1.一种环栅场效应管的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底包括沿第一方向依次排列的第一区域、第二区域和第三区域，所述第二区域包括中间区和位于中间区两侧的外围区，其中，所述中间区和外围区的排列方向与所述第一方向平行；
依次形成位于所述衬底表面的缓冲层、以及位于第二区域缓冲层表面的若干平行排列的牺牲层，且所述牺牲层的排列方向与所述第一方向相互垂直；
依次形成位于所述缓冲层表面的沟道层、以及位于所述沟道层表面的半导体掺杂层，所述沟道层覆盖所述牺牲层的部分侧壁表面，所述半导体掺杂层覆盖所述牺牲层的部分侧壁表面；
去除所述中间区的半导体掺杂层，保留所述外围区、第一区域和第三区域的半导体掺杂层；
去除所述牺牲层，暴露出所述缓冲层顶部表面；
刻蚀去除所述第二区域的缓冲层，直至暴露出衬底表面；
在所述暴露出的衬底表面形成覆盖剩余缓冲层侧壁表面的栅极结构，所述栅极结构环绕所述第二区域的沟道层，所述栅极结构还覆盖外围区的半导体掺杂层表面。
2.如权利要求1所述的环栅场效应管的形成方法，其特征在于，在刻蚀去除所述第二区域的缓冲层的同时，还刻蚀去除第一区域部分宽度的缓冲层以及第三区域部分宽度的缓冲层。
3.如权利要求2所述的环栅场效应管的形成方法，其特征在于，所述栅极结构还覆盖第一区域部分半导体掺杂层表面以及第三区域部分半导体掺杂层表面。
4.如权利要求1或3所述的环栅场效应管的形成方法，其特征在于，位于所述衬底表面的栅极结构侧壁与位于所述半导体掺杂层顶部表面的栅极结构侧壁齐平。
5.如权利要求1所述的环栅场效应管的形成方法，其特征在于，所述衬底为InP衬底；所述缓冲层的材料为InP。
6.如权利要求1所述的环栅场效应管的形成方法，其特征在于，所述沟道层的材料为III-V族元素化合物材料。
7.如权利要求6所述的环栅场效应管的形成方法，其特征在于，所述III-V族元素化合物材料为InGaAs、GaAs、InAs或InSb。
8.如权利要求1所述的环栅场效应管的形成方法，其特征在于，采用金属有机气相外延工艺形成所述沟道层；采用金属有机气相外延工艺形成所述半导体掺杂层。
9.如权利要求1所述的环栅场效应管的形成方法，其特征在于，所述半导体掺杂层的材料为N型掺杂的InGaAs；或者，所述半导体掺杂层的材料为P型掺杂的InGaAs。
10.如权利要求1所述的环栅场效应管的形成方法，其特征在于，所述缓冲层的厚度为10埃至50埃，所述沟道层的厚度为10埃至300埃，所述半导体掺杂层的厚度为10埃至100埃。
11.如权利要求1所述的环栅场效应管的形成方法，其特征在于，在所述沟道层与所述半导体掺杂层之间还形成有刻蚀阻挡层。
12.如权利要求11所述的环栅场效应管的形成方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料为InP。
13.如权利要求1所述的环栅场效应管的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为金属有机材料。
14.如权利要求13所述的环栅场效应管的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为环烷酸锆、环烷酸镍、环烷酸钨或环烷酸钛。
15.如权利要求13所述的环栅场效应管的形成方法，其特征在于，在形成所述沟道层之前，还包括步骤：对所述牺牲层进行氢化处理，减小牺牲层的线边缘粗糙度。
16.如权利要求15所述的环栅场效应管的形成方法，其特征在于，所述氢化处理的工艺参数包括：H2流量为100sccm至1000sccm，腔室压强为0.1atm至2atm，腔室温度为100摄氏度至1000摄氏度，处理时长为10分钟至5 小时。
17.如权利要求1所述的环栅场效应管的形成方法，其特征在于，去除所述中间区的半导体掺杂层的工艺步骤包括：在所述第一区域和第三区域的半导体掺杂层顶部表面形成图形层，且所述图形层还位于外围区的半导体掺杂层顶部表面；以所述图形层为掩膜，刻蚀去除所述中间区的半导体掺杂层；去除所述图形层。
18.如权利要求1所述的环栅场效应管的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括：栅介质层以及位于栅介质层表面的栅电极层。
19.如权利要求18所述的环栅场效应管的形成方法，其特征在于，所述栅介质层的材料为氧化硅、氮化硅或高k栅介质材料。
20.如权利要求18所述的环栅场效应管的形成方法，其特征在于，所述栅电极层的材料为Al、Cu、Ag、Au、Pt、Ni、Ti、TiN、TaN、Ta、TaC、TaSiN、W、WN或WSi。