1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底表面形成有若干分立的鳍部，所述衬底表面还形成有覆盖鳍部部分侧壁表面的隔离层，且所述隔离层顶部低于鳍部顶部；
对所述鳍部进行掺杂处理；
在进行所述掺杂处理之后，采用气体团簇离子束工艺对所述鳍部顶部和侧壁进行修复性处理，在所述鳍部顶部表面和侧壁表面形成修复层；
去除所述修复层；
在去除所述修复层之后，形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖鳍部的部分顶部表面和侧壁表面。
2.如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述修复性处理适于改善鳍部顶部和侧壁的表面粗糙度。
3.如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述修复性处理采用的气体包括含氧气体。
4.如权利要求3所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述含氧气体为O2、O3或H2O。
5.如权利要求3所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述修复性处理采用的气体还包括Ar、N2或He。
6.如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述气体团簇离子束工艺的工艺参数包括：提供刻蚀气体和O2，还提供Ar、N2或He中的一种或多种气体，刻蚀气体为卤族元素、碳元素、氢元素或氮元素中的一种或多种组成的化合物气体，刻蚀气体气压大于等于1个标准大气压，刻蚀气体经过电离形成气体团簇的离子束，其中，离子束加速电场强度小于或等于100kv，离子束能量小于或等于100kev，离子束剂量小于或等于1E17cluster/cm2。
7.如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述鳍部的材料为硅；所述修复层的材料为氧化硅。
8.如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述修复层的 厚度为0.5纳米至1纳米。
9.如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺，去除所述修复层。
10.如权利要求9所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺采用的刻蚀液体为稀释的氢氟酸溶液，稀释的氢氟酸溶液中去离子水与氢氟酸的体积比为200:1至500:1。
11.如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在对所述鳍部进行掺杂处理之前，在所述鳍部顶部表面和侧壁表面形成屏蔽层；在进行所述修复性处理之前，去除位于鳍部顶部表面和侧壁表面的屏蔽层。
12.如权利要求11所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺形成所述屏蔽层。
13.如权利要求11所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述屏蔽层的材料为氧化硅或氮氧化硅。
14.如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，采用离子注入工艺进行所述掺杂处理；所述掺杂处理的掺杂离子为N型离子或P型离子。
15.如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在去除所述修复层之后、形成所述栅极结构之前，还包括步骤：对所述鳍部顶部表面和侧壁表面进行清洗处理。
16.如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层以及位于栅介质层表面的栅电极层。
17.如权利要求16所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，形成所述栅极结构的工艺步骤包括：在所述鳍部顶部表面和侧壁表面、以及隔离层表面形成栅介质膜；在所述栅介质膜表面形成栅电极膜；图形化所述栅电极膜以及栅介质膜，形成所述栅极结构。
18.如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述衬底包括第一区域和第二区域，其中，第一区域为NMOS区域或PMOS区域，第二区域为NMOS区域或PMOS区域。