基板处理装置以及基板处理方法与流程

本发明涉及基板处理装置以及基板处理方法。

背景技术：

为了对半导体基板、液晶表示装置用基板、等离子体显示器用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板或光掩模用基板等各种基板进行各种各样的处理，而使用基板处理装置。在这样的基板处理装置中，多个基板由搬送装置依次搬送到处理部的规定的基板支撑部。处理部对被搬送到基板支撑部上的基板进行热处理或成膜处理等规定的处理(例如参照专利文献1)。

在专利文献1的基板处理装置中，在轨道上层叠的多个热处理部设置为能够在正常位置和退避位置之间移动。多个热处理部在搬送装置的维护时移动到退避位置，在基板处理时移动到正常位置。

专利文献1：JP特开2004-15019号公报

技术实现要素：

发明要解决的问题

如专利文献1那样，通过将处理部构成为能够移动，从而维护变得容易。但是，在维护后处理部返回到正常位置时会产生稍稍的位置偏移。由此，处理部内的基板支撑部产生位置偏移。另外，在维护时将处理部内的基板支撑部从处理部卸下后，再次将基板支撑部安装在处理部上。在该情况下，也会产生基板支撑部相对于处理部的位置偏移。当在基板支撑部产生位置偏移的状态下进行基板处理时，有可能导致基板处理的精度下降。

本发明的目的在于，提供一种能够防止在基板支撑部产生位置偏移的状态进行基板处理的基板处理装置以及基板处理方法。

用于解决问题的手段

(1)本发明的一个局面的基板处理装置对基板进行处理，其中，

具有：

基板支撑部，具有预先设定的基准位置，并能够支撑基板，

搬送装置，具有保持基板的保持部，通过使保持部移动来搬送基板，

位置检测部，对由保持部保持的基板和保持部的位置关系进行检测，

控制部，在基板处理时，以为了向基板支撑部的基准位置交付基板或从基准位置接受基板而使保持部移动到目标位置的方式对搬送装置进行控制；

控制部在位置偏移检测动作时，以使保持部移动到基板支撑部的目标位置并接受由基板支撑部支撑的基板的方式对搬送装置进行控制，并且，基于由位置检测部检测出的位置关系，来获取基准位置和目标位置的偏移量，在所获取的偏移量大于预先设定的第一阈值的情况下输出警报。

在该基板处理装置中，在基板处理时，搬送装置的保持部移动到目标位置。由此，能够由保持部将基板交付给基板支撑部，以在基准位置支撑基板，或者，接受在基准位置支撑的基板。在此，因维护时的基板支撑部的卸下以及安装或部品的随时间的劣化等，基板支撑部产生位置偏移。

根据本发明的结构，在位置偏移检测动作时，搬送装置的保持部移动到基板支撑部的目标位置。由此，由基板支撑部在基准位置支撑的基板由保持部接受。对由保持部接受的基板和保持部的位置关系进行检测。基于所检测的位置关系，获取基板支撑部的基准位置和目标位置的偏移量。在所获取的偏移量大于预先设定的第一阈值的情况下输出警报。由此，能够向作业者通知基板支撑部产生位置偏移。其结果，能够防止在基板支撑部产生位置偏移的状态进行基板处理。

(2)基板支撑部将基板保持为水平姿势并能够以基准位置为中心旋转，

控制部在位置偏移检测动作时，以使保持部移动到目标位置并向基板支撑部交付基板的方式对搬送装置进行控制，以由基板支撑部支撑的基板被旋转第一角度的方式对基板支撑部进行控制，以使保持部移动到目标位置并接受由基板支撑部支撑的基板的方式对搬送装置进行控制，基于向基板支撑部交付基板前的保持部和基板的位置关系以及从基板支撑部接受基板后的保持部和基板的位置关系，来获取基准位置。

在该情况下，在位置偏移检测动作时，搬送装置的保持部向基板支撑部交付基板并接受旋转后的基板，由此获取基准位置。由此，能够通过简单的动作获取基准位置。

(3)控制部在进行与搬送装置相关的示教动作时，以使保持部移动到基板支撑部的初始位置并向基板支撑部交付基板的方式对搬送装置进行控制，以由基板支撑部支撑的基板被旋转第二角度的方式对基板支撑部进行控制，以使保持部移动到初始位置并接受由基板支撑部支撑的基板的方式对搬送装置进行控制，基于向基板支撑部交付基板前的保持部和基板的位置关系以及从基板支撑部接受基板后的保持部和基板的位置关系，获取初始位置和基准位置的偏移量作为修正信息，基于所获取的修正信息，以初始位置与基准位置相一致的方式对初始位置进行修正，获取修正后的初始位置作为目标位置。

在该情况下，在与搬送装置相关的示教动作时，搬送装置的保持部向基板支撑部交付基板并接受旋转后的基板，初始位置被修正为目标位置。由此，能够通过简单的动作获取目标位置。

(4)基板处理装置还具有处理单元，该处理单元包括基板支撑部，在基板处理时，该处理单元对由基板支撑部旋转的基板进行处理。

在该情况下，对在基板的中心和基板支撑部的基准位置一致的状态由基板支撑部旋转的基板进行处理。由此，能够提高基板的处理的精度。

(5)控制部在位置偏移检测动作时，以使保持部移动到目标位置并接受在基板支撑部的基准位置支撑的基板的方式对搬送装置进行控制，基于由位置检测部检测出的位置关系，获取基准位置。

在情况下，在位置偏移检测动作时，搬送装置的保持部接受由基板支撑部在基板支撑部的基准位置支撑的基板，来获取基准位置。由此，能够通过简单的动作获取基准位置。

(6)控制部在进行与搬送装置相关的示教动作时，以使保持部移动到基板支撑部的初始位置并接受在基板支撑部的基准位置支撑的基板的方式对搬送装置进行控制，基于由位置检测部检测出的位置关系，获取初始位置和基准位置的偏移量作为修正信息，基于所获取的修正信息，以初始位置与基准位置一致的方式修正初始位置，获取修正后的初始位置作为目标位置。

在该情况下，在与搬送装置相关的示教动作时，搬送装置的保持部接受在基板支撑部的基准位置支撑的基板，由此初始位置被修正为目标位置。由此，能够通过简单的动作获取目标位置。

(7)基板支撑部包括将基板向基准位置引导的引导机构，

在进行示教动作时，利用引导机构将基板引导至基板支撑部的基准位置。

在该情况下，基板被引导机构引导至水平基准位置。由此，在示教动作时，作业者无需将基板定位在基准位置的作业。因此，能够更加降低作业者的负担。另外，在基板处理时，也能通过引导机构将基板准确地定位在基板支撑部的基准位置。

