝缘体层的热阻的值的关系是从RH(玻璃系绝缘体层)＜RH′(玻璃系绝缘体层)向过渡的边界。
根据以上，在发光元件间的间隔W0与玻璃系绝缘体层的厚度tg之间W0≥2×tg的关系成立时，RH(玻璃系绝缘体层)＜RH′(玻璃系绝缘体层)的关系变得显著，在本实施方式的发光装置用基板上将发光元件并排多个而做出的发光装置中，判明能实现热阻显著低的发光装置。
图18是表示在利用图4所示的本实施方式的发光装置用基板的情况下改变发光元件间的间隔(发光元件最接近距离)W0时的每1发光元件的基板热阻和全热阻的图。
另一方面，图19是表示在利用图6所示的比较例的发光装置用基板的情况下改变发光元件间的间隔(发光元件最接近距离)W0时的每1发光元件的基板热阻和全热阻的图。
另外，在此所说的全热阻，是在安装于散热片的发光装置中从发光元件的活性层到散热片的热阻，在此特别指每1个发光元件的热阻。
如图18以及图19所图示那样，在将发光元件以例如2mm间隔空开间隙在平面上均等地排列的情况下，相对于比较例的基板，在本实施方式的基板中，基板热阻只不过10％程度，显著减少。
但在将发光元件等的热阻包括在内以全热阻进行比较的情况下，为50％到60％程度，大约是一半。这是因为，在全热阻中，发光元件等基板以外的热阻原本就占据一半左右，该值不管基板的热阻怎样都是大致恒定的值，因此不管怎样降低基板的热阻，该值总会留下。
换言之，可以说，本实施方式的发光装置用基板除了发光装置的构造上不能去除的热阻部分以外去除了尽可能的热阻，本实施方式的发光装置利用了这样的发光装置用基板。
〔实施方式2〕
接下来，基于图20来说明本发明的实施方式2。在上述的实施方式1中，在先进行了使用蚀刻液或例如稀硫酸等酸这样的侵蚀性药品的化学研磨工序、或阳极氧化处理后，进行形成基底的电路图案15的工序，但在在本实施方式中，在发光装置用基板2a的制造工序中，先于化学研磨工序或阳极氧化处理那样使用蚀刻液或酸等侵蚀性药品的工序来进行形成基底的电路图案15的工序，在这点上与上述的实施方式1不同。关于其他构成，如实施方式1中说明的那样。为了说明的方便，对具有与上述的实施方式1的图面中示出的构件相同功能的构件标注相同标号，省略其说明。
在上述的实施方式1，按照以下的工序次序制造发光装置用基板2。
首先进行第1工序，在铝基体14上设置玻璃系绝缘体层11和玻璃系绝缘体层13，接下来进行第2工序，研磨未被玻璃系绝缘体层11和玻璃系绝缘体层13覆盖的铝基体14的表面。然后，进行第3工序，对研磨过的铝基体14的表面进行阳极氧化处理，形成被耐蚀铝层12被覆的光反射面，之后进行第4工序，对耐蚀铝层12进行封孔处理。然后进行第5工序，在玻璃系绝缘体层11上形成基底的电路图案15，之后进行第6工序，除去基底的电路图案15的被覆树脂层，使导电层露出，来形成基底的电路图案15a。然后，最后进行第7工序，形成电极图案，由此进行发光装置用基板2的制造。
图20是用于通过制造工序来说明制造发光装置用基板2a的工序的图，在该制造工序中，先于化学研磨工序或阳极氧化处理那样使用蚀刻液或酸等侵蚀性药品的工序来进行形成基底的电路图案15的工序。
如图20(a)所图示那样，首先进行第1工序，在铝基体14上设置玻璃系绝缘体层11和玻璃系绝缘体层13，接下来进行第2工序，如图20(b)所图示那样，在玻璃系绝缘体层11上形成基底的电路图案15。然后进行第3工序，研磨未被玻璃系绝缘体层11和玻璃系绝缘体层13覆盖的铝基体14的表面。然后进行第4工序，如图20(c)所图示那样，对研磨过的铝基体14的表面进行阳极氧化处理，形成被耐蚀铝层12被覆的光反射面，之后进行第5工序，对耐蚀铝层12进行封孔处理。在上述第4工序中基底的电路图案15的被覆树脂层被除去，成为基底的电路图案15a。然后，最后进行第6工序，如图20(d)所图示那样，形成电极图案，由此进行发光装置用基板2a的制造。
