技术总结
本发明公开了一种高效硅基异质结双面电池及其制备方法，其中所述一种高效硅基异质结双面电池，包括：N型硅片；在所述N型硅片的正面依序设有第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层、透明导电膜层、金属栅线电极；所述第二本征非晶硅层的电子带隙大于第一本征非晶硅层；在所述N型硅片的反面依序设有第三本征非晶硅层、N型掺杂非晶硅层、透明导电膜层，金属栅线电极。本发明通过的第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层分别在不同的腔室内制备完成，第一本征非晶硅层的制备温度比第二本征非晶硅层的制备温度高，从而使得第二本征非晶硅层具有相对较宽的电子带隙，其对应于晶体硅的禁带宽度，因此可作为阻挡层利用带宽的差异阻挡电子扩散到发射极，减少了电子与空穴的复合，从而提高了电池片的电学性能。
技术研发人员：杨与胜;王树林;宋广华;庄辉虎
受保护的技术使用者：钧石(中国)能源有限公司
文档号码：201510474317
技术研发日：2015.08.05
技术公布日：2017.02.22