(8)基板处理装置还具有处理单元，该处理单元包括基板支撑部，在基板处理时，该处理单元对由基板支撑部支撑的基板进行处理，

目标位置设定在处理单元内，

控制部以使保持部移动到处理单元内的目标位置并在处理单元内接受在基准位置支撑的基板的方式对搬送装置进行控制。

在该情况下，基板在处理单元内在基准位置被支撑。由此，对在基板的中心和基准位置一致的状态由基板支撑部支撑的基板进行处理。由此，能够提高基板的处理的精度。

(9)搬送装置的保持部具有保持基板的下表面的保持面，

基板处理装置还具有保持检测部，该保持检测部对保持部的保持面保持了基板的下表面的情况进行检测，

控制部在位置偏移检测动作时，以使保持部从由基板支撑部在基准高度支撑的基板的下方的目标高度上升的方式对搬送装置进行控制，获取保持检测部的检测时间点的保持部的高度，基于所获取的高度，获取保持部位于目标高度时的保持面和基准高度之间的距离的偏移量，在所获取的偏移量大于第二阈值的情况下，输出警报。

根据该结构，在保持部位于目标高度时的保持面和基准高度之间的距离的偏移量大于阈值的情况下输出警报。由此，向作业者通知在基板支撑部发生位置偏移或保持部的保持面发生磨耗。其结果，能够防止在基板支撑部产生位置偏移的状态下进行基板处理、以及在保持部的保持面发生磨耗的状态下进行基板的搬送。

(10)本发明的另一个局面的基板处理装置，对基板进行处理，其中，

具有：

基板支撑部，能够支撑基板，

搬送装置，包括具有保持面的保持部，该保持面保持基板的下表面，该搬送装置通过使保持部移动来搬送基板，

保持检测部，对保持部的保持面保持了基板的下表面的情况进行检测，

控制部，在基板处理时，以为了向基板支撑部交付基板或从基板支撑部接受基板而使保持部移动的方式，对搬送装置进行控制，

控制部在位置偏移检测动作时，以使保持部从由基板支撑部在基准高度支撑的基板的下方的目标高度上升的方式对搬送装置进行控制，获取保持检测部的检测时间点的保持部的高度，基于所获取的高度，获取保持部位于目标高度时的保持面和基准高度之间的距离的偏移量，在所获取的偏移量大于阈值的情况下输出警报。

在该基板处理装置中，在基板处理时，搬送装置的保持部移动到目标高度后上升。由此，能够利用保持部将基板向基板支撑部交付以在基准高度支撑基板，或者，能够接受在基准高度支撑的基板。在此，因在维护时的基板支撑部的卸下以及安装或部件的随时间的劣化等，在保持部位于目标高度时的保持面和基准高度之间的距离产生偏移。

根据本发明的结构，在位置偏移检测动作时，搬送装置的保持部从由基板支撑部在基准高度支撑的基板的下方的目标高度上升。由此，对保持部的保持面保持了基板的下表面的情况进行检测。获取在基板的检测时间点的保持部的高度。基于所获取的高度，获取保持部位于目标高度时的保持面和基准高度之间的距离的偏移量。在所获取的偏移量大于阈值的情况下输出警报。

由此，向作业者通知在基板支撑部产生位置偏移或保持部的保持面发生磨耗。其结果，能够防止在基板支撑部产生位置偏移的状态下进行基板处理以及在保持部的保持面发生磨耗的状态下进行基板的搬送。

(11)控制部在进行与搬送装置相关的示教动作时，以使保持部从由基板支撑部在基准高度支撑的基板的下方上升的方式对搬送装置进行控制，基于在保持检测部的检测时间点的保持部的高度，获取目标高度。

在该情况下，在与搬送装置相关的示教动作时，搬送装置的保持部从下方检测由基板支撑部在基准高度支撑的基板的下表面，来获取目标高度。因此，通过简单的动作能够获取目标高度。

(12)保持部包括吸附基板的下表面的吸附部，

吸附部具有保持面，

保持检测部基于是否由吸附部吸附基板，来对保持面保持了基板的下表面的情况进行检测。

在该情况，能够通过简单的结构对保持部保持了基板的下表面的情况进行检测。另外，保持部能够可靠地保持基板。

(13)本发明的又一局面的基板处理方法，对基板进行处理，其中，

在基板处理时，为了向基板支撑部的预先设定的基准位置交付基板或从基准位置接受基板，而使搬送装置的保持部移动到目标位置的步骤，

在位置偏移检测动作时，使搬送装置的保持部移动到基板支撑部的目标位置并接受由基板支撑部在基准位置支撑的基板的步骤，

对由保持部接受的基板和保持部的位置关系进行检测的步骤，

基于所检测的位置关系来获取基板支撑部的基准位置和目标位置的偏移量的步骤，

在所获取的偏移量大于预先设定的阈值的情况下输出警报的步骤。

根据该基板处理方法，在基板处理时，搬送装置的保持部移动到目标位置。由此，能够由保持部将基板交付给基板支撑部以在基准位置支撑基板，或者，能够接受在基准位置支撑的基板。在此，能够防止因在维护时的基板支撑部的卸下以及安装或部件的随时间的劣化等，在基板支撑部产生位置偏移。

根据本发明的方法，在位置偏移检测动作时，搬送装置的保持部移动到基板支撑部的目标位置。由此，由基板支撑部在基准位置支撑的基板由保持部接受。对由保持部接受的基板和保持部的位置关系进行检测。基于所检测的位置关系，获取基板支撑部的基准位置和目标位置的偏移量。在所获取的偏移量大于预先设定的第一阈值的情况下输出警报。由此，能够向作业者通知在基板支撑部产生位置偏移。其结果，能够防止在基板支撑部产生位置偏移的状态进行基板处理。

(14)本发明的又一局面的基板处理方法对基板进行处理，其中，包括：

在基板处理时，为了向基板支撑部交付基板或从基板支撑部接受基板而使搬送装置的保持部移动的步骤，

在位置偏移检测动作时，使搬送装置的保持部从由基板支撑部在基准高度支撑的基板的下方的目标高度上升的步骤，

对保持部的保持面保持了基板的下表面的情况进行检测的步骤，

获取基板的检测时间点的保持部的高度的步骤，

基于所获取的高度，获取保持部位于目标高度时的保持面和基准高度之间的距离的偏移量的步骤，

在所获取的偏移量大于阈值的情况下输出警报的步骤。

根据基板处理方法，在基板处理时，搬送装置的保持部移动到目标高度后上升。由此，能够利用保持部将基板向基板支撑部交付以在基准高度支撑基板，或者，能够接受在基准高度支撑的基板。在此，因在维护时的基板支撑部的卸下以及安装或部件的随时间的劣化等，在保持部位于目标高度时的保持面和基准高度之间的距离产生偏移。

根据本发明的方法，在位置偏移检测动作时，搬送装置的保持部从由基板支撑部在基准高度支撑的基板的下方的目标高度上升。由此，对保持部的保持面保持了基板的下表面的情况进行检测。获取在基板的检测时间点的保持部的高度。基于所获取的高度，获取保持部位于目标高度时的保持面和基准高度之间的距离的偏移量。在所获取的偏移量大于阈值的情况下输出警报。

