技术总结
本发明提供一种蓝宝石衬底回收再使用的方法，包括以下步骤：提供待回收再使用的蓝宝石衬底；使用盐酸溶液去除所述蓝宝石衬底表面残留的Ga；使用王水去除所述蓝宝石衬底表面残留的金属；使用ITO刻蚀液去除所述蓝宝石衬底表面残留的ITO；使用磷酸去除所述蓝宝石衬底表面残留的GaN。通过本发明的蓝宝石衬底回收再使用的方法步骤简单，易于操作，成本较低，可以将剥离完的蓝宝石衬底处理后回收再使用，重新进行外延生长，大大降低了垂直结构GaN基LED芯片的生产成本。
技术研发人员：琚晶;吕孟岩;马后永;游正璋;李起鸣;张宇
受保护的技术使用者：映瑞光电科技（上海）有限公司
文档号码：201510830804
技术研发日：2015.11.25
技术公布日：2017.05.31