形成层的方法、制造磁性存储器件和形成磁隧道结的方法与流程

本发明构思涉及使用溅射法来形成层的方法以及使用其制造磁性存储器件的方法。

背景技术：

高速和/或低功耗的电子装置可通过在其中包括具有高速特性和/或低操作电压的半导体存储器件来提供。因此，已开发了磁性存储器件。磁性存储器件可具有高速和/或非易失性的特性。

通常，磁性存储器件可以包括磁隧道结(MTJ)图案。该磁隧道结图案可包括两个磁性层和设置在所述两个磁性层之间的绝缘层。磁隧道结图案的电阻值可以根据所述两个磁性层的磁化方向来改变。例如，当所述两个磁性层的磁化方向彼此反平行时，磁隧道结图案可以具有相对大的电阻值。当所述两个磁性层的磁化方向彼此平行时，磁隧道结图案可以具有相对小的电阻值。磁性存储器件可以使用磁隧道结图案的电阻值之间的差来读/写数据。

技术实现要素：

本发明构思的实施方式可以提供一种形成层的方法，该方法能够将一层的晶格与下面层的晶格匹配并能够提高层的沉积速率。

本发明构思的实施方式还可以提供能够被容易地应用到大规模生产的制造磁性存储器件的方法。

本发明构思的实施方式还可以提供制造具有优异的可靠性的磁性存储器件的方法。

在本发明构思的一方面，一种形成层的方法可以包括：在下部结构上方提供第一绝缘体和第二绝缘体，第一和第二绝缘体与下部结构垂直间隔开，第一和第二绝缘体彼此横向间隔开；分别从第一绝缘体和第二绝缘体产生第一离子源和第二离子源；以及使用第一离子源和第二离子源在下部结构上形成绝缘层。第一绝缘体和第二绝缘体可包括相同的材料。

在本发明构思的一方面，一种制造磁性存储器件的方法可以包括在基板上顺序地形成第一磁性层、非磁性层和第二磁性层。形成非磁性层可包括使用多个绝缘体作为靶执行溅射工艺。所述多个绝缘体可以包括相同的材料。

在本发明构思的一方面，一种形成磁隧道结的方法可以包括：在基板上形成第一磁性层；在第一磁性层的一表面上方第一距离处定位第一绝缘体；在第一磁性层的该表面上方第二距离处并且与第一绝缘体横向间隔开地定位第二绝缘体；将第一电压施加到第一绝缘体以及将第二电压施加到第二绝缘体；使用第一绝缘体和第二绝缘体作为靶执行溅射工艺，以在第一磁性层上形成非磁性层；以及在非磁性层上形成第二磁性层。

附图说明

鉴于所附附图和伴随的详细描述，本发明构思将变得更加显而易见。

图1是示出根据本发明构思的一些实施方式的形成层的方法的流程图。

图2至图4是示出根据本发明构思的一些实施方式的形成层的方法的剖视图。

图5是示出根据本发明构思的一些实施方式的制造磁存储器件的方法的流程图。

图6是示出图5的操作S110的流程图。

图7至图12是示出根据本发明构思的一些实施方式的制造磁性存储器件的方法的剖视图。

图13是示出根据本发明构思的一些实施方式的磁隧道结图案的剖视图。

图14是示出根据本发明构思的一些实施方式的磁隧道结图案的剖视图。

具体实施方式

现在将参照附图在下文更全面地描述本发明构思，在图中示出了本发明构思的示例实施方式。图1是示出根据本发明构思的一些实施方式的形成层的方法的流程图。图2至图4是示出根据本发明构思的一些实施方式的形成层的方法的剖视图。

参照图1和图2，可以在下部结构30上方提供多个绝缘体(S10)。下部结构30可包括基板10和设置在基板10上的导电层20。导电层20可以对应于下部结构30的最上部分。基板10可包括选择部件，诸如晶体管或二极管。导电层20可以包括具有晶体结构的导电材料。

所述多个绝缘体可包括彼此横向间隔开的第一绝缘体40和第二绝缘体42。在一些实施方式中，第一绝缘体40和第二绝缘体42可以在平行于下部结构30的顶表面的方向上彼此间隔开。在下文中，为了说明本发明构思的容易和方便，将在说明书中使用两个绝缘体40、42作为例子。然而，本发明构思的实施方式不限于此。在某些实施方式中，绝缘体的数目可以是三个或更多。