由此，向作业者通知在基板支撑部产生位置偏移或保持部的保持面发生磨耗。其结果，能够防止在基板支撑部产生位置偏移的状态下进行基板处理以及在保持部的保持面发生磨耗的状态下进行基板的搬送。

发明效果

根据本发明，能够防止在基板支撑部产生位置偏移的状态进行基板处理。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式的基板处理装置的示意性的俯视图。

图2是主要表示图1的涂布处理部、显影处理部以及清洗干燥处理部的基板处理装置的示意性的侧视图。

图3是主要表示图1的热处理部以及清洗干燥处理部的基板处理装置的示意性的侧视图。

图4是主要表示图1的搬送部的侧视图。

图5是表示搬送机构的立体图。

图6是表示搬送机构的俯视图、侧视图以及端面图。

图7是表示搬送机构的控制系统的结构的框图。

图8是用于说明垂直方向的示教动作的图。

图9是用于说明水平方向的示教动作的图。

图10是用于说明图5以及图6的传感器装置对基板的外周部的多个部分的检测方法的图。

图11是热处理单元的立体图。

图12是图11的热处理单元的俯视图。

图13是图11的热处理单元的侧视图。

图14是用于说明在基板支撑部设置在热处理单元的情况下的基准位置的图。

图15是用于说明在旋转卡盘为基板支撑部的情况下的水平方向的示教动作的图。

图16是用于说明基板支撑部设置在旋转卡盘的情况下的水平方向的位置偏移检测动作的图。

图17是用于说明在基板支撑部设置在热处理单元上的情况下的水平方向的位置偏移检测动作的图。

图18是用于说明垂直方向的位置偏移检测动作的图。

图19是表示控制部的位置偏移检测处理的一例的流程图。

图20是表示控制部的位置偏移检测处理的另一例的流程图。

图21是表示用于利用1个传感器装置检测由2个手部保持的2张基板的外周部的搬送机构的一个控制例的图。

图22是表示用于利用1个传感器装置检测由2个手部保持的2张基板的外周部的搬送机构的一个控制例的图。

图23是用于说明其他实施方式中的另一个手部的修正信息的获取顺序的图。

具体实施方式

以下，使用附图来对本发明的一个实施方式的基板处理装置以及基板处理方法进行说明。此外，在以下的说明中，基板是指，半导体基板、液晶表示装置用基板、等离子体显示器用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板或光掩模用基板等。

(1)基板处理装置的结构

图1是本发明的一个实施方式的基板处理装置的示意性的俯视图。

在图1以及图2以后的规定的图中，为了明确位置关系，而标注表示相互垂直的X方向、Y方向以及Z方向的箭头。X方向以及Y方向在水平面内相互垂直，Z方向相当于铅垂方向。

如图1所示，基板处理装置100具有分度器区11、第一处理区12、第二处理区13、清洗干燥处理区14A以及搬入搬出区14B。由清洗干燥处理区14A以及搬入搬出区14B构成接口区14。以与搬入搬出区14B相邻的方式配置有曝光装置15。在曝光装置15中，利用浸液法对基板W进行曝光处理。

如图1所示，分度器区11包括多个运送器载置部111以及搬送部112。在各运送器载置部111上载置有将多个基板W呈多层容纳的运送器113。

在搬送部112设置有控制部114以及搬送机构115。控制部114对基板处理装置100的各种结构构件进行控制。搬送机构115具有用于保持基板W的手部116。搬送机构115一边利用手部116保持基板W一边搬送该基板W。

在搬送部112的侧面设置有主面板PN。主面板PN与控制部114连接。使用者能够利用主面板PN来确认基板处理装置100中的基板W的处理状况等。在主面板PN的附近，设置有例如由键盘构成的未图示的操作部。使用者能够通过操作操作部，进行基板处理装置100的动作设定等。

第一处理区12包括涂布处理部121、搬送部122以及热处理部123。热处理部123设置为能够移动。在基板处理时，热处理部123配置为，隔着搬送部122与涂布处理部121相向。将此时的热处理部123的位置称为正常位置。另一方面，在基板处理装置100的维护时，热处理部123配置在从正常位置离开的位置。将此时的热处理部123的位置称为维护位置。由此，能够确保作业空间。在以下的基板处理装置100的说明中，热处理部123配置在正常位置。

在搬送部122和分度器区11之间，设置有载置基板W的基板载置部PASS1以及后述的基板载置部PASS2～PASS4(参照图4)。在搬送部122设置有搬送基板W的搬送机构127以及后述的搬送机构128(参照图4)。

第二处理区13包括显影处理部131、搬送部132以及热处理部133。热处理部133设置为能够移动。在基板处理时，热处理部133配置为，隔着搬送部132与显影处理部131相向。将此时的热处理部133的位置称为正常位置。另一方面，在基板处理装置100的维护时，热处理部133配置在从正常位置离开的位置。将此时的热处理部133的位置称为维护位置。在以下的基板处理装置100的说明中，热处理部133配置在正常位置。

在搬送部132和搬送部122之间，设置有载置基板W的基板载置部PASS5以及后述的基板载置部PASS6～PASS8(参照图4)。在搬送部132设置有搬送基板W的搬送机构137以及后述的搬送机构138(参照图4)。

清洗干燥处理区14A包括清洗干燥处理部161、162以及搬送部163。清洗干燥处理部161、162设置为隔着搬送部163相向。在搬送部163设置有搬送机构141、142。

在搬送部163和搬送部132之间设置有载置兼缓冲部P-BF1以及后述的载置兼缓冲部P-BF2(参照图4)。载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2构成为能够容纳多个基板W。

另外，在搬送机构141、142之间，以与搬入搬出区14B相邻的方式设置有基板载置部PASS9以及后述的载置兼冷却部P-CP(参照图4)。在载置兼冷却部P-CP中，基板W被冷却到适于曝光处理的温度。

在搬入搬出区14B设置有搬送机构146。搬送机构146相对于曝光装置15进行基板W的搬入以及搬出。在曝光装置15上设置有用于搬入基板W的基板搬入部15a以及用于搬出基板W的基板搬出部15b。

(2)涂布处理部以及显影处理部的结构

图2是主要表示图1的涂布处理部121、显影处理部131以及清洗干燥处理部161的基板处理装置100的示意性的侧视图。

如图2所示，在涂布处理部121分层地设置有涂布处理室21、22、23、24。在显影处理部131分层地设置有显影处理室31、32、33、34。在各涂布处理室21～24分别设置有涂布处理单元129。在各显影处理室31～34分别设置有显影处理单元139。

