技术总结
本发明公开一种硅基薄膜太阳能电池的制造及工艺，属太阳能电池技术领域。本发明的目的解决现有硅基薄膜电池弱光条件下漏电流大，电池表面麻点，脱模等技术难题。本发明的技术特征包括，前电极图形阵列，还包括防漏电的隔离线或前电极边缘的绝缘线，贯通PIN非晶硅层的各种通孔；所说的PIN非晶硅N层的背电极是复合金属背电极或碳浆电极中的一种；前电极图形阵列、相邻节之间的隔离线宽0.3mm~0.6mm，用P层掺杂比小于1%，漏电流明显著减少。背电极引出铜浆电极附着力达到0.6公斤及以上。实施本发明积极效果是极大地提高升了良品率和外观质量，电压稳定，生产成本降低，良品率极大提高，技术创新更加细化。
技术研发人员：李毅
受保护的技术使用者：李毅
文档号码：201510031893
技术研发日：2015.01.21
技术公布日：2017.07.04