在一些实施方式中，第一绝缘体40和第二绝缘体42可以分别与下部结构30的顶表面间隔开第一距离d1和第二距离d2。第一距离d1可以是从下部结构30的顶表面到第一绝缘体40的底表面40a的中心点的最短距离，第二距离d2可以是从下部结构30的顶表面到第二绝缘体42的底表面42a的中心点的最短距离。换言之，第一距离d1可以是从下部结构30的顶表面到第一绝缘体40的底表面40a的中点的第一垂直距离，第二距离d2可以是从下部结构30的顶表面到第二绝缘体42的底表面42a的中点的第二垂直距离。在一些实施方式中，第一和第二距离d1和d2的每个可以在从约100mm至约300mm的范围。第一距离d1和第二距离d2可以彼此基本上相等。

第一和第二绝缘体40和42的底表面40a、42a可以平行于基板10的顶表面，或者可以相对于基板10的顶表面倾斜。在一些实施方式中，垂直于第一绝缘体40的底表面40a的法线‘a’可以与垂直于基板10的顶表面的法线‘c’形成第一角度θ1，垂直于第二绝缘体42的底表面42a的法线‘b’可以与垂直于基板10的顶表面的法线‘c’形成第二角度θ2。在一些实施方式中，第一角度θ1和第二角度θ2可以在从约0度到约70度的范围。第一角度θ1和第二角度θ2可以彼此基本上相等。在一些实施方式中，第一和第二的角度θ1和θ2可以具有彼此基本上相等的幅度，而所述角度之一(例如，第一角度θ1)可以是相对于垂直于基板10的顶表面的法线‘c’的正角度并且所述角度的另一个(例如，第二角度θ2)可以是相对于垂直于基板10的顶表面的法线‘c’的负角度。

第一绝缘体40和第二绝缘体42可以在下部结构30上方彼此面对。然而，当所述多个绝缘体包括奇数个绝缘体时，绝缘体可以不彼此面对。

第一绝缘体40和第二绝缘体42可包括相同的材料。第一和第二绝缘体40和42的每个可以包括金属氧化物。

参照图1和图3，可由所述多个绝缘体在下部结构30上形成绝缘层50。形成绝缘层50可以包括使用所述多个绝缘体作为靶的射频(RF)溅射工艺。

在一些实施方式中，在溅射工艺期间，可以从所述多个绝缘体产生离子源(S20)。离子源可以包括从第一绝缘体40产生的第一离子源44和从第二绝缘体42产生的第二离子源46。第一离子源44和第二离子源46可以包括相同或相似的元素。例如，第一离子源44和第二离子源46可以包括相同或相似的金属元素。第一和第二离子源44和46的每个可进一步包括氧。

第一离子源44和第二离子源46可以通过分别向第一绝缘体40和第二绝缘体42施加第一电压V1和第二电压V2来产生。第一和第二电压V1和V2的每个可以是交流电(AC)电压。第一和第二电压V1和V2可具有相同或相似的波以及相同或相似的相位。

可以使用离子源在下部结构30上形成绝缘层50(S30)。来自第一离子源44和第二离子源46的离子可以被沉积在下部结构30上以形成绝缘层50。

绝缘层50可以包括与第一和第二绝缘体40和42相同或相似的材料。绝缘层50可以包括金属氧化物。在溅射工艺后，至少一部分的绝缘层50可以是无定形状态。

参照图1和图4，可在绝缘层50上执行热处理工艺60(S40)。例如，热处理工艺60可在约100摄氏度至约600摄氏度的温度进行。绝缘层50的无定形部分的至少一部分可以通过该热处理工艺60结晶。因此，绝缘层50的晶格可与具有晶体结构的导电层20的晶格在绝缘层50和导电层20之间的界面处匹配。

根据本发明构思的一些实施方式，绝缘层50可以通过使用包括相同或相似的材料的所述多个绝缘体作为靶执行溅射工艺而形成。由此，可以在溅射工艺期间增加绝缘层50的沉积速率。在一些实施方式中，至少一部分的绝缘层50可以以无定形状态形成。绝缘层50中的无定形部分可通过热处理工艺60结晶，从而绝缘层50的晶格可以与导电层20的晶格在绝缘层50和导电层20之间的界面处相匹配。

图5是示出根据本发明构思的一些实施方式的制造磁存储器件的方法的流程图。图6是示出图5的操作S110的流程图。图7至图12是示出根据本发明构思的一些实施方式的制造磁性存储器件的方法的剖视图。图13是示出根据本发明构思的一些实施方式的磁隧道结图案的剖视图。图14是示出根据本发明构思的一些实施方式的磁隧道结图案的剖视图。