另外，在图20所示的制造工序中，除去基底的电路图案15的被覆树脂层的工序能包含在研磨铝基体14的表面的第3工序以及/或者对研磨过的铝基体14的表面进行阳极氧化处理、形成被耐蚀铝层12被覆的光反射面的第4工序中。
即，在图20所示的制造工序中，由于先于化学研磨或耐蚀铝处理那样使用蚀刻液或酸等侵蚀性药品的工序进行形成基底的电路图案的工序，因此能在化学研磨或耐蚀铝处理那样使用蚀刻液或酸等侵蚀性药品的工序中进行基底的电路图案15的表面的被覆树脂层的除去。
另外，在本实施方式中，选用形成基底的电路图案15的金属膏、和侵蚀性药品的合适的组合，其中该基底成为被上述侵蚀性药品适度侵蚀的被覆树脂层。
另外，在阳极氧化处理中在形成阳极氧化覆膜的工序中作为处理液使用的酸性液中，还存在未充分除去覆盖成为电极图案的基底的导电层的被覆树脂层的情况。在该情况下，也可以追加除去上述被覆树脂层的工序，还可以返回标准的次序。即，也可以在先进行了阳极氧化处理工序的基础上，按照形成成为电极图案的基底的导电层的工序、除去覆盖成为电极图案的基底的导电层的被覆树脂层的工序、在导电层上形成电极图案的镀覆工序的顺序进行。
〔实施方式3〕
接下来基于图21以及图22来说明本发明的实施方式3。在本实施方式中示出具备发光装置用基板2、发光装置用基板2a的发光装置1的应用例。另外，为了说明的方便，对具有与上述的实施方式1以及2的图面中示出的构件相同功能的构件标注相同标号，省略其说明。
(有高的散热性的发光装置)
图21是表示本发明的1个实施方式的具有高的散热性的发光装置的概略构成的图。
如图示那样，具备发光装置用基板2、发光装置用基板2a的发光装置1配置在体积非常大的散热片16上，实现了具有高的散热性的发光装置。
图22是表示本发明的1个实施方式的具有高的散热性的照明装置的概略构成的图。
如图22(a)以及图22(b)所图示那样，照明装置(发光装置)20构成为具备：发光装置1，其具备配置在散热片16上的发光装置用基板2、发光装置用基板2a；和反射器17，其覆盖发光装置1而形成。
如以上那样，在本实施方式中，通过将具备发光装置用基板2、发光装置用基板2a的发光装置1、和散热片16组合，能实现具有更高的散热性的发光装置以及具有更高的散热性的照明装置20。
〔实施方式4〕
接下来基于图23来说明本发明的实施方式4。在本实施方式中，在发光装置用基板的制造工序，在制造的最终阶段将比较大的铝基板1片1片地分割来切出发光装置用基板，这点与上述的实施方式1以及2不同。关于其他构成，如实施方式1以及2中说明的那样。为了说明的方便，对具有上述的实施方式1以及2的图面中示出的构件相同功能的构件标注相同标号，省略其说明。
图23是用于说明利用比较大的铝基板的本发明的1个实施方式的发光装置用基板的制造工序的图。
如图23(a)所图示那样，准备预先加工过的铝板18，以使得易于切断。
然后，如图23(b)所图示那样，准备实施了实施方式1中用图3说明的工序、或实施方式2中用图20说明的工序的铝板19。
最后，如图23(c)所图示那样，分割铝板19，从而能得到多个单个的发光装置用基板2(或发光装置用基板2a)。
另外，在本实施方式中，在制造的最终阶段将比较大的铝基板1片1片地分割来切出发光装置用基板，但并不限定于此，还能在制造中途切断，在切断后进行剩下的制造工艺。
另外，还能不是1片1片地将上述的铝板19分割，而是将铝板19自身就这样用作发光装置用基板。若将铝板19就这样用作发光装置用基板，则该发光装置用基板成为具有多个发光区域的发光模块。
〔实施方式5〕
