1.一种太阳能电池，包括：
基板；
半导体区，所述半导体区设置在所述基板中或所述基板上方；
以及
接触指，所述接触指通过多个焊缝区耦接至所述半导体区，其中所述多个焊缝区中的第一焊缝区是局部焊缝。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述多个焊缝区被非对称地布置在所述接触指上。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述多个焊缝区中的至少一个具有与所述多个焊缝区中的另一个不同的长度。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，还包括耦接至所述接触指和所述半导体区并位于所述接触指与所述半导体区之间的第一导电区。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，还包括耦接至所述接触指和所述第一导电区并位于所述接触指与所述第一导电区之间的第二导电区。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，还包括设置在所述半导体区的对应n型区和p型区之间的损伤缓冲区。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其中所述损伤缓冲区是被构造成吸收激光能量的吸收区。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述接触指包括包含铝的箔。
9.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：
在设置于基板中或基板上方的半导体区上方放置导电箔；以及
对所述导电箔的随机位置施加激光，以在所述导电箔和所述半导体区之间形成多个焊缝。
10.根据权利要求9所述的方法，还包括：
图案化所述导电箔以形成用于所述太阳能电池的接触指，其中所述焊缝中的至少一个与其中一个所述接触指的边缘重叠。
11.根据权利要求9所述的方法，还包括在放置所述导电箔之前，在所述半导体区上方形成第一导电区，其中施加所述激光包括施加所述激光以在所述导电箔和所述第一导电区之间形成所述多个焊缝。
12.根据权利要求11所述的方法，还包括在所述第一导电区上方形成第二导电区。
13.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述第一导电区包括遍布所述太阳能电池形成毯式第一导电区。
14.根据权利要求13所述的方法，还包括应用凹槽和蚀刻技术以图案化所述导电箔和所述第一导电区，以形成用于所述太阳能电池的接触指。
15.根据权利要求11所述的方法，还包括在所述半导体区的相邻p型掺杂区和n型掺杂区之间的区域处的所述导电箔和所述基板之间形成损伤缓冲区。
16.根据权利要求9所述的方法，还包括在施加所述激光前，在所述导电箔和所述基板之间形成间隙。
17.一种太阳能电池，包括：
基板；
设置在所述基板上方的p型掺杂区和n型掺杂区；以及
随机焊缝阵列，所述随机焊缝阵列将第一箔接触指耦接至所述p型掺杂区，并且将第二箔接触指耦接至所述n型掺杂区。
18.根据权利要求17所述的太阳能电池，其中所述随机焊缝阵列中的至少一个焊缝是局部焊缝。
19.根据权利要求17所述的太阳能电池，还包括设置在所述p型掺杂区和所述n型掺杂区之间的沟槽中的吸收区。
20.根据权利要求17所述的太阳能电池，还包括分别在所述第一箔接触指和所述p型掺杂区之间以及在所述第二箔接触指和所述n型掺杂区之间的第一导电区。