技术总结
一种环栅场效应管的形成方法，包括：提供包括第一区域、第二区域和第三区域的衬底；依次形成位于衬底表面的缓冲层、以及位于第二区域缓冲层表面的若干平行排列的牺牲层，所述牺牲层的排列方向与第一区域、第二区域和第三区域的排列方向相互垂直；依次形成位于缓冲层表面的沟道层、以及位于沟道层表面的半导体掺杂层；去除所述中间区的半导体掺杂层；去除所述牺牲层，暴露出所述缓冲层顶部表面；刻蚀去除所述第二区域的缓冲层，直至暴露出衬底表面；在所述暴露出的衬底表面形成覆盖剩余缓冲层侧壁表面的栅极结构，栅极结构环绕所述第二区域的沟道层，栅极结构还覆盖外围区的半导体掺杂层表面。本发明改善了形成的环栅场效应管的电学性能。
技术研发人员：张海洋
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
文档号码：201510532178
技术研发日：2015.08.26
技术公布日：2017.03.08