接下来，基于图24以及图25来说明本发明的实施方式5。在本实施方式中，取代玻璃系绝缘体层，使用利用了氟树脂的绝缘体层、或利用了硅酮树脂等热硬化性树脂的绝缘体层，或者将环氧树脂、聚酰亚胺树脂用作绝缘体层，在这点上与上述的实施方式1以及2不同。关于其他构成，如实施方式1以及2中说明的那样。为了说明的方便，对具有与上述的实施方式1以及2的图面所示的构件相同功能的构件标注相同标号，省略其说明。
图24是表示取代玻璃系绝缘体层而使用利用了氟树脂的绝缘体层的发光装置用基板2b的概略构成的图。
如图示的那样，发光装置用基板2b的铝基体14中未被耐蚀铝层12覆盖的区域(光反射面以外的区域)，被利用了氟树脂的绝缘体层20以及利用了氟树脂的绝缘体层21所覆盖。
图25是表示取代玻璃系绝缘体层而使用利用了硅酮树脂等热硬化性树脂的绝缘体层的发光装置用基板2c的概略构成的图。
如图示的那样，发光装置用基板2c的铝基体14中未被耐蚀铝层12覆盖的区域，被利用了硅酮树脂等热硬化性树脂的绝缘体层22以及利用了硅酮树脂等热硬化性树脂的绝缘体层23所覆盖。
在以相同膜厚形成绝缘体层的情况下，从绝缘耐压性这样的观点出发，虽然玻璃系绝缘体层卓越，但还能根据发光装置用基板的使用目的、用途适宜选择利用了玻璃系绝缘体层以外的氟树脂的绝缘体层或利用了硅酮树脂等热硬化性树脂的绝缘体层。
另外，作为利用了硅酮树脂等热硬化性树脂的绝缘体层22以及利用了硅酮树脂等热硬化性树脂的绝缘体层23，能举出含有热硬化性树脂或陶瓷的热硬化性树脂为例。
热硬化性树脂的一种的硅酮树脂是特别在绝缘耐压性、耐热性上卓越、化学上稳定的物质，是阻燃性，因此其特性卓越。
用热硬化性树脂形成绝缘体层，能在将热硬化性树脂涂布在铝基体后使其干燥、硬化而容易地得到。
通过在铝基体上由以硅酮树脂为代表的热硬化性树脂形成绝缘体层，能在200℃以下的比较低的温度下容易地形成绝缘体层，能防止对铝基体的热所带来的伤害并能削减制造的成本。
另外，硅酮树脂的热传导率极低，低到0.2W/(m·℃)程度。为了弥补该硅酮树脂的热传导率的低，也可以将以氧化铝、氧化锆、氧化钛、氮化铝等为代表的陶瓷粒子混合在硅酮树脂中，在不损害绝缘耐压性而将热传导率改善得较高的基础上使用。若被上述绝缘体层覆盖的部分与光反射面分离，则例如也可以混合碳化硅、氮化硅这样黑色的粒子作为陶瓷粒子。另外，在不将陶瓷粒子混合在热硬化性树脂中而不使热传导率改善来使用的情况下，由于需要在不损害绝缘耐压性的范围内减薄热硬化性树脂的层厚，因此期望设为100μm以下。
但由于硅酮树脂一般在200℃以上开始分解为气体，因此相比于玻璃，在耐热性、化学稳定性上要差。为此，在将以硅酮树脂为代表的热硬化性树脂作为绝缘体层在发光装置用基板中使用的情况下，需要考虑该特性来在合适的条件下使用。
另外，作为取代玻璃系绝缘体层而使用的树脂，也可以使用以PTFE(Polytetrafluoroethylene，聚四氟乙烯)、PFA(Perfluoroalkoxy，四氯乙烯-全氟烷氧基乙烯基醚共聚物)为代表的氟树脂的薄膜。相比于硅酮树脂，氟树脂在绝缘性、耐热性方面卓越，化学上也稳定，且为不燃性。
然后，能在300℃以上的高温以及高压下覆盖铝基体而熔接。热传导率低到0.25W/(m·℃)程度，和硅酮树脂同程度地极低。为此，作为铝基体的绝缘体层，谋求200μm以下，进而期望100μm以下。
另外，作为不降低绝缘耐压性来改善氟树脂的低的热传导率的手法，如在硅酮树脂的情况中叙述的那样，能举出将以氧化铝、氧化锆、氧化钛、氮化铝、碳化硅、氮化硅等为代表的陶瓷粒子混合在氟树脂中、来将热传导率改善得较高的方法。
并且，上述热传导率改善的手法并不限定于硅酮树脂等热硬化性树脂、以PTFE和PFA为代表的氟树脂，对于环氧树脂、聚酰亚胺树脂也可应用。
另外，上述树脂绝缘体层还能组合上述树脂来使用，另外，还能设为包含玻璃系绝缘体的任意的组合。
〔实施方式6〕
