1.一种硅基异质接面太阳能电池，其特征在于，包括：
一硅基PN接面结构，具有两个相对表面，其中该硅基PN接面结构由一P型半导体层与一N型半导体层所组成，且该P型半导体层的能隙不同于该N型半导体层的能隙；
一第一透明导电膜，设置位于该硅基PN接面结构的一表面，其使用镀率大于1.5 nm/s的直流电弧放电沉积所形成；
一第二透明导电膜，设置位于该硅基PN接面结构且相对于第一电极的另一表面，其使用镀率大于1.5 nm/s的直流电弧放电沉积所形成；
一第一电极，设置于该第一透明导电膜之上，用于取出该硅基PN接面结构的电流；以及
一第二电极，设置于该第二透明导电膜之上，用于取出该硅基PN接面结构的电流。
2.根据权利要求1所述的硅基异质接面太阳能电池，其特征在于，其中该第一透明导电膜的折射率介于1.90至1.94之间，且该第二透明导电膜的折射率介于1.90至1.94之间。
3.根据权利要求1所述的硅基异质接面太阳能电池，其特征在于，其中该第一透明导电膜与该第二透明导电膜选自掺杂铝的氧化锌、掺杂镓的氧化锌、掺杂硼的氧化锌、掺杂锌的氧化铟、掺杂硼的氧化铟、掺杂氢的氧化铟或其中任意两种以上的组合。
4.根据权利要求1所述的硅基异质接面太阳能电池，其特征在于，其中该第一透明导电膜的晶粒尺寸介于20纳米至30纳米之间，且该第二透明导电膜的晶粒尺寸介于20纳米至30纳米之间。
5.根据权利要求1所述的硅基异质接面太阳能电池，其特征在于，其中该第一透明导电膜的表面粗糙度介于3纳米至20纳米之间，且该第二透明导电膜的表面粗糙度介于3纳米至20纳米之间。
6.一种硅基异质接面太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：
形成一硅基PN接面结构，具有两个相对表面，其中该硅基PN接面结构由一P型半导体层与一N型半导体层所组成，且该P型半导体层的能隙不同于该N型半导体层的能隙；
沉积一第一透明导电膜于该PN接面结构的一表面，其使用镀率大于1.5 nm/s的直流电弧放电沉积所形成；
沉积一第二透明导电膜于该PN接面结构且相对于该第一电极的另一表面，其使用镀率大于1.5 nm/s的直流电弧放电沉积所形成；以及
形成一第一电极于该第一透明导电膜之上与形成一第二电极于该第二透明导电膜之上，用于取出该硅基PN接面结构的电流。
7.根据权利要求6所述的硅基异质接面太阳能电池的制备方法，其特征在于，其中该第一透明导电膜的折射率介于1.90至1.94之间，且该第二透明导电膜的折射率介于1.90至1.94之间。
8.根据权利要求6所述的硅基异质接面太阳能电池的制备方法，其特征在于，其中该第一透明导电膜选自掺杂铝的氧化锌、掺杂镓的氧化锌、掺杂硼的氧化锌、掺杂锌的氧化铟、掺杂硼的氧化铟、掺杂氢的氧化铟或其中任意两种以上的组合。
9.根据权利要求6所述的硅基异质接面太阳能电池的制备方法，其特征在于，其中该第一透明导电膜的晶粒尺寸介于20纳米至50纳米之间，且该第二透明导电膜的晶粒尺寸介于20纳米至50纳米之间。
10.根据权利要求6所述的硅基异质接面太阳能电池的制备方法，其特征在于，其中该第一透明导电膜的表面粗糙度介于3纳米至20纳米之间，且该第二透明导电膜的表面粗糙度介于3纳米至20纳米之间。