技术总结
一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件的形成方法包括：提供基底，所述基底表面形成有栅极结构，所述栅极结构两侧分别具有一个互连区，所述互连区的基底内分别形成有位于栅极结构两侧的源区和漏区，其中，每一互连区横跨若干个源区或若干个漏区；在所述基底表面和栅极结构表面形成第一介质层；刻蚀位于互连区上方的第一介质层，直至暴露出源区表面或漏区表面，在所述互连区上方形成通孔，且每一通孔横跨一互连区内的全部源区或全部漏区；形成填充满所述通孔的互连层；在所述互连层顶部表面形成第零层导电层，每一第零层导电层与一互连区内的全部源区或全部漏区电连接。本发明增加工艺灵活性，改善形成的半导体器件的电学性能。
技术研发人员：沈忆华;余云初;傅丰华;潘见
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
文档号码：201510740015
技术研发日：2015.11.03
技术公布日：2017.05.10