1.一种高效硅基异质结双面电池，其特征在于：包括：
N型硅片；
在所述N型硅片的正面依序设有第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层、透明导电膜层、金属栅线电极；所述第二本征非晶硅层的电子带隙大于第一本征非晶硅层；
在所述N型硅片的反面依序设有第三本征非晶硅层、N型掺杂非晶硅层、透明导电膜层，金属栅线电极。
2.根据权利要求1所述的高效硅基异质结双面电池，其特征在于：所述第二本征非晶硅膜层的厚度小于1nm，第一本征非晶硅膜层和第三本征非晶硅膜层的厚度分别为5-10nm，所述P型掺杂非晶硅层和N型掺杂非晶硅层的厚度分别为5-10nm，设在N型硅片正面的透明导电膜的厚度为70-110nm，设在N型硅片反面的透明导电膜的厚度为25-110nm。
3.一种高效硅基异质结双面电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一N型硅片；
在第一温度条件下，在N型硅片的正反两面上分别通过化学气相沉积法，沉积第一本征非晶硅膜层和第三本征非晶硅膜层；
在第三本征非晶硅层上沉积N型掺杂非晶硅层；
在第二温度条件下，在第一本征非晶硅膜层上沉积第二本征非晶硅膜层和P型掺杂非晶硅层，所述第二本征非晶硅层的电子带隙大于第一本征非晶硅层；
分别在P型掺杂非晶硅层和N型掺杂非晶硅层上通过PVD磁控溅射沉积透明导电膜；
在N型硅片的正反两面的透明导电膜上形成金属栅线电极。
4.根据权利要求3所述高效硅基异质结双面电池的制备方法，其特征在于：所述在N型硅片的正反两面上分别通过化学气相沉积法沉积第一本征非晶硅膜层和第三本征非晶硅膜层具体为：在第一温度条件下，将N型硅片放置反应腔 中，往反应腔中通入SiH4和H2的混合气体，通过化学气相沉积法在N型硅片的正反两面上依次沉积形成第一本征非晶硅膜层和第三本征非晶硅膜层。
5.根据权利要求3所述高效硅基异质结双面电池的制备方法，其特征在于：所述在第三本征非晶硅层上沉积N型掺杂非晶硅层具体为：将形成第一本征非晶硅膜层和第三本征非晶硅膜层的N型硅片放入第一掺杂腔内，往第一掺杂腔中通入SiH4、H2以及含掺杂剂的气体，由此在第三本征非晶硅层上沉积N型掺杂非晶硅层。
6.根据权利要求3所述高效硅异质结双面电池的制备方法，其特征在于：所述在第一本征非晶硅膜层上沉积第二本征非晶硅膜层和P型掺杂非晶硅层具体为：在第二温度条件下，将在第三本征非晶硅层上形成N型掺杂非晶硅层的N型硅片放入第二掺杂腔内，先在第二掺杂腔内通入SiH4和H2的混合气体，通过化学气相沉积的方法在第一本征非晶硅膜层上沉积第二本征非晶硅膜层后；继续通入SiH4和H2的混合气体，并且同步通入含掺杂剂的气体，在第二本征非晶硅膜层上形成P型掺杂非晶硅层。
7.根据权利要求5或6所述高效硅基异质结双面电池的制备方法，其特征在于：所述掺杂剂为P或B。
8.根据权利要求3所述高效硅基异质结双面电池的制备方法，其特征在于：所述第一温度为150-250℃，所述第一温度比第二温度高至少20℃。
9.一种高效硅基异质结双面电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一N型硅片；
在第一温度条件下，在N型硅片的反面上通过化学气相沉积法分别沉积第三本征非晶硅膜层；
在第三本征非晶硅层上沉积N型掺杂非晶硅层；
在N型硅片的正面上通过化学气相沉积的方法分别沉积第一本征非晶硅膜层；
在第二温度条件下，在第一本征非晶硅膜层上沉积第二本征非晶硅膜层和 P型掺杂非晶硅层；所述第二本征非晶硅层的电子带隙大于第一本征非晶硅层；
分别在P型掺杂非晶硅层和N型掺杂非晶硅层上通过PVD磁控溅射沉积透明导电膜；
在N型硅片的正反两面的透明导电膜上同时形成金属栅线电极。
10.一种高效硅基异质结双面电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一N型硅片；
在第一温度条件下，在N型硅片的正面上通过化学气相沉积法分别沉积第一本征非晶硅膜层；
在第二温度条件下，在第一本征非晶硅膜层上沉积第二本征非晶硅膜层和P型掺杂非晶硅层；所述第二本征非晶硅层的电子带隙大于第一本征非晶硅层；
在N型硅片的反面上通过化学气相沉积的方法分别沉积第三本征非晶硅膜层；
在第三本征非晶硅层上沉积N型掺杂非晶硅层；
分别在P型掺杂非晶硅层和N型掺杂非晶硅层上通过PVD磁控溅射沉积的方式形成透明导电膜；
在N型硅片的正反两面的透明导电膜上同时形成金属栅线电极。