1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
步骤S101：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构将所述半导体衬底分为高压器件区域和非高压器件区域，且在所述半导体衬底上形成有垫氧化层和保护层；
步骤S102：去除所述高压器件区域和浅沟槽隔离结构靠近所述高压器件区域的部分中的保护层，并对所述高压器件区域进行阈值电压调整离子注入；
步骤S103：去除所述高压器件区域和浅沟槽隔离结构靠近所述高压器件区域的部分中的垫氧化层；
步骤S104：对所述高压器件区域与浅沟槽隔离结构的边界区域进行圆滑处理，以使所述高压器件区域与浅沟槽隔离结构的边界区域光滑；
步骤S105：在所述高压器件区域和浅沟槽隔离结构靠近所述高压器件区域的部分形成衬垫氧化层，以及形成覆盖所述半导体衬底的隔离层；
步骤S106：去除所述高压器件区域中有源区上的衬垫氧化层和隔离层；
步骤S107：在所述高压器件区域形成栅极氧化层。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S104包括：
步骤S1041：在所述高压器件区域和浅沟槽隔离结构靠近所述高压器件区域的部分形成牺牲氧化层；
步骤S1042：去除所述牺牲氧化层。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述高压器件区域与浅沟槽隔离结构的边界区域的光滑度基于所述高压器件区域边界的露出量和所述牺牲氧化层的厚度进行优化。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述隔离层为硅层。
5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于， 所述硅层为非晶硅层或多晶硅层。
6.如权利要求4或5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述硅层的厚度基于所述高压器件区域的栅极氧化层厚度确定。
7.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构将所述半导体衬底分为高压器件区域和非高压器件区域，所述非高压器件区域的栅极氧化层在平坦区域和边界区域的厚度均匀。
8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述非高压器件区域的栅极氧化层通过如权利要求1-6之一的方法形成。
9.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求7或8所述的半导体器件以及与所述半导体器件相连接的电子组件。