多层种子图案电感器及其制造方法与流程

技术领域

本公开涉及一种多层种子图案电感器及其制造方法。

背景技术：

电感器(电子组件)是通常与电阻器和电容器一起应用在电子电路中以去除噪声的代表性的无源元件。

可通过下述方法制造薄膜型电感器：通过镀覆形成内线圈部；通过对由磁性粉末和树脂彼此混合获得的磁性粉末-树脂复合材料进行固化来形成磁性主体；然后在磁性主体的外表面上形成外电极。

技术实现要素：

本公开的一方面可提供一种多层种子图案电感器及其制造方法，在多层种子图案电感器中，通过增大内线圈部的截面面积来减小直流电阻(Rdc)。

根据本公开的一方面，一种多层种子图案电感器可包括内线圈部，其中，内线圈部嵌入在磁性主体中并且包括设置在绝缘基板的两个背对的表面上的彼此连接的线圈导体。线圈导体中的每个可包括具有至少两个层的种子图案、覆盖种子图案的表面涂层以及形成在表面涂层的上表面上的上镀层。

根据本公开的另一方面，一种制造多层种子图案电感器的方法可包括：在绝缘基板的两个背对的表面上形成线圈导体，以形成内线圈部；在内线圈部的上表面和下表面上堆叠磁性片，以形成磁性主体。线圈导体的形成可包括：在绝缘基板上形成包括至少两个层的种子图案；形成覆盖种子图案的表面涂层；在表面涂层的上表面上形成上镀层。

根据本公开的另一方面，一种形成多层线圈电感器的方法可包括：在绝缘基板上形成呈螺旋形状的种子图案；形成覆盖种子图案的表面涂层；在表面涂层的上表面上形成上镀层。种子图案的形成可包括：在绝缘基板上形成第一阻镀剂；通过曝光和显影在第一阻镀剂中形成开口；通过镀覆在第一阻镀剂中的开口中形成包含导电金属的第一种子图案；在第一阻镀剂和第一种子图案上形成第二阻镀剂；通过曝光和显影在第二阻镀剂中形成开口，以暴露第一种子图案；通过镀覆在第二阻镀剂中的开口中形成包含导电金属的第二种子图案；去除第一阻镀剂和第二阻镀剂。

附图说明

根据参照附图进行的详细描述，本公开的以上和其它方面、特征以及优点将被更加清楚地理解，在附图中：

图1是示出根据示例性实施例的多层种子图案电感器的示意性透视图；

图2是沿图1的I-I'线截取的剖视图；

图3是图2的'A'部分的一个说明性示例的放大示意图；

图4是图2的'A'部分的另一说明性示例的放大示意图；

图5A至图5H是示出根据示例性实施例的制造多层种子图案电感器的方法的顺序性步骤的示图；

图6A至图6F是示出根据示例性实施例的用于形成种子图案的方法的顺序性步骤的示图；

图7是示出根据示例性实施例的表面涂层的形成方法的示图；

图8是示出根据示例性实施例的上镀层的形成方法的示图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图描述本发明构思的实施例。

然而，本发明可按照许多不同的形式举例说明且并不应该被解释为局限于在此阐述的特定实施例。更确切地说，提供这些实施例，以使该公开将是彻底的和完整的，并将本公开的范围充分地传达给本领域技术人员。

在整个说明书中，将理解的是，当诸如层、区域或晶片(基板)的元件被称为“位于”另一元件“上”、“连接到”或者“结合到”另一元件时，所述元件可直接“位于”另一元件“上”、直接“连接到”或者直接“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的其它元件。相比之下，当元件被称为“直接位于”另一元件“上”、“直接连接到”或者“直接结合到”另一元件时，不存在介于它们之间的元件或层。相同的标号始终指示相同的元件。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关联的所列项目中的任何以及全部组合。

将明显的是，虽然可在此使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种构件、组件、区域、层和/或部分，但是这些构件、组件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例性实施例的教导的情况下，下面讨论的第一构件、组件、区域、层或部分可称作第二构件、组件、区域、层或部分。

为了描述的方便，可在此使用与空间相关的术语(例如，“在…之上”、“上方”、“在…之下”和“下方”等)，以描述如图中示出的一个元件与另一元件基于位置的关系。将理解的是，与空间相关的术语基于图中示出的特定方位，并且除了图中示出的方位之外，与空间相关的术语还意图包括装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“之上”或“上方”的元件将被定位为“在”所述其它元件或特征“之下”或“下方”。因此，术语“在…之上”可根据附图的特定方向而包含“在…之上”和“在…之下”的两种方位。装置可被另外定位(旋转90度或处于其它方位)，并可对在此使用的与空间相关的描述做出相应解释。