参照图5和图7，可以在基板100上形成下部层间绝缘层102。基板100可以包括半导体基板。例如，基板100可以包括硅基板、锗基板和/或硅-锗基板。在一些实施方式中，可以在基板100上形成选择部件(未示出)，并且下部层间绝缘层102可以形成为覆盖该选择部件。在一些实施方式中，选择部件可以是场效应晶体管。在一些实施方式中，选择部件可以是二极管。下部层间绝缘层102可以由包括氧化物(例如硅氧化物)、氮化物(例如氮化硅)和氧氮化物(例如硅氧氮化物)中的至少一种的单层或多层形成。

可以在下部层间绝缘层102中形成下部接触插塞104。每个下部接触插塞104可以穿透下部层间绝缘层102以便连接到选择部件中的相应一个的一个端子。下部接触插塞104可以包括掺杂的半导体材料(例如，掺杂的硅)、金属(例如，钨、钛和/或钽)、导电金属氮化物(例如，钛氮化物、钽氮化物和/或钨氮化物)和金属-半导体的化合物(例如，金属硅化物)中的至少一种。

可以在下部层间绝缘层102上形成下部电极层106。在一些实施方式，下部电极层106可以包括导电金属氮化物，诸如钛氮化物和/或钽氮化物。在一些实施方式中，下部电极层106可包括后面将要描述的能协助磁性层的晶体生长的材料(例如，钌(Ru))。下部电极层106可以通过溅射工艺、化学气相沉积(CVD)工艺或原子层沉积(ALD)工艺形成。

可以在下部电极层106上形成第一磁性层110(S100)。第一磁性层110可以是具有被固定在一个方向上的磁化方向的被钉扎层，或者可以是具有可变磁化方向的自由层。

在一些实施方式中，第一磁性层110的磁化方向可基本上垂直于第一磁性层110与待形成于第一磁性层110上的非磁性层之间的界面。在这些实施方式中，第一磁性层110可以包括垂直磁性材料(例如，CoFeTb、CoFeGd和/或CoFeDy)、具有L1₀结构的垂直磁性材料、具有六方密堆积(HCP)晶格结构的CoPt合金、和垂直磁性结构中的至少一种。具有L1₀结构的垂直磁性材料可以包括具有L1₀结构的FePt、具有L1₀结构的FePd、具有L1₀结构的CoPd和具有L1₀结构的CoPt中的至少一种。垂直磁性结构可以包括交替且重复层叠的磁性层和非磁性层。例如，垂直磁性结构可包括(Co/Pt)n、(CoFe/Pt)n、(CoFe/Pd)n、(Co/Pd)n、(Co/Ni)n、(CoNi/Pt)n、(CoCr/Pt)n、和(CoCr/Pd)n中的至少一种，其中“n”表示双层的数目。

在一些实施方式中，第一磁性层110的磁化方向可以基本上平行于第一磁性层110与待形成于第一磁性层110上的非磁性层之间的界面。在这些实施方式中，第一磁性层110可以包括铁磁材料。当第一磁性层110是被钉扎层时，第一磁性层110还可以包括用于固定铁磁性材料的磁化方向的反铁磁材料。

第一磁性层110可通过执行物理气相沉积(PVD)工艺或CVD工艺形成。

参照图5和图10，可以在第一磁性层110上形成非磁性层120(S110)。非磁性层120可以是隧道势垒层。

具体地，参照图8，可以在具有第一磁性层110的基板100上方提供多个绝缘体。所述多个绝缘体可包括彼此横向间隔开的第一绝缘体40和第二绝缘体42。在一些实施方式中，第一绝缘体40和第二绝缘体42可以在平行于第一磁性层110的顶表面的方向上彼此间隔开。第一绝缘体40和第二绝缘体42可以分别与第一磁性层110的顶表面间隔开第一距离d1和第二距离d2。第一距离d1可以是从第一磁性层110的顶表面到第一绝缘体40的底表面40a的中心点的最短距离，第二距离d2可以是从第一磁性层110的顶表面到第二绝缘体42的底表面42a的中心点的最短距离。换言之，第一距离d1可以是从第一磁性层110的顶表面到第一绝缘体40的底表面40a的中点的第一垂直距离，第二距离d2可以是从第一磁性层110的顶表面到第二绝缘体42的底表面42a的中点的第二垂直距离。在一些实施方式中，第一和第二距离d1和d2的每个可以在约100mm至约300mm的范围。第一距离d1和第二距离d2可以彼此基本上相等。

