电感器以及电感器的制造方法与流程

本发明涉及电感器以及电感器的制造方法。

背景技术：

近年来，游戏机或移动电话等电子设备的小型化逐渐加速，伴随这样的小型化，在这样的电子设备上搭载的电感器等各种元件小型化的要求也更高。作为在这样的电子设备上搭载的电感器，例如已知有采用了绕线线圈的电感器。采用了绕线线圈的电感器例如被用于电子设备的电源电路(例如参照日本特开2003-168610号公报)。

采用绕线线圈的电感器的小型化的极限被认为是1.6mm×1.6mm左右的平面形状。这是因为绕线粗度存在极限。如果电感器小于此尺寸，绕线的体积与电感器的总面积之比会降低，从而不能提高电感。因此，期待一种能易于实现小型化的电感器的开发。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种能够小型化的电感器以及电感器的制造方法

本发明的一个方式为电感器。该电感器具备：层积体，其包括层积的多个结构体，各个结构体包括布线和形成在该布线上的绝缘层，并且通过在所述层积体的层积方向相邻的所述结构体的所述布线彼此串联连接，从而形成螺旋状线圈；第1贯穿孔，其沿所述层积方向贯穿所述层积体；以及多个第1单个绝缘膜，其将露出于所述层积体的表面的所述布线的表面覆盖且相互分离。

本发明的其他方式为电感器的制造方法。该制造方法包括如下步骤：

准备多个结构体，各个结构体具有金属层和形成在该金属层上的绝缘层；通过将所述多个结构体的所述金属层彼此串联连接的同时，依次层积所述多个结构体，从而形成层积体；通过成形所述层积体，并将所述多个结构体的所述金属层加工成多个布线的形状，从而由串联连接的所述多个布线形成螺旋状线圈；以及通过使用电沉积法来形成多个第1单个绝缘膜，该第1单个绝缘膜将露出于所述层积体的表面的所述多个布线的表面覆盖且相互分离。

根据本发明，能够小型化电感器。

附图说明

图1是示出第1实施方式的线圈基板的概要俯视图。

图2是示出图1的线圈基板的局部的放大俯视图。

图3是沿图2的3-3线的线圈基板的概要截面图。

图4是沿图2的4-4线的单位线圈基板的概要截面图。

图5是单位线圈基板的层积体的分解立体图。

图6是单位线圈基板的层积体的分解立体图。

图7是示出单位线圈基板的布线结构的概要立体图。

图8A是示出单片化后的单位线圈基板的概要截面图。

图8B是示出使用单位线圈基板的电感器的概要截面图。

图9是示出图1的线圈基板的制造方法的概要俯视图。

图10A是示出线圈基板的制造方法的、沿图10B的10a-10a线的概要截面图。

图10B是示出线圈基板的制造方法的概要俯视图。

图11A、图11B是示出线圈基板的制造方法的、沿图11C的11b-11b线的概要截面图。

图11C是示出线圈基板的制造方法的概要俯视图。

图12A是示出线圈基板的制造方法的、沿图12C的12a-12a线的概要截面图。

图12B是示出线圈基板的制造方法的、沿图12C的12b-12b线的概要截面图。

图12C是示出线圈基板的制造方法的概要俯视图。

图13A-图13C是示出线圈基板的制造方法的概要截面图。

图14A、图14B是示出线圈基板的制造方法的概要截面图。

图15A是示出线圈基板的制造方法的、沿图15B的15a-15a线的概要截面图。

图15B是示出线圈基板的制造方法的概要俯视图。

图16A-图16C是示出线圈基板的制造方法的概要截面图。

图17A是示出线圈基板的制造方法的、沿图17B的17a-17a线的概要截面图。

图17B是示出线圈基板的制造方法的概要俯视图。

图18A、图18B是示出线圈基板的制造方法的概要截面图。

图19A是示出线圈基板的制造方法的、沿图19B的19a-19a线的概要截面图。

图19B是示出线圈基板的制造方法的概要俯视图。

图20A、20B是示出线圈基板的制造方法的概要截面图。

图21A是示出线圈基板的制造方法的、沿图21B的21a-21a线的概要截面图。

图21B是示出线圈基板的制造方法的概要俯视图。

图22A、图22B是示出线圈基板的制造方法的概要截面图。

图23A是示出线圈基板的制造方法的、沿图23C的23a-23a线的概要截面图。

图23B是示出线圈基板的制造方法的、沿图23C的23b-23b线的概要截面图。

图23C是示出线圈基板的制造方法的概要俯视图。

图24A、图24B是示出线圈基板的制造方法的概要截面图。

图25A、图25B是示出线圈基板的制造方法的概要截面图。

图26A、图26B是示出线圈基板的制造方法的概要俯视图。

图27是示出成形前的金属层的概要立体图。

图28A是示出线圈基板的制造方法的、沿图28B的28a-28a线的概要截面图。

图28B是示出线圈基板的制造方法的概要俯视图。

图29是示出线圈基板的制造方法的概要俯视图。

图30A是示出线圈基板的制造方法的、沿图29的30a-30a线的概要截面图。

图30B是示出图8B的电感器的制造方法的概要截面图。

图31A、图31B是示出图8B的电感器的制造方法的概要截面图。

图32是示出各种変形例的电感器的概要截面图。

图33是示出各种変形例的电感器的概要截面图。

图34是示出第2实施方式中的电感器的概要截面图。

图35A-图35C是示出图34的电感器的制造方法的概要截面图。

图36A、图36B是示出图34的电感器的制造方法的概要截面图。

图37A、图37B是示出图34的电感器的制造方法的概要截面图。

图38是示出图34的电感器的制造方法的概要截面图。

图39是示出第3实施方式的电感器的概要截面图。

图40A是示出图39的电感器的制造方法的、沿图40C的40a-40a线的概要截面图。

图40B是示出电感器的制造方法的、沿图40C的40b-40b线的概要截面图。

图40C是示出电感器的制造方法的概要俯视图。

图41A是示出电感器的制造方法的概要截面图。

图41B是示出电感器的制造方法的、沿图41C的41b-41b线的概要截面图。

图41C是示出电感器的制造方法的概要俯视图。

图42A-图42D是示出电感器的制造方法的概要截面图。

图43A、图43B是示出电感器的制造方法的概要截面图。

图44A、图44B是示出电感器的制造方法的概要截面图。

图45A、图45B是示出电感器的制造方法的概要截面图。

图46是示出第3实施方式的各种变形例的概要截面图。

图47是示出第3实施方式的各种变形例的概要截面图。。

图48是示出第4实施方式的电感器的、沿图49的48-48线的概要截面图。

图49是示出图48的电感器的层积体的概要俯视图。

图50A、图50B是示出图48的电感器的制造方法的概要截面图。

图51A是示出电感器的制造方法的概要俯视图。

图51B是示出电感器的制造方法的概要截面图。

图52是示出第4实施方式的各种变形例的电感器的概要截面图。

图53是示出第4实施方式的各种变形例的电感器的概要截面图。

附图标记说明

10…线圈基板、11…区块、12…连结部、13…外框、13X…定位孔、20…线圈基板、20X…贯穿孔、23，23A-23D…层积体、23X…贯穿孔、25，25C，25D…绝缘膜、30…基板、41-47…结构体、51-57…绝缘层、52X-57X，52Y-56Y…贯穿孔、61-67…布线、61A，67A…连接部、61Y，61Z…槽部、61E-67E…金属层、62X-67X…贯穿孔、71-76…粘合层、72X-76X…贯穿孔、90，90A-90D…电感器、91…封固树脂、92，93…电极、101-107…支承膜、V1-V8…通孔布线、A1…单个区域。

具体实施方式

以下，参照附图对各实施方式进行说明。另外，为了便于弄清楚特征，附图为了方便会有将成为特征的部分扩大示出的情况，各个构成要素的尺寸比等并不限定为与实际相同。并且，在截面图中，为了便于弄清楚各个部件的截面结构，一部分部件的剖面线用梨皮花纹示出，并省略一部分部件的剖面线。

(第1实施方式)

以下，根据图1-图31对第1实施方式进行说明。

首先，对线圈基板10的结构进行说明。

如图1所示，线圈基板10被形成为例如在俯视时呈大致矩形。 线圈基板10包括区块11、以及从区块11向外侧突出的两个外框13。区块11被形成为例如在俯视时呈大致矩形。在区块11上以矩阵状(在此为2行×6列)设置有多个单个区域A1。在此，区块11最终沿虚线(各单个区域A1)被切断，而被单片化为各个单位线圈基板20(以下，简称为线圈基板20)。也就是说，区块11包括作为各个线圈基板20使用的多个单个区域A1。

多个单个区域A1可以如图1示出的那样隔着预定的间隔排列，或者也可以以相互连接的方式排列。并且，在图1示出的例子中，区块11虽然具有12个单个区域A1，但是单个区域A1的数量并不特别限定。

区块11包括将多个线圈基板20连结的连结部12。换句话来讲，连结部12以包围多个线圈基板20的方式支承多个线圈基板20。

外框13例如被形成在线圈基板10的两端区域。外框13例如从区块11的短边向外侧突出。在该外框13上形成有多个定位孔(sprocket hole)13X。多个定位孔13X例如沿线圈基板10的宽度方向(图1中的上下方向)以大致一定间隔连续地配置。各个定位孔13X例如在俯视时呈大致矩形。定位孔13X是用于搬送线圈基板10的贯穿孔，通过在线圈基板10被安装到制造装置上时与由电动机等驱动的定位销进行啮合，而以定位孔13X之间的间距搬送线圈基板10。因此，相邻的定位孔13X的间隔以与线圈基板10被安装的制造装置相对应地设定。另外，线圈基板10之中的单个区域A1以外的部分(也就是说，连结部12以及外框13)在将线圈基板10单片化为线圈基板20后被废弃。

接着，按照图2-图7对各个线圈基板20的结构进行说明。

如图2所示，各单个区域A1的线圈基板20被形成为例如在俯视时呈大致长方形状。例如，线圈基板20的平面形状为角部被进行了倒角加工的长方形。线圈基板20包括突出部21、22，该突出部21、22从长方形的短边向外侧(图2中上侧以及下侧)突出。但是，线圈基板20的平面形状并不仅限于图2示出的形状，也可以形成为任意的形状。并且，线圈基板20的平面形状也可以形成为任意的大 小。例如，线圈基板20的平面形状可以形成为在用线圈基板20制造图8B示出的电感器90时，使该电感器90的平面形状为1.6mm×0.8mm左右的大致矩形的大小。线圈基板20的厚度设为例如0.5mm左右。

在线圈基板20的俯视图中的大致中央部上形成有贯穿孔20X。贯穿孔20X沿厚度方向贯穿线圈基板20。贯穿孔20X的平面形状可以形成为任意的形状以及任意的大小。例如，贯穿孔20X的平面形状可形成为大致椭圆形状或大致长圆形状。

在线圈基板20和连结部12之间形成有开口部20Y，该开口部20Y划定该线圈基板20。开口部20Y沿厚度方向贯穿线圈基板10。

如图3以及4所示，线圈基板20大致包括层积体23、以及覆盖该层积体23的表面的绝缘膜25。层积体23包括基板30、被层积在基板30的下表面30A上的结构体41、以及被依次层积在基板30的上表面30B上的结构体42-47。

层积体23的平面形状实质上与线圈基板20的平面形状相同。例如，层积体23的平面形状比线圈基板20的平面形状小与绝缘膜25相对应的量。在俯视时层积体23的大致中央部上形成有贯穿孔23X，该贯穿孔23X沿厚度方向贯穿层积体23。贯穿孔23X的平面形状例如与贯穿孔20X的平面形状同样地，可以形成为大致椭圆形状或者大致长圆形状。

在层积体23中，在基板30的上表面30B上隔着粘合层71层积有结构体42。在结构体42上隔着粘合层72层积有结构体43。在结构体43上隔着粘合层73层积有结构体44。在结构体44上隔着粘合层74层积有结构体45。在结构体45上隔着粘合层75层积有结构体46。在结构体46上隔着粘合层76层积有结构体47。

在此，作为粘合层71-76，例如可以采用绝缘性树脂制的耐热性粘合剂。例如，环氧树脂类粘合剂被用于粘合层71-76。粘合层71-76的厚度例如可以形成为12-35μm左右。

如图4所示，结构体41包括绝缘层51、布线61、连接部61A、以及金属层61D。结构体42包括绝缘层52、布线62、以及金属层 62D。结构体43包括绝缘层53、布线63、以及金属层63D。结构体44包括绝缘层54、布线64、金属层64D。结构体45包括绝缘层55、布线65、以及金属层65D。结构体46包括绝缘层56、布线66、以及金属层66D。结构体47包括绝缘层57、布线67、连接部67A、以及金属层67D。

在此，作为绝缘层51-57的材料，例如可以采用以环氧类树脂作为主要成分的绝缘性树脂。或者，作为绝缘层51-57的材料，例如可以采用以热固性树脂作为主要成分的绝缘性树脂。而且，绝缘层51-57也可以含有例如二氧化硅或氧化铝等填充物。另外，绝缘层51-57的热膨胀系数例如可以为50-120ppm/℃左右。绝缘层51-57的厚度例如可以设定为12-20μm左右。

布线61是最下层的布线。作为最下层的布线61、连接部61A、以及金属层61D的材料，例如优选为与绝缘膜25的密合性比基板30更高的金属材料。例如，作为布线61、连接部61A、以及金属层61D的材料可以采用铜(Cu)或铜合金。同样地，作为布线62-67、连接部67A、以及金属层62D-67D的材料，例如可以采用铜或铜合金。布线61-67、连接部61A，67A、以及金属层61D-67D的厚度例如可以设定为12-35μm左右。

作为基板30，例如可以采用薄板状的绝缘基板。作为基板30的材料，例如可以采用绝缘性树脂。该绝缘性树脂优选调整为基板30的热膨胀系数比绝缘层51-57的热膨胀系数低。例如，基板30的热膨胀系数被设定为10-25ppm/℃左右。并且，作为基板30的材料，例如优选为具有优越的耐热性的材料。而且，作为基板30的材料，优选为具有比绝缘层51-57更高的弹性模数的材料。作为这样的基板30，例如可以采用聚酰亚胺(PI)膜或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)膜等的树脂膜。例如作为基板30，可以适当地采用热膨胀系数低的聚酰亚胺膜。例如，基板30的厚度被设定为厚于绝缘层51-57的厚度。例如，基板30的厚度可以设定为12-50μm左右。这样的基板30具有比绝缘层51-57更高的刚性。

如图4以及5所示，在基板30上形成有贯穿孔30X，该贯穿孔 30X沿厚度方向贯穿基板30。贯穿孔30X的平面形状可以设定为任意的形状以及任意的大小。例如，贯穿孔30X的平面形状可以设定成直径为200-300μm左右的圆形状。

接着，对结构体41的结构进行说明。

绝缘层51被层积在基板30的下表面30A上。在绝缘层51上形成有贯穿孔51X，该贯穿孔51X沿厚度方向贯穿绝缘层51。贯穿孔51X与基板30的贯穿孔30X连通。也就是说，贯穿孔51X被形成于在俯视时与贯穿孔30X重叠的位置。贯穿孔51X的平面形状可以设定为任意的形状以及任意的大小。例如，贯穿孔51X的平面形状与贯穿孔30X同样地，可以设定成直径为200-300μm左右的圆形状。