在此使用的术语仅用于描述特定实施例，并且无意限制本发明构思。如在此使用的，除非上下文中另外清楚地指明，否则单数形式也意于包括复数形式。还将理解的是，当本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时，列举存在所述的特征、整体、步骤、操作、构件、元件和/或其组合，而不排除存在或增加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、构件、元件和/或其组合。

在下文中，将参照示出示例性实施例的示意图描述本发明构思的实施例。然而，由于制造技术和/或公差，实际制造的实施例会与示出的实施例稍有不同。因此，本发明构思的实施例不应被解释为受限于在此示出的区域的特定形状，而是应被理解为包括例如由于制造工艺导致的形状的改变。以下的实施例也可由一个或其组合而构成。

多层种子图案电感器

图1是示出根据本公开的示例性实施例的多层种子图案电感器的示意性透视图。多层种子图案电感器的主体被示意性地示出为透明的，以使内线圈部可见。

参照图1，将电源电路的电源线中使用的薄膜型电感器作为多层种子图案电感器100的示例进行公开。

根据示例性实施例的多层种子图案电感器100可包括：磁性主体50；内线圈部40，嵌入在磁性主体50中；第一外电极81和第二外电极82，设置在磁性主体50的外表面上，从而电连接到内线圈部40的相应的端部。

在根据示例性实施例的多层种子图案电感器100中，“长度”方向指图1中的“L”方向，“宽度”方向指图1中的“W”方向，“厚度”方向指图1中的“T”方向。

磁性主体50可形成多层种子图案电感器100的外部的至少一部分，并且可由呈现磁性质的任何材料形成。例如，磁性主体50可由铁氧体和/或磁性金属粉末形成，或由包括铁氧体和/或磁性金属粉末的材料形成。

铁氧体可以为例如Mn-Zn基铁氧体、Ni-Zn基铁氧体、Ni-Zn-Cu基铁氧体、Mn-Mg基铁氧体、Ba基铁氧体、锂Li基铁氧体等。

磁性金属粉末可包含选自于由Fe、Si、Cr、Al和Ni组成的组中的任意一种或多种。例如，磁性金属粉末可包含Fe-Si-B-Cr基非晶金属，但不限制于此。

磁性金属粉末的粒径可以为0.1μm至30μm，并且可分散在诸如环氧树脂、聚酰亚胺等的热固性树脂中。在这样的示例中，磁性主体50可由磁性金属粉末和所述粉末分散在其中的热固性树脂形成。

设置在磁性主体50中的内线圈部40可通过将形成在绝缘基板20的一个表面上的第一线圈导体41连接到形成在绝缘基板20的与所述一个表面背对的另一表面上的第二线圈导体42而形成。

第一线圈导体41和第二线圈导体42可通过电镀方法形成。然而，第一线圈导体41和第二线圈导体42的形成方法不限于此。

可使用绝缘膜(未示出)覆盖第一线圈导体41和第二线圈导体42，从而使其不直接接触或电接触形成磁性主体50的磁性材料。

绝缘基板20可以为例如聚丙二醇(PPG)基板、铁氧体基板、金属基软磁性基板等。

绝缘基板20的中部可被通孔贯穿，可使用与磁性主体50的磁性材料相同的磁性材料填充通孔，从而形成芯部55。由于形成填充有磁性材料的芯部55，因此可改善多层种子图案电感器100的电感(Ls)。

第一线圈导体41和第二线圈导体42中的每个可以为形成在绝缘基板20的同一平面上的平面线圈的形式。第一线圈导体41和第二线圈导体42中的每个在线圈的中部可具有孔，所述孔可具有与贯穿绝缘基板20的通孔大体相同的尺寸。

第一线圈导体41和第二线圈导体42可呈螺旋形状，分别形成在绝缘基板20的一个表面和另一表面上的第一线圈导体41和第二线圈导体42可通过贯穿绝缘基板20的过孔(未示出)彼此电连接。在一个示例中，第一线圈导体41和第二线圈导体42可通过过孔串联电连接。

