技术领域本实用新型涉及吸波领域，更具体地，涉及对TE波和TM波表现出不同吸收性能的吸波结构。
背景技术：
吸波材料可以减少电子系统的电磁波泄露，从而可以用于减少电子系统之间的干扰，改善电磁兼容性。此外，如果将吸波材料作为飞行器的蒙皮，则可以减小飞行器的雷达散射截面积(RCS，即RadarCrossSection)。例如，飞机的机翼是机体RCS的重要来源。采用吸波材料覆盖的可以显著减小机体的RCS，从而减小飞机的雷达可探测性，实现隐身效果。根据不同的用途，吸波材料不仅要求有良好的吸波性能，而且对重量、厚度和带宽等其他性能也有要求。单一的吸波材料难以能够满足带宽和机械强度方面的综合要求。吸波结构是获得轻质宽频带吸波材料的重要手段。然而，随着技术发展，对吸波材料的性能要求越来越高。期望进一步开发的吸波结构具有改善的吸波性能以及对TE波和TM波表现出极化选择性。
技术实现要素：
鉴于上述问题，本实用新型要解决的问题是提供一种通过导电层的设计来实现低通或带通功能的滤波器。根据本实用新型提供一种吸波结构，其特征在于，包括：至少一个叠层结构，所述叠层结构包括基板和位于基板上的导电层，其中，所述导电层包括多个几何结构单元，每个几何结构单元包括彼此隔开的第一导电图案和两个第二导电图案，所述第一导电图案包括工字型结构以及与工字型结构交叉的第一线条，所述第一线条与所述工字型结构两端的线条相平行，所述第二导电图案包括矩形框，分别设置于所述工字型结构的两端，所述矩形框上设置有开口，所述工字型结构的两端分别经所述开口穿入所述矩形框内。优选的，所述几何结构单元的第一方向为所述第一线条的长度方向，第二方向为与所述第一方向垂直的方向，在第一方向上，相邻的几何结构单元的第二导电图案之间彼此连接，相邻的几何结构单元的第一线条之间彼此连接。在第二方向上，相邻的几何结构单元的第二导电图案之间彼此连接。优选的，所述工字型结构为对称结构，包括位于两端的第二线条和第三线条，以及与所述第二线条和第三线条垂直交叉的第四线条。优选的，所述工字型结构以所述第一线条为对称轴，对称分布。优选的，所述两个第二导电几何图案对称设置于所述第一线条的两端。优选的，所述矩形框的长边与所述第一线条平行。优选的，所述矩形框的长边与所述第一线条长度相同。优选的，所述导电层夹在两个基板之间。优选的，所述基板包括依次平行设置的第二基板、第一基板和第三基板，所述导电层为两层，其中第一导电层位于第一基板和第二基板之间，第二导电层位于所述第一基板和第三基板之间。优选的，所述第二基板的厚度小于第一基板和第三基板的厚度。优选的，其特征在于所述第一基板、第二基板和第三基板均为介质基板。优选的，通过改变所述几何结构单元的尺寸，能够改变所述吸波结构的吸波性能。优选的，所述导电几何结构为对称结构，将所述工字型结构的一端与对应的所述矩形框的设置有开口的侧边之间的距离定义为W0，将所述开口的长度定义为L0，通过改变所述W0和L0的值，能够使所述吸波结构产生不同的吸波性能。优选的，当所述W0的值为1.9mm，L0的值为3.5mm时，所述吸波结构在相同频段内，对入射的TM波和TE波具有不同的吸收量。优选的，当所述W0的值为0.5mm，L0的值为1.9mm时，所述吸波结构对入射的TE波单段吸波，而对入射的TM波双段吸波。本实用新型通过在基板上设置导电层，通过相关叠层结构的电磁响应特征来改变吸波特性，从而可以改善吸波结构的吸波性能。该吸波结构对TE波和TM波表现出不同的吸收性能，通过改变所述几何结构单元的尺寸，能够改变所述吸波结构的吸波性能，使所述吸波结构具有大量吸收入射的TM波而少量吸收TE波的吸波特性，或者具有对入射的TE波单段吸波而对TM波双段吸波的特性。附图说明通过以下参照附图对本实用新型实施例的描述，本实用新型的上述以及其它目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：图1示出根据现有技术的吸波结构的立体结构示意图；图2示出根据本实用新型实施例的吸波结构的立体结构示意图；图3示出在根据本实用新型实施例的吸波结构中采用的几何结构单元的俯视图；图4-6示出根据本实用新型的吸波结构的第一实施例的仿真特性曲线。图7-11示出根据本实用新型的吸波结构的第二实施例的仿真特性曲线。具体实施方式以下将参照附图更详细地描述本实用新型。在各个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。此外，可能未示出某些公知的部分。应当理解，在描述某个结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将该结构翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。