技术总结
本发明提供一种半导体发光装置的制造方法，其包括：在半导体发光元件的表面涂布硅酮树脂组合物的工序、以及通过使该被涂布的硅酮树脂组合物热固化而形成覆盖该半导体发光元件的表面的密封部的工序；该硅酮树脂组合物相对于该硅酮树脂组合物的固体成分的总质量包含60质量％以上的、构成成分的硅原子实质上仅为键合有3个氧原子的硅原子的硅酮树脂；该热固化在如下的条件下进行，即，在将热固化前的该硅酮树脂的1000～1050cm‑1处的来自于Si‑O‑Si键的红外吸收光谱的峰位置设为acm‑1、将热固化后的该硅酮树脂组合物的950～1050cm‑1处的来自于Si‑O‑Si键的红外吸收光谱的峰位置设为bcm‑1时，满足5＜a‑b＜20。
技术研发人员：吉川岳;高岛正之
受保护的技术使用者：住友化学株式会社
技术研发日：2015.07.27
技术公布日：2019.07.16