第一线圈导体41和第二线圈导体42以及过孔可包含具有优异的导电性的金属或由具有优异的导电性的金属形成。例如，第一线圈导体41和第二线圈导体42以及过孔可由银(Ag)、钯(Pd)、铝(Al)、镍(Ni)、钛(Ti)、金(Au)、铜(Cu)、铂(Pt)或它们的合金等形成。

由于形成内线圈部的线圈导体(例如，41和42)的截面面积增大，因此减小直流电阻(Rdc)(电感器的主要特性)。此外，由于磁性材料的磁通量通过其的面积(例如，磁性材料的沿着垂直于磁通量的流动方向的平面截取的截面面积)增大，因此电感器的电感增大。

因此，为了减小直流电阻(Rdc)并增大多层种子图案电感器100的电感，可通过形成内线圈部并增大磁性材料的体积来增大线圈导体的截面面积。

为了增大线圈导体的截面面积，可增大线圈的宽度和/或可增大线圈的厚度。

然而，通过增大线圈的宽度，由于线圈的相邻线圈之间短路导致线圈故障的风险会显著地增加。此外，电感器中可形成的线圈匝数或线圈的数量会受到实际限制，并且匝数或线圈的数量增加会使线圈的中部的磁性材料的体积减小。因此，线圈组件的效率会降低，并且上面描述的约束实际上会对实现高电感产品强加限制。

为了解决上述限制，可使用具有通过增大线圈的厚度(而不是增大线圈的宽度)而获得的大厚宽比(aspect ratio，AR)的线圈电感器。

线圈导体的厚宽比(AR)为线圈的厚度除以线圈的宽度获得的值。随着线圈的厚度增大至大于线圈的宽度，线圈的厚宽比(AR)也可增大。

在使用利用曝光和显影方法镀覆阻镀剂并图案化的图案镀覆方法来形成线圈导体的实施例中，阻镀剂需要形成得相对厚，以将线圈形成得相对厚。然而，由于阻镀剂的厚度增大，会达到曝光限制，从而不能顺利地执行阻镀剂的下部的曝光。因此，在使用图案镀覆方法形成线圈导体的示例中会难以增大线圈的厚度。

此外，为了使厚的阻镀剂保持其形状，阻镀剂通常需要具有等于或大于预定宽度的宽度。然而，由于在去除阻镀剂之后，阻镀剂的宽度直接影响相邻线圈之间的间隔，因此相邻线圈之间的间隔会增大，从而在改善直流电阻(Rdc)和电感(Ls)特性方面存在限制。

同时，为了克服抗蚀膜的厚度所导致的曝光限制，已经提出了如下方法：在通过曝光和显影形成第一抗蚀图案之后，形成第一镀覆导体图案，在再次通过曝光和显影在第一抗蚀图案上形成第二抗蚀图案之后，形成第二镀覆导体图案。

然而，在仅使用图案镀覆方法形成内线圈部的示例中，在增大内线圈部的截面面积方面存在限制，并且相邻线圈之间的间隔增大，使得在改善直流电阻(Rdc)和电感(Ls)特性方面存在限制。

因此，根据在此公开的示例性实施例，可实现能够具有大厚宽比(AR)、具有增大的截面面积并且在相邻线圈之间的间隔形成得窄时防止相邻线圈之间发生短路的线圈导体。可通过如下实现线圈导体：形成至少两个层的种子图案，形成覆盖种子图案的表面涂层，并且在表面涂层的上表面上进一步形成上镀层。

下面将描述根据示例性实施例的第一线圈导体41和第二线圈导体42的具体结构和制造方法。

图2是沿着图1的I-I'线截取的剖视图。

参照图2，第一线圈导体41和第二线圈导体42可均包括形成在绝缘基板20上的第一种子图案61a、形成在第一种子图案61a的上表面上的第二种子图案61b、覆盖并完全围住第一种子图案61a和第二种子图案61b的表面涂层62以及形成在表面涂层62的上表面上的上镀层63。

形成在绝缘基板20的一个表面上的第一线圈导体41的一个端部可暴露于磁性主体50在其长度(L)方向上的一个端表面，形成在绝缘基板20的另一表面上的第二线圈导体42的一个端部可暴露于磁性主体50在其长度(L)方向上的另一端表面。