接下来，基于图26来说明本发明的实施方式6。在本实施方式中，使用铝基体14的侧面被耐蚀铝层12覆盖的构成，在这点上与上述的实施方式1以及2不同。关于其他构成，如实施方式1以及2中说明的那样。为了说明的方便，对具有与上述的实施方式1以及2的图面中示出的构件相同功能的构件标注相同标号，省略其说明。
图26是表示铝基体14的侧面被耐蚀铝层12覆盖的构成的发光装置用基板2d的概略构成的图。
如所图示的那样，发光装置用基板2d的侧面的厚度比较薄，比较难以进行将包含陶瓷和玻璃原料的陶瓷涂料涂布或印刷在铝基体14的工序。
为此，在本实施方式中，通过使用以耐蚀铝层12覆盖发光装置用基板2d的侧面的构成，不需要在光装置用基板2d的侧面涂布或印刷包含陶瓷和玻璃原料的陶瓷涂料的工序。
〔实施方式7〕
接下来，基于图27来说明本发明的实施方式7。在本实施方式中，使用在铝基体14上形成与施方式1以及2不同形状的玻璃系绝缘体层11以及耐蚀铝层12的构成，在这点上与上述的实施方式1以及2不同。关于其他构成，如实施方式1以及2中说明的那样。为了说明的方便，对具有与上述的实施方式1以及2的图面中示出的构件相同功能的构件标注相同标号，省略其说明。
图27是表示发光装置用基板2e的概略构成的图。
如图27(a)所图示那样，在发光装置用基板2e上，沿着图中的上下方向设置正极电极图案5和负极电极图案6。
因此，如图27(a)以及图27(b)所图示那样，形成于铝基体14上的玻璃系绝缘体层11的形状以及耐蚀铝层12的形状和实施方式1中用图2说明的发光装置用基板2(沿着图中的左右方向设置正极电极图案5和负极电极图案6)不同。
〔汇总〕
本发明的方式1中的发光装置用基板具备由铝构成的基体、或能进行铝的阳极氧化处理程度地包含铝的基体，该发光装置用基板的特征在于，在上述基体的一侧的面形成被铝的阳极氧化覆膜覆盖的光反射面，在上述基体的一侧的面中未被上述铝的阳极氧化覆膜覆盖的区域，形成第1绝缘层、和设于上述第1绝缘层上的电极图案，至少在与上述基体的一侧的面对置的上述基体的另一侧的面形成第2绝缘层。
根据上述构成，通过使用由铝构成的基体、或能进行铝的阳极氧化处理程度地包含铝的基体，能通过上述基体的阳极氧化处理形成被铝的阳极氧化覆膜覆盖的光反射面。
另外，形成于上述基体的一侧的面的上述铝的阳极氧化覆膜对于光和热极其稳定，被上述铝的阳极氧化覆膜覆盖的光反射面不会出现变色等，能稳定维持高的光反射率，因此能通过使用上述铝的阳极氧化覆膜来提高长期可靠性。另外，上述铝的阳极氧化覆膜在量产性上也卓越。
并且，通过在与上述基体的一侧的面对置的上述基体的另一侧的面形成第2绝缘层，能确保高散热性和绝缘耐压性。
如以上那样，在上述发光装置用基板中，形成上述铝的阳极氧化覆膜的上述基体的一侧的面具有作为光反射面的功能，由与上述基体的一侧的面对置的上述基体的另一侧的面确保高散热性和绝缘耐压性。
另外，上述第1绝缘层由于形成在上述基体的未被上述铝的阳极氧化覆膜覆盖的区域，因此不会简单地剥离。
因此，能实现兼具高反射率、高散热性、绝缘耐压性、和长期可靠性、进而量产性也卓越的发光装置用基板。
本发明的方式2中的发光装置用基板构成为，上述第2绝缘层为陶瓷层或玻璃系绝缘体层。
根据上述构成，由于作为上述第2绝缘层使用热阻的改善效果高的陶瓷层或玻璃系绝缘体层，因此能实现显著改善了热阻的发光装置用基板。
本发明的方式3中的发光装置用基板构成为，上述第2绝缘层由树脂构成的绝缘层。
根据上述构成，由于上述第2绝缘层是由树脂构成的绝缘层，因此能在将上述第2绝缘层涂布或印刷在上述基体后使其干燥以及硬化，从而比较容易地形成。另外，能将加工成薄片状的树脂通过熔融接合或粘结而粘贴在基体，另外或者使用以注塑成型为代表的成型技术来将由树脂构成的第2绝缘层形成在基体上。
本发明的方式4中的发光装置用基板构成为，上述第2绝缘层是包含氟树脂、硅酮树脂、环氧树脂、以及聚酰亚胺树脂中至少一者的绝缘层。
