1.用于OLED的透明载带电极，其连续地包含：
(i)由无机玻璃制成的透明基材；
(ii)由包含至少30%重量的Bi2O3的高指数瓷釉形成的散射层；
(iii)通过ALD沉积的至少一种选自Al2O3、TiO2、ZrO2和HfO2的介电金属氧化物的阻挡层；和
(iv)透明导电氧化物(TCO)层。
2.根据权利要求1的电极，特征在于通过ALD沉积的阻挡层包含多个Al2O3层，它们与选自TiO2、ZrO2和HfO2的具有更高指数(n>2)的氧化物层交替。
3.根据权利要求1或2的电极，特征在于它还包含在TCO层下方或者上方的并且与其直接接触的金属栅格。
4.根据前述权利要求任一项的电极，特征在于通过ALD沉积的阻挡层具有为5至200纳米，优选地10至100纳米的厚度。
5.根据前述权利要求任一项的电极，特征在于形成散射层的高指数瓷釉包含使光散射的元件，该元件分散在该层的厚度中。
6.根据前述权利要求任一项的电极，特征在于在高指数瓷釉和下邻的低指数介质之间的界面具有其算术平均值偏差Ra至少等于0.1微米，优选地0.2至5微米，特别地0.3至3微米的粗糙度轮廓。
7.包含根据前述权利要求任一项的电极的OLED。
8.用于制备根据前述权利要求任一项的用于OLED的透明载带电极的方法，包括下列连续步骤：
(a)提供透明基材，该基材在它的一个面上携带由包含至少30%重量的Bi2O3的高指数瓷釉形成的散射层；
(b)通过原子层沉积(ALD)在高指数瓷釉上并且与其直接接触地形成至少一种选自Al2O3、TiO2、ZrO2和HfO2的介电金属氧化物的阻挡层；和
(c)在介电金属氧化物层(b)上方形成透明导电氧化物(TCO)层。
9.根据权利要求8的方法，特征在于它还包括形成与透明导电氧化物层直接接触的金属栅格的步骤(d)，该步骤(d)包括至少一个酸蚀刻步骤。
10.根据权利要求9的方法，特征在于步骤(d)在步骤(b)之后并且在步骤(c)之前进行实施以使得金属栅格同时与介电金属氧化物阻挡层和与TCO层接触。
11.根据权利要求9的方法，特征在于步骤(d)在步骤(c)之后进行实施以使得金属栅格与TCO层接触但不与金属氧化物阻挡层接触。