在相互连通的贯穿孔30X，51X内局部地形成有通孔布线(via wire)V1。在本例中，贯穿孔51X和贯穿孔30X的一部分用通孔布线V1填充。并且，在本例中，通孔布线V1在基板30的厚度方向上从布线61的上表面延伸到贯穿孔30X的中途位置。因此，贯穿孔30X的上侧内侧面从通孔布线V1露出。通孔布线V1与布线61电连接。通孔布线V1的平面形状可以设定为任意的形状以及任意的大小。例如，通孔布线V1的平面形状与贯穿孔30X，51X同样地，可以设定成直径为200-300μm左右的圆形状。

布线61、连接部61A、以及金属层61D被层积在绝缘层51的下表面。布线61、连接部61A、以及金属层61D位于层积体23的最下层。布线61的宽度例如可以形成为100-200μm左右。布线61为被形成在线圈基板20内的螺旋状线圈的一部分、且作为线圈的第1层布线(大致1圈)而设置。在以下的说明中，将沿线圈的螺旋的方向设为各个布线的长度方向，将在俯视时与该长度方向正交的方向设为各个布线的宽度方向。

如图5所示，布线61的平面形状为大致椭圆形状。在布线61的所需部分形成有槽部61Y，该槽部61Y沿厚度方向贯穿布线61。也就是说，布线61通过槽部61Y在宽度方向被切断，而形成为非环状。

连接部61A被形成在布线61的一个端部上。连接部61A被形成在与线圈基板20的突出部21(参照图2)相对应的位置。连接部61A与布线61一体形成。换句话来讲，连接部61A是布线61的一部分。如图4所示，连接部61A与被形成在连结部12(参照图3)上的金属层81电连接。金属层81例如为电镀供电用的供电线。连接部61A在单片化后的线圈基板20的侧面20A(参照图8A)上从绝缘膜25露出。该连接部61A被连接在电感器90(参照图8B)的电极92。

金属层61D与布线61隔开。也就是说，在金属层61D和布线61之间形成有槽部61Z。因此，金属层61D通过槽部61Z而与布线61电气地绝缘。金属层61D例如是为了降低被形成在结构体41上的导电层(布线61、连接部61A以及金属层61D)的形状与被形成在其他结构体上的导电层(例如、布线67、连接部67A以及金属层67D)的形状之差，而设置的虚拟图案。金属层61D被形成在与线圈基板20的突出部22(参照图2)相对应的位置。在本例中，金属层61D被设置于在俯视时与被形成在线圈基板20的最上层的结构体47上的连接部67A重叠的位置。金属层61D为在单片化后的线圈基板20上没有与其他的布线或金属层电连接的、电气地隔离的(不固定的(floating))部位。

接着，对被层积在基板30的上表面30B上的结构体的结构进行说明。

如图4所示，在基板30的上表面30B上层积有粘合层71。粘合层71覆盖从通孔布线V1露出的、贯穿孔30X的上侧内侧面。这样，粘合层71被形成在基板30的上表面30B上，并被形成在贯穿孔30X内。在粘合层71上形成有贯穿孔71X，该贯穿孔71X沿厚度方向贯穿粘合层71，而使通孔布线V1的上表面的一部分露出。贯穿孔71X从粘合层71的上表面贯穿到被形成在贯穿孔30X内的粘合层71的下表面。也就是说，贯穿孔71X与贯穿孔30X的一部分连通，并且贯穿孔71X的一部分被形成在贯穿孔30X内。贯穿孔71X的平面形状可以形成为任意的形状以及任意的大小。但是，贯穿孔71X的平面形状小于贯穿孔30X的平面形状。例如，贯穿孔71X 的平面形状可以设定成直径为140-180μm左右的圆形状。

结构体42隔着粘合层71层积在基板30的上表面30B上。布线62以及金属层62D层积在粘合层71上。如图5所示，布线62被形成为在俯视时大致呈C字状。布线62为螺旋状线圈的一部分，且作为线圈的第2层布线(大致3/4圈)而设置。

在布线62上形成有贯穿孔62X，该贯穿孔62X沿厚度方向贯穿布线62，而与粘合层71的贯穿孔71X连通。贯穿孔62X的平面形状可以形成为任意的形状以及任意的大小。但是，贯穿孔62X的平面形状小于贯穿孔30X的平面形状。例如，贯穿孔62X的平面形状可以设定成直径为140-180μm左右的圆形状。

金属层62D为与金属层61D同样的虚拟图案。例如，金属层62D包括3个金属层部位。3个金属层部位中的2个通过槽部62Z而从布线62隔开，并被形成于在俯视时与连接部61A，67A(参照图6)重叠的位置。金属层62D的剩下的金属层部位通过槽部62Y而从布线62隔开，并被形成于在俯视时与布线61的一部分重叠的位置。

如图4所示，布线62以及金属层62D的各自的侧面的一部分被粘合层71覆盖。在本例中，利用粘合层71将图5示出的槽部62Y，62Z填充。

绝缘层52以覆盖布线62以及金属层62D的各自的上表面的方式层积在粘合层71上。在绝缘层52上形成有贯穿孔52X，该贯穿孔52X沿厚度方向贯穿绝缘层52，而与贯穿孔62X，71X连通。贯穿孔52X使位于贯穿孔62X的周围的布线62的上表面露出。因此，贯穿孔52X的平面形状大于贯穿孔62X，71X的平面形状。例如，贯穿孔52X的平面形状可以设定成直径为200-300μm左右的圆形状。

在相互连通的贯穿孔52X，62X，71X内形成有通孔布线V2。例如，通孔布线V2被形成在从贯穿孔71X露出的通孔布线V1上，贯穿孔52X，62X，71X全部被通孔布线V2填充。因此，通孔布线V2被形成为在截面视时大致呈T字状。通孔布线V2与划定贯穿孔62X的内侧面的布线62连接。并且，通孔布线V2也与位于贯穿孔62X的周围的布线62的上表面连接。通孔布线V1，V2作为将布线 61(第1层布线)和布线62(第2层布线)串联连接的贯穿电极而设置。通孔布线V1，V2(贯穿电极)贯穿绝缘层51、基板30、粘合层71、布线62以及绝缘层52。

在绝缘层52上形成有贯穿孔52Y，该贯穿孔52Y沿厚度方向贯穿绝缘层52，而使布线62的上表面的一部分露出。贯穿孔52Y的平面形状可以形成为任意的形状以及任意的大小。例如，贯穿孔52Y的平面形状可以设定成直径为200-300μm左右的圆形状。

在绝缘层52上层积有粘合层72。在粘合层72上层积有结构体43。因此，布线63以及金属层63D被层积在粘合层72上。

如图5所示，布线63被形成为在俯视时大致呈椭圆形状。在布线63的所需部分上形成有槽部63Y，该槽部63Y沿厚度方向贯穿布线63。也就是说，布线63通过槽部63Y在宽度方向被切断，而被形成为非环状。布线63为螺旋状线圈的一部分、且作为线圈的第3层布线(大致1圈)而设置。

金属层63D为与金属层61D同样的虚拟图案。例如，金属层63D包括2个金属层部位。上述2个金属层部位通过槽部63Z而从布线63隔开，并被形成于在俯视时与连接部61A，67A(参照图6)重叠的位置。

如图4所示，粘合层72局部地形成在贯穿孔52Y内，并覆盖贯穿孔52Y的内侧面。并且，粘合层72分别覆盖布线63以及金属层63D的侧面的一部分。在本例中，图5示出的槽部63Y，63Z被粘合层72填充。

在粘合层72形成有贯穿孔72X，该贯穿孔72X沿厚度方向贯穿粘合层72，而使布线62的上表面的一部分露出。贯穿孔72X从粘合层72的上表面贯穿到被形成在贯穿孔52Y内的粘合层72的下表面。也就是说，贯穿孔72X的一部分位于贯穿孔52Y内。

在布线63上形成有贯穿孔63X，该贯穿孔63X沿厚度方向贯穿布线63，而与贯穿孔72X连通。贯穿孔63X，72X的平面形状可以形成为任意的形状以及任意的大小。但是，贯穿孔63X，72X的平面形状小于贯穿孔52Y的平面形状。例如，贯穿孔63X，72X的 平面形状可以设定成直径为140-180μm左右的圆形状。

绝缘层53以覆盖布线63以及金属层63D各自的上表面的方式层积在粘合层72上。在绝缘层53上形成有贯穿孔53X，该贯穿孔53X沿厚度方向贯穿绝缘层53，而与贯穿孔63X，72X连通。贯穿孔53X使位于贯穿孔63X的周围的布线63的上表面露出。因此，贯穿孔53X的平面形状大于贯穿孔63X，72X的平面形状。例如，贯穿孔53X的平面形状可以设定成直径为200-300μm左右的圆形状。

在相互连通的贯穿孔53X，63X，72X内形成有通孔布线V3。例如，通孔布线V3被形成在从贯穿孔72X露出的布线62上，并且贯穿孔53X，63X，72X被通孔布线V3填充。因此，通孔布线V3被形成为在截面视时大致呈T字状。通孔布线V3与划定贯穿孔63X的内侧面的布线63连接。并且，通孔布线V3也与位于贯穿孔63X的周围的布线63的上表面连接。通孔布线V3作为将布线62(第2层布线)和布线63(第3层布线)串联连接的贯穿电极而设置。通孔布线V3(贯穿电极)贯穿结构体42的绝缘层52、粘合层72、结构体43的布线63以及绝缘层53。

如图5所示，在绝缘层53形成有贯穿孔53Y，该贯穿孔53Y沿厚度方向贯穿绝缘层53，而使布线63的上表面的一部分露出。贯穿孔53Y的平面形状可以形成为任意的形状以及任意的大小。例如，贯穿孔53Y的平面形状可以设定成直径为200-300μm左右的圆形状。

在绝缘层53上层积有粘合层73。在粘合层73上层积有结构体44。因此，布线64以及金属层64D层积在粘合层73上。绝缘层54以覆盖布线64以及金属层64D的各自的上表面的方式层积在粘合层73上。结构体44具有与结构体42相同的结构，结构体44相当于例如将结构体42以绝缘层52的上表面的法线为轴旋转180度的结构。

布线64被形成为在俯视时大致呈C字状。布线64为螺旋状线圈的一部分，并作为线圈的第4层布线(大致3/4圈)而设置。金属层64D为与金属层62D同样的虚拟图案。例如，金属层64D通过槽部 64Y或者槽部64Z而从布线64隔开。

粘合层73与粘合层72同样地，覆盖贯穿孔53Y的内侧面。并且，粘合层73覆盖布线64以及金属层64D各自的侧面的一部分。在本例中，槽部64Y，64Z用粘合层73填充。在粘合层73上形成有贯穿孔73X，该贯穿孔73X沿厚度方向贯穿粘合层73，而使布线63的上表面的一部分露出。贯穿孔73X被形成于在俯视时与贯穿孔53Y重叠的位置，并且贯穿孔73X的一部分位于贯穿孔53Y内。

在布线64上形成有贯穿孔64X，该贯穿孔64X沿厚度方向贯穿布线64，而与贯穿孔73X连通。贯穿孔64X，73X的平面形状小于贯穿孔53Y的平面形状。

在绝缘层54上形成有贯穿孔54X，该贯穿孔54X沿厚度方向贯穿绝缘层54，而与贯穿孔64X，73X连通。贯穿孔54X的平面形状大于贯穿孔64X，73X的平面形状。并且，在绝缘层54上形成有贯穿孔54Y，该贯穿孔54Y沿厚度方向贯穿绝缘层54，而使布线64的上表面的一部分露出。

在相互连通的贯穿孔54X，64X，73X内形成有通孔布线V4(参照图7)。例如，通孔布线V4被形成在从贯穿孔73X露出的布线63上，并且贯穿孔54X，64X，73X全部被通孔布线V4填充。通孔布线V4作为将布线63(第3层布线)和布线64(第4层布线)串联连接的贯穿电极而设置。通孔布线V4(贯穿电极)贯穿结构体43的绝缘层53、粘合层73、结构体44的布线64以及绝缘层54。

如图4所示，在绝缘层54上层积有粘合层74。在粘合层74上层积有结构体45。因此，布线65以及金属层65D层积在粘合层74上。绝缘层55以覆盖布线65以及金属层65D各自的上表面的方式层积在粘合层74上。如图5以及6所示，结构体45具有与结构体43相同的结构，且相当于将结构体43以绝缘层53的上表面的法线为轴旋转180度的结构。

如图6所示，布线65被形成为在俯视时大致呈椭圆形状。在布线65的所需部分上形成有槽部65Y，该槽部65Y沿厚度方向贯穿布线65。也就是说，布线65通过槽部65Y在宽度方向被切断，而 形成为非环状。布线65为螺旋状线圈的一部分，并作为线圈的第5层布线(大致1圈)而设置。金属层65D为与金属层61D(参照图5)同样的虚拟图案，并通过槽部65Z而从布线65隔开。

粘合层74与粘合层72(参照图4)同样地，覆盖贯穿孔54Y的内侧面。并且，粘合层74覆盖布线65以及金属层65D的各自的侧面的一部分。在本例中，槽部65Y，65Z被粘合层74填充。在粘合层74上形成有贯穿孔74X，该贯穿孔74X沿厚度方向贯穿粘合层74，而使布线64(参照图5)的上表面的一部分露出。贯穿孔74X被形成于在俯视时与贯穿孔54Y重叠的位置，并且贯穿孔74X的一部分位于贯穿孔54Y内。

在布线65上形成有贯穿孔65X，该贯穿孔65X沿厚度方向贯穿布线65，而与贯穿孔74X连通。贯穿孔65X，74X的平面形状小于贯穿孔54Y的平面形状。

在绝缘层55上形成有贯穿孔55X，该贯穿孔55X沿厚度方向贯穿绝缘层55，而与贯穿孔65X，74X连通。贯穿孔55X的平面形状大于贯穿孔65X，74X的平面形状。并且，在绝缘层55上形成有贯穿孔55Y，该贯穿孔55Y沿厚度方向贯穿绝缘层55，而使布线65的上表面的一部分露出。

在相互连通的贯穿孔55X，65X，74X内形成有通孔布线V5(参照图7)。例如，通孔布线V5被形成在从贯穿孔74X露出的布线64(参照图5)上，并且贯穿孔55X，65X，74X全部被通孔布线V5填充。该通孔布线V5作为将布线64(第4层布线)和布线65(第5层布线)串联连接的贯穿电极而设置。通孔布线V5(贯穿电极)贯穿结构体44的绝缘层54、粘合层74、结构体45的布线65以及绝缘层55。

在绝缘层55上层积有粘合层75。在粘合层75上层积有结构体46。因此，布线66以及金属层66D层积在粘合层75上。绝缘层56以分别覆盖布线66以及金属层66D的上表面的方式层积在粘合层75上。结构体46具有与结构体42(参照图5)相同的结构。