各涂布处理单元129具有保持基板W的旋转卡盘25以及以覆盖旋转卡盘25的周围的方式设置的杯27。在本实施方式中，在各涂布处理单元129设置有2组的旋转卡盘25以及杯27。旋转卡盘25能够装卸地设置于未图示的驱动装置(例如电动马达)。在基板处理时，旋转卡盘25由驱动装置驱动旋转。另一方面，在维护时，旋转卡盘25从驱动装置卸下。另外，如图1所示，各涂布处理单元129具有喷出处理液的多个处理液喷嘴28以及使这些处理液喷嘴28移动的喷嘴搬送机构29。

在涂布处理单元129中，利用未图示的驱动装置使旋转卡盘25旋转，并且，多个处理液喷嘴28中的某个处理液喷嘴28由喷嘴搬送机构29移动到基板W的上方，并从该处理液喷嘴28喷出处理液。由此，在基板W上涂布处理液。另外，从未图示的边缘冲洗喷嘴，向基板W的周缘部喷出冲洗液。由此，除去在基板W的周缘部附着的处理液。

在涂布处理室22、24的涂布处理单元129中，反射防止膜用的处理液从处理液喷嘴28供给到基板W上。在涂布处理室21、23的涂布处理单元129中，抗蚀剂膜用的处理液从处理液喷嘴28供给到基板W上。

显影处理单元139与涂布处理单元129同样，具有旋转卡盘35以及杯37。另外，如图1所示，显影处理单元139具有喷出显影液的2个显影喷嘴38以及使该显影喷嘴38在X方向上移动的移动机构39。

在显影处理单元139中，通过未图示的驱动装置使旋转卡盘35旋转，并且，一个显影喷嘴38在X方向上移动并向各基板W供给显影液，然后，另一个显影喷嘴38移动并向各基板W供给显影液。在该情况下，通过向基板W供给显影液，对基板W进行显影处理。另外，在本实施方式中，从2个显影喷嘴38喷出彼此不同的显影液。由此，能够向各基板W供给2种显影液。

在清洗干燥处理部161设置有多个(在本例中为4个)清洗干燥处理单元SD1。在清洗干燥处理单元SD1中，进行曝光处理前的基板W的清洗以及干燥处理。

如图1以及图2所示，在涂布处理部121中，以与显影处理部131相邻的方式设置有流体箱部50。同样地，在显影处理部131中，以与清洗干燥处理区14A相邻的方式设置有流体箱部60。在流体箱部50以及流体箱部60内，容纳与向涂布处理单元129以及显影处理单元139的药液供给以及来自涂布处理单元129以及显影处理单元139的废液以及排气等相关的流体关联设备。流体关联设备包括导管、接头、阀、流量计、稳压器、泵以及温度调节器等。

(3)热处理部的结构

图3是主要表示图1的热处理部123、133以及清洗干燥处理部162的基板处理装置100的示意性的侧视图。如图3所示，热处理部123具有设置在上方的上层热处理部301以及设置在下方的下层热处理部302。在上层热处理部301以及下层热处理部302，设置有多个热处理单元PHP、多个紧贴强化处理单元PAHP以及多个冷却单元CP。

在热处理单元PHP中，对基板W进行加热处理。在紧贴强化处理单元PAHP中，进行用于提高基板W和反射防止膜的紧贴性的紧贴强化处理。具体地说，在紧贴强化处理单元PAHP中，在基板W上涂布HMDS(六甲基二硅胺)等紧贴强化剂，并且对基板W进行加热处理。在冷却单元CP中，对基板W进行冷却处理。

热处理部133具有设置在上方的上层热处理部303以及设置在下方的下层热处理部304。在上层热处理部303以及下层热处理部304设置有冷却单元CP、多个热处理单元PHP以及边缘曝光部EEW。

边缘曝光部EEW具有将基板W吸附保持为水平姿势并使基板W旋转的旋转卡盘98以及对保持在旋转卡盘98上的基板W的外周缘部进行曝光的光出射器99。旋转卡盘98能够装卸地设置在未图示的驱动装置(例如电动马达)上。在基板处理时，旋转卡盘98由驱动装置驱动旋转。另一方面，在维护时，旋转卡盘98从驱动装置卸下。

在边缘曝光部EEW中，对在基板W上形成的抗蚀剂膜的周缘部的一定宽度的区域进行曝光处理(边缘曝光处理)。在上层热处理部303以及下层热处理部304中，以与清洗干燥处理区14A相邻的方式设置的热处理单元PHP能够搬入来自清洗干燥处理区14A的基板W。

在清洗干燥处理部162设置有多个(在本例中为5个)清洗干燥处理单元SD2。在清洗干燥处理单元SD2中，进行曝光处理后的基板W的清洗以及干燥处理。

(4)搬送部的结构

图4是主要表示图1的搬送部122、132、163的侧视图。如图4所示，搬送部122具有上层搬送室125以及下层搬送室126。搬送部132具有上层搬送室135以及下层搬送室136。在上层搬送室125设置有搬送机构127，在下层搬送室126设置有搬送机构128。另外，在上层搬送室135设置有搬送机构137，在下层搬送室136设置有搬送机构138。

如图4所示，在搬送部112和上层搬送室125之间，设置有基板载置部PASS1、PASS2，在搬送部112和下层搬送室126之间，设置有基板载置部PASS3、PASS4。在上层搬送室125和上层搬送室135之间，设置有基板载置部PASS5、PASS6，在下层搬送室126和下层搬送室136之间，设置有基板载置部PASS7、PASS8。

在上层搬送室135和搬送部163之间，设置有载置兼缓冲部P-BF1，在下层搬送室136和搬送部163之间设置有载置兼缓冲部P-BF2。在搬送部163中，以与搬入搬出区14B相邻的方式，设置有基板载置部PASS9以及多个载置兼冷却部P-CP。

搬送机构127能够在基板载置部PASS1、PASS2、PASS5、PASS6、涂布处理室21、22(图2)以及上层热处理部301(图3)之间搬送基板W。搬送机构128能够基板载置部PASS3、PASS4、PASS7、PASS8、涂布处理室23、24(图2)以及下层热处理部302(图3)之间搬送基板W。

搬送机构137能够在基板载置部PASS5、PASS6、载置兼缓冲部P-BF1、显影处理室31、32(图2)以及上层热处理部303(图3)之间搬送基板W。搬送机构138能够在基板载置部PASS7、PASS8、载置兼缓冲部P-BF2、显影处理室33、34(图2)以及下层热处理部304(图3)之间搬送基板W。

在搬送部122、132设置有对搬送机构127、128、137、138分别进行控制的多个控制部500。多个控制部500的一部分或全部可以由图1的控制部114实现。

(5)基板处理装置的动作

一边参照图1～图4，一边对基板处理装置100的动作进行说明。在分度器区11的运送器载置部111(图1)载置有容纳未处理的基板W的运送器113。搬送机构115从运送器113向基板载置部PASS1、PASS3(图4)搬送未处理的基板W。另外，搬送机构115将在基板载置部PASS2、PASS4(图4)载置的处理完的基板W搬送到运送器113。

