技术总结
本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干行鳍片；步骤S2：图案化所述鳍片，以在所述鳍片延伸方向上将每一行所述鳍片分割为若干相互间隔的鳍片结构；步骤S3：在所述半导体衬底上形成隔离材料层，以覆盖所述鳍片结构的底部并填充所述鳍片结构底部之间的间隙；步骤S4：在所述鳍片结构的侧壁上以及所述鳍片结构之间的所述隔离材料层上形成绝缘层，以覆盖所述鳍片结构的侧壁上以及所述隔离材料层；步骤S5：在所述鳍片结构上形成环绕所述鳍片结构的虚拟栅极，同时在所述鳍片结构之间的所述隔离材料层上的所述绝缘层上形成虚拟栅极。
技术研发人员：周飞
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
文档号码：201510976483
技术研发日：2015.12.23
技术公布日：2017.06.30