根据上述构成，由于上述第2绝缘层由包含绝缘性、耐热性卓越、化学上也稳定、不燃性或阻燃性的氟树脂、硅酮树脂、环氧树脂、以及聚酰亚胺树脂中的至少一者的绝缘层形成，因此能实现兼具绝缘耐压性、和长期可靠性的发光装置用基板。
另外，根据上述构成，由于上述第2绝缘层由能在200℃以下的比较低的温度容易地形成的硅酮树脂等树脂层所构成的绝缘层形成，因此能防止热对上述由铝构成的基体、或能进行铝的阳极氧化处理的程度地包含铝的基体带来的伤害，并能削减制造的成本。
本发明的方式5中的发光装置用基板构成为，上述基体的厚度为0.5mm以上。
在上述基体的厚度为0.5mm以上的情况下，在上述第2绝缘层形成于与上述基体的一侧的面对置的上述基体的另一侧的面的构成中，在降低热阻上有效。
因此，根据上述构成，能实现显著改善了热阻的发光装置用基板。
另外，在本发明中，对上述第2绝缘层的厚度，大体假定为50μm以上、150μm以下的厚度，相对于此，上述基体的厚度0.5mm以上可以说是充分厚，但由于上述由铝构成的基体、或能进行铝的阳极氧化处理程度地包含铝的基体的热传导率高，因此即使上述基体的厚度变厚，给热阻带来的影响也较轻微。
本发明的方式6中的发光装置用基板构成为，上述第1绝缘层是玻璃系绝缘体层。
根据上述构成，上述第1绝缘层由绝缘耐压高的玻璃系绝缘体层形成。并且，由于在上述基体上形成上述玻璃系绝缘体层，因此难以出现剥离等。
本发明的方式7中的发光装置用基板构成为，上述第1绝缘层是铝的阳极氧化覆膜。
根据上述构成，上述第1绝缘层由形成上述光反射面时所用的铝的阳极氧化覆膜形成。
因此，能比较容易地形成上述第1绝缘层和上述光反射面。
本发明的方式8中的发光装置用基板构成为，上述第1绝缘层是包含氟树脂、硅酮树脂、环氧树脂以及聚酰亚胺树脂中的至少一者的绝缘层。
根据上述构成，由于上述第1绝缘层由包含绝缘性、耐热性卓越、化学上也稳定、不燃性的氟树脂、硅酮树脂、环氧树脂以及聚酰亚胺树脂中的至少一者的绝缘层形成，因此能实现具备长期可靠性的发光装置用基板。
另外，根据上述构成，由于上述第1绝缘层由能在200℃以下比较低的温度下容易地形成的硅酮树脂所构成的绝缘层形成，因此能防止热对上述由铝构成的基体、或能进行铝的阳极氧化处理程度地包含铝的基体带来的伤害，并能削减制造的成本。
本发明的方式9中的发光装置用基板构成为，上述基体的侧面的至少一部分被陶瓷层、玻璃系绝缘体层、树脂所构成的绝缘体层以及铝的阳极氧化覆膜的任一者覆盖。
根据上述构成，在上述发光装置用基板不经意与周边环境接触的情况下，也能确保上述发光装置用基板的绝缘耐压性。
本发明的方式10中的发光装置用基板构成为，上述玻璃系绝缘体层是包含玻璃质的绝缘层、或是包含玻璃质和陶瓷的绝缘层。
根据上述构成，为了在上述玻璃系绝缘体层中确保需要的绝缘耐压性，至少由包含玻璃质的绝缘层构成。并且，以降低上述玻璃系绝缘体层中的热阻为目的，也能使用使上述玻璃质中包含陶瓷的绝缘层。
另外，作为上述陶瓷，期望不妨碍上述玻璃质的绝缘耐压性、降低热阻的陶瓷。
另外，若被玻璃系绝缘体层覆盖的部分与光反射面分离，则关于混合的陶瓷的光吸收性的有无就没有特别规定。
并且，所谓上述陶瓷，并不限定于金属氧化物。也可以是氮化铝那样金属氧化物以外的更一般的无机固体物，只要是不妨碍上述玻璃质的绝缘耐压性、使热阻降低的稳定的无机固体物即可。
本发明的方式11中的发光装置用基板构成为，上述玻璃系绝缘体层是包含玻璃质的烧结体的绝缘层，或包含玻璃质和陶瓷的烧结体的绝缘层。
根据上述构成，由于上述玻璃系绝缘体层是包含玻璃质的烧结体的绝缘层、或包含玻璃质和陶瓷的烧结体的绝缘层，因此能得到紧贴上述基体、稳定的绝缘体层。
本发明的方式12中的发光装置用基板构成为，上述陶瓷包含由氮化铝、氧化铝、氧化锆以及氧化钛中的至少一者构成的粒子。
根据上述构成，在上述发光装置用基板，能在确保需要的绝缘耐压性的基础上降低热阻。