在第一处理区12中，搬送机构127(图4)将载置在基板载置部PASS1上的基板W依次搬送至紧贴强化处理单元PAHP(图3)、冷却单元CP(图3)以及涂布处理室22(图2)。接着，搬送机构127将利用涂布处理室22形成了反射防止膜的基板W依次搬送至涂布处理室22(图2)、热处理单元PHP(图3)、冷却单元CP(图3)以及涂布处理室21(图2)。接着，搬送机构127将利用涂布处理室21形成了抗蚀剂膜的基板W依次搬送至热处理单元PHP(图3)以及基板载置部PASS5(图4)。

在该情况下，在紧贴强化处理单元PAHP中，在对基板W进行紧贴强化处理后，在冷却单元CP中，将基板W冷却至适于形成反射防止膜的温度。接着，在涂布处理室22中，利用涂布处理单元129(图2)在基板W上形成反射防止膜。接着，在热处理单元PHP中，在对基板W进行热处理后，在冷却单元CP中，将基板W冷却至适于形成抗蚀剂膜的温度。接着，在涂布处理室21中，利用涂布处理单元129(图2)，在基板W上形成抗蚀剂膜。然后，在热处理单元PHP中，对基板W进行热处理，该基板W被载置在基板载置部PASS5上。

另外，搬送机构127将载置在基板载置部PASS6(图4)上的显影处理后的基板W搬动到基板载置部PASS2(图4)。

搬送机构128(图4)将载置在基板载置部PASS3上的基板W依次搬送到紧贴强化处理单元PAHP(图3)、冷却单元CP(图3)以及涂布处理室24。接着，搬送机构128将利用涂布处理室24形成了反射防止膜的基板W依次搬送到热处理单元PHP(图3)、冷却单元CP(图3)以及涂布处理室23。接着，搬送机构128将利用涂布处理室23形成了抗蚀剂膜的基板W依次搬送到热处理单元PHP(图3)以及基板载置部PASS7(图4)。

另外，搬送机构128(图4)将载置在基板载置部PASS8(图4)上的显影处理后的基板W搬送到基板载置部PASS4(图4)。在涂布处理室23，24(图2)以及下层热处理部302(图3)中的对基板W的处理内容，与在上述的涂布处理室21、22(图2)以及上层热处理部301(图3)中的基板W的处理内容相同。

在第二处理区13中，搬送机构137(图4)将载置在基板载置部PASS5上的抗蚀剂膜形成后的基板W依次搬送至边缘曝光部EEW(图3)以及载置兼缓冲部P-BF1(图4)。在该情况下，在边缘曝光部EEW中，对基板W进行边缘曝光处理。边缘曝光处理后的基板W被载置在载置兼缓冲部P-BF1上。

另外，搬送机构137(图4)从与清洗干燥处理区14A相邻的热处理单元PHP(图3)，取出曝光处理后且热处理后的基板W。搬送机构137将该基板W依次搬送至冷却单元CP(图3)、显影处理室31、32(图2)中的某一个、热处理单元PHP(图3)以及基板载置部PASS6(图4)。

在该情况下，在冷却单元CP中，基板W被冷却至适于显影处理的温度后，在显影处理室31、32中的某一个中，利用显影处理单元139对基板W进行显影处理。然后，在热处理单元PHP中，对基板W进行热处理，该基板W被载置在基板载置部PASS6上。

搬送机构138(图4)将载置在基板载置部PASS7上的抗蚀剂膜形成后的基板W依次搬送至边缘曝光部EEW(图3)以及载置兼缓冲部P-BF2(图4)。

另外，搬送机构138(图4)从与接口区14相邻的热处理单元PHP(图3)，取出曝光处理后且热处理后的基板W。搬送机构138将该基板W依次搬送至冷却单元CP(图3)、显影处理室33、34(图2)中的某一个、热处理单元PHP(图3)以及基板载置部PASS8(图4)。在显影处理室33、34以及下层热处理部304中的对基板W的处理内容，与在上述的显影处理室31、32以及上层热处理部303中的对基板W的处理内容相同。

在清洗干燥处理区14A中，搬送机构141(图1)将载置在载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2(图4)的基板W，搬送至清洗干燥处理部161的清洗干燥处理单元SD1(图2)。接着，搬送机构141将基板W从清洗干燥处理单元SD1搬送至载置兼冷却部P-CP(图4)。在该情况下，在清洗干燥处理单元SD1中，进行基板W的清洗以及干燥处理后，在载置兼冷却部P-CP中，将基板W冷却至适于曝光装置15(图1)中的曝光处理的温度。

搬送机构142(图1)将载置在基板载置部PASS9(图4)上的曝光处理后的基板W，搬送至清洗干燥处理部162的清洗干燥处理单元SD2(图3)。另外，搬送机构142将清洗以及干燥处理后的基板W从清洗干燥处理单元SD2搬送至上层热处理部303的热处理单元PHP(图3)或下层热处理部304的热处理单元PHP(图3)。在该热处理单元PHP中，进行曝光后烘焙(PEB)处理。

在接口区14中，搬送机构146(图1)将载置在载置兼冷却部P-CP(图4)的曝光处理前的基板W搬送至曝光装置15的基板搬入部15a(图1)。另外，搬送机构146(图1)从曝光装置15的基板搬出部15b(图1)取出曝光处理后的基板W，并将该基板W搬送至基板载置部PASS9(图4)。

此外，在曝光装置15无法接受基板W的情况下，曝光处理前的基板W被暂时容纳在载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2。另外，在第二处理区13的显影处理单元139(图2)无法接受曝光处理后的基板W的情况下，曝光处理后的基板W被暂时容纳在载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2。

在本实施方式中，在上层设置的涂布处理室21、22、显影处理室31、32以及上层热处理部301、303中的基板W的处理，与在下层设置的涂布处理室23、24、显影处理室33、34以及下层热处理部302、304中的基板W的处理能够并行进行。由此，在不增加占有空间的情况下，能够提高生产率。

(6)搬送机构的结构

接着，对搬送机构127进行说明。图5是表示搬送机构127的立体图。搬送机构128、137、138具有与搬送机构127同样的结构。如图4以及图5所示，搬送机构127具有长条状的导轨311、312。如图4所示，导轨311在上层搬送室125内以在上下方向上延伸的方式固定在搬送部112侧。导轨312在上层搬送室125内以在上下方向上延伸的方式固定在上层搬送室135侧。

如图4以及图5所示，在导轨311和导轨312之间，设置有长条状的导轨313。导轨313能够上下移动地安装在导轨311、312上。在导轨313上安装移动构件314。移动构件314能够在导轨313的长度方向上移动。