第一和第二绝缘体40和42的底表面40a、42a可以平行于基板10的顶表面，或者可以相对于基板10的顶表面倾斜。在一些实施方式中，垂直于第一绝缘体40的底表面40a的法线‘a’可以与垂直于基板10的顶表面的法线‘c’形成第一角度θ1，垂直于第二绝缘体42的底表面42a的法线‘b’可以与垂直于基板10的顶表面的法线‘c’形成第二角度θ2。在一些实施方式中，第一角度θ1和第二角度θ2的每个可以在从约0度到约70度的范围。第一角度θ1和第二角度θ2可以彼此基本上相等。

第一绝缘体40和第二绝缘体42可以在具有第一磁性层110的基板100上彼此面对。然而，当所述多个绝缘体包括奇数个绝缘体时，绝缘体可以不彼此面对。

第一绝缘体40和第二绝缘体42可包括相同或相似的材料。第一和第二绝缘体40和42的每个可以包括金属氧化物。例如，第一和第二绝缘体40和42的每个可以包括镁氧化物(MgO)、钛氧化物(TiO)、铝氧化物(AlO)、镁锌氧化物(MgZnO)和镁硼氧化物(MgBO)中的至少一种。

参照图6和图9，可以使用所述多个绝缘体作为靶在第一磁性层110上执行溅射工艺(S200)。操作S200的溅射工艺可以是射频(RF)溅射工艺。

可以在溅射期间从所述多个绝缘体产生离子源。离子源可以包括从第一绝缘体40产生的第一离子源44和从第二绝缘体42产生的第二离子源46。第一离子源44和第二离子源46可以包括相同或相似的元素。例如，第一离子源44和第二离子源46可以包括相同或相似的金属元素。第一和第二离子源44和46的每个可进一步包括氧。

第一离子源44和第二离子源46可以通过分别向第一绝缘体40和第二绝缘体42施加第一电压V1和第二电压V2来产生。第一和第二电压V1和V2的每个可以是AC电压。第一和第二电压V1和V2可具有相同或相似的波以及相同或相似的相位。

来自第一离子源44和第二离子源46的离子可以被沉积在第一磁性层110上以形成非磁性层120。

非磁性层120可以包括与第一和第二绝缘体40和42相同或相似的材料。非磁性层120可包括金属氧化物。例如，非磁性层120可包括镁氧化物(MgO)、钛氧化物(TiO)、铝氧化物(AlO)、镁锌氧化物(MgZnO)和镁硼氧化物(MgBO)中的至少一种。在溅射工艺后，至少一部分的非磁性层120可以是无定形状态。

参照图6和图10，可以在非磁性层120上执行热处理工艺60(S210)。例如，热处理工艺60可在约100摄氏度至约600摄氏度的温度进行。非磁性层120的无定形部分的至少一部分可以通过该热处理工艺60结晶。因此，非磁性层120的晶格可以与第一磁性层110的晶格在第一磁性层110和非磁性层120之间的界面处匹配。

一般而言，磁性存储器件可包括磁隧道结图案，该磁隧道结图案包括在基板上依次层叠的自由层、隧道势垒和被钉扎层。形成磁隧道结图案可以包括在基板上依次沉积自由层、隧道势垒和被钉扎层以形成磁隧道结层，以及图案化该磁隧道结层。隧道势垒可以通过具有低沉积速率的溅射工艺形成，使得隧道势垒的晶格与形成在隧道势垒下面的自由层(或被钉扎层)的晶格在隧道势垒和自由层(或被钉扎层)之间的界面处相匹配。当使用具有低沉积速率的溅射工艺时，磁隧道结图案的隧道磁阻比(TMR)会增加，但通过具有低沉积速率的溅射工艺会降低制造该磁存储器件的生产率。换句话说，可能难以将具有低沉积速率的溅射工艺应用于磁性存储器件的大规模生产。

然而，根据本发明构思的一些实施方式，可通过使用包括相同或相似的材料的所述多个绝缘体作为靶执行溅射工艺来形成非磁性层120。因此，可以增加在溅射工艺期间非磁性层120的沉积速率。在这些实施方式中，至少一部分的非磁性层120可以以无定形状态形成。在一些实施方式中，非磁性层120中的无定形部分可通过热处理工艺60结晶。因此，非磁性层120和第一磁性层110的晶格可以在非磁性层120和第一磁性层110之间的界面处彼此匹配。换句话说，可通过在非磁性层120和第一磁性层110之间的界面处的晶格匹配而增加后面将描述的磁隧道结图案的隧道磁阻比(TMR)，并且可通过具有增加的沉积速率的溅射工艺而改善制造该磁存储器件的生产率。换句话说，本发明构思的实施方式可以容易地应用到磁存储器件的大规模生产。