本发明的方式13中的发光装置构成为，在上述发光装置用基板的上述光反射面侧设置至少1个发光元件，上述发光元件的电极、和形成于上述发光装置用基板的上述电极图案电连接。
根据上述构成，能实现兼具高反射率、高散热性、绝缘耐压性、和长期可靠性、进而在量产性上也卓越的发光装置。
本发明的方式14中的发光装置构成为，在上述光反射面设置多个发光元件，上述发光元件中相邻的发光元件彼此之间的间隔是上述第2绝缘层的厚度的2倍以上。
根据上述构成，能实现热阻低、具有高散热性的发光装置。
本发明的方式15中的发光装置构成为，在上述光反射面设置多个发光元件，上述基体的厚度是上述发光元件中相邻的发光元件彼此之间的间隔的1/2倍以上。
根据上述构成，能实现热阻低、具有高散热性的发光装置。
本发明的方式16中的发光装置构成为，上述发光元件是发光二极管，上述发光二极管被密封树脂被覆。
根据上述构成，能实现具备发光二极管、兼具高反射率、高散热性、绝缘耐压性、和长期可靠性、进而在量产性上也卓越的发光装置。
本发明的方式17中的发光装置构成为，在上述密封树脂中含有荧光体。
根据上述构成，由于在上述密封树脂中含有荧光体，因此能实现能射出所期望颜色的发光装置。
本发明的方式18中的发光装置用基板的制造方法是具备由铝构成的基体、或能进行铝的阳极氧化处理程度地包含铝的基体的发光装置用基板的制造方法，其特征在于，包括：通过上述基体的阳极氧化处理在上述基体的一侧的面形成被铝的阳极氧化覆膜覆盖的光反射面的工序；在上述基体的一侧的面、在未被上述铝的阳极氧化覆膜覆盖的区域(上述光反射面以外的区域)形成第1绝缘层的工序；在上述第1绝缘层上形成导电层的工序；在上述导电层上形成电极图案的工序；至少在与上述基体的一侧的面对置的上述基体的另一侧的面形成第2绝缘层的工序。
根据上述方法，通过使用由铝构成的基体、或能进行铝的阳极氧化处理程度地包含铝的基体，能通过上述基体的阳极氧化处理形成被铝的阳极氧化覆膜覆盖的光反射面。
另外，由于形成于上述基体的一侧的面的上述铝的阳极氧化覆膜对于光和热极其稳定，被上述铝的阳极氧化覆膜覆盖的光反射面能不出现变色等地稳定维持高的光反射率，因此通过使用上述铝的阳极氧化覆膜，能提高长期可靠性。另外，上述铝的阳极氧化覆膜在量产性上也卓越。
并且，通过在与上述基体的一侧的面对置的上述基体的另一侧的面形成第2绝缘层，能确保高散热性和绝缘耐压性。
如以上那样，在用上述方法制造的上述发光装置用基板中，形成上述铝的阳极氧化覆膜的上述基体的一侧的面具有作为光反射面的功能，由与上述基体的一侧的面对置的上述基体的另一侧的面确保高散热性和绝缘耐压性。
另外，上述第1绝缘层由于形成在未被上述基体的上述铝的阳极氧化覆膜覆盖的区域(上述光反射面以外的区域)，因此不会简单地剥离。
因此，通过制造上述发光装置用基板的制造方法，能实现兼具高反射率、高散热性、绝缘耐压性、和长期可靠性、进而在量产性上也卓越的发光装置用基板。
本发明的方式19中的发光装置用基板的制造方法中，在形成上述第2绝缘层的工序中，在与上述基体的一侧的面对置的上述基体的另一侧的面高速喷射陶瓷粒子来使陶瓷层，从而形成上述第2绝缘层。
根据上述方法，由于作为上述第2绝缘层而使用热阻的改善效果高的陶瓷层，因此能实现显著改善了热阻的发光装置用基板。
本发明的方式20中的发光装置用基板的制造方法中，在形成上述第2绝缘层的工序中，在与上述基体的一侧的面对置的上述基体的另一侧的面涂布含有玻璃的原料的涂料，提高温度使其烧结或干燥从而使其玻璃质化，来形成含有上述玻璃质的上述第2绝缘层。
根据上述方法，由于作为上述第2绝缘层而使用热阻的改善效果高的含有玻璃质的绝缘层，因此能实现显著改善了热阻的发光装置用基板。
本发明的方式21中的发光装置用基板的制造方法中，在形成上述第2绝缘层的工序中，在含有上述玻璃的原料的涂料中混合玻璃质的粒子。