如果为了描述直接位于另一层、另一个区域上面的情形，本文将采用“A直接在B上面”或“A在B上面并与之邻接”的表述方式。本实用新型可以各种形式呈现，以下将描述其中一些示例。图1示出根据现有技术的吸波结构的立体结构示意图。吸波结构100包括基板1和设置在基板1上的多个导电层2，所述导电层2包括多个规则排布的几何结构单元3，所述几何结构单元3为轴对称结构，由三个十字框套在一起形成，所述三个十字框之间相互隔离的设置，包括由内向外依次排布的第一十字框31、第二十字框32和第三十字框33。所述多个几何结构单元阵列在所述基板1上，并且相邻的所述几何结构单元3之间间隔一定距离的设置。这种吸波结构可以在一定带宽内对电磁波进行吸收，但吸收效率较低，不能同时有效的大量吸收TM波而少量吸收TE波。图2示出根据本实用新型实施例的吸波结构的立体结构示意图。如图2所示，在一个优选的实施例中，所诉吸波结构包括两个叠层结构。第一导电层215夹在第一基板112和第二基板116之间，形成第一叠层结构。第二导电层225夹在第三基板122和第一基板112之间，形成第二叠层结构。为了示出第一导电层215，在图2中将第一导电层215分离表示，图中的箭头指示第二基板116相对实际位置的分离方向。当然，可根据需要设置更多个叠层结构。第一导电层215和第二导电层225分别是由多个几何结构单元2150组成的阵列。图3示出在根据本实用新型实施例的吸波结构中采用的几何结构单元的俯视图。所述导电层包括多个几何结构单元2150，每个几何结构单元2150包括彼此隔开的第一导电图案2151和两个第二导电图案2152，所述第一导电图案2151包括工字型结构以及与工字型结构交叉的第一线条2153，所述第一线条2153与所述工字型结构两端的线条相平行，所述第二导电图案包括矩形框，分别设置于所述工字型结构的两端，所述矩形框上设置有开口，所述工字型结构的两端分别经所述开口穿入所述矩形框内。所述工字型结构为对称结构，包括位于两端的第二线条和第三线条，以及与所述第二线条和第三线条垂直交叉的第四线条。所述工字型结构以所述第一线条为对称轴，对称分布。所述两个第二导电几何图案对称设置于所述第一线条的两侧。该几何结构单元2150的长度表示为L1，宽度表示为W1。在第一导电图案中：工字型结构的长度和宽度分别表示为L2和W2，第一线条的线宽表示为w1，长度与L1相同；第二线条和第三线条的线宽表示为w2，第四线条的宽度表示为w3。在第二导电图案中：第二导电图案的长度与L1相同，宽度表示为W3；矩形框的设置有开口的线条的宽度表示为w4，相对的另一线条的长度表示为w5，沿着几何结构单元的宽度方向的线条的线宽表示为w6。在几何结构单元的长度L1方向上，相邻的几何结构单元的第二导电图案之间彼此连接，相邻的几何结构单元的第一线条之间彼此连接；在几何结构单元的宽度W1的方向上，相邻的几何结构单元的第二导电图案之间彼此连接。所述矩形框的长边与所述第一线条平行，并且所述矩形框的长边与所述第一线条长度相同。第一导电层215和第二导电层225可以由任意的导电材料组成。这里的导电材料，可以是金、银、铜等导电性能良好的金属材料，或者主要成分为金、银、铜中的一种或两种的合金材料，也可以是碳纳米管、掺铝氧化锌、铟锡氧化物等可以导电的非金属材料。在本实用新型中，第一导电层215和第二导电层225的材料优选铜或银。第一导电层215和第二导电层225可以是任意物质形态。这里的物质形态，可以是选自固体、液体、流状体和粉状物中的一种，只要其可以维持特定的形状即可。例如液体的导电材料可以容纳在空腔、管道、胶囊之中并且限定其形状。第一基板112、第二基板116和第三基板122可以分别为介质基板。介质基板的材料有多种选择，例如陶瓷、FR4、F4B(聚四氟乙烯)、HDPE(高密度聚乙烯，HighDensityPolyethylene)、ABS(AcrylonitrileButadieneStyrene)等。例如，介质基板的相对介电常数大于2、损耗角正切小于0.1。第一导电层215和第二导电层225可以通过印刷、镀敷、粘接、热压等方式附着于介质基板上。在一个实例中，第一导电层215和第二导电层225是介质基板上的图案化金属层。第一导电层215和第二导电层225通过蚀刻、电镀、钻刻、光刻、电子刻或离子刻等多种方法附着在介质基板上。其中，蚀刻是较优的制造工艺，其步骤是在设计好合适的人造微结构的平面图案后，先将一张金属箔片整体地附着在介质基板上，然后通过蚀刻设备，利用溶剂与金属的化学反应去除掉人造微结构预设图案以外的箔片部分，余下的即可得到人造微结构。在另一个实例中，第一导电层215和第二导电层225可以由导电油墨印刷形成在介质基板上。