如图6所示，布线66被形成为在俯视时大致呈C字状。布线66为螺旋状线圈的一部分、且为线圈的第6层布线(大致3/4圈)。 金属层66D为与金属层62D(参照图5)同样的虚拟图案。金属层66D例如通过槽部66Y或者槽部66Z，而从布线66隔开。

如图4所示，粘合层75覆盖贯穿孔55Y的内侧面。并且，粘合层75覆盖布线66以及金属层66D各自的侧面的一部分。在本例中，槽部66Y，66Z(参照图6)被粘合层75填充。在粘合层75上形成有贯穿孔75X，该贯穿孔75X沿厚度方向贯穿粘合层75，而使布线65的上表面的一部分露出。贯穿孔75X被形成于在俯视时与贯穿孔55Y重叠的位置，并且贯穿孔75X的一部分位于贯穿孔55Y内。

在布线66上形成有贯穿孔66X，该贯穿孔66X沿厚度方向贯穿布线66，而与贯穿孔75X连通。贯穿孔66X，75X的平面形状小于贯穿孔55Y的平面形状。

在绝缘层56上形成有贯穿孔56X，该贯穿孔56X沿厚度方向贯穿绝缘层56，而与贯穿孔66X，75X连通。贯穿孔56X的平面形状大于贯穿孔66X，75X的平面形状。并且，在绝缘层56上形成有贯穿孔56Y，该贯穿孔56Y沿厚度方向贯穿绝缘层56，而使布线66的上表面的一部分露出。

在相互连通的贯穿孔56X，66X，75X内形成有通孔布线V6。例如，通孔布线V6被形成在从贯穿孔75X露出的布线65上，并且贯穿孔56X，66X，75X全部被通孔布线V6填充。该通孔布线V6作为将布线65(第5层布线)和布线66(第6层布线)串联连接的贯穿电极而设置。通孔布线V6(贯穿电极)贯穿结构体45的绝缘层55、粘合层75、结构体46的布线66以及绝缘层56。

在绝缘层56上层积有粘合层76。在粘合层76上层积有结构体47。因此，布线67、连接部67A、以及金属层67D层积在粘合层76上。绝缘层57以覆盖布线67、连接部67A、以及金属层67D的各自的上表面的方式层积在粘合层76上。

如图6所示，布线67的平面形状被形成为大致呈椭圆形状。在布线67的所需部分形成有槽部67Y，该槽部67Y沿厚度方向贯穿布线67。也就是说，布线67通过槽部67Y在宽度方向被切断，而形成为非环状。该布线67为螺旋状线圈的一部分，并作为线圈的第 7层布线(大致1圈)而设置。

连接部67A被形成在布线67的一个端部上。连接部67A被形成在与线圈基板20的突出部22(参照图2)相对应的位置。连接部67A与布线67一体形成。换句话来讲，连接部67A为布线67的一部分。连接部67A在单片化后的线圈基板20的侧面20B(参照图8A)上从绝缘膜25露出。该连接部67A被连接在电感器90(参照图8B)的电极93。金属层67D为与金属层61D(参照图5)同样的虚拟图案，并通过槽部67Z而从布线67隔开。

如图4所示，粘合层76覆盖贯穿孔56Y的内侧面。并且，粘合层76覆盖布线67、连接部67A、以及金属层67D的各自的侧面的一部分。在本例中，槽部67Y，67Z(图6参照)用粘合层76填充。在粘合层76上形成有贯穿孔76X，该贯穿孔76X沿厚度方向贯穿粘合层76，而使布线66的上表面的一部分露出。贯穿孔76X被形成于在俯视时与贯穿孔56Y重叠的位置，并且贯穿孔76X的一部分位于贯穿孔56Y内。

在布线67上形成有贯穿孔67X，该贯穿孔67X沿厚度方向贯穿布线67，而与贯穿孔76X连通。贯穿孔67X，76X的平面形状小于贯穿孔56Y的平面形状。

在绝缘层57上形成有贯穿孔57X，该贯穿孔57X沿厚度方向贯穿绝缘层57，而与贯穿孔67X，76X连通。贯穿孔57X的平面形状大于贯穿孔67X，76X的平面形状。

在相互连通的贯穿孔57X，67X，76X内的形成有通孔布线V7。例如，通孔布线V7被形成在从贯穿孔76X露出的布线66上，贯穿孔57X，67X，76X全部被通孔布线V7填充。该通孔布线V7作为将布线66(第6层布线)和布线67(第7层布线)串联连接的贯穿电极而设置。通孔布线V7(贯穿电极)贯穿结构体46的绝缘层56、粘合层76、结构体47的布线67以及绝缘层57。

如图6所示，在绝缘层57上形成有贯穿孔57Y，该贯穿孔57Y厚度方向贯穿绝缘层57，而使布线67的上表面的一部分露出。该贯穿孔57Y被通孔布线V8(参照图7)填充。布线67与通孔布线V8 电连接。

贯穿孔64X-67X，73X-76X的平面形状可以设定为任意的形状以及任意的大小。例如，贯穿孔64X-67X，73X-76X的平面形状可以设定成直径为140-180μm左右的圆形状。贯穿孔54X-57X，54Y-57Y的平面形状例如可以设定成直径为200-300μm左右的圆形状，贯穿孔54X-57X，54Y-57Y的平面形状大于贯穿孔64X-67X，73X-76X的平面形状。另外，作为图7示出的通孔布线V1-V8的材料，例如可以采用铜或铜合金。

这样，在线圈基板20上，在厚度方向相邻的结构体41-47的布线61-67如图7所示通过通孔布线V1-V8串联连接，从而形成从连接部61A到连接部67A的螺旋状线圈。换句话来讲，在螺旋状线圈的一个端部上设置有连接部61A，在螺旋状线圈的另一个端部上设置有连接部67A。

如图2所示，在俯视时的层积体23大致中央部上形成有贯穿孔23X，该贯穿孔23X沿厚度方向贯穿层积体23。如图3以及4所示，布线61-67的侧面露出于贯穿孔23X的内壁面。

绝缘膜25覆盖层积体23的整个表面。如图2以及4所示，绝缘膜25将层积体23的外壁面(侧壁)、位于层积体23的最下层的布线61的下表面和侧面、位于层积体23的最上层的绝缘层57的上表面、通孔布线V7的上表面、通孔布线V8(参照图7)的上表面、以及贯穿孔23X的内壁面连续地覆盖。因此，绝缘膜25将露出于贯穿孔23X的内壁面的布线61-67的侧面覆盖。并且，绝缘膜25将露出于槽部61Y，61Z内的布线61的侧面覆盖。并且，如图2所示，例如绝缘膜25将层积体23的上表面以及下表面从在俯视时与连接部67A重叠的位置覆盖到在俯视时与金属层67D(连接部61A)重叠的位置。在本例中，绝缘膜25还覆盖连结部12的一部分。但是，连结部12的大部分以及外框13的整个表面从绝缘膜25露出。在图2中，省略了绝缘层57的图示，并省略了层积体23上的绝缘膜25的图示。

作为绝缘膜25的材料，例如可以采用环氧类树脂或丙烯酸类树 脂等绝缘性树脂。绝缘膜25例如可以含有二氧化硅或氧化铝等填充物。绝缘膜25的厚度例如可以设定为10-50μm左右。

以上说明的线圈基板20通过连结部12而与相邻的线圈基板20连结。以下，对连结部12的结构简单地进行说明。

如图3所示，在基板30的下表面30A上依次层积有绝缘层51和金属层81。并且，在基板30的上表面30B上依次层积有粘合层71、金属层82、绝缘层52、粘合层72、金属层83、绝缘层53、粘合层73、金属层84、绝缘层54、粘合层74、金属层85、绝缘层55、粘合层75、金属层86、绝缘层56、粘合层76、金属层87、以及绝缘层57。如图4所示，金属层81与金属层61D和连接部61A电连接，金属层82与金属层62D电连接，金属层83与金属层63D电连接，金属层84与金属层64D电连接。并且，金属层85与金属层65D电连接，金属层86与金属层66D电连接，金属层87与金属层67D和连接部67A电连接。作为金属层81-87的材料，例如可以采用铜或铜合金。

如图2所示，在连结部12的所需部分上形成有识别标记12X。识别标记12X沿厚度方向贯穿连结部12。识别标记12X例如可作为对准标记来利用。识别标记12X的平面形状可以设定为任意的形状以及任意的大小。例如，识别标记12X的平面形状可以设定成大致圆形状。

接着，对外框13的结构简单地进行说明。

如图3所示，外框13只由基板30构成。外框13例如被形成在基板30的两端区域。例如，外框13通过将基板30朝向连结部12的外侧延伸而形成。换句话来讲，只有基板30向连结部12的外侧突出。并且，在外框13(基板30)上形成有上述的定位孔13X。定位孔13X沿厚度方向贯穿基板30。

图8A示出通过在图4中用虚线示出的切断位置切断绝缘膜25、基板30、绝缘层51-57、金属层61D-67D等，而被单片化的线圈基板20。在该线圈基板20的一侧的侧面20A上露出连接部61A。并且，在线圈基板20的另一侧的侧面20B上露出连接部67A。在单片 化后，线圈基板20也可以在上下颠倒状态下使用。另外，在单片化后，线圈基板20能够以任意的角度配置。

接着，对具有线圈基板20的电感器90的结构进行说明。

如图8B所示，电感器90为芯片电感器，该芯片电感器包括线圈基板20、对线圈基板20进行封固的封固树脂91、以及电极92，93。电感器90的平面形状例如可以形成为1.6mm×0.8mm左右的大致矩形。电感器90的厚度例如可以设定为1.0mm左右。电感器90例如可以被用于小型的电子设备的电压转换电路等。

封固树脂91对线圈基板20的除其侧面20A以及侧面20B以外的部分进行封固。也就是说，封固树脂91将线圈基板20(层积体23以及绝缘膜25)的除使连接部61A，67A露出的侧面20A，20B以外的整个部分覆盖。封固树脂91覆盖绝缘膜25的上表面以及下表面。并且，封固树脂91覆盖划定贯穿孔20X的内壁面的绝缘膜25的侧面。在本例中，贯穿孔20X用固树脂91填充。因此，封固树脂91覆盖贯穿孔20X的整个内壁面。封固树脂91作为磁体发挥作用。换句话来讲，封固树脂91采用磁体。磁体由磁体粉末和作为粘合剂的树脂形成。作为磁体粉末的材料，例如能够采用铁氧体或磁性金属(铁或铁系合金等)。作为粘合剂的材料，能够采用环氧类树脂等热固性树脂和/或热塑性树脂。磁体具有增大电感器90的电感的功能。

像这样，在电感器90中，被形成在线圈基板20的大致中央部上的贯穿孔20X也用作为磁体发挥作用的绝缘性树脂91填充。因此，与没有形成贯穿孔20X的情况相比，将在线圈基板20的周围上的更多部分用磁体(封固树脂91)进行封固。因此，能够提高电感器90的电感。

在此，也可以在贯穿孔20X内配置铁氧体等磁体的芯。在这种情况下，也可以以将线圈基板20与芯一起进行封固的方式形成封固树脂91。该芯的形状例如也可以形成为圆柱状或长方体状。

电极92被形成在封固树脂91的外侧，并与连接部61A的一部分连接。电极92将线圈基板20的侧面20A、与侧面20A对齐形成 的封固树脂91的侧面、以及封固树脂91的上表面以及下表面各自的一部分连续地覆盖。电极92的内壁面与在线圈基板20的侧面20A露出的连接部61A的侧面接触。因此，电极92与连接部61A电连接。

电极93被配置在封固树脂91的外侧，并与连接部67A的一部分连接。电极93将线圈基板20的侧面20B、与侧面20B对齐形成的封固树脂91的侧面、以及封固树脂91的上表面以及下表面各自的一部分连续地覆盖。电极93的内壁面与在线圈基板20的侧面20B露出的连接部67A的侧面接触。因此，电极93与连接部67A电连接。

作为电极92，93的材料，例如可以采用铜或铜合金。并且，电极92，93也可以形成为具有多个金属层的层积结构。

电极92，93也可以与作为虚拟图案而设置的金属层61D-67D连接。但是，金属层61D-67D没有与布线61-67以及其他金属层电连接，而被电气地隔离。因此，不会发生因金属层61D-67D以及电极92，93造成布线61-67短路的情况。

接着，对线圈基板10的制造方法进行说明。

首先，在图9示出的工序中，准备基板100。基板100包括多个基板30，多个基板30分别具备区块11和外框13。各个区块11包括多个单个区域A1和将这些单个区域A1包围的连结部12。外框13被设置在基板100的两端(在图9中为上端以及下端)上。在外框13上形成有多个定位孔13X，该多个定位孔13X沿厚度方向贯穿基板30。这些定位孔13X沿基板100的长度方向(在图9中为左右方向)隔着大致一定间隔而配置。定位孔13X例如可以通过冲压加工法或激光加工法而形成。定位孔13X为用于搬送基板100的贯穿孔，并通过在基板100被安装到制造装置上时与由电动机等驱动的定位销进行啮合，而以定位孔13X之间的间距搬送基板100。

作为基板100，可以采用卷筒状(胶带状)的可挠性绝缘树脂膜。基板100的宽度(在俯视时与定位孔13X的排列方向正交的方向的长度)以适合于基板100被安装的制造装置的方式被决定。例如，基板 100的宽度可以设定为40-90mm左右。基板100的长度方向的长度可以任意地决定。在图9示出的例子中，在各个基板30上，单个区域A1以6行×2列的方式配置，但是也可以加长各个基板30，例如设置几百列左右的单个区域A1。卷筒状基板100沿切断位置A2切断，从而被分割为薄板状的多个线圈基板10。

在下文中，为了方便，对1个基板30的1个单个区域A1(在图9中用单点划线框示出)的制造工序进行说明。

在图10A以及10B示出的工序中，在除外框13以外的区域(也就是说，区块11)上，且在基板30的下表面30A上层积半固化状态的绝缘层51。例如，绝缘层51在区块11的位置上覆盖基板30的下表面30A的整个表面。例如，在作为绝缘层51采用绝缘性树脂膜的情况下，在基板30的下表面30A上层压绝缘性树脂膜。但是，在该工序中，并未对绝缘性树脂膜进行热固化，而是使其成为半固化(B stage)状态。在此，通过在真空环境下对绝缘性树脂膜进行层压，从而能够抑制在绝缘层51内发生空隙(Void)。在作为绝缘层51采用液状绝缘性树脂或绝缘性树脂糊的情况下，将液状绝缘性树脂或绝缘性树脂糊通过例如印刷法或旋涂法而涂布到基板30的下表面30A。然后，对液状绝缘性树脂或绝缘性树脂糊进行预烘干(prebake)而使其成为半硬化状态。

接着，在单个区域A1的位置上，在基板30上形成贯穿孔30X。此外，在单个区域A1的位置上，在绝缘层51上形成贯穿孔51X，该贯穿孔51X与贯穿孔30X连通。贯穿孔30X，51X例如可以通过冲压加工法或激光加工法形成。在该工序中，也可以形成上述的定位孔13X。也就是说，也可以在同一个工序中形成贯穿孔30X，51X和定位孔13X。

