1.一种整合电容的热电堆感测结构，其特征在于，包含：
一基板；
一红外线感应单元，位于该基板上，该红外线感应单元具有一第一感应结构及一第二感应结构，其中该第一感应结构及该第二感应结构彼此相近的一端为一热端；以及
一分隔结构，围绕该红外线感应单元，其中该分隔结构与该第一感应结构彼此相近的一端为一冷端，该分隔结构与该第二感应结构彼此相近的一端为另一冷端，该热端与该冷端间的温度差产生一电压差讯号，该分隔结构的一部分构成至少一电容。
2.如权利要求1所述的整合电容的热电堆感测结构，其中，该电容为一金属-绝缘体-金属MIM电容或一多晶硅-绝缘体-多晶硅PIP电容。
3.如权利要求2所述的整合电容的热电堆感测结构，其中，该分隔结构包含叠置的多个金属层与多个沟道层，且该MIM电容包含由金属层构成的上下极板。
4.如权利要求2所述的整合电容的热电堆感测结构，其中，该分隔结构包含叠置的多个金属层、多个沟道层及多个多晶硅层，且该PIP电容包含由多晶硅层构成的上下极板。
5.如权利要求1所述的整合电容的热电堆感测结构，其中，还包含：
一介电质层，位于该基板上，其中该红外线感应单元与该分隔结构形成于该介电质层之中。
6.如权利要求5所述的整合电容的热电堆感测结构，其中，还包含：
一结合层，位于该介电质层上；以及
一滤光层，用以过滤除了红外线以外的讯号，该滤光层通过该结合层与该介电质层相连。
7.如权利要求1所述的整合电容的热电堆感测结构，其中，该热端与该冷端间的温度差经由一晶体管电路处理而产生该电压差讯号，该晶体管电路形成于该基板上。
8.一种整合电容的热电堆感测结构，其特征在于，包含：
一基板，具有一空腔；
一红外线感应单元，位于该基板上，该红外线感应单元具有一第一半导体堆叠结构，其中该第一半导体堆叠结构位于该空腔处的一端为一热端；以及
一分隔结构，位于该红外线感应单元周边，其中该分隔结构与该第一半导体堆叠结构彼此相近的一端为一冷端，该热端与该冷端间的温度差产生一电压差讯号，该分隔结构的一部分构成至少一电容。
9.如权利要求8所述的整合电容的热电堆感测结构，其中，该分隔结构的至少一部分的膜层与该第一半导体堆叠结构的膜层为相同膜层。
10.如权利要求8所述的整合电容的热电堆感测结构，其中，该至少一电容为一金属-绝缘体-金属MIM电容或一多晶硅-绝缘体-多晶硅PIP电容。
11.如权利要求8所述的整合电容的热电堆感测结构，其中，该第一半导体堆叠结构包括两层互相连接的热传导材料，其中，该其中的一层热传导材料的Seebeck系数不同于该其中的另一层热传导材料的Seebeck系数。
12.如权利要求8所述的整合电容的热电堆感测结构，其中，还包含：
一第二半导体堆叠结构，其中该第一半导体堆叠结构及该第二半导体堆叠结构彼此相近的一端为该热端，该分隔结构与该第一半导体堆叠结构彼此相近的一端为该冷端，该分隔结构与该第二半导体堆叠结构彼此相近的一端为另一冷端。
13.如权利要求12所述的整合电容的热电堆感测结构，其中，该分隔结构的至少一部分的膜层与该第二半导体堆叠结构的膜层为相同膜层。