1.一种用于在基板上形成结构的方法，所述方法包含下列步骤：
进行布植工艺，以掺杂形成在基板上的3D结构的第一区域，同时在所述3D结构上沉积第一材料；
移除所述第一材料；及
在所述3D结构上沉积第二材料，其中所述第二材料在所述3D结构的第二区域上选择性地生长。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一区域和所述第二区域是相同的。
3.如权利要求1所述的方法，其中在所述第一区域上进行布植的步骤包含以下步骤：
以选定的离子入射角利用离子掺杂所述第一材料。
4.如权利要求1所述的方法，其中进行所述布植工艺以掺杂所述第一区域的步骤包含以下步骤：
在所述基板上进行方向性等离子体工艺。
5.如权利要求4所述的方法，其中所述方向性等离子体工艺进一步包含以下步骤：
将多个离子主要掺杂到所述3D结构的第一侧壁和所述3D结构的顶部中，以形成掺杂的第一区域；及
在所述基板的处理区和未处理区上不均匀地沉积所述第一材料。
6.如权利要求1所述的方法，其中使用原子层沉积、物理气相沉积和化学气相沉积中的至少一个来将所述第二材料沉积在所述结构上。
7.如权利要求6所述的方法，其中在所述3D结构上沉积所述第二材料的步骤进一步包含以下步骤：
使一或更多种反应气体脉动，以在所述3D结构上选择性地沉积所述第二材料。
8.一种在基板上形成鳍片结构的方法，所述方法包含下列步骤：
进行方向性等离子体工艺，以将处理层形成在基板的布植区上并且将未处理层形成在所述基板的非布植区上；及
在所述基板的所述布植区上选择性地沉积材料层。
9.如权利要求8所述的方法，进一步包含以下步骤：
进行清洗工艺，以移除所述处理层并且暴露所述基板的所述布植区和所述非布植区。
10.如权利要求8所述的方法，其中选择性地沉积所述材料层的步骤包含以下步骤：
进行原子层沉积工艺，以将所述材料层形成在所述基板的所述布植区上。
11.如权利要求8所述的方法，其中进行所述方向性等离子体工艺的步骤进一步包含以下步骤：
在所述基板的第一区域和第二区域上沉积第一沉积材料；及
进行所述方向性等离子体工艺，以将离子布植到所述基板的所述第一区域中。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述第一区域包括所述基板的第一侧壁，且进一步包含：
以0度与60度之间的离子入射角利用离子掺杂所述基板的所述第一侧壁。
13.一种在基板上形成鳍片结构的方法，所述方法包含下列步骤：
进行方向性等离子体工艺，以将处理层形成在基板的布植区上并且将未处理层形成在所述基板的非布植区上；及
在所述基板的所述非布植区上选择性地沉积材料层。
14.如权利要求13所述的方法，进一步包含以下步骤：
进行清洗工艺，以暴露所述基板的所述布植区。
15.如权利要求13所述的方法，其中选择性地沉积所述材料层的步骤包含以下步骤：
进行原子层沉积工艺，以在所述基板的所述非布植区上形成所述材料层。