根据上述方法，在形成上述第2绝缘层的工序中，由于在通过上述干燥以及烧结而形成的玻璃质中能添加例如二氧化硅粒子作为已经玻璃质化的粒子，因此能实现第2绝缘层的特性稳定的发光装置用基板。
本发明的方式22中的发光装置用基板的制造方法中，在形成上述第2绝缘层的工序中，在含有上述玻璃的原料的涂料混合陶瓷。
根据上述方法，在形成上述第2绝缘层的工序中，由于以降低热阻为目的，使用使上述玻璃质包含陶瓷的绝缘层，因此能实现显著改善了热阻的发光装置用基板。
在本发明的方式23中的发光装置用基板的制造方法中，上述陶瓷包含由氮化铝、氧化铝、氧化锆以及氧化钛中至少一者构成的粒子。
根据上述方法，能实现在确保需要的绝缘耐压性的基础上降低热阻的发光装置用基板。
本发明的方式24中的发光装置用基板的制造方法中，在通过上述基体的一侧的面的阳极氧化处理而形成被铝的阳极氧化覆膜覆盖的上述光反射面的工序进行之前，进行研磨工序，对形成上述光反射面的上述基体的表面的至少一部分进行研磨处理。
根据上述方法，能实现具有高亮度的光反射面的发光装置用基板。
本发明的方式25中的发光装置用基板的制造方法中，上述研磨工序使用抛光研磨法、化学研磨法以及电解研磨法中的至少一者进行。
根据上述方法，能比较容易制造具有高亮度的光反射面的发光装置用基板。
本发明的方式26中的发光装置用基板的制造方法中，在形成上述第1绝缘层的工序、和形成上述第2绝缘层的工序中，使用相同方法来形成上述第1绝缘层和上述第2绝缘层。
根据上述方法，能用更简便的制造方法制造发光装置用基板。
本发明的方式27中的发光装置用基板的制造方法中，通过用上述基体的一侧的面的阳极氧化处理形成被铝的阳极氧化覆膜覆盖的上述光反射面的工序来进行形成上述第1绝缘层的工序。
根据上述方法，能用更简便的制造方法制造发光装置用基板。
本发明的方式28中的发光装置用基板的制造方法中，在形成上述第1绝缘层以及/或者上述第2绝缘层的工序中，在与上述基体的一侧的面对置的上述基体的另一侧的面涂布含有玻璃的原料的涂料，通过溶胶凝胶法使上述玻璃的原料反应而玻璃质化，来形成上述第1绝缘层以及/或者上述第2绝缘层。
根据上述方法，由于能在比较低温下形成由玻璃质构成的绝缘层，因此即使铝那样熔点低到660℃的金属是基体的主成分，也能不使热给上述基体带来伤害地制造发光装置用基板。
本发明的方式29中的发光装置用基板的制造方法中，在形成上述第1绝缘层以及/或者上述第2绝缘层的工序中，用溶胶凝胶法来使上述玻璃的原料反应来形成上述第1绝缘层以及/或者上述第2绝缘层的情况下，包括250℃到500℃的烧结工序。
根据上述方法，由于使用溶胶凝胶法，因此通过在250℃到500℃的温度范围内进行烧结，能制作具备由玻璃质构成的稳定的第1绝缘层以及/或者第2绝缘层的发光装置用基板。
本发明的方式30中的发光装置用基板的制造方法中，在形成上述第2绝缘层的工序中，包含用热喷涂或AD法(气溶胶沉积法)高速喷射上述陶瓷粒子来使陶瓷层沉积的工序。
另外，这时，作为陶瓷粒子的原材料，也可以使用氧化铝、氮化铝等。
根据上述方法，能制作在确保需要的绝缘耐压性的基础上降低热阻的发光装置用基板。
本发明的方式31中的发光装置用基板的制造方法中，在形成上述第1绝缘层的工序、以及形成上述第2绝缘层的工序之后进行形成上述光反射面的工序。
或者，在形成上述第2绝缘层的工序之后进行通过形成上述光反射面的工序来形成上述第1绝缘层的工序。
根据上述方法，能防止裂纹进入到上述铝的阳极氧化覆膜。
若在形成上述铝的阳极氧化覆膜的基础上需要进行至少250℃到500℃的工艺的形成上述第2绝缘层的工序，则在上述铝的阳极氧化覆膜出现裂纹。如此，若在上述铝的阳极氧化覆膜上出现裂纹的状态下进行后工序，则会出现多种问题(例如若进行形成电极图案的镀覆工序，则有在出现裂纹的部分镀覆析出，或者以在裂纹析出的镀覆为要因而电气短路的情况)。