参照图5和图11，还可以在非磁性层120上形成第二磁性层130(S120)。第二磁性层130可以是具有被固定在一个方向上的磁化方向的被钉扎层，或者可以是具有可变磁化方向的自由层。在一些实施方式中，第一和第二磁性层110和130的其中之一可以对应于具有被固定在一个方向上的磁化方向的被钉扎层，而第一和第二磁性层110和130的另一个可对应于具有可改变成平行或反平行于被钉扎层的被固定的磁化方向的磁化方向的自由层。

在一些实施方式中，第二磁性层130的磁化方向可基本上垂直于非磁性层120和第二磁性层130之间的界面。在这些实施方式中，第二磁性层130可以包括垂直磁性材料(例如CoFeTb、CoFeGd和/或CoFeDy)、具有L1₀结构的垂直磁性材料、具有六方密堆积(HCP)晶格结构的CoPt合金、和垂直磁性结构中的至少一种。具有L1₀结构的垂直磁性材料可以包括具有L1₀结构的FePt、具有L1₀结构的FePd、具有L1₀结构的CoPd和具有L1₀结构的CoPt中的至少一种。垂直磁性结构可以包括交替且重复层叠的磁性层和非磁性层。例如，垂直磁性结构可包括(Co/Pt)n、(CoFe/Pt)n、(CoFe/Pd)n、(Co/Pd)n、(Co/Ni)n、(CoNi/Pt)n、(CoCr/Pt)n和(CoCr/Pd)n中的至少一种，其中“n”表示双层的数目。

在一些实施方式中，第二磁性层130的磁化方向可以基本上平行于非磁性层120和第二磁性层130之间的界面。在这些实施方式，第二磁性层130可包括铁磁材料。当第二磁性层130是被钉扎层时，第二磁性层130可进一步包括用于固定铁磁材料的磁化方向的反铁磁材料。

第二磁性层130可通过执行PVD工艺或CVD工艺形成。

此后，可以在第二磁性层130上形成上部电极层140。上部电极层140可以包括选自由钨、钛、钽、铝和金属氮化物(例如，钛氮化物和/或钽氮化物)组成的组中的至少一种。上部电极层140可以通过溅射工艺、CVD工艺或者ALD工艺形成。

参照图5和图12，可以顺序地图案化第二磁性层130、非磁性层120以及第一磁性层110，以形成磁隧道结图案MTJ(S130)。在一些实施方式中，可以图案化上部电极层140以形成上部电极140P。上部电极140P可以限定在其中将形成磁隧道结图案MTJ的区域。可以使用上部电极140P作为蚀刻掩模来顺序地蚀刻第二磁性层130、非磁性层120、第一磁性层110和下电极层106，以形成第二磁性图案130P、非磁性图案120P、第一磁性图案110P和下部电极106P。磁隧道结图案MTJ可以包括依次层叠在下部电极106P上的第一磁性图案110P、非磁性图案120P和第二磁性图案130P。

上部电极140P、磁隧道结图案MTJ和下部电极106P的每个可以形成多个。所述多个下部电极106P可以电连接到分别在下部层间绝缘层102中形成的所述多个下接触插塞104。可以在所述多个下部电极106P上分别形成所述多个磁隧道结图案MTJ。可以在所述多个磁隧道结图案MTJ上分别形成所述多个上部电极140P。每个磁隧道结图案MTJ可以包括依次层叠在每个下部电极106P上的第一磁性图案110P、非磁性图案120P和第二磁性图案130P。

在一些实施方式中，如图13所示，第一和第二磁性图案110P和130P的磁化方向110a和130a可以基本上平行于非磁性图案120P和第二磁性图案130P的接触表面。图13示出了其中第一磁性图案110P是被钉扎层并且第二磁性图案130P是自由层的实施方式。然而，本发明构思的实施方式不限于此。不同于图13，第一磁性图案110P可以是自由层并且第二磁性图案130P可以是被钉扎层。

