技术总结
本发明提供了一种半导体器件的制造方法,包括:提供衬底,所述衬底上依次形成有待加工层、第一掩膜层、第一图形,所述第一图形包括关键尺寸图形;形成第一阻挡层,所述第一阻挡层厚度不超过第一图形中最邻近图形的间距的一半;填充凹槽以形成具有平整表面第二阻挡层,并在表面之上形成第二图形;以第二图形为掩膜进行刻蚀,直至暴露待加工层,在第一掩膜层中形成第一掩膜层图形;以第一掩膜层图形为掩膜对待加工层进行加工。利用本发明提供的方法在套刻容差超过关键尺寸一半时,现有技术中套刻偏差而产生的缝隙,由于第一阻挡层的存在,能保护所述缝隙之下待加工层不受影响,从而能提升套刻的容差,有效的提高了关键图形的均匀性和准确性。
技术研发人员:张利斌;韦亚一;殷华湘
受保护的技术使用者:中国科学院微电子研究所
文档号码:201510325365
技术研发日:2015.06.12
技术公布日:2016.12.21