接着，在图11A示出的工序中，将金属箔161层积在半固化状态的绝缘层51的下表面上。金属箔161例如覆盖绝缘层51的整个下表面。例如，将金属箔161通过热压接而层压在半固化状态的绝缘层51的下表面。然后，通过在150℃左右的温度环境下进行热固化处理而使半固化状态的绝缘层51固化(cure)。通过该绝缘层51的 固化而使基板30被粘接在绝缘层51的上表面，并使金属箔161被粘接在绝缘层51的下表面。也就是说，绝缘层51作为将基板30和金属箔161粘接的粘合剂发挥作用。金属箔161用于在后工序中被图案化而形成布线61以及连接部61A等，例如可以采用铜箔。

接着，在露出于贯穿孔51X内的金属箔161上，形成通孔布线V1。通过该工序，而用通孔布线V1填充贯穿孔51X和贯穿孔30X的一部分。例如，通过将金属箔161作为供电层而使用的电镀，从而使镀膜析出到贯穿孔30X，51X内从而形成通孔布线V1。或者，也可以通过将铜等金属糊涂布到在贯穿孔51X内露出的金属箔161上，而形成通孔布线V1。

接着，如图11B以及11C所示，通过在金属箔161上进行图案化(Patterning)，而在单个区域A1的位置上、且在绝缘层51的下表面形成金属层61E。并且，通过该金属箔161的图案化，在金属层61E的一个端部上形成连接部61A，并形成作为虚拟图案的金属层61D。其结果，结构体41被层积在基板30的下表面30A上，该结构体41包括绝缘层51、金属层61E、以及连接部61A。在该工序形成的金属层61E例如具有比图7示出的布线61(螺旋状线圈的一部分)大的平面形状。该金属层61E最终通过起模等而成形，从而形成螺旋状线圈的第1层布线61(大致1圈)。并且在该工序中，在连结部12的位置、且在绝缘层51的下表面形成金属层81，该金属层81与连接部61A以及金属层61D连接。换句话来讲，在该工序中，通过在图11A示出的金属箔161上进行图案化，从而形成如图11C示出的开口部201Y以及槽部61Y，61Z。槽部61Y在后工序成形线圈基板20时，容易形成线圈的螺旋形状。在该工序形成的金属层81在后工序进行电镀时作为供电层而使用。在后工序不进行电镀的情况下，也可以省略金属层81的形成。在图11C中，将从开口部201Y以及槽部61Y，61Z露出的绝缘层51用梨皮花纹示出。

金属箔161的图案化例如可以使用金属面腐蚀法等布线形成方法来进行。例如，在金属箔161的下表面涂布感光性抗蚀剂，对预定的区域进行露光以及显影，从而在抗蚀剂上形成开口部。然后， 用蚀刻除去露出于开口部内的金属箔161。金属层61E、连接部61A、金属层61D、以及金属层81被一体形成。

接着，在图12A示出的工序中，首先，准备具有与基板100同样结构的支承膜102(支承部件)。也就是说，支承膜102包括具有多个单个区域A1的区块11、以及向该区块11的外侧突出的外框13。作为支承膜102，例如可以采用卷筒状(胶带状)的可挠性绝缘树脂膜。作为支承膜102，例如可以采用聚苯硫醚(PPS)、聚酰亚胺膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜等。支承膜102的厚度例如可以形成为12-50μm左右。

接着，与图9-图11A示出的工序同样地，在支承膜102的下表面102A层积结构体42，该结构体42包括绝缘层52和金属层62E。例如，在外框13的位置上，在将定位孔102X形成在支承膜102上后，在外框13以外的位置、且在支承膜102的下表面102A层积半固化状态的绝缘层52。接着，如图12B所示，通过使用冲压加工法或激光加工法形成贯穿孔52X，52Y，该贯穿孔52X，52Y沿厚度方向贯穿支承膜102以及绝缘层52。然后，在半固化状态的绝缘层52的下表面层积金属箔，并通过金属面腐蚀法将该金属箔图案化。通过该金属箔的图案化，如图12B以及12C所示，在单个区域A1的位置上、且在绝缘层52的下表面形成金属层62E，并形成作为虚拟图案的金属层62D。并且，在连结部12的位置上，在绝缘层52的下表面形成金属层82，该金属层82与金属层62D连接。换句话来讲，在该工序中，通过对被层积在绝缘层52的下表面上的金属箔进行图案化，从而形成开口部202Y以及槽部62Y，62Z。在该工序形成的金属层62E例如具有比在图7示出的布线62(螺旋状线圈的一部分)大的平面形状。该金属层62E最终通过起模等而成形，并形成螺旋状线圈的第2层布线62(大致3/4圈)。该金属层62E通过开口部202Y以及槽部62Z而从金属层82隔开。槽部62Y在后工序成形线圈基板20时，容易形成为线圈的螺旋形状。在图12C中，将从开口部202Y以及槽部62Y，62Z露出的绝缘层52用梨皮花纹来示出。

与定位孔13X同样地，定位孔102X为用于搬送支承膜102的 贯穿孔、且通过在支承膜102被安装到制造装置上时与由电动机等驱动的定位销进行啮合，从而以定位孔102X之间的间距搬送支承膜102。

接着，对图13A-14B示出的工序进行说明。图13A-图14B为与图12C的12b-12b线的位置相对应的截面图。

首先，在图13A示出的工序中，在绝缘层52的下表面层积半固化状态的粘合层71，该粘合层71覆盖金属层62D，62E，82的整个表面(下表面以及侧面)。利用该粘合层71将槽部62Y，62Z以及开口部202Y(参照图12A)填充。例如，在作为粘合层71使用绝缘性树脂膜的情况下，将绝缘性树脂膜通过热压接而层压在绝缘层52的下表面。该热压接例如可以通过在真空环境下以预定的压力(例如，0.5-0.6MPa左右)对绝缘性树脂膜进行按压来进行。但是，在该工序中，不对绝缘性树脂膜进行热固化，而使其成为半固化状态(B stage)。或者，在作为粘合层71使用液状绝缘性树脂或者绝缘性树脂糊的情况下，将液状绝缘性树脂或者绝缘性树脂糊通过例如印刷法和旋涂法而涂布到绝缘层52的下表面。然后，对液状绝缘性树脂或绝缘性树脂糊进行预烘干，而使其成为半固化状态。并且，优选地，作为粘合层71的材料例如可以使用具有高流动性的绝缘性树脂。通过像这样使用具有高流动性的绝缘性树脂，从而对槽部62Y，62Z以及开口部202Y适当地进行填充。

接着，在图13B示出的工序中，在从贯穿孔52X露出的金属层62E上形成贯穿孔62X，并在粘合层71形成贯穿孔71X，该贯穿孔71X与贯穿孔62X连通。贯穿孔62X，71X具有比贯穿孔52X小的平面形状。在本例中，贯穿孔52X，62X，71X为圆形状，贯穿孔62X，71X的直径小于贯穿孔52X的直径。由此，位于贯穿孔62X的周围的金属层62E的上表面从贯穿孔52X露出。贯穿孔62X，71X例如可以通过冲压加工法或激光加工法而形成。

在此，如图13C所示，结构体42被层积在基板30的上表面30B时，贯穿孔52X，62X，71X被形成于在俯视时与贯穿孔30X重叠的位置。并且，金属层62E的上表面从贯穿孔52Y露出。

在图13C示出的工序中，将图13B示出的结构(也就是说，结构体42和粘合层71依次层积在支承膜102的下表面102A上的结构)配置在结构体41被层积在基板30的下表面30A上的结构的上方。此时，粘合层71朝下配置以便粘合层71与基板30的上表面30B对置。

接着，在图14A示出的工序中，以结构体41和支承膜102被配置在外侧的方式，在基板30的上表面30B上隔着粘合层71层积结构体42。例如通过真空冲压等从上下对图14A示出的结构进行热压。于是，半固化状态的粘合层71被金属层62E的下表面和基板30的上表面30B按压，而沿平面方向扩展。此时，在作为粘合层71的材料使用流动性高的绝缘性树脂的情况下，可能会有沿平面方向扩展的粘合层71漏出到贯穿孔71X内，而将贯穿孔71X堵塞的情况。在这种情况下，由于从贯穿孔30X露出的通孔布线V1的整个上表面被粘合层71覆盖，所以在后工序中不能形成与通孔布线V1连接的通孔布线V2。考虑到这点，在本例中，基板30的贯穿孔30X被形成为直径大于粘合层71的贯穿孔71X的直径。由此，由于施加到贯穿孔30X的周围的粘合层71上的压力变小，所以能够适当地抑制粘合层71漏出到贯穿孔71X内。换句话来讲，能够适当地抑制通过进行热压而导致贯穿孔71X的平面形状变小的情况。并且，通过该工序而使粘合层71的一部分扩展到贯穿孔30X内，并通过该扩展的粘合层71来覆盖从通孔布线V1露出的贯穿孔30X的上部内侧面。其结果，贯穿孔71X的一部分被形成在贯穿孔30X内。在该工序的热压中，例如通过与将粘合层71层积在绝缘层52的下表面时的压力相同程度或小于上述压力(例如、0.2-0.6MPa左右)从上下按压图14A示出的结构。

然后，粘合层71被硬化。由此，贯穿孔71X、贯穿孔62X、以及贯穿孔52X连通的状态被维持。因此，通孔布线V1的上表面的一部分从贯穿孔71X露出。

另外，在图12A-14A示出的工序中，也可以在隔着粘合层71将结构体42层积到基板30的上表面30B后，形成贯穿孔62X，71X。

接着，在图14B示出的工序中，从绝缘层52剥离在图14A示出的支承膜102。例如，从绝缘层52机械地剥离支承膜102。

接着，在从贯穿孔71X露出的通孔布线V1上，形成通孔布线V2。贯穿孔71X，62X，52X被该通孔布线V2填充。此时，由于贯穿孔52X具有比贯穿孔71X，62X大的直径，所以通孔布线V2还被形成在金属层62E的上表面的一部分。由此，通孔布线V2与划定贯穿孔62X的内侧面的金属层62E的侧面、以及位于贯穿孔62X的周围的金属层62E的上表面连接。其结果，金属层61E和金属层62E通过通孔布线V1，V2串联连接。在该工序中，例如形成为通孔布线V2的上表面与绝缘层52的上表面大致对齐。通孔布线V2例如可以通过将金属层81以及金属层61E的双方用作供电层的电镀或者填充金属糊等方法来形成。在形成通孔布线V2时，从贯穿孔52Y露出的金属层62E被掩模，以便在贯穿孔52Y不形成电镀膜。

通过以上说明的制作工序，在具有被层积在基板30的下表面30A上的结构体41、和被层积在基板30的上表面30B上的结构体42的层积结构中，金属层61E通过通孔布线V1，V2而与金属层62E串联连接。金属层61E，62E与通孔布线V1，V2的串联导体相当于螺旋状线圈的大致(1+3/4)圈的部分。

接着，在图15A示出的工序中，在支承膜103(支承部件)的下表面103A上层积结构体43，该结构体43具有绝缘层53以及金属层63E，接着在该层积体43上层积粘合层72。该工序能够与图12A-图13B示出的工序同样地进行。图15A的工序和图12A-图13B示出的工序只是在贯穿孔的位置和/或对金属箔进行图案化后的金属层(布线)的形状不同。因此，省略在图15A的工序中的制造方法的详细说明。在支承膜103以及后工序中使用的支承膜104-107(支承部件)的形状、厚度、材料等与图12A示出的支承膜102相同。对于被形成在各个支承膜103-107的外框13上的定位孔103X-107X，也与支承膜102的定位孔102X相同。

图15A示出的结构包括：贯穿孔53X、53Y，其沿厚度方向贯穿支承膜103和绝缘层53；以及贯穿孔63X、72X，其沿厚度方向 贯穿金属层63E和粘合层72，而与贯穿孔53X连通。贯穿孔53X具有比贯穿孔63X，72X大的直径。由此，位于贯穿孔63X的周围的金属层63E的上表面从贯穿孔53X露出。并且，如图15B所示，在绝缘层53的下表面形成有金属层63E、金属层63D以及金属层83。金属层63E通过开口部203Y和槽部63Z，而与金属层63D，83隔开。被形成在金属层63E上的槽部63Y在后工序成形线圈基板20时，容易形成线圈的螺旋形状。金属层63E例如具有比图7示出的布线63大的平面形状。金属层63E最终通过起模等而成形，并形成螺旋状线圈的第3层布线63(大致1圈)。并且，如图15A所示，粘合层72以覆盖金属层63E的下表面以及侧面、且将开口部203Y、槽部63Y以及槽部63Z(参照图15B)填充的方式形成在绝缘层53的下表面。并且，在图15B中，省略粘合层72的图示，并将从开口部203Y以及槽部63Y，63Z露出的绝缘层53用梨皮花纹来示出。

接着，对图16A-16C示出的工序进行说明。图16A-16C为与图15B的15a-15a线的位置相对应的截面图。

首先，在图16A示出的工序中，与图14A示出的工序同样地，以结构体41以及支承膜103被配置在外侧的方式，在结构体42的绝缘层52上隔着粘合层72层积有结构体43以及支承膜103。此时，由于绝缘层52的贯穿孔52Y具有比粘合层72的贯穿孔72X大的直径，所以与粘合层71同样地，能够适当地抑制粘合层72漏出到贯穿孔72X内。并且，贯穿孔52Y的内侧面被粘合层72覆盖。其结果，粘合层72的贯穿孔72X的一部分被形成在贯穿孔52Y内。此外，贯穿孔72X、贯穿孔63X以及贯穿孔53X连通，金属层62E从贯穿孔72X露出。

接着，在图16B示出的工序中，从绝缘层53剥离图16A示出的支承膜103。例如，从绝缘层53机械地剥离支承膜103。

接着，在图16C示出的工序中，与图14B示出的工序同样地形成通孔布线V3。贯穿孔72X，63X，53X被该通孔布线V3填充。由此，通孔布线V3与划定贯穿孔63X的内侧面的金属层63E的侧面、位于贯穿孔63X的周围的金属层63E的上表面、以及从贯穿孔 72X露出的金属层62E的上表面连接。其结果，金属层62E和金属层63E由通孔布线V3串联连接。在该工序中，例如形成为通孔布线V3的上表面与绝缘层53的上表面大致对齐。通孔布线V3例如可以通过将金属层81以及金属层61E的双方用作供电层的电镀或者填充金属糊等方法而形成。

通过以上说明的制作工序，在具有结构体41、基板30、结构体42、结构体43的层积结构中，金属层61E，62E，63E通过通孔布线V1-V3而串联连接。金属层61E，62E，63E与通孔布线V1-V3的串联导体相当于螺旋状线圈的约大致(2+3/4)圈的部分。

在图15A-16B示出的工序中，也可以在隔着粘合层72将结构体43层积到结构体42上后，形成贯穿孔63X，72X。

接着，在图17A示出的工序中，在支承膜104的下表面104A层积结构体44，该结构体44具有绝缘层54和金属层64E。该工序由于能够与图12A-13B示出的工序同样地进行，所以省略在图17A的工序中的制造方法的详细说明。