在移动构件314的上表面，能够旋转地设置有长条状的旋转构件315。在旋转构件315上，安装有用于保持基板W的手部H1以及手部H2。在本例中，手部H1位于手部H2的上方。手部H1、H2设置为能够在旋转构件315的长度方向上移动。

通过上述结构，搬送机构127在上层搬送室125内能够在X方向以及Z方向上移动。另外，使用手部H1、H2，能够相对于涂布处理室21、22(图2)、基板载置部PASS1、PASS2、PASS5、PASS6(图4)以及上层热处理部301(图3)，进行基板W的交接。

另外，在旋转构件315上安装有传感器装置316。传感器装置316包括投光部保持壳体316a以及受光部保持壳体316b。投光部保持壳体316a配置在旋转构件315的上表面，受光部保持壳体316b配置在投光部保持壳体316a的上方。

图6的(a)、(b)、(c)分别是表示搬送机构127的俯视图、侧视图以及端面图。如图6的(a)所示，手部H1包括引导部Ha以及臂部Hb。引导部Ha呈大致C字形状，臂部Hb呈长方形状。在引导部Ha的内周部，相对于沿着引导部Ha的内周部形成的圆的中心，以等角度间隔形成有多个(在本例中为3个)突出部pr，多个突出部pr朝向引导部Ha的内侧。在各突出部pr的顶端部设置有吸附部sm。吸附部sm与未图示的吸气系统连接。

在手部H1中，在3个突出部pr的3个吸附部sm上载置基板W。在图6的(a)～(c)中，由手部H1保持的基板W用双点划线表示。在该状态下，与3个吸附部sm连接的吸气系统被控制，位于3个吸附部sm上的基板W的3个部分被3个吸附部sm分别吸附。此外，手部H1也可以具有4个吸附部sm。在该情况下，位于4个吸附部sm上的基板W的4个部分被4个吸附部sm分别吸附。

表示多个吸附部sm是否吸附基板W的吸附信号从手部H1发送给图4的控制部500。在多个吸附部sm吸附基板W的情况下，吸附信号处于有效状态，在任一个吸附部sm未吸附基板W的情况下，吸附信号处于无效状态。

手部H2具有与手部H1同样的结构。在各手部H1、H2中，预先设定要保持的基板W的中心应位于的标准的位置(以下称为标准位置。)。手部H1中的标准位置例如是沿着引导部Ha的内周部形成的圆的中心位置。手部H1中的标准位置也可以是多个吸附部sm的中心位置。

以下，将在手部H1、H2的进退方向上手部H1、H2能够后退的极限位置称为进退基准位置。图6的(a)～(c)的例子中，手部H1、H2分别处于进退基准位置。

在旋转构件315的上表面的大致中央部设置有投光部保持壳体316a。在投光部保持壳体316a内，保持有多个(在本例中为4个)投光部316t。以与投光部保持壳体316a相向的方式，在旋转构件315的上方的位置设置有受光部保持壳体316b。在受光部保持壳体316b内，以分别与由投光部保持壳体316a保持的多个投光部316t相向的方式，保持有多个(在本例中为4个)受光部316r。由彼此相向的投光部316t以及受光部316r构成检测器316D。如图6的(c)所示，在本例中，传感器装置316具有4个检测器316D。

4个检测器316D在水平面内配置在位于进退基准位置的手部H1的引导部Ha的内侧的区域。在本例中，4个检测器316D在同心的圆弧ar上隔着恒定的间隔配置在引导部Ha的内周部。

从4个投光部316t向上方分别出射光。4个受光部316r分别将从相向的4个投光部316t出射的光作为反馈光接收，从而输出受光信号。从各受光部316r输出的受光信号发送给控制部500。

优选，4个投光部316t在手部H1的进退方向上，配置在位于进退基准位置的手部H1的多个吸附部sm中的至少1个吸附部sm的前方。在该情况下，在利用搬送机构127搬送基板W时，由手部H1保持的基板W的外周部的4个部分分别由4个投光部316t可靠地检测。

图7是表示搬送机构127的控制系统的结构的框图。其他搬送机构128、137、138的控制系统的结构与图7的搬送机构127的控制系统的结构相同。

如图7所示，控制部500包括CPU(中央运算处理装置)510以及存储器520。在存储器520存储后述的假目标位置坐标，并且存储后述的修正信息。CPU510基于从搬送机构127的传感器装置316提供的受光信号，进行各种运算，并将其结果存储在存储器520。另外，基于在存储器520存储的信息，对搬送机构127的动作进行控制。

(7)与搬送机构相关的示教动作

对搬送机构127、128、137、138的手部H1、H2向基板支撑部移动时的与搬送机构相关的示教动作进行说明。在基板处理装置100的设置时，进行以下的示教动作。在此，基板支撑部例如设置在冷却单元CP、热处理单元PHP以及紧贴强化处理单元PAHP的每一个中。另外，基板支撑部例如设置在涂布处理单元129、显影处理单元139以及边缘曝光部EEW的每一个。

作为示教动作，存在垂直方向的示教动作以及水平方向的示教动作。在以下的说明中，说明搬送机构127的示教动作。其他搬送机构128、137、138的示教动作也与搬送机构127的示教动作同样。

将由基板支撑部支撑的基板W的高度称为基准高度。将为了搬送机构127的手部H1向基板支撑部交付基板W，或者从基板支撑部接受基板W，手部H1移动到基板支撑部WS的下方时的手部H1的高度称为目标高度。通过垂直方向的示教动作来决定目标高度。

另外，将应由基板支撑部支撑基板W的位置称为基准位置。将在水平方向的示教动作前，由搬送机构127的手部H1交付到基板支撑部上的基板W的位置称为假目标位置。通过水平方向的示教动作，获取表示基准位置和假目标位置的偏移的修正信息。基于修正信息以假目标位置与基准位置相一致的方式修正假目标位置。将修正后的假目标位置称为真目标位置。

在基板支撑部是冷却单元CP、热处理单元PHP或紧贴强化处理单元PAHP的情况下，基板W以其中心与基准位置一致的方式由基板支撑部的引导机构自动引导。另一方面，在基板支撑部是旋转卡盘25、35、98的情况下，基板W并不限于其中心与基准位置一致。

在以下的说明中，将X方向、Y方向以及Z方向的位置分别以X坐标、Y坐标以及Z坐标表示。

图8是用于说明垂直方向的示教动作的图。图8的(a)～(d)表示基板支撑部WS以及搬送机构127的手部H1的大致中央部的纵向剖视图。在图8的(a)～(d)的例子中，决定搬送机构127的手部H1移动到基板支撑部WS的下方的情况下的目标高度。

首先，如图8的(a)所示，基板W由基板支撑部WS支撑在基准高度。接着，如图8的(b)所示，控制部500使手部H1从进退基准位置沿水平方向移动到基板支撑部WS的下方的位置。在该时间点，基板W未被手部H1的多个吸附部sm吸附。因此，吸附信号为无效状态。搬送机构127具有编码器。控制部500基于搬送机构127的编码器的输出信号，总是对手部H1的位置进行检测。

