技术总结
本发明提供了形成层的方法、制造磁性存储器件的方法以及形成磁隧道结的方法，其中形成层的方法包括：在下部结构上方提供第一绝缘体和第二绝缘体，分别从第一绝缘体和第二绝缘体产生第一离子源和第二离子源；以及使用第一离子源和第二离子源在下部结构上形成绝缘层。第一绝缘体和第二绝缘体与下部结构垂直间隔开，并且彼此横向地间隔开。第一绝缘体和第二绝缘体包括彼此相同的材料。
技术研发人员：朴容星;李俊明;金基雄;金柱显;吴世忠
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
文档号码：201610957717
技术研发日：2016.10.27
技术公布日：2017.05.10