然而，第一线圈导体41和第二线圈导体42中的每个的端部不一定被限制于按照如上所述进行暴露，而是均可大体上暴露于磁性主体50的至少一个表面。

第一外电极81和第二外电极82可形成在磁性主体50的外表面上，以分别连接到第一线圈导体41和第二线圈导体42的暴露于磁性主体50的端表面的端部。

图3是图2的'A'部分的放大示意图。

参照图3，根据本公开的示例性实施例的种子图案61可包括第一种子图案61a以及形成在第一种子图案61a的上表面上的第二种子图案61b。此外，表面涂层62可覆盖(并且可选地，完全围住)种子图案61，表面涂层62的上表面上还可形成上镀层63。

种子图案61可通过如下的图案镀覆方法形成：使用曝光和显影方法在绝缘基板20上形成阻镀图案，并且通过镀覆来填充开口。

根据示例性实施例的种子图案61可由至少两个层(包括第一种子图案61a和第二种子图案61b)形成。

虽然图3中示出了种子图案61由两个层(包括第一种子图案61a和第二种子图案61b)形成的情况，但是种子图案61的层的数量不限于此。种子图案61可由三个层或更多个层形成。

种子图案61可形成为具有100μm或更大的总厚度t_SP。

可通过使多层种子图案(61a、61b)分层来克服曝光限制(取决于阻镀剂的厚度)，种子图案61的总厚度t_SP可通过将种子图案61形成为具有由至少两个层构成的结构而被实现为100μm或更大。由于种子图案61形成为具有100μm或更大的总厚度t_SP，因此可增大线圈导体41和42的厚度(例如，线圈导体41和42在厚度“T”方向上的尺寸)，并且可实现具有大的厚宽比(AR)的线圈导体41和42。

种子图案61在厚度(T)方向上的截面形状可以为长方形。

种子图案61可通过如上所述的图案镀覆而形成，因此，其截面形状可以为长方形(或大体上为长方形，如图3所示)。

第一线圈导体41和第二线圈导体42中的每个可包括设置在种子图案61的下表面之下(例如，设置在基板20与种子图案61之间)的薄膜导体层25。

薄膜导体层25可通过在绝缘基板20上执行电镀方法或溅射方法并执行蚀刻而形成。

种子图案61可通过在用作种子层的薄膜导体层25上执行电镀而形成。

覆盖种子图案61的表面涂层62可通过在用作种子层的种子图案61上执行电镀而形成。

可形成覆盖种子图案61的表面涂层62，从而解决由于在使用图案镀覆方法仅形成种子图案时阻镀剂的宽度减小受限导致线圈导体41和42的相邻线圈之间的间隔难以减小的问题。此外，还可通过表面涂层62来增大线圈导体的截面面积，从而改善直流电阻(Rdc)和电感(Ls)特性。

在根据示例性实施例的表面涂层62中，如图3所示，宽度方向上的生长程度W_P1和厚度方向上的生长程度T_P1可彼此相似。

如上所述，覆盖种子图案61的表面涂层62可由其宽度方向上的生长程度W_P1和厚度方向上的生长程度T_P1可彼此相似的各向同性的镀层形成。此外，线圈导体可具有均匀的厚度，因此可减小相邻线圈之间的厚度差异，从而可减小直流电阻(Rdc)分布。

此外，表面涂层62可由各向同性的镀层形成，以使第一线圈导体41和第二线圈导体42不会弯曲而是直线地形成，从而防止相邻线圈之间短路，并且防止在第一线圈导体41和第二线圈导体42的部分中未形成绝缘膜的缺陷。

虽然图3中示出了表面涂层62由单层形成的示例，但是表面涂层62不限于此。也就是说，表面涂层62可由至少两个层或更多个层形成。

形成在表面涂层62的上表面上的上镀层63可通过执行电镀而形成。

线圈导体的截面面积还可通过在表面涂层62上进一步形成上镀层63来增大，从而还可改善直流电阻(Rdc)和电感(Ls)特性。

在根据图3中示出的示例性实施例的上镀层63中，宽度方向上的生长可被抑制，厚度方向上的生长程度T_P2可显著变大。

形成在表面涂层62上的上镀层63可由其宽度方向上的生长被抑制且厚度方向上的生长程度T_P2显著变大的各向异性的镀层形成，从而在防止相邻线圈之间短路的同时还使线圈导体的截面面积增大。

上镀层63(各向异性的镀层)可形成在表面涂层62的上表面上，并且可不覆盖表面涂层62的侧表面。

根据示例性实施例的第一线圈导体41和第二线圈导体42的厚宽比(AR)可以为3.0或更大。AR可被测量为线圈导体41和42的一个线圈的总厚度(例如，最大厚度等于t_sp、T_P1和T_P2的总和或平均厚度)与总宽度(例如，最大宽度或平均宽度)的比线圈。