接着，控制部500使手部H1向上方移动。在该情况下，如图8的(c)所示，在手部H1向上方移动了规定的距离的时间点，多个吸附部sm吸附基板W。由此，吸附信号处于有效状态。控制部500将吸附信号处于有效状态的时间点的手部H1的Z坐标决定为基准高度的Z坐标。另外，控制部500将基准高度的Z坐标加上垂直方向的规定的偏置量得到的坐标决定为目标高度的Z坐标。

以下，将基准高度的Z坐标称为基准高度坐标，将目标高度的Z坐标称为目标高度坐标。目标高度坐标以及从目标高度坐标至基准高度坐标的偏置量存储在控制部500的存储器520。然后，如图8的(d)所示，控制部500使手部H1在基板支撑部WS的上方移动后，沿水平方向移动到进退基准位置。

图9是用于说明水平方向的示教动作的图。图9的(a)～(c)表示基板支撑部WS以及搬送机构127的手部H1的俯视图。在图9的(a)～(c)的例子中，使用搬送机构127的手部H1获取关于基板支撑部WS的修正信息。

首先，如图9的(a)所示，由基板支撑部WS支撑基板W。在此，基板W被支撑为其中心准确地与基准位置一致的状态。另一方面，在水平方向的示教动作前，控制部500不识别基板支撑部WS的基准位置。因此，假目标位置并不限于与基准位置一致。

以下，将基准位置的坐标称为基准位置坐标，将假目标位置的坐标称为假目标位置坐标。另外，将手部H1上的标准位置的坐标称为标准位置坐标。基准位置坐标为(Xw，Yw)，假目标位置坐标为(Xb，Yb)，标准位置坐标为(Xr，Yr)。假目标位置坐标存储在控制部500的存储器520。在图9的(a)的例子中，基准位置坐标(Xw，Yw)与假目标位置坐标(Xb，Yb)不一致。

在图9的(a)的状态下，控制部500通过使未图示的多个升降销从基板支撑部WS的下方向上方上升，使基板W上升到基板支撑部WS的上方。接着，以手部H1的标准位置与假目标位置一致的方式，使手部H1从进退基准位置沿水平方向移动。在该时间点，手部H1位于基板支撑部WS的上方且位于基板W的下方。

接着，控制部500通过使未图示的多个升降销下降，来使基板W下降。由此，如图9的(b)所示，基板W被手部H1的多个吸附部sm吸附。在该情况下，基板W以其中心从标准位置偏移的状态由手部H1保持。

然后，如图9的(c)所示，控制部500使手部H1沿水平方向移动到进退基准位置。在此，在图5以及图6的旋转构件315上，手部H1从传感器装置316的前方的位置后退到进退基准位置，由此，由手部H1保持的基板W的外周部的多个部分分别被检测。关于由手部H1保持的基板W的外周部的检测方法，在后面详细叙述。

控制部500基于基板W的外周部的多个部分的检测结果，检测手部H1上的基板W的中心的位置(以下称为检测位置)。以下，将检测位置的坐标称为检测位置坐标。检测位置坐标为(Xwh，Ywh)。接着，基于下述式(1)、(2)，计算X方向以及Y方向上的基准位置坐标相对于假目标位置坐标的偏移量(ΔX，ΔY)作为修正信息。

ΔX＝Xr-Xwh (1)

ΔY＝Yr-Ywh (2)

接着，控制部500基于下述式(3)、(4)，计算真目标位置的坐标(以下称为真目标位置坐标。)。真目标位置坐标为(Xrb，Yrb)。真目标位置坐标(Xrb，Yrb)存储在控制部500的存储器520。

Xrb＝Xb-ΔX (3)

Yrb＝Yb-ΔY (4)

由此，真目标位置坐标(Xrb，Yrb)与基准位置坐标(Xw，Yw)一致。

在处理基板W时，控制部500以手部H1移动到真目标位置的方式控制搬送机构127。其结果，以基板W的中心与基板支撑部WS的基准位置一致的方式，由手部H1将基板W交付到基板支撑部WS。另外，以在手部H1的标准位置保持基板W的方式，由手部H1从基板支撑部WS接受基板W。

在上述的例子中，使用了搬送机构127的手部H1的示教动作进行了说明，但是，使用了手部H2的示教动作也与使用了手部H1的示教动作相同。另外，搬送机构128、137、138具有与搬送机构127同样的结构以及动作。因此，使用了搬送机构128、137、138的示教动作也与使用了搬送机构127的示教动作相同。

(8)基板的外周部的检测方法

图10是用于说明图5以及图6的传感器装置316对基板W的外周部的多个部分的检测方法的图。在图10的(a)、(c)、(e)、(g)中，以俯视图示出手部H1向进退基准位置后退的情况下的手部H1、旋转构件315以及多个检测器316D的状态的变化。在图10的(b)、(d)、(f)、(h)中分别示出图10的(a)、(c)、(e)、(g)的Q-Q线的示意性的剖视图。此外，省略关于手部H2的说明。

最初，在由手部H1接受基板W的时机，手部H1位于4个检测器316D的前方。在该情况下，手部H1没有位于4个投光部316t和4个受光部316r之间。因此，4个受光部316r分别从相向的4个投光部316t接收光。由此，向控制部500提供受光信号。

接着，手部H1后退。在该情况下，如图10的(a)、(b)所示，手部H1进入4个投光部316t和4个受光部316r之间的空间。此时，由于从4个投光部316t出射的光由手部H1遮挡，所以4个受光部316r分别不从相向的4个投光部316t接收光。因此，不向控制部500提供受光信号。

接着，如图10的(c)、(d)所示，手部H1通过4个投光部316t和4个受光部316r之间的空间。在手部H1通过各投光部316t和与该投光部316t相向的受光部316r之间的空间的时机，各受光部316r接收来自相向的投光部316t的光。由此，向控制部500提供受光信号。

接着，如图10的(e)、(f)所示，由手部H1保持的基板W进入4个投光部316t和4个受光部316r之间的空间。在由手部H1保持的基板W的外周部进入各投光部316t和与该投光部316t相向的受光部316r之间的空间的时机，从各投光部316t出射的光被基板W的外周部遮挡。在该情况下，各受光部316r不接收来自相向的投光部316t的光。因此，不向控制部500提供受光信号。

接着，如图10的(g)、(h)所示，手部H1在进退基准位置停止。此时，由手部H1保持的基板W位于4个投光部316t和4个受光部316r之间的空间。在该情况下，4个受光部316r分别不接收来自相向的4个投光部316t的光。因此，不向控制部500提供受光信号。