另外，在上述第1绝缘层和上述第2绝缘层、或上述第2绝缘层的形成后进行上述光反射面的形成，在形成上述光反射面的阳极氧化处理中，所述绝缘层对阳极氧化覆膜起到掩模的作用。
本发明的方式32中的发光装置用基板的制造方法中，在形成上述光反射面的工序、形成上述第1绝缘层的工序以及形成上述第2绝缘层的工序之后进行在上述导电层上形成电极图案的工序。
根据上述方法，上述基体的整面在被铝的阳极氧化覆膜、上述第1绝缘层以及上述第2绝缘层覆盖的状态下进行在上述导电层上形成电极图案的工序。
因此，在上述导电层上形成电极图案的工序中，在成为电极图案的基底的导电层以外，能使得镀覆不会析出。
另外，能防止上述基体的镀液所引起的侵蚀。
另外，根据上述方法，不用粘贴、剥下以防止镀液所带来的侵蚀在不需要的部分不使镀覆析出为目的而需要的保护薄片，能节省工夫而实现量产性的提升。
本发明的方式33中的发光装置用基板的制造方法中，在上述第1绝缘层上形成导电层的工序、与在上述导电层上形成电极图案的工序之间，进行形成上述光反射面的工序。
在上述第1绝缘层上形成导电层的工序中，通常使用包含Ag等导电性金属的导电性膏剂，在通过印刷等涂布在基板表面后，使其干燥并硬化。硬化后表面通常被膏剂的粘合剂中所用的树脂等的绝缘性被膜(被覆树脂层)覆盖。为此，在进入到通过镀覆来形成电极图案的工序之前，必须通过蚀刻处理除去覆盖导电层的上述覆膜以确保导电性的基础上进行镀覆处理。
根据上述方法，用形成上述光反射面的工序代替除去覆盖上述导电层的被覆树脂层的工序，能省略1个工序。
在形成上述光反射面的工序中，通常作为处理液，例如使用硫酸水溶液那样的酸性液。为此，通过选择对该酸性液适度溶解的物质作为导电性膏剂用的粘合剂，能同时完成上述被覆树脂层的除去工序和形成上述光反射面的工序，能在刚形成上述光反射面的工序后移转到在上述导电层上形成电极图案的工序。
本发明的方式34中的发光装置用基板的制造方法中，在形成上述光反射面的工序、或通过形成上述光反射面的工序来形成上述第1绝缘层的工序中，包含封孔处理工序。
根据上述方法，由于在形成上述光反射面的工序、或通过形成上述光反射面的工序来形成上述第1绝缘层的工序中包含封孔处理工序，铝的阳极氧化覆膜进一步稳定化，抑制了氧化的推进，能实现更加提升长期可靠性的发光装置用基板。
本发明的方式35中的发光装置用基板的制造方法中，能在使由铝构成的基体、或能进行铝的阳极氧化处理程度地包含铝的基体一体化的状态下将多个发光装置用基板制造到最终阶段、或至少制作到中途阶段后，将上述基体分割，来做出多个单独的发光装置用基板。
根据上述方法，能更有效率地制造发光装置用基板。
本发明的方式36中的发光装置构成为，具备散热片。
根据上述构成，能实现有更高的散热性的发光装置。
另外，本发明并不限定于上述的各实施方式，能在权项所示的范围内进行各种变更，关于将在不同的实施方式分别公开的技术手段适宜组合而得到的实施方式，也包含在本发明的技术的范围中。
产业上的利用可能性
本发明能适当地利用在发光装置用基板、利用该发光装置用基板的发光装置、和制造该发光装置用基板的制造方法中。
标号的说明
1发光装置
2基板(发光装置用基板)
2a基板(发光装置用基板)
2b基板(发光装置用基板)
2c基板(发光装置用基板)
2d基板(发光装置用基板)
2e基板(发光装置用基板)
3正极连接器
4负极连接器
5正极电极图案
6负极电极图案
7发光元件
8引线
9密封树脂
10密封树脂周缘框体
11玻璃系绝缘体层(第1绝缘层)
12耐蚀铝层(铝的阳极氧化覆膜)
13玻璃系绝缘体层/陶瓷绝缘体层(第2绝缘层)
14铝基体(基体)
15基底的电路图案
15a除去被覆树脂层的基底的电路图案
16散热片
17反射器
18铝板
19铝板
20照明装置