图17A示出的结构包括：贯穿孔54X、54Y，其沿厚度方向贯穿支承膜104和绝缘层54；以及贯穿孔64X、73X，其沿厚度方向贯穿金属层64E和粘合层73，而与贯穿孔54X连通。贯穿孔54X具有比贯穿孔64X，73X大的直径。由此，位于贯穿孔64X的周围的金属层64E的上表面从贯穿孔54X露出。并且，在绝缘层54的下表面层积有金属层64E、金属层64D、金属层84。如图17B所示，金属层64E通过开口部204Y以及槽部64Z而从金属层64D，84隔开。并且，被形成在金属层64E上的槽部64Y在后工序成形线圈基板20时，容易形成线圈的螺旋形状。金属层64E例如具有比图7示出的布线64大的平面形状。金属层64E最终通过起模等而成形，并形成螺旋状线圈的第4层布线64(大致3/4圈)。并且，如图17A所示，粘合层73以将金属层64E的下表面以及侧面覆盖且将开口部204Y(参照图17B)以及槽部64Y、64Z填充的方式被形成在绝缘层54的下表面。另外，在图17B中，省略粘合层73的图示，并用梨皮花纹示出从开口部204Y以及槽部64Y，64Z露出的绝缘层54。

接着，对图18A以及18B示出的工序进行说明。另外，图18A以及18B为与图17B的17a-17a线的位置相对应的截面图。

首先，在图18A示出的工序中，与图14A示出的工序同样地，以结构体41以及支承膜104被配置在外侧的方式，在结构体43的绝缘层53上隔着粘合层73层积结构体44以及支承膜104。此时，由于绝缘层53的贯穿孔53Y具有比粘合层73的贯穿孔73X大的直径，所以与粘合层71同样地，能够适当地抑制粘合层73漏出到贯穿孔73X内。并且，贯穿孔53Y的内侧面被粘合层73覆盖。其结果，粘合层73的贯穿孔73X的一部分被形成在贯穿孔53Y内。此外，贯穿孔73X、贯穿孔64X、以及贯穿孔54X连通，并且从贯穿孔73X露出金属层63E。接着，支承膜104从绝缘层54剥离。

接着，在图18B示出的工序中，与图14B示出的工序同样地，形成通孔布线V4。贯穿孔73X，64X，54X被该通孔布线V4填充。由此，通孔布线V4与划定贯穿孔64X的内侧面的金属层64E的侧面、位于贯穿孔64X的周围的金属层64E的上表面、以及从贯穿孔73X露出的金属层63E的上表面连接。其结果，金属层63E和金属层64E通过通孔布线V4串联连接。在该工序中，例如通孔布线V4的上表面以与绝缘层54的上表面大致对齐的形式形成。通孔布线V4例如可以通过将金属层81以及金属层61E的双方用于供电层的电镀或者填充金属糊等方法而形成。

通过以上说明的制作工序，在具有结构体41、基板30、以及结构体42-44的层积结构中，金属层61E，62E，63E，64E通过通孔布线V1-V4串联连接。金属层61E，62E，63E，64E和通孔布线V1-V4的串联导体相当于螺旋状线圈的大致3圈的部分。

在图17A以及18A示出的工序中，也可以在隔着粘合层73将结构体44层积在结构体43上后形成贯穿孔64X，73X。

接着，在图19A示出的工序中，在支承膜105的下表面105A层积结构体45，该结构体45具有绝缘层55和金属层65E。由于该工序能够与图12A-13B示出的工序同样地进行，所以省略在图19A的工序中的制造方法的详细说明。

图19A示出的结构包括：贯穿孔55X、55Y，其沿厚度方向贯穿支承膜105和绝缘层55；以及贯穿孔65X、74X，其沿厚度方向贯穿金属层65E以及粘合层74，而与贯穿孔55X连通。贯穿孔55X具有比贯穿孔65X，74X大的直径。由此，位于贯穿孔65X的周围的金属层65E的上表面从贯穿孔55X露出。并且，如图19B所示，在绝缘层55的下表面形成有金属层65E、金属层65D、以及金属层85。金属层65E通过开口部205Y以及槽部65Z而从金属层65D，85隔开。并且，被形成在金属层65E上的槽部65Y在后工序成形线圈基板20时，容易形成线圈的螺旋形状。金属层65E具有例如比图7示出的布线65大的平面形状。金属层65E最终通过起模等而成形，并形成螺旋状线圈的第5层布线65(大致1圈)。另外，如图19A所示，粘合层74以将金属层65E的下表面以及侧面覆盖且将开口部205Y、槽部65Y、以及槽部65Z(参照图19B)填充的方式被形成在绝缘层55的下表面。另外，在图19B中省略粘合层74的图示，并用梨皮花纹来示出从开口部205Y以及槽部65Y，65Z露出的绝缘层55。

接着，对图20A以及20B示出的工序进行说明。另外，图20A以及20B为与图19B的19a-19a线的位置相对应的截面图。

首先，在图20A示出的工序中，与图14A示出的工序同样地，以结构体41以及支承膜105被配置在外侧的方式，在结构体44的绝缘层54上隔着粘合层74层积结构体45以及支承膜105。此时，由于绝缘层54的贯穿孔54Y具有比粘合层74的贯穿孔74X大的直径，所以与粘合层71同样地，能够适当地抑制粘合层74漏出到贯穿孔74X内。并且，贯穿孔54Y的内侧面被粘合层74覆盖。其结果，粘合层74的贯穿孔74X的一部分被形成在贯穿孔54Y内。此外，贯穿孔74X、贯穿孔65X、以及贯穿孔55X连通，金属层64E从贯穿孔74X露出。接着，支承膜105从绝缘层55被剥离。

接着，在图20B示出的工序中，与图14B示出的工序同样地形成通孔布线V5。该贯穿孔74X，65X，55X用该通孔布线V5填充。由此，通孔布线V5与划定贯穿孔65X的内侧面的金属层65E的侧 面、位于贯穿孔65X的周围的金属层65E的上表面、以及从贯穿孔74X露出的金属层64E的上表面连接。其结果，金属层64E和金属层65E通过通孔布线V5串联连接。在该工序中，例如形成为通孔布线V5的上表面与绝缘层55的上表面大致对齐。通孔布线V5例如可以通过将金属层81以及金属层61E的双方用于供电层的电镀、或者填充金属糊等方法而形成。

通过以上说明的制作工序，在具有结构体41、基板30、以及结构体42-45的层积结构中，金属层61E，62E，63E，64E，65E通过通孔布线V1-V5串联连接。金属层61E，62E，63E，64E，65E和通孔布线V1-V5的串联导体相当于螺旋状线圈的大致4圈的部分。

在图19A以及20A示出的工序中，也可以在隔着粘合层74将结构体45层积到结构体44上后，形成贯穿孔65X，74X。

接着，在图21A示出的工序中，在支承膜106的下表面106A上层积结构体46，该结构体46具有绝缘层56和金属层66E。由于该工序可以与图12A-图13B示出的工序同样地进行，因此省略在图21A的工序中的制造方法的详细说明。

图21A示出的结构包括：贯穿孔56X、56Y，其沿厚度方向贯穿支承膜106和绝缘层56；贯穿孔66X、75X，其沿厚度方向贯穿金属层66E和粘合层75，而与贯穿孔56X连通。贯穿孔56X具有比贯穿孔66X，75X大的直径。由此，位于贯穿孔66X的周围的金属层66E的上表面从贯穿孔56X露出。并且，如图21B所示，在绝缘层56的下表面形成有金属层66E、金属层66D、以及金属层86。金属层66E通过开口部206Y和槽部66Z而从金属层66D，86隔开。而且，被形成在金属层66E上的槽部66Y在后工序成形线圈基板20时，容易形成线圈的螺旋形状。金属层66E具有例如比图7示出的布线66大的平面形状。金属层66E最终通过起模等成形，并形成螺旋状线圈的第6层布线66(大致3/4圈)。并且，如图21A所示，粘合层75以将金属层66E的下表面以及侧面覆盖且将开口部206Y(参照图21B)以及槽部66Y，66Z填充的方式形成在绝缘层56的下表面。另外，在图21B中，省略粘合层75的图示，并用梨皮花纹来示出绝 缘层56，该绝缘层56从开口部206Y以及槽部66Y，66Z露出。

接着，对图22A以及22B示出的工序进行说明。图22A以及22B为与图21B的21a-21a线的位置相对应的截面图。

首先，在图22A示出的工序中，与图14A示出的工序同样地，以结构体41以及支承膜106被配置在外侧的方式，在结构体45的绝缘层55上隔着粘合层75层积结构体46以及支承膜106。此时，由于绝缘层55的贯穿孔55Y具有比粘合层75的贯穿孔75X大的直径，因此与粘合层71同样地，能够适当地抑制粘合层75露出到贯穿孔75X内。并且，贯穿孔55Y的内侧面被粘合层75覆盖。其结果，粘合层75的贯穿孔75X的一部分被形成在贯穿孔55Y内。此外，贯穿孔75X、贯穿孔66X以及贯穿孔56X连通，金属层65E从贯穿孔75X露出。接着，从绝缘层56剥离支承膜106。

接着，在图22B示出的工序中，与图14A示出的工序同样地形成通孔布线V6。贯穿孔75X，66X，56X用该通孔布线V6填充。由此，通孔布线V6与划定贯穿孔66X的内侧面的金属层66E的侧面、位于贯穿孔66X的周围的金属层66E的上表面、以及从贯穿孔75X露出的金属层65E的上表面连接。其结果，金属层65E和金属层66E通过通孔布线V6串联连接。在该工序中，例如形成为通孔布线V6的上表面与绝缘层56的上表面大致对齐。通孔布线V6可以通过例如将金属层81以及金属层61E的双方用于供电层的电镀、或者填充金属糊等方法形成。

通过以上说明的制作工序，在具有结构体41、基板30和结构体42-46的层积结构中，金属层61E，62E，63E，64E，65E，66E通过通孔布线V1-V6串联连接。金属层61E，62E，63E，64E，65E，66E和通孔布线V1-V6的串联导体部分相当于螺旋状线圈的大致(4+3/4)圈的部分。

在图21A以及22A示出的工序中，也可以在隔着粘合层75将结构体46层积在结构体45上后，形成贯穿孔66X，75X。

接着，在图23A示出的工序中，在支承膜107的下表面107A上层积结构体47，该结构体47包括绝缘层57和金属层67E。由于 该工序可以与图12A-图13B示出的工序同样地进行，因此省略在图23A的工序中的制造方法的详细说明。

图23B示出的结构包括：贯穿孔57X、57Y，其沿厚度方向贯穿支承膜107和绝缘层57；以及贯穿孔67X、76X，其沿厚度方向贯穿金属层67E和粘合层76，而与贯穿孔57X连通。贯穿孔57X具有比贯穿孔67X，76X大的直径。由此，位于贯穿孔67X的周围的金属层67E的上表面从贯穿孔57X露出。并且，如图23C所示，在绝缘层57的下表面形成有金属层67E、连接部67A、金属层67D、以及金属层87。金属层67E通过开口部207Y以及槽部67Z，而从金属层67D，87隔开。而且，被形成在金属层67E上的槽部67Y在后工序成形线圈基板20时，容易形成线圈的螺旋形状。金属层67E具有例如比图7示出的布线67大的平面形状。金属层67E最终通过起模等成形，并形成螺旋状线圈的第7层布线67(大致1圈)。并且，如图23A以及23B所示，粘合层76以将金属层67E的下表面以及侧面覆盖且将开口部207Y以及槽部67Y，67Z填充的方式形成在绝缘层57的下表面。另外，在图23C中，省略粘合层76的图示，并用梨皮花纹来示出绝缘层57，该绝缘层57从开口部207Y以及槽部67Y，67Z露出。

接着，对图24A-25B示出的工序进行说明。另外，图24A-25A为与图23C的23a-23a线的位置相对应的截面图25B为与图23C的23b-23b线的位置相对应的截面图。

首先，在图24A示出的工序中，与图14A示出的工序同样地，以使结构体41以及支承膜107被配置在外侧的方式，在结构体46的绝缘层56上隔着粘合层76层积结构体47和支承膜107。此时，由于绝缘层56的贯穿孔56Y具有比粘合层76的贯穿孔76X大的直径，因此与粘合层71同样地，能够适当地抑制粘合层76漏出到贯穿孔76X内。并且，贯穿孔56Y的内侧面被粘合层76覆盖。其结果，粘合层76的贯穿孔76X的一部分被形成在贯穿孔56Y内。此外，贯穿孔76X、贯穿孔67X以及贯穿孔57X连通，金属层66E从贯穿孔76X露出。接着，在图24B示出的工序中，从绝缘层57剥 离图24A示出的支承膜107。

接着，在图25A以及25B示出的工序中，与图14B示出的工序同样地形成通孔布线V7。贯穿孔76X，67X，57X用该通孔布线V7填充。由此，通孔布线V7与划定贯穿孔67X的内侧面的金属层67E的侧面、位于贯穿孔67X的周围的金属层67E的上表面、以及从贯穿孔76X露出的金属层66E的上表面连接。其结果，金属层66E和金属层67E通过通孔布线V7串联连接。并且，如图25B所示，在该工序中形成填充贯穿孔57Y的通孔布线V8。由此，金属层67E与通孔布线V8电连接。在该工序中，例如形成为通孔布线V7，V8的上表面与绝缘层57的上表面大致对齐。通孔布线V7，V8例如可以通过将金属层81以及金属层61E的双方用于供电层的电镀、或者填充金属糊等方法而形成。

通过以上说明的制作工序，在具有结构体41、基板30、以及结构体42-47的层积结构中，金属层61E，62E，63E，64E，65E，66E，67E通过通孔布线V1-V7串联连接。金属层61E，62E，63E，64E，65E，66E，67E和通孔布线V1-V7的串联导体相当于螺旋状线圈的大致(5+1/2)圈的部分。

在图23A-24B示出的工序中，也可以在隔着粘合层76将结构体47层积到结构体46上后形成贯穿孔67X，76X。

通过以上的制造工序，能够在各个单个区域A1制造出层积体23，该层积体23具有在基板30的下表面30A层积的结构体41和在基板30的上表面30B依次层积的多个结构体42-47。

接着，在图26A示出的工序中，将具有图25A以及25B示出的结构的卷筒状的基板100沿图9示出的切断位置A2切断，而使其单片化为各个薄板状的线圈基板10。在图26A的例子中，在线圈基板10形成有12个单个区域A1。并且，也可以不对基板100实施图26A示出的工序，而将结束了图25A以及25B示出的工序的基板100作为产品出货。

