1.一种形成层的方法，该方法包括：
在下部结构上方提供第一绝缘体和第二绝缘体，所述第一绝缘体和所述第二绝缘体与所述下部结构垂直间隔开，并且所述第一绝缘体和所述第二绝缘体彼此横向间隔开；
分别从所述第一绝缘体和所述第二绝缘体产生第一离子源和第二离子源；和
使用所述第一离子源和所述第二离子源在所述下部结构上形成绝缘层，
其中所述第一绝缘体和所述第二绝缘体包括彼此相同的材料。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一绝缘体和所述第二绝缘体包括金属氧化物。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘层包括与所述第一绝缘体和所述第二绝缘体相同的材料。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一绝缘体、所述第二绝缘体以及所述绝缘层包括金属氧化物。
5.根据权利要求1所述的方法，其中产生所述第一离子源和所述第二离子源以及形成所述绝缘层是通过使用所述第一绝缘体和所述第二绝缘体作为靶的射频溅射工艺执行的。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述绝缘层上执行热处理工艺。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述下部结构的最上部分是具有晶体结构的导电层。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述绝缘层的晶格与所述导电层的晶格在所述导电层和所述绝缘层之间的界面处匹配。
9.一种制造磁性存储器件的方法，该方法包括：
在基板上依次形成第一磁性层、非磁性层和第二磁性层，
其中形成所述非磁性层包括使用多个绝缘体作为靶执行溅射工艺，和
其中所述多个绝缘体包括彼此相同的材料。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述多个绝缘体包括金属氧化物。
11.根据权利要求9所述的方法，其中所述非磁性层包括与所述多个绝缘体相同的材料。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述非磁性层和所述绝缘体包括金属氧化物。
13.根据权利要求9所述的方法，其中在形成所述第一磁性层之后且在形成所述第二磁性层之前执行所述溅射工艺，和
其中形成所述非磁性层还包括在执行所述溅射工艺之后且在形成所述第二磁性层之前执行热处理工艺。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述非磁性层的晶格与所述第一磁性层的晶格在所述非磁性层与所述第一磁性层之间的界面处匹配。
15.根据权利要求9所述的方法，其中所述非磁性层是隧道势垒层。
16.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一磁性层和所述第二磁性层之一是自由层，而所述第一磁性层和第二磁性层中的另一个是被钉扎层。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一磁性层和所述第二磁性层具有基本平行于所述非磁性层和所述第二磁性层之间的界面的磁化方向。
18.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一磁性层和所述第二磁性层具有基本上垂直于所述非磁性层和所述第二磁性层之间的界面的磁化方向。
19.根据权利要求9所述的方法，其中所述溅射工艺是射频溅射工艺。
20.根据权利要求19所述的方法，其中使用所述多个绝缘体执行所述溅射工艺包括向所述多个绝缘体施加彼此相等的电压。
21.一种形成磁隧道结的方法，该方法包括：
在基板上形成第一磁性层；
在所述第一磁性层的表面上方第一距离处定位第一绝缘体；
在所述第一磁性层的所述表面上方第二距离处且与所述第一绝缘体横向间隔开地定位第二绝缘体；
向所述第一绝缘体施加第一电压以及向所述第二绝缘体施加第二电压；
使用所述第一绝缘体和所述第二绝缘体作为靶执行溅射工艺，以在所述第一磁性层上形成非磁性层；和
在所述非磁性层上形成第二磁性层。
22.根据权利要求21所述的方法，其中通过所述溅射工艺形成的所述非磁性层包括处于无定形状态的一部分，和
其中所述方法还包括在执行所述溅射工艺之后且在形成所述第二磁性层之前执行热处理，
其中所述热处理结晶化所述非磁性层的所述无定形部分，并形成所述非磁性层的具有第一晶格的结晶部分，所述第一晶格与所述第一磁性层的第二晶格在所述非磁性层和所述第一磁性层之间的界面处相匹配。
23.根据权利要求21所述的方法，其中所述第一电压和所述第二电压分别是交流电电压，和
其中所述第一电压和所述第二电压具有相同的相位。
24.根据权利要求21所述的方法，其中所述第一距离和所述第二距离彼此相等。
25.根据权利要求21所述的方法，其中所述第一绝缘体相对于所述基板的顶表面倾斜第一角度，以及
其中所述第二绝缘体相对于所述基板的顶表面倾斜第二角度，所述第二角度具有等于所述第一角度的大小。