图4是图2的'A'部分的另一实施例的放大示意图。

参照图4，根据本公开的另一示例性实施例的上镀层63可包括：第一上镀层63a，形成在表面涂层62的上表面上；第二上镀层63b，形成在第一上镀层63a的上表面上。

与图3中示出的上述实施例相似，第一上镀层63a和第二上镀层63b可以为其宽度方向上的生长被抑制且厚度方向上的生长程度(T_P2)显著变大的各向异性的镀层。在示例中，上镀层63可因此由两个各向异性的镀层63a和63b形成。

如上所述，还可通过将上镀层63(例如，各向异性的镀层)形成为由至少两个层63a和63b构成来进一步增大线圈导体的截面面积，从而可改善直流电阻(Rdc)和电感(Ls)特性。

虽然图4中示出了上镀层63由两个层形成的示例，但是上镀层63不限于此。也就是说，上镀层63通常可由至少两个层或更多个层形成。

制造多层种子图案电感器的方法

图5A至图5H是示出根据本公开的示例性实施例的制造多层种子图案电感器的方法的顺序性步骤的示图。

参照图5A，可准备绝缘基板20，并且可在绝缘基板20中形成导通孔45'。

可使用机械钻机或激光钻机来形成导通孔45'，但是导通孔45'的形成方法不限于此。

激光钻机可以为例如CO₂激光钻机或YAG激光钻机。

参照图5B，可在绝缘基板20的上表面和下表面上全部形成薄膜导体层25'，并且可形成具有用于形成种子图案的阻镀剂71。

可使用普通的光敏抗蚀膜、干膜抗蚀剂等作为阻镀剂71，但是阻镀剂71不限于此。

在涂敷阻镀剂71之后，可通过曝光和显影方法形成用于形成种子图案的开口。

参照图5C，可使用导电金属通过镀覆来填充用于形成种子图案的开口，从而形成种子图案61。

可使用薄膜导体层25'作为种子层使用导电金属通过电镀来填充用于形成种子图案的开口，从而可形成种子图案61，可使用导电金属通过电镀来填充导通孔45'，从而形成过孔(未示出)。

在这种情况下，根据示例性实施例，种子图案61可由至少两个层形成，以使线圈导体41和42可具有大的厚宽比(AR)。下面将描述种子图案61的制造方法的详细描述。

参照图5D，可去除阻镀剂71，并且可对薄膜导体层25'进行蚀刻，以使薄膜导体层25'可仅保留在种子图案61的下表面之下。

参照图5E，可形成覆盖种子图案61的表面涂层62，并且可在表面涂层62的上表面上形成上镀层63。

可通过电镀形成表面涂层62和上镀层63。

参照图5F，除了绝缘基板20的其上设置有均包括种子图案61、表面涂层62和上镀层61的第一线圈导体41和第二线圈导体42的区域之外，可去除绝缘基板20的其它部分。

可去除绝缘基板20的中部，因此可形成芯部孔55'。

可通过执行机械钻孔、激光钻孔、喷砂、冲压等去除绝缘基板20的中部。

参照图5G，可形成覆盖第一线圈导体41和第二线圈导体42中的每个的绝缘膜30。

可通过本领域中已知的方法(例如，丝网印刷方法、光刻胶(PR)的曝光和显影方法、喷射应用方法等)来形成绝缘膜30。绝缘膜30可形成为延伸到第一线圈导体41和第二线圈导体42的相邻的线圈之间的缝隙中。

参照图5H，可通过在第一线圈导体41和第二线圈导体42的上表面和下表面上堆叠磁性片并且对堆叠的磁性片进行压制和固化来形成磁性主体50。

在这种情况下，可使用磁性材料来填充芯部孔55'，从而形成芯部55。

接下来，可在磁性主体50的外表面上形成第一外电极81和第二外电极82，以分别连接到第一线圈导体41和第二线圈导体42的暴露于磁性主体50的端表面的端部。

图6A至图6F是示出根据本公开的示例性实施例的用于形成种子图案的方法的顺序性步骤的示图。

参照图6A，可在绝缘基板20上形成具有用于形成第一种子图案的开口71a'的第一阻镀剂71a，其中，薄膜导体层25'形成在绝缘基板20上以覆盖绝缘基板20的整个表面。