接着，在图26B-28B示出的工序中，通过起模等成形线圈基板10并将不需要的部分除去，而将金属层61E-67E加工成螺旋状线圈 的布线61-67的形状。图26B例示了在成形线圈基板10之前的金属层67E以及粘合层76。在图26B中，省略了绝缘层57的图示，并用梨皮花纹来示出从开口部207Y和槽部67Y，67Z露出的粘合层76。图27示意性地例示了在成形线圈基板10之前的金属层61E-67E的形状。例如通过使用模具进行冲压加工，而将图26B以及27示出的线圈基板10成形为图28A以及28B示出的形状。在本例中，在与开口部20Y相对应的位置上，通过冲压加工对基板30、绝缘层51-57、金属层61E-67E、以及粘合层71-76(参照图25B)进行冲裁，从而除去在图26B以及27示出的线圈基板10的不需要部分。此外，在俯视时与在图26B以及图27用虚线示出的区域重叠的位置上，通过冲压加工对基板30、绝缘层51-57、金属层61E-67E、以及粘合层71-76进行冲裁，从而除去线圈基板10的不需要部分。由此，如图28B所示，开口部20Y被形成在区块11的所需部分上，层积体23被成形为在俯视时大致呈长方形状。此外，在层积体23的大致中央部形成有贯穿孔23X，如图28A所示，金属层61E-67E分别成形为布线61-67。这些布线61-67通过通孔布线V1-V7串联连接，从而被形成为约(5+1/2)圈的螺旋状线圈。另外，通过形成上述贯穿孔23X，而在贯穿孔23X的内壁面露出各个布线61-67的端面。并且，通过形成开口部20Y，也从层积体23的外壁面露出各个布线61-67的端面(参照图3)。这样的层积体23被形成在各个单个区域A1，并且相邻的层积体23彼此通过连结部12相互连结。

在本实施方式中，在进行上述冲压加工时，成形前的各个结构体41-47中的金属层(金属层61E-67E以及金属层61D-67D)被形成为基本相同的形状。也就是说，通过在各个结构体41-47设置虚拟图案、即金属层61D-67D，从而减小形成在各个结构体41-47上的金属层的形状差异。由此，能够抑制在冲压加工时因金属层的形状差异而导致层积体23变形。

在此，代替使用模具的冲压加工，也可以通过激光加工进行线圈基板10的成形(即，开口部20Y以及贯穿孔23X的形成)。并且，在该工序中，也可以与开口部20Y以及贯穿孔23X的形成一起，如 图28B所示，在连结部12的所需部分上形成识别标记12X，该识别标记12X沿厚度方向贯穿连结部12。该识别标记12X例如可以通过使用模具的冲压加工或激光加工形成。

接着，在图29以及图30A示出的工序中，形成将包括贯穿孔23X的内壁面在内的层积体23的整个表面覆盖的绝缘膜25。绝缘膜25将被形成在各个单个区域A1上的层积体23的外壁面、最下层的布线61的下表面以及侧面、最上层的绝缘层57的上表面、通孔布线V7，V8的上表面、以及贯穿孔23X的内壁面连续地覆盖。因此，绝缘膜25将在层积体23的外壁面或贯穿孔23X的内壁面露出的各个布线61-67的端面覆盖。因此，即使在电感器90(参照图8B)的封固树脂91中含有导电体(磁体的填充物等)的情况下，也能通过绝缘膜25来抑制各个布线61-67与封固树脂91的导电体发生短路。

绝缘膜25例如可以用旋涂法或喷雾涂布法来形成。并且，作为绝缘膜25，也可以采用电沉积抗蚀剂。在该情况下，通过使用电沉积涂布法，而使电沉积抗蚀剂(绝缘膜25)只沉积到在层积体23的外壁面、贯穿孔23X的内壁面露出的各个布线61-67的端面。

通过以上的制造工序，在各个单个区域A1上制造线圈基板20，从而制造包括多个线圈基板20的基板10。

接着，对电感器90的制造方法进行说明。

首先，在图30B示出的工序中，形成封固树脂91，该封固树脂91对在各个单个区域A1中的整个线圈基板20进行封固。由此，线圈基板20的贯穿孔20X被封固树脂91填充，并且线圈基板20的外壁面、线圈基板20的上表面(绝缘膜25的上表面)以及线圈基板20的下表面(绝缘膜25的下表面)被封固树脂91覆盖。作为填充封固树脂91的方法，例如可以采用传递模塑法、压缩模塑法、注射模塑法。

接着，沿着用虚线示出的单个区域A1的位置将图30B示出的结构(线圈基板10)切断。由此，连结部12以及外框13被除去，从而被单片化为用封固树脂91进行封固的线圈基板20(参照图31A)。 此时，可以得到多个线圈基板20。在线圈基板20的一侧的侧面20A上露出连接部61A，在线圈基板20的另一侧的侧面20B上露出连接部67A。

在图30B以及31A示出的工序中，在形成了将各个单个区域A1上的线圈基板20封固的封固树脂91之后，线圈基板10被切断，而单片化为多个线圈基板20。代替于此，例如也可以在单片化为线圈基板20之后，用封固树脂91将各线圈基板20的除侧面20A，20B以外的部分封固。

接着，在图31B示出的工序中，形成电极92，93。电极92将线圈基板20的侧面20A、封固树脂91的一侧的侧面、上表面、以及下表面连续地覆盖。电极93将线圈基板20的侧面20B、封固树脂91的另一侧的侧面、上表面、以及下表面连续地覆盖。电极92的内壁面与在线圈基板20的侧面20A露出的连接部61A的侧面接触。因此，包括连接部61A的布线61与电极92电连接。同样地，电极93的内壁面与在线圈基板20的侧面20B露出的连接部67A的侧面接触。因此，包括连接部67A的布线67与电极93电连接。

通过以上的制造工序，能够制造图8B示出的电感器90。

本实施方式具有以下优点。

(1)将包含布线61-67和绝缘层51-57的结构体41-47层积到基板30上，并将布线61-67通过通孔布线V1-V7串联连接，从而形成一个螺旋状线圈。根据该结构，能够通过对被层积到基板30上的结构体的数量进行调整，从而无需变更线圈(电感器)的平面形状也能制作任意圈数的线圈。因此，能够容易制作具有比以前尺寸(例如，平面形状为1.6mm×1.6mm)小的尺寸(例如，平面形状为1.6mm×0.8mm)的线圈。

(2)通过增加被层积到基板30上的结构体的数量，从而无需变更线圈(电感器)的平面形状，也能增加线圈的圈数(number of turns)。因此，能够容易制作小型且电感较大的线圈。

(3)在各个结构体42-47上，绝缘层52-57包括具有比布线62-67的贯穿孔62X-67X大的平面形状的贯穿孔52X-57X。此外，贯穿孔 62X、52X用通孔布线V2填充，贯穿孔63X、53X用通孔布线V3填充，贯穿孔64X、54X用通孔布线V4填充，贯穿孔65X、55X用通孔布线V5填充，贯穿孔66X、56X用通孔布线V6填充，贯穿孔67X、57X用通孔布线V7填充。通孔布线V2-V7与贯穿孔62X-67X的内侧面连接，并且在贯穿孔62X-67X的周围与从贯穿孔52X-57X露出的布线62-67的上表面连接。在该构成中，与例如贯穿孔52X-57X具有与贯穿孔62X-67X相同大小的平面形状的情况相比，能够使通孔布线V2-V7和布线62-67的接触面积增大。其结果，能够提高通孔布线V2-V7和布线62-67之间的连接信赖性。进而能够提高布线62-67彼此的连接信赖性。

(4)在将结构体43层积到结构体42上的情况下，在支承膜103的下表面103A上层积包括具有贯穿孔63X的金属层63E和绝缘层53的结构体43，并在该结构体43上层积粘合层72，该粘合层72具有与贯穿孔63X连通的贯穿孔72X。结构体42的绝缘层52具有贯穿孔52Y，该贯穿孔52Y具有比贯穿孔63X，72X大的平面形状。并且，以支承膜103被配置于外侧的状态，在结构体42上隔着粘合层72层积结构体43。此时，由于贯穿孔52Y具有比贯穿孔72X大的平面形状，因此能够适当地抑制粘合层72漏出到贯穿孔72X内。因此，在结构体42上隔着粘合层72层积结构体43时，即使向结构体42，43以及粘合层72施加较高的压力的情况下或者作为粘合层72的材料使用流动性较高的材料的情况下，也能够适当地抑制贯穿孔72X的平面形状变小。在层积其他结构体44-47时，也能得到相同的效果。

(5)将布线62-67电连接的贯穿电极(通孔布线V2-V8)分别贯穿位于相邻的2个结构体中的下侧的结构体的绝缘层、和位于上侧的结构体的布线以及绝缘层。因此，在结构体42-47的绝缘层52-57上分别形成有2个贯穿电极。在本例中，在绝缘层52上形成通孔布线V2、V3，在绝缘层53上形成通孔布线V3、V4，在绝缘层54上形成通孔布线V4、V5，在绝缘层55上形成通孔布线V5、V6，在绝缘层56上形成通孔布线V6、V7，在绝缘层57上形成通孔布线 V7、V8。根据该结构，通孔布线V2-V8作为支承体发挥作用，并且由于具有绝缘层52-57的刚性，所以能够抑制电感器90的扭曲。

(6)在层积体23中设置了热膨胀系数比结构体41-47的绝缘层51-57低的基板30。由此，在线圈基板20上产生温度变化时，能够减小基板30的热变形(热收缩或热膨胀)。因此，能够抑制布线61-67的位置的移位。也就是说，即使在线圈基板20上产生温度变化的情况下，也能够适当地抑制由布线61-67形成的线圈(线圈基板20)的位置偏离设计值。其结果，能够提高由布线61-67形成的线圈的位置精度。

(7)将基板30的刚性设定为比绝缘层51-57的刚性高。例如，将基板30形成为比绝缘层51-57厚。像这样，通过使基板30具有高刚性，从而能够抑制整个线圈基板20的热变形。

(8)通过在基板30上层积结构体41-47而形成层积体23，并在该层积体23的最下层设置了布线61。布线61(例如，铜层)具有比基板30(例如，聚酰亚胺膜)更高的、与绝缘膜25的密合性。因此，与在层积体23的最下层设置基板30的情况相比，能够提高层积体23与绝缘膜25的密合性。在层积体23的最下层设置基板30的情况下，为了提高基板30与绝缘膜25的密合性，需要在形成绝缘膜25之前对基板30的下表面实施表面处理(例如，等离子处理)。与此相比，在本例中，由于布线61与绝缘膜25的密合性高，所以不需要实施像这样的表面处理。

(9)在线圈基板10中，层积体23和外框13共用基板30，并在该外框13上形成了定位孔13X。由此，无需设置追加部件，就能够通过利用基板30的定位孔13X，容易地进行线圈基板10的搬送。

(10)代替本实施方式的制造方法，也可以考虑在层积多个结构体之前，预先在各个结构体上成形与线圈的形状相对应的布线。例如，将图7示出的布线61-67(已形成有贯穿孔23X的状态)形成在结构体41-47上，然后将结构体41-47层积在基板30上，从而形成层积体23。但是，在该方法中，布线61-67的位置会在平面方向(例如，左右方向)偏移，从而在俯视时被层积的布线61-67有可能不完全重 叠。然后，在层积体上形成贯穿孔等时，位置偏移的布线的一部分有可能被除去。这样的问题例如可以通过将预先在各个结构体上形成的布线形成为较细来解决。但是，在该情况下，会发生线圈的直流电阻增加这样的新问题。

针对于此，在本实施方式的制造方法中，预先在各个结构体41-47上形成金属层61E-67E，该金属层61E-67E具有比螺旋状线圈形状的布线61-67大的平面形状。然后，将结构体41-47层积在基板30上而形成层积体23，并使该层积体23沿厚度方向成形，将金属层61E-67E加工成螺旋状线圈的布线61-67的形状。因此，布线61-67的位置不会在平面方向偏移，在俯视时相互重叠的布线61-67被高精度地层积。因此，能够准确地形成螺旋状线圈。其结果，能够降低螺旋状线圈的直流电阻。也就是说，由于不需要考虑布线61-67在平面方向上的位置偏移，所以可以将各个布线61-67的宽度形成为较宽，并且能够降低线圈的直流电阻。

(11)作为基板100以及支承膜102-107，使用了卷筒状(胶带状)的可挠性绝缘树脂膜。由此，能够用卷到卷法来制造线圈基板10。因此，能够通过批量生产来实现线圈基板10的低成本化。

(12)各个布线61-67的圈数设定为线圈的1圈以下。因此，能够将形成在1个结构体上的布线的宽度形成为较粗。也就是说，可以增加在各个布线61-67的宽度方向上的截面积，能够降低关系到电感器性能的绕线电阻。

(13)在各个结构体41-47上设置了作为虚拟图案的金属层61D-67D。由此，能够减少结构体41-47之间的金属层的形状差。因此，能够适当地抑制因金属层的形状差异而导致在覆盖金属层的绝缘层51-57上产生凹凸。

(14)在连结部12的位置，在基板30上层积金属层81-87。由此，能够提高整个线圈基板10的机械强度。

(第1实施方式的变形例)

上述第1实施方式也可以变更为如下的方式。

·在上述第1实施方式的制造工序中，也可以省略开口部 201Y-207Y的形成。在这种情况下，在例如图11B示出的对金属箔161进行图案化的工序中，在将绝缘层51的整个下表面覆盖的金属箔161上只形成槽部61Y，61Z。换句话来讲，形成除槽部61Y，61Z以外将绝缘层51的下表面覆盖的金属箔161(金属层61E)。另外，对于其他层也是同样的。例如，在绝缘层52的下表面形成金属层62E，该金属层62E覆盖槽部62Y，62Z以外的绝缘层52的下表面。

·在上述第1实施方式以及上述变形例中，也可以在外框13形成与识别标记12X同样的识别标记。也就是说，也可以在外框13形成用于定位的贯穿孔。在这种情况下，也可以在外框13上形成识别标记以及定位孔13X的双方，也可以在外框13上只形成识别标记。

·在上述第1实施方式中，在形成了将绝缘层51的贯穿孔51X和基板30的贯穿孔30X的一部分填充的通孔布线V1后，在基板30的上表面30B上隔着粘合层71层积结构体42。然后，在通孔布线V1上形成填充贯穿孔71X，62X，52X的通孔布线V2。代替于此，也可以省略通孔布线V1的形成。在这种情况下，在基板30的上表面30B上隔着粘合层71层积结构体42后，形成将贯穿孔51X，30X，71X，62X，52X填充的通孔布线V2。

·在上述第1实施方式以及上述各个变形例中，绝缘层52-56的贯穿孔52Y-56Y具有比位于绝缘层52-56的各自的正上方的粘合层72-76的贯穿孔72X-76X大的平面形状。代替于此，例如图32所示，贯穿孔52Y-56Y(图32中只图示贯穿孔52Y，55Y，56Y)也可以具有与粘合层72-76的贯穿孔72X-76X(图32中为贯穿孔72X，75X，76X)大致相同大小的平面形状。这样的结构，也具有与上述实施方式的(1)-(3)以及(5)-(14)同样的优点。

·在上述第1实施方式以及上述各个变形例中，基板30的贯穿孔30X以及绝缘层51的贯穿孔51X具有比被层积在基板30上的粘合层71的贯穿孔71X大的平面形状。代替于此，例如图32所示，贯穿孔30X，51X也可以具有与贯穿孔71X大致相同大小的平面形状。在这种情况下，例如也可以用通孔布线V1填充贯穿孔51X， 30X。或者也可以省略通孔布线V1，用通孔布线V2填充贯穿孔51X，30X，71X，62X，52X。