具有平行的磁化方向110a和130a的第一和第二磁性图案110P和130P的每个可以包括铁磁材料。第一磁性图案110P还可以包括反铁磁材料，用于固定在第一磁性图案110P中包括的铁磁材料的磁化方向。

在一些实施方式中，如图14所示，第一和第二磁性图案110P和130P的磁化方向110a'和130a'可以基本上垂直于非磁性图案120P和第二磁性图案130P之间的接触表面。图14示出其中第一磁性图案110P是被钉扎层以及第二磁性图案130P是自由层的实施方式。然而，本发明构思的实施方式不限于此。不同于图14，第一磁性图案110P可以是自由层并且第二磁性图案130P可以是被钉扎层。

具有垂直磁化方向110a'和130a'的第一和第二磁性图案110P和130P的每个可以包括垂直磁性材料(例如CoFeTb、CoFeGd和/或CoFeDy)、具有L1₀结构的垂直磁性材料、具有六方密堆积(HCP)晶格结构的CoPt合金、和垂直磁性结构中的至少一种。具有L1₀结构的垂直磁性材料可以包括具有L1₀结构的FePt、具有L1₀结构的FePd、具有L1₀结构的CoPd和具有L1₀结构的CoPt的至少一种。垂直磁性结构可以包括交替且重复层叠的磁性层和非磁性层。例如，垂直磁性结构可包括(Co/Pt)n、(CoFe/Pt)n、(CoFe/Pd)n、(Co/Pd)n、(Co/Ni)n、(CoNi/Pt)n、(CoCr/Pt)n和(CoCr/Pd)n的至少一种，其中“n”表示双层的数目。

再次参照图12，可以在下部层间绝缘层102上形成上部层间绝缘层170。上部层间绝缘层170可以覆盖下部电极106P、磁隧道结图案MTJ和上部电极140P。上部层间绝缘层170可以是单层或多层。例如，上部层间绝缘层170可以包括氧化物层(例如，硅氧化物层)、氮化物层(例如，硅氮化物层)、和氧氮化物层(例如，硅氧氮化物层)的至少一种。

可以在上部层间绝缘层170中形成上部接触插塞150。上部接触插塞150可以连接到上部电极140P。在一些实施方式中，形成上部接触插塞150可以包括在上部层间绝缘层170中形成暴露上部电极140P的接触孔以及在该接触孔中形成上部接触插塞150。

可以在上部层间绝缘层170上形成互连结构160。互连结构160可以在一个方向延伸，并且可以电连接到在一个方向上布置的多个磁隧道结图案MTJ。磁隧道结图案MTJ可通过上部电极140P中的相应一个和连接到该相应的上部电极140P的上部接触插塞150电连接到互连结构160。在一些实施方式中，互连结构160可以作为位线起作用。

根据本发明构思的一些实施方式，非磁性层可以通过使用包括相同或相似的材料的所述多个绝缘体作为靶来执行溅射工艺形成。因此，可以提高在溅射工艺期间非磁性层的沉积速率。在一些实施方式中，至少一部分的非磁性层可以以无定形状态形成。在一些实施方式中，非磁性层的无定形部分可以通过热处理工艺结晶。因此，非磁性层的晶格可以与设置在非磁性层之下的磁性层的晶格在非磁性层和磁性层之间的界面处匹配。换句话说，包括非磁性层和磁性层的磁隧道结图案的TMR可以通过在非磁性层和磁性层之间的界面处的晶格匹配而增加，并且制造该磁性存储器件的生产率可通过沉积速率增大的溅射工艺得到改善。换句话说，本发明构思的实施方式可以容易地应用到磁存储器件的大规模生产。

结果，具有优异的可靠性的磁性存储器件的大规模生产是可能的。

根据本发明构思的一些实施方式，一个层的晶格可以与下面的层的晶格匹配，并且该层的沉积速率可以提高。

当通过根据本发明构思的一些实施方式的形成层的方法形成磁隧道结图案的隧道势垒层时，具有优异的可靠性的磁性存储器件的大规模生产是可能的。

虽然已经参考示例实施方式描述了本发明构思，但对于本领域的技术人员而言，将显而易见的是，可以进行各种变化和修改而不脱离本发明构思的精神和范围。因此，应当理解，上述实施方式不是限制性的，而是说明性的。因此，本发明构思的范围将由权利要求及其等同物的最宽允许解释确定，而不应被前述描述限制或局限。

本申请要求2015年10月29日提交到韩国知识产权局的韩国专利申请号第10-2015-0151223号的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用被整体合并于此。