1.一种电阻式存储器，其特征在于，包括：
相对配置的第一电极与第二电极；
可变电阻层，配置于所述第一电极与所述第二电极之间；
氧交换层，配置于所述可变电阻层与所述第二电极之间；以及
保护层，至少配置于所述氧交换层的侧壁上。
2.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述保护层的材料包括高介电常数材料。
3.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，还包括第一介电层，配置于所述保护层的侧壁上。
4.根据权利要求3所述的电阻式存储器，其特征在于，所述保护层还延伸至所述氧交换层与所述可变电阻层之间以及所述第一介电层的顶面。
5.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，还包括阻挡层配置于所述氧交换层与所述第二电极之间。
6.一种电阻式存储器的制造方法，其特征在于，包括：
形成相对配置的第一电极与第二电极；
形成可变电阻层于所述第一电极与所述第二电极之间；
形成氧交换层于所述可变电阻层与所述第二电极之间；以及
形成保护层，其至少覆盖所述氧交换层的侧壁。
7.根据权利要求6所述的电阻式存储器的制造方法，其特征在于，形成所述氧交换层于所述可变电阻层与所述第二电极之间的步骤，包括：
形成第一介电层于所述可变电阻层上；
形成开口于所述第一介电层中；以及
将所述氧交换层填入所述开口中。
8.根据权利要求7所述的电阻式存储器的制造方法，其特征在于，在将所述氧交换层填入所述开口中之前，还包括共形形成所述保护层于所述开口中。
9.根据权利要求8所述的电阻式存储器的制造方法，其特征在于，所述保护层还延伸至所述氧交换层与所述可变电阻层之间以及所述第一介电层的顶面。
10.根据权利要求8所述的电阻式存储器的制造方法，其特征在于，在将所述氧交换层填入所述开口中之后，还包括形成阻挡层于所述氧交换层与所述第二电极之间。