·在上述第1实施方式以及上述各个变形例中，被层积在基板30上的结构体的数量不做特别地限定。例如，也可以在基板30的下表面30A上层积2个以上的结构体，也可以在基板30的上表面30B上层积1-5个、或7个以上结构体。并且，也可以对层积在基板30的下表面30A上结构体的数量、和层积在基板30的上表面30B上结构体的数量进行调整，以使基板30被配置在层积体23的厚度方向的中心附近。

·在上述第1实施方式以及上述各个变形例中，也可以省略基板30。例如，如图33所示，电感器90A的层积体23A不包含相当于基板30的构成。在图33中，在结构体41的绝缘层51上隔着粘合层71层积有结构体42。在该情况下，布线61和布线62通过填充贯穿孔71X，62X，52X的通孔布线V2电连接。通过像这样省略基板30，从而能够将布线61，62之间的层间距离设定为较短，所以能够提高电感器90A的电感。并且，通过省略基板30，从而能够实现整个电感器90A的薄型化。

(第2实施方式)

接着，按照图34-图38对第2实施方式进行说明。

在图34示出的电感器90B的层积体23B中，从图8B示出的电感器90省略了结构体41(绝缘层51以及布线61)、基板30、以及通孔布线V1，并且结构体42被层积到粘合层71上。因此，在层积体23B中，粘合层71的下表面成为层积体23B的最表面(在此为最下层表面)。在该情况下，例如贯穿孔71X，62X，52X用通孔布线V2填充，该通孔布线V2的下端面从粘合层71露出。并且，绝缘膜25被形成为覆盖通孔布线V2的下端面以及粘合层71的下表面。另外，在层积体23B中，由于布线62为最下层布线，所以代替连接部61A，连接部62A被形成在布线62的一个端部上。

接着，对电感器90B的制造方法的一个例子进行说明。

首先，在图35A示出的工序中，与图12A以及12B示出的工序 同样地，在支承膜102的下表面102A上层积具有贯穿孔52X，52Y的绝缘层52，在该绝缘层52上层积具有金属层62D，62E，82以及连接部62A的金属箔。接着，将粘合层71配置在金属层62D，62E，82的下方。

接着，在图35B示出的工序中，与图13A示出的工序同样地，在绝缘层52的下表面层积半固化状态的粘合层71，该粘合层71覆盖金属层62D，62E，82和连接部62A的整个表面。接着，与图13B示出的工序同样地，形成贯穿从贯穿孔52X露出的金属层62E的贯穿孔62X、和贯穿粘合层71而与贯穿孔62X连通的贯穿孔71X。

接着，在图35C示出的工序中，将结构体42隔着粘合层71层积到支承基板110的上表面110A。并且，例如通过真空冲压而从上下对图35C示出的结构进行例如加热·加压。然后，使粘合层71固化。由此，粘合层71与支承基板110粘接，并且粘合层71与结构体42粘接。此时，支承基板110的上表面110A的一部分从贯穿孔71X露出。另外，作为支承基板110，例如可以使用金属板或金属箔。另外，作为支承基板110，还可以使用聚酰亚胺膜、PPS(聚苯硫醚)膜等树脂膜或玻璃板等胶带状基板。在本实施方式中，作为支承基板110使用铜板。支承基板110的厚度例如被形成为厚于布线62、且厚于绝缘层52。通过使用这样的支承基板110，能够充分地确保制造途中的结构体42的机械强度。因此，即使在省略了基板30的情况下，也能够抑制制造途中的结构体42的搬运性降低。

接着，在图36A示出的工序中，在从贯穿孔71X露出的支承基板110的上表面110A上形成通孔布线V2。贯穿孔71X，62X，52X用该通孔布线V2填充。通孔布线V2例如可以通过电镀形成。例如通过将支承基板110(在此为铜板)用作供电层的电镀，而在从贯穿孔71X露出的支承基板110上形成第1导电层(例如，Ni层)。接着，通过电镀，而在第1导电层上形成第2导电层(例如，Cu层)。由此，形成双层结构的通孔布线V2。作为第1导电层的材料，优选为在后工序中蚀刻除去支承基板110时作为蚀刻停止层发挥作用的材料。像这样，支承基板110作为制造过程中的支承体发挥作用，还作为 电镀中的供电层发挥作用。另外，通孔布线V2也可以通过填充金属糊等其他方法形成。

接着，在图36B示出的工序中，与图15A-图25B示出的工序同样地，在被层积在支承基板110的上表面110A上的结构体42上层积结构体43-47。通过以上的制造工序，能够制造层积体23B，该层积体23B具有在各个单个区域A1的支承基板110的上表面110A上依次层积的多个结构体42-47。另外，在通过电镀形成通孔布线V3-V7的情况下，支承基板110以及通孔布线V2能够作为供电层使用。

接着，在图37A示出的工序中，与图26A-图28B示出的工序同样地，通过起模等成形金属层62E-67E(参照图36B)从而将其加工成螺旋状线圈的布线62-67的形状。在该工序中，由于在层积体23B被层积在具有高刚性的支承基板110上的状态下实施金属层62E-67E的成形，所以能够抑制在成形时的布线62-67的位置的移位。由此，能够提高布线62-67的位置精度，并能够提高由这些布线62-67形成的线圈的位置精度。

接着，除去作为虚拟基板使用的支承基板110。例如在作为支承基板110使用铜板的情况下，通过使用了氯化铁水溶液、氯化铜水溶液、过硫酸铵的水溶液等的湿法蚀刻，而选择性地对通孔布线V2(具体地讲，为Ni层的第1导电层)以及粘合层71进行蚀刻。由此，除去支承基板110。此时，通孔布线V2的第1导电层(Ni层)以及粘合层71作为在对支承基板110进行蚀刻时的蚀刻停止层(Etching stop layer)发挥作用。另外，在作为支承基板110使用PI(PolyimideFilm，聚酰亚胺薄膜)膜等的情况下或设置了剥离层的情况下，也可以从层积体23B机械地剥离支承基板110。通过除去支承基板110，如图37B所示，通孔布线V2的下端面以及粘合层71的下表面露出于外部。

像这样，一方面为了确保在制造过程中的结构体42-47以及粘合层71-76的机械强度而将支承基板110形成得较厚，另一方面在结构体42-47的层积后除去支承基板110。因此，不需要将层积体 23B的各个部件较厚地形成。因此，能够实现整个层积体23B的薄型化。

接着，在图38示出的工序中，形成绝缘膜25，该绝缘膜25覆盖包括贯穿孔23X的内壁面在内的层积体23B的整个表面。由此，在各个单个区域A1制造线圈基板20。然后，通过实施与图30B-图31B示出的工序同样的工序，从而能够制造图34示出的电感器90B。

通过像这样省略结构体41(绝缘层51以及布线61)、基板30、以及通孔布线V1，从而能够提高电感器90B的电感。

(第3实施方式)

接着，按照图39-图45B对第3实施方式进行说明。

在图39示出的电感器90C的层积体23C中，从图8B示出的电感器90省略基板30，在结构体41的绝缘层51上隔着粘合层71层积有结构体42。也就是说，在最下层的布线61的上表面层积有包含贯穿孔51X的绝缘层51，在其绝缘层51的上表面层积有粘合层71。该粘合层71的一部分位于贯穿孔51X内，并覆盖贯穿孔51X的内侧面。并且，粘合层71分别覆盖布线62以及金属层62D的各个侧面的一部分。在粘合层71上形成有贯穿孔71X，该贯穿孔71X沿厚度方向贯穿粘合层71，而使布线61的上表面的一部分露出。该贯穿孔71X从粘合层71的上表面贯穿到被形成在贯穿孔51X内的粘合层71的下表面。也就是说，贯穿孔71X的一部分被形成在贯穿孔51X内。换句话来讲，贯穿孔51X的平面形状大于贯穿孔71X的平面形状。

在粘合层71的上表面层积有布线62。布线62包括与贯穿孔71X连通的贯穿孔62X。在布线62的上表面以及粘合层71的上表面层积有绝缘层52。在绝缘层52上形成有贯穿孔52X，该贯穿孔52X沿厚度方向贯穿绝缘层52，而与贯穿孔62X，71X连通。贯穿孔52X使位于贯穿孔62X的周围的布线62的上表面露出。因此，贯穿孔52X的平面形状大于贯穿孔62X，71X的平面形状。

在连通的贯穿孔52X，62X，71X内形成有通孔布线V2。通孔 布线V2被形成在从贯穿孔71X露出的布线61上，所有贯穿孔52X，62X，71X被通孔布线V2填充。通孔布线V1作为将布线61和布线62串联连接的贯穿电极发挥作用。

并且，在图39示出的线圈基板20中，代替将图8B示出的层积体23的整个表面覆盖的绝缘膜25，而形成有将层积体23C的表面局部地覆盖的多个绝缘膜25C。各个绝缘膜25C将露出于层积体23C的表面的导电体的表面覆盖。在本例中，这些绝缘膜25C将露出于贯穿孔23X的内壁面的布线62-67的侧面、露出于层积体23C的外壁面的布线62-67的侧面、最下层的布线61的侧面和下表面、以及最上层的通孔布线V7、V8(图39中只图示通孔布线V7)的上表面覆盖。也就是说，这些绝缘膜25C为将布线61-67以及通孔布线V7、V8覆盖、且相互分离的单个(discrete or spaced apart)绝缘膜。例如，将布线61的侧面和下表面覆盖的绝缘膜25C与将露出于贯穿孔23X的内壁面的布线62的侧面覆盖的绝缘膜25C相互分离。绝缘膜25C可以采用例如由电沉积法(电沉积涂布法)形成的电沉积树脂。作为电沉积树脂的材料，可以采用环氧类树脂或丙烯酸类树脂或酰亚胺类树脂等绝缘性树脂。另外，这些绝缘膜25C也可以局部地覆盖被形成在布线61-67以及通孔布线V7，V8的周围的绝缘层51-57以及粘合层71-76等。

但是，露出于层积体23C的侧面20A，20B的连接部61A，67A的表面从绝缘膜25C露出(也就是说，没有被绝缘膜25C覆盖)。

与上述第1及第2实施方式同样地，封固树脂91采用由磁体粉末和作为粘合剂的树脂形成的磁体。因此，封固树脂91作为磁体发挥作用。作为磁体粉末的材料，例如能够采用铁氧体或磁性金属(铁或铁系合金等)。作为粘合剂的材料能够采用环氧类树脂等热固性树脂和/或热塑性树脂。封固树脂91整体地覆盖线圈基板20(层积体23C以及绝缘膜25C)，但连接部61A，67A露出的侧面20A，20B除外。因此，绝缘膜25C之间的缝隙被封固树脂91填充。换句话来讲，封固树脂91与各个绝缘层51-57的表面的一部分以及各个粘合 层71-76的表面的一部分抵接而将其直接地覆盖。由此，例如在贯穿孔23X内增加作为磁体发挥作用的封固树脂91的体积，从而能够提高电感器90C的电感。并且，通过省略基板30，从而能够实现整个电感器90C的薄型化。

在第3实施方式中，贯穿孔23X为第1贯穿孔的一例，贯穿孔52Y为第2贯穿孔的一例，贯穿孔72X为第3贯穿孔的一例，贯穿孔63X为第4贯穿孔的一例，贯穿孔53X为第5贯穿孔的一例，贯穿孔62X为第6贯穿孔的一例，贯穿孔52X为第7贯穿孔的一例，贯穿孔71X为第8贯穿孔的一例，贯穿孔51X为第9贯穿孔的一例。布线62为第1布线的一例，布线63为第2布线的一例，布线61为第3布线的一例，绝缘层52为第1绝缘层的一例，绝缘层53为第2绝缘层的一例，绝缘层51为第3绝缘层的一例。粘合层72为第1粘合层的一例，粘合层71为第2粘合层的一例，通孔布线V2-V7为贯穿电极的一例，通孔布线V3为第1贯穿电极的一例，通孔布线V2为第2贯穿电极的一例。多个绝缘膜25C为单个绝缘膜的一例。在此，将露出于层积体23的表面的布线61-67的表面覆盖的绝缘膜25C相当于第1单个绝缘膜。将露出于层积体23的表面的通孔布线V7，V8的表面覆盖的绝缘膜25C相当于第2单个绝缘膜。

接着，对电感器90C的制造方法的一个例子进行说明。

首先，在图40A-图40C示出的工序中，准备具有与图9示出的基板100同样的结构的支承膜101。如图40A以及图40C所示，支承膜101包括区块11和外框13，区块11包括多个单个区域A1(图40A-图40C中只示出1个)，外框13从该区块11向外侧突出。作为支承膜101，例如可以采用卷筒状的可挠性绝缘树脂膜。作为支承膜101，例如可以采用聚苯硫醚、聚酰亚胺膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜。支承膜101的厚度例如可以形成为12-50μm左右。

接着，与图10A示出的工序同样地，在位于除了外框13以外的区域(也就是说，区块11)的支承膜101的下表面101A层积半固化状态的绝缘层51。接着，如图40A以及图40B所示，通过冲压加工 法或激光加工法形成贯穿孔51X，该贯穿孔51X沿厚度方向贯穿支承膜101以及绝缘层51。另外，在形成贯穿孔51X的同时或在层积绝缘层51之前，在支承膜101的外框13形成定位孔101X。

接着，在图41A示出的工序中，在半固化状态的绝缘层51的下表面层积金属箔161。金属箔161例如将绝缘层51的整个下表面覆盖。例如，将金属箔161通过热压接而层压在半固化状态的绝缘层51的下表面。然后，通过在150℃左右的温度环境下进行热固化处理而使半固化状态的绝缘层51固化(cure)。

接着，与图11B以及图11C示出的工序同样地，通过金属面腐蚀法等布线形成方法将金属箔161图案化。也就是说，如图41B以及图41C所示，通过将金属箔161图案化，而在单个区域A1的位置、且在绝缘层51的下表面形成金属层61E。并且，通过该金属箔161的图案化，在金属层61E的一个端部形成连接部61A，并形成作为虚拟图案的金属层61D。其结果，在支承膜101的下表面101A层积有结构体41，该结构体41包括绝缘层51、金属层61E、以及连接部61A。并且，在该工序中，如图41C所示，在连结部12的位置上，在绝缘层51的下表面形成与连接部61A以及金属层61D连接的金属层81。换句话来讲，在该工序中，将图41A示出的金属箔161图案化，从而形成开口部201Y以及槽部61Y，61Z。在图41C中，将从开口部201Y以及槽部61Y，61Z露出的绝缘层51用梨皮花纹示出。

接着，在图42A示出的工序中，从绝缘层51剥离图41B示出的支承膜101。例如，从绝缘层51机械地剥离支承膜101。

接着，在图42B示出的工序中，与图12B示出的工序同样地，在支承膜102的下表面102A层积绝缘层52，该绝缘层52具有贯穿孔52X，52Y，在该绝缘层52层积金属箔，该金属箔具有金属层62D，62E，82。接着，与图13A示出的工序同样地，在绝缘层52的下表面层积半固化状态的粘合层71，该粘合层71覆盖金属层62D，62E，82的整个表面。