在涂敷第一阻镀剂71a之后，可通过曝光和显影方法形成用于形成第一种子图案的开口71a'。

第一阻镀剂71a的厚度可以为40μm至60μm。

参照图6B，可使用导电金属利用镀覆方法填充用于形成第一种子图案的开口71a'来形成第一种子图案61a。

参照图6C，可在第一阻镀剂71a上形成具有用于形成第二种子图案的开口71b'的第二阻镀剂71b。

在将第二阻镀剂71b涂敷到第一阻镀剂71a和第一种子图案61a之后，可通过曝光和显影方法形成暴露第一种子图案61a的用于形成第二种子图案的开口71b'。

第二阻镀剂71b的厚度可以为40μm至60μm。

参照图6D，可通过使用导电金属利用镀覆方法填充用于形成第二种子图案的开口71b'在第一种子图案61a的上表面上形成第二种子图案61b。

参照图6E，可去除第一阻镀剂71a和第二阻镀剂71b。

参照图6F，可对薄膜导体层25'进行蚀刻，以使薄膜导体层25'可仅保留在第一种子图案61a的下表面之下。

如上所述形成的种子图案61可具有由两个层构成的结构。

种子图案61在厚度(T)方向上的截面形状可以为长方形，种子图案61的总厚度t_SP可以为100μm或更大。

同时，虽然图6A至图6F中示出了仅第一种子图案61a和第二种子图案61b的形成方法，但是种子图案的形成方法不限于此。也就是说，可通过重复地执行上面描述的图6C和图6D中的方法来形成具有由至少两个层或更多个层(包括相邻层之间的至少一个内界面)构成的结构的种子图案。

同时，具有由至少两个层构成的结构的种子图案的形成方法不一定被限制于图6A至图6F中的形成方法，而是还可通过在将阻镀剂形成得较厚之后执行至少两次或更多次的镀覆来形成由至少两个层构成的结构的种子图案。

图7是示出根据本公开的示例性实施例的表面涂层62的形成方法的示图。

参照图7，可通过在种子图案61上执行电镀来形成覆盖种子图案61的表面涂层62。

在这种情况下，通过在电镀时调节电流密度、镀液的浓度、镀覆速度等，根据示例性实施例的表面涂层62可由如图7所示的在宽度方向上的生长程度W_P1和在厚度方向上的生长程度T_P1彼此相似的各向同性的镀层来形成。

如上所述，由于覆盖种子图案61的表面涂层62可由宽度方向上的生长程度W_P1和宽度方向上的生长程度T_P1彼此相似的各向同性的镀层来形成，因此线圈导体可具有均匀的厚度。形成表面涂层62的方法可减小相邻线圈之间的厚度差异，从而可减小直流电阻(Rdc)分布。

此外，表面涂层62可由各向同性的镀层形成，以使第一线圈导体41和第二线圈导体42不会弯曲而是直线地形成，从而防止相邻线圈之间短路，并且防止在第一线圈导体41和第二线圈导体42的部分中未形成绝缘膜30的缺陷。注意的是，可选择厚度W_P1以确保线圈导体41和42的一个线圈的表面涂层62不接触相邻线圈的表面涂层62，从而相邻线圈之间保留空隙。

图8是示出根据本公开的示例性实施例的上镀层的形成方法的示图。

参照图8，还可通过在表面涂层62上执行电镀来形成上镀层63。

在这种情况下，通过在电镀时调节电流密度、镀液的浓度、镀覆速度等，根据示例性实施例的上镀层63可由如图8所示的其宽度方向上的生长被抑制且厚度方向上的生长程度T_P2显著变大的各向异性的镀层来形成。

可通过在表面涂层62的上表面上形成第一上镀层63a并在第一上镀层63a上形成第二上镀层63b来使上镀层63由两个层形成。

线圈导体的截面面积还可通过如上所述的将上镀层63(各向异性的镀层)形成为由至少两个层或更多个层构成而增大，从而可改善直流电阻(Rdc)和电感(Ls)特性。

除了上述的描述之外，将省略与以上描述的根据本公开的示例性实施例的多层种子图案电感器的特征的描述重复的描述。

如上所述，根据在此提出的示例性实施例，可增大内线圈部的截面面积，并且可改善直流电阻(Rdc)特性。

虽然以上已经示出并描述了示例性实施例，但对于本领域技术人员将明显的是，在不脱离由权利要求限定的本发明的范围的情况下，可以做出修改和改变。