通过改变所述几何结构单元的尺寸，能够改变本申请中吸波结构的吸波性能。所述导电几何结构为对称结构，将所述工字型结构的一端与对应的所述矩形框的设置有开口的侧边之间的距离定义为W0，将所述开口的长度定义为L0，通过改变所述W0和L0的值，能够对所述吸波结构产生不同的吸波性能。图4-6示出本实用新型中吸波结构的第一实施例的仿真特性曲线。该吸波结构中的几何结构单元如图3所示，其结构如图1所示，包括第一至第二叠层结构。在该仿真中，假设第一导电层215和第二导电层225的构造相同，其中，每个几何结构单元2150的长度W1和宽度L1分别为15毫米和9毫米，厚度为0.02毫米。在第一导电图案中：工字型结构的长度L2和宽度W2分别为11.5毫米和8毫米，第一线条的线宽w1为0.4毫米，长度与L1相同；第二线条和第三线条的线宽w2为0.6毫米，第四线条的长度和宽度w3为0.5毫米。在第二导电图案中：第二导电图案的长度与L1相同，宽度W3为3.8毫米；矩形框的设置有开口的线条的宽度w4为0.6毫米，相对的另一线条的长度w5为0.2毫米，沿着几何结构单元的宽度方向的线条的线宽w6为0.25毫米。第一基板112、第二基板116和第三基板122的材料相同，相对介电常数3.0、损耗角正切0.008，第二基板116的厚度为0.4毫米，其余基板的厚度相同，均为4.8毫米。二层导电层的电阻值是不一样的，其中第一层导电层的电阻值是40Ω/Sq，第二层导电层的电阻值是600Ω/Sq。所述W0的值为1.9mm，L0的值为3.5mm。如图4-6所示，对于上述参数的吸波结构进行仿真的结果表明，在相同频率范围下，对TE入射波和TM入射波吸收的能量是不相同的，该滤波结构为能够实现大量吸收TM波而少量吸收TE波的带宽雷达吸波结构。当TE波入射时被反射的电磁波能量(S11)会在-2.52dB和-6.78dB之间，当TM波入射时被反射的电磁波能量(S11)会低于-10GHz。TE波的S11在3.52至13.29GHz波段是在-2.52dB和-6.78dB之间，TM波的S11在3.52至13.29GHz波段均低于-10dB。图7-11示出本实用新型中吸波结构的第二实施例的仿真特性曲线。该第二实施例中的吸波结构与所述第一实施中的吸波结构在基本结构上没有区别，只是在具体结构的尺寸上有变化。该吸波结构中的几何结构单元如图3所示，其结构如图1所示，包括第一至第二叠层结构。在该仿真中，假设第一导电层215和第二导电层225的构造相同，其中，每个几何结构单元2150的长度W1和宽度L1分别为15毫米和9毫米，厚度为0.02毫米。在第一导电图案中：工字型结构的长度L2和宽度W2分别为13.1毫米和6.4毫米，第一线条的线宽w1为1.6毫米，长度与L1相同；第二线条和第三线条的线宽w2为0.5毫米，第四线条的长度和宽度w3为0.5毫米。在第二导电图案中：第二导电图案的长度与L1相同，宽度W3为3.2毫米；矩形框的设置有开口的线条的宽度w4为0.5毫米，相对的另一线条的长度w5为0.8毫米，沿着几何结构单元的宽度方向的线条的线宽w6为0.25毫米。第一基板112、第二基板116和第三基板122的材料相同，相对介电常数3.0、损耗角正切0.008，第二基板116的厚度为2毫米，其余基板的厚度相同，均为5毫米。二层导电层的电阻值是不一样的，其中第一层导电层的电阻值是5Ω/Sq，第二层导电层的电阻值是250Ω/Sq。所述W0的值为0.5mm，L0的值为1.9mm。如图7-11所示，对于上述参数的吸波结构进行仿真的结果表明，入射的TE波在2.59至5.09GHz及10.13至11.10GHz被吸收而入射的TM波在5.36至8.42GHz被吸收。当TE波入射时被双段吸波而当TM波入射时被单段吸波。当入射波是TE波时，电磁波会在2.59至5.09GHz及10.13至11.10GHz被吸收，被反射的电磁波能量(S11)会低于-10GHz。当入射波是TM波时，电磁波会在5.36至8.42GHz被吸收，被反射的电磁波能量(S11)会低于-10GHz。在以上的描述中，对公知的结构要素和步骤并没有做出详细的说明。但是本领域技术人员应当理解，可以通过各种技术手段，来实现相应的结构要素和步骤。另外，为了形成相同的结构要素，本领域技术人员还可以设计出与以上描述的方法并不完全相同的方法。另外，尽管在以上分别描述了各实施例，但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。以上对本实用新型的实施例进行了描述。但是，这些实施例仅仅是为了说明的目的，而并非为了限制本实用新型的范围。本实用新型的范围由所附权利要求及其等价物限定。不脱离本实用新型的范围，本领域技术人员可以做出多种替代和修改，这些替代和修改都应落在本实用新型的范围之内。