接着，在图42C示出的工序中，与图13B示出的工序同样地，形成贯穿从贯穿孔52X露出的金属层62E的贯穿孔62X、以及贯穿粘合层71而与贯穿孔62X连通的贯穿孔71X。

接着，在图42D示出的工序中，以结构体41和支承膜102被配置在外侧的方式，在结构体41的绝缘层51的上表面隔着粘合层71层积结构体42和支承膜102。例如，通过真空冲压等从上下对图42D示出的结构进行加热·加压。于是，半固化状态的粘合层71被金属层62E的下表面和绝缘层51的上表面按压，而沿平面方向扩展。由此，粘合层71的一部分扩展到贯穿孔51X内，并通过该扩展的粘合层71来覆盖贯穿孔51X的内侧面。其结果，贯穿孔71X的一部分被形成在贯穿孔51X内。

接着，粘合层71被硬化。由此，贯穿孔71X、贯穿孔62X、以及贯穿孔52X连通的状态被维持。因此，从贯穿孔71X露出金属层61E的上表面的一部分。然后，从绝缘层52除去支承膜102。

接着，在图43A示出的工序中，在从贯穿孔71X露出的金属层61E的上表面形成通孔布线V2。贯穿孔71X，62X，52X被该通孔布线V2填充。其结果，金属层61E和金属层62E通过通孔布线V2串联连接。通孔布线V2例如可以通过将金属层81以及金属层61E的双方用作供电层的电镀法或填充金属糊等方法而形成。

通过以上说明的制造工序，在具有结构体41和结构体42的层积结构中，金属层61E通过通孔布线V2而与金属层62E串联连接。

接着，在图43B示出的工序中，与图15A-图25B示出的工序同样地，在结构体42上层积结构体43-47。通过以上的制造工序，能够在各个单个区域A1制造出层积体23C，该层积体23C具有依次层积的多个结构体41-47。

接着，在图44A以及图44B示出的工序中，与图26A-图28B示出的工序同样地，通过起模等成形层积体23C，从而将金属层61E-67E(参照图43B)加工成螺旋状线圈的布线61-67的形状。其结果，如图44A所示，在层积体23C的大致中央部形成有贯穿孔23X。 通过形成该贯穿孔23X，从贯穿孔23X的内壁面露出各个布线61-67的端面。并且，在该工序中，如图44B所示，在各个单个区域A1的所需部分形成有开口部20Y，层积体23C被成形为在俯视时大致长方形状。通过形成该开口部20Y，也从层积体23C的外壁面(侧壁)露出各个布线61-67的端面。另外，图44B表示在与图41C中的44b-44b线相对应的位置的线圈基板20的截面图。

另外，在通过冲压加工打穿层积体23C而形成贯穿孔23X以及开口部20Y时，有时会有在从贯穿孔23X的内壁面露出的布线61-67的端面或从层积体23C的外壁面(开口部20Y的内壁面)露出的布线61-67的端面产生毛刺的情况。也可以进一步进行去除这样的毛刺的去毛刺工序。例如，通过进行湿法蚀刻等蚀刻处理，从而能够去除布线61-67的端面的毛刺。通过该去毛刺工序，从而在之后的工序中，容易分别用绝缘膜25C覆盖布线61-67的端面。

进一步，在去毛刺工序中，也可以将对布线61-67的端面进行的上述蚀刻处理(湿法蚀刻)以布线61-67的端面比贯穿孔23X的内壁面更位于构造体23的内侧，在这些布线61-67的端面的位置并在贯穿孔23X的内壁面形成多个凹部的方式进行。在这种情况下，在之后的工序中，绝缘膜25C以填充多个凹部的方式形成。由此，能够减少各个绝缘膜25C从贯穿孔23X的内壁面向贯穿孔23X内突出的部分。换句话来讲，在贯穿孔23X的内壁面上，绝缘膜25C的表面、绝缘层51-57的端面以及粘合层71-76的端面齐平。其结果，在之后的工序中，能够容易进行磁体(封固树脂91)向贯穿孔23X内的填充。并且，使磁体(封固树脂91)的体积(填充量)增加，从而能够提高电感器90的电感。另外，同样地，也可以在从层积体23C的外壁面(开口部23Y的内壁面)露出的布线61-67的端面的位置形成多个凹部。

接着，在图45A以及图45B示出的工序中，通过电沉积法来形成多个绝缘膜25C，该多个绝缘膜25C将露出于层积体23C的表面的布线61-67的表面以及通孔布线V7，V8的表面覆盖。具体地讲， 这些绝缘膜25C将露出于贯穿孔23X的内壁面的布线62-67的侧面(端面)、露出于层积体23C的外壁面的布线62-67的侧面(端面)、布线61的侧面和下表面、以及通孔布线V7，V8的上表面覆盖。通过电沉积法形成绝缘膜25C，能够容易控制绝缘膜25C的厚度。也就是说，能够将绝缘膜25C形成为尽可能薄。此外，通过采用电沉积法，在层积体23C的表面选择性地(局部地)设置多个绝缘膜25C，从而能够准确地覆盖布线61-67以及通孔布线V7，V8。由此，能够将绝缘膜25C的形成区域形成为所需最小限度，并能够适当地抑制在绝缘膜25C中发生空隙。另外，图45B表示在与图41C的44b-44b线相对应的位置的线圈基板20的截面图。

然后，通过实施与图30B-31B示出的工序同样的工序，从而能够制造图39示出的电感器90C。在第3实施方式中，由于较薄地形成绝缘膜25C，所以能够使封固树脂91接近布线61-67，并能够使封固树脂91的体积增加。由此，能够提高电感器90C的电感。

(第3实施方式的变形例)

·在上述第3实施方式的电感器90C中，图33示出的电感器90A的绝缘膜25变更为多个绝缘膜25C。也可以将与此相同的变形适用到电感器90(图8B)以及电感器90B(参照图34)。

例如，如图46所示，也可以将图8B示出的电感器90的绝缘膜25变更为将露出于层积体23的表面的布线61-67的表面以及通孔布线V7等导电体的表面覆盖的多个绝缘膜25C。

同样地，如图47所示，也可以将图34示出的电感器90B的绝缘膜25变更为将露出于层积体23B的表面的布线62-67的表面以及通孔布线V2，V7等导电体的表面覆盖的多个绝缘膜25C。在这种情况下，通孔布线V2的下表面被绝缘膜25C覆盖。

虽然省略图示，但是针对图32示出的电感器90同样地，也可以将绝缘膜25变更为多个绝缘膜25C。

(第4实施方式)

接着，按照图48-图51B对第4实施方式进行说明。

在图48以及图49示出的层积体23D中，在贯穿孔23X的内壁面露出各个通孔布线V2-V7(图48中只图示通孔布线V2，V3，V6，V7)的一部分。如图49所示，在本例中，层积体23D的贯穿孔23X具有比图2示出的层积体23大的平面形状。在图49示出的例子中，相当于被形成为在俯视时大致呈圆形状的各个通孔布线V2-V8的大致1/4圈的部分被贯穿孔23X切断。也就是说，贯穿孔23X在层积方向切断各个通孔布线V2-V8的一部分。由此，各个通孔布线V2-V8的截面(端面)露出于贯穿孔23X的内壁面。例如，在通孔布线V2中，如图48所示，通孔布线V2的截面(端面)露出于贯穿孔23X的内壁面，该通孔布线V2沿厚度方向贯穿绝缘层51，52、布线62、以及粘合层71。也就是说，从布线61的上表面到粘合层72的下表面为止的通孔布线V2的截面(端面)露出于贯穿孔23X的内壁面。换句话来讲，贯穿孔51X，52X，62X，71X与贯穿孔23X连通。布线61设置于在贯穿孔23X的内壁面露出的通孔布线V2的正下方。也就是说，通孔布线V2的端面和该通孔布线V2的正下方的布线61的端面在贯穿孔23X的内壁面上且在层积方向连续地露出。另外，与通孔布线V2以及布线61同样地，通孔布线V3-V8以及布线62-67也露出于贯穿孔23X的内壁面。

在本例的线圈基板20中，形成有多个绝缘膜25D，该绝缘膜25D将露出于层积体23D的表面的导电体的表面覆盖。这些绝缘膜25D将露出于贯穿孔23X的内壁面的布线62-67的端面和通孔布线V2-V8的端面、露出于层积体23D的外壁面的布线62-67的端面、最下层的布线61的下表面和侧面、以及最上层的通孔布线V7，V8(图48中只图示通孔布线V7)覆盖。将布线61-67以及通孔布线V2-V8覆盖的这些绝缘膜25D相互分离。但是，有几个绝缘膜25D分别将连续地露出于贯穿孔23X的内壁面的布线61-67以及通孔布线V2-V8连续地覆盖。绝缘膜25D采用例如通过电沉积法形成的电沉积树脂。在第4实施方式中，将露出于层积体23的表面的布线61-67的表面覆盖的绝缘膜25D相当于第1单个绝缘膜。将露出于 层积体23的表面的通孔布线V2-V8的表面覆盖的绝缘膜25D相当于第2单个绝缘膜。

在具有层积体23D的电感器90D中，由于贯穿孔23X具有大的平面形状，所以能够使被形成在贯穿孔23X内的封固树脂91的体积增加。由此，由于作为磁体发挥作用的封固树脂91的体积增加，所以能够提高电感器90D的电感。

接着，对电感器90D的制造方法的一个例子进行说明。

首先，在图50A示出的工序中，与图40A-图43B示出的工序同样地，通过依次层积多个结构体41-47，从而制造层积体23D。

接着，在图50B示出的工序中，与图26A-图28B示出的工序同样地，通过起模等成形层积体23D，从而将金属层61E-67E(参照图50A)加工成螺旋状线圈的布线61-67的形状。其结果，在层积体23D的大致中央部，在俯视时与各个通孔布线V2-V8(图50B中只图示通孔布线V2，V3，V6，V7)的一部分重叠的位置形成有贯穿孔23X。通过形成该贯穿孔23X，从该贯穿孔23X的内壁面露出各个布线61-67的端面以及各个通孔布线V2-V8的端面。也就是说，各个通孔布线V2-V8的一部分被贯穿孔23X沿层积方向切断，从而使各个通孔布线V2-V8的截面从贯穿孔23X的内壁面露出。并且，在该工序中，如图51A所示，在各个单个区域A1的所需部分形成有开口部20Y，层积体23D被形成为在俯视时呈大致长方形状。通过形成该开口部20Y，从层积体23D的外壁面露出各个布线61-67(图51A中只图示布线67)的端面。

接着，在图51B示出的工序中，通过电沉积法来成形多个绝缘膜25D，该多个绝缘膜25D将露出于层积体23D的表面的导电体的表面覆盖。具体地讲，这些绝缘膜25D将露出于贯穿孔23X的内壁面的布线62-67的端面和通孔布线V2-V8的端面、露出于层积体23D的外壁面的布线62-67的端面、布线61的下表面和侧面、以及通孔布线V7，V8(图51B中只图示通孔布线V7)的上表面覆盖。通过电沉积法来成形绝缘膜25D，从而能够容易控制绝缘膜25D的厚度。 此外，通过采用电沉积法，能够适当地抑制在绝缘膜25D中发生缝隙。另外，图51B表示在与图51A的51b-51b线相对应的位置的线圈基板20的截面图。

然后，通过实施与图30B-图31B示出的工序同样的工序，从而能够制造图48示出的电感器90D。

(第4实施方式的变形例)

·在上述第4实施方式的电感器90D(图48)中，通过形成具有比图39示出的电感器90C大的平面形状的贯穿孔23X，而使各个通孔布线V2-V8的一部分露出于贯穿孔23X的内壁面。也可以将这种变形适用于电感器90(图8B)以及电感器90B(参照图34)。

例如，如图52所示，也可以使图46示出的电感器90的各个通孔布线V1-V8(图52中只图示通孔布线V1-V3，V6，V7)的一部分露出于贯穿孔23X的内壁面。

并且，如图53所示，也可以使图47示出的电感器90B的各个通孔布线V2-V8(图53中只图示通孔布线V2，V3，V6，V7)的一部分露出于贯穿孔23X的内壁面。

·在图48、图52、以及图53示出的电感器90D，90，90B中，也可以将开口部20Y形成于在俯视时与各个通孔布线V1-V8的一部分重叠的位置。也就是说，在图48、图52、以及图53示出的电感器90D，90，90B中，也可以使通孔布线V1-V7的截面(端面)露出于层积体23D，23，23B的外壁面。例如，在图48示出的电感器90D的情况下，通过形成小一圈的图49示出的层积体23D的平面形状(俯视时的外形尺寸)，从而使布线61-67的端面和通孔布线(贯穿电极)V1-V8的端面露出于层积体23D的外壁面。在该情况下，以将露出于层积体23D的外壁面的布线61-67的端面以及通孔布线(贯穿电极)V1-V8的端面覆盖的方式，多个绝缘膜25D局部地设置在层积体23D的外壁面。根据该构成，能够实现电感器90D，90，90B的进一步小型化。

·在图48、图52、以及图53示出的电感器90D，90，90B中， 也可以将绝缘膜25D(多个单个绝缘膜)变更为将层积体23D，23，23B的整个表面覆盖的绝缘膜25。

(其他实施方式)

另外，上述各实施方式也可以变更为如下的方式。

·在上述各个实施方式以及上述各个变形例中，也可以省略金属层81-87。

·在上述各个实施方式以及上述各个变形例中，也可以省略金属层61D-67D(虚拟图案)。

·在上述第1及第2实施方式中，也可以省略绝缘膜25。并且，在上述第4实施方式中，也可以省略绝缘膜25D。例如在封固树脂91不含磁体的情况下，由于不需要将线圈基板20覆盖的绝缘膜25(或绝缘膜25D)，所以也可以省略绝缘膜25(或绝缘膜25D)。在该情况下，由于封固树脂91不包含成为短路原因的磁体，所以能够直接在线圈基板20上形成封固树脂91。

·在上述第1实施方式中，也可以省略绝缘层51。在该情况下，为了提高基板30与布线61的密合性，优选地对基板30的下表面30A实施等离子处理等表面处理。即使在该情况下，也可以通过基板30充分地确保布线61和布线62之间的绝缘。

·在上述各个实施方式以及上述各个变形例中，在结构体41-47上的布线的圈数可以任意地组合。如上述实施方式，也可以组合大致1圈的布线和大致3/4圈的布线，也可以组合大致1圈的布线和大致1/2圈的布线。在使用大致3/4圈的布线的情况下，需要4种图案(上述实施方式的例中为布线62，63，64，65)的布线，而在使用大致1/2圈的布线的情况下，只用2种图案的布线就可以形成螺旋状线圈。

·在上述第3实施方式中，对也可以在通过冲压加工打穿层积体23C而形成贯穿孔23X以及开口部20Y之后，实施去毛刺工序进行了说明。也可以在第1实施方式以及第2实施方式中实施该去毛刺工序。例如，在第1实施方式中，在进行了图28A以及图28B所示 的工序后进行上述去毛刺工序。