如上所述，在由手部H1接受基板W后，到手部H1移动到进退基准位置为止的期间，从4个检测器316D的4个受光部316r分别断续地向控制部500提供受光信号。

控制部500基于因基板W的外周部而不从4个受光部316r分别接收受光信号的时机(图10的(e)、(f)的时机)，检测基板W的外周部的4个部分。在此，在控制部500的存储器520预先存储标准数据。标准数据表示在基板W的中心位于手部H1的标准位置的状态下，手部H1从传感器装置316的前方的位置移动到进退基准位置时获得的基板W的外周部的4个部分的检测结果的数据。

传感器装置316相对于旋转构件315固定。因此，传感器装置316的多个检测器316D的坐标上的位置没有变化。因此，控制部500基于基板W的外周部的4个部分的检测结果和标准数据的4个部分的检测结果的差分，来计算表示手部H1位于进退基准位置时的基板W的外周部的4个部分的位置的坐标。基于所计算的4个部分的位置的坐标，计算手部H1位于进退基准位置时的基板W的中心的位置的坐标。

手部H1上的基板W的中心的位置的坐标能够基于基板W的外周部的3个部分的坐标计算。在本例中，获得基板W的外周部的4个部分的坐标。由此，例如，即使4个部分中的1个部分为基板W的位置定位用的切口(定向平面或缺口)部分的情况下，也能够基于除了切口部分的坐标的3个部分的坐标，计算基板W的中心的位置的坐标。在基板W的外径已知的情况下，能够基于基板W的外周部的2个部分的坐标，计算基板W的中心的位置的坐标。在该情况下，传感器装置316可以由2个或3个检测器316D构成。

(9)基板支撑部的基准位置

如上述那样，在示教动作中，在基板支撑部WS为冷却单元CP、热处理单元PHP或紧贴强化处理单元PAHP的情况下，基板W被支撑为其中心准确地与基板支撑部WS的基准位置一致的状态。以下，说明基板支撑部WS的基准位置。

图11是热处理单元PHP的立体图。图12是图11的热处理单元PHP的俯视图。图13是图11的热处理单元PHP的侧视图。如图11以及图12所示，热处理单元PHP包括冷却部410、加热部420以及搬送机构430。冷却部410以及加热部420并排配置。搬送机构430能够在冷却部410和加热部420之间搬送基板W。

冷却部410包括基板载置板411以及能够升降的多个(在本例为3个)支撑销412。基板载置板411例如是冷却板。在基板载置板411上形成有多个(在本例中为3个)支撑销插入孔。通过使后述的搬送机构430的搬送臂434与基板载置板411的上表面接触，将由搬送臂434保持的基板W与搬送臂434一起冷却。

多个支撑销412通过在上下方向上移动，能够分别插入基板载置板411的多个支撑销插入孔。在相对于冷却部410搬入基板W时以及搬出基板W时，多个支撑销412的上端部分别通过多个支撑销插入孔在基板载置板411的上方的位置和基板载置板411的上表面的下方的位置之间移动。

加热部420包括基板载置板421、能够升降的多个(在本例中为3个)支撑销422以及多个(在本例中为6个)引导构件423。基板载置板421例如是对基板W进行加热处理的加热板。在基板载置板421上形成有多个(在本例中为3个)支撑销插入孔。多个支撑销422具有与多个支撑销412相同的结构。

多个引导构件423沿着基板载置板421的缘以大致等间隔设置。在本例中，6个引导构件423以大致60°间隔设置。如图13所示，各引导构件423呈圆锥台形状。在由多个引导构件423包围的区域配置基板W的情况下，基板W沿着引导构件423的倾斜的侧面被导向下方。由此，基板载置板421的中心和基板W的中心相一致。

搬送机构430具有以沿着上下方向延伸的方式设置的2根长条状的导轨431、432。导轨431、432隔着冷却部410以及加热部420相向配置。在导轨431和导轨432之间设置有长条状的导轨433。导轨433能够上下移动地安装在导轨431、432上。在导轨433上安装有搬送臂434。搬送臂434设置为能够在导轨433的长度方向上移动。

如图13所示，在搬送臂434上，以不与冷却部410的多个支撑销412以及加热部420的多个支撑销422相干涉的方式，设置有切口(狭缝)435。另外，在搬送臂434上设置有多个引导构件436。多个引导构件436具有与多个引导构件423同样的结构。在基板处理时，搬送臂434在冷却部410和加热部420之间搬送基板W。在本例中，搬送臂434是基板支撑部WS，多个引导构件436是引导机构。

图14是用于说明基板支撑部WS设置在热处理单元PHP上的情况下的基准位置的图。以下，说明热处理单元PHP的搬送臂434是基板支撑部WS的情况下的基准位置。冷却单元CP以及紧贴强化处理单元PAHP中的基准位置与热处理单元PHP中的基准位置相同。

在示教动作时，首先，如图14的(a)所示，冷却部410的多个支撑销412上升。接着，如图14的(b)所示，搬送机构127利用手部H1保持基板W，并搬送到上升的多个支撑销412的上端。由此，基板W在其中心位于假目标位置的状态下，由多个支撑销412支撑。

然后，如图14的(c)所示，多个支撑销412下降。在此，在假目标位置和基准位置不一致的情况下，如图14的(c)中箭头所示，基板W沿着搬送臂434上的多个引导构件436的倾斜的侧面被引导至下方。由此，搬送臂434的中心和基板W的中心一致。

接着，如图14的(d)所示，多个支撑销412上升。接着，如图14的(e)所示，搬送机构127利用手部H1从多个支撑销412接受基板W。在图14的(d)中，由多个支撑销412支撑的基板W的中心的位置变为基准位置。即，由多个引导构件436引导后的基板W的中心的位置为基准位置。

(10)在旋转卡盘的示教动作

在旋转卡盘25、35、98为基板支撑部WS的情况下，在旋转卡盘25、35、98的旋转中心的位置是已知时，可以以旋转中心的位置为基准位置，进行水平方向的示教动作。另一方面，在旋转卡盘25、35、98的旋转中心的位置为未知时，可以通过以下的顺序进行水平方向的示教动作。

图15是用于说明旋转卡盘25、35、98为基板支撑部WS的情况下的水平方向的示教动作的图。图15的(a)～(d)表示搬送机构127以及旋转卡盘25的示意性的俯视图。在图15的例子中，基板支撑部WS为旋转卡盘25。在旋转卡盘35、98的示教动作与在旋转卡盘25的示教动作相同。

首先，如图15的(a)所示，搬送机构127由手部H1将基板W保持在标准位置。在此，计算基板W的中心的坐标。所计算的基板W的中心的坐标为(X1，Y1)。接着，如图15的(b)所示，搬送机构127将基板W搬送到旋转卡盘25。旋转卡盘25以基板W的中心与假目标位置一致的方式保持基板W。接着，如图15的(c)所示，旋转卡盘25使基板W旋转规定的角度。优选旋转卡盘25对基板W的旋转角度为180°。

然后，如图15的(d)所示，搬送机构127从旋转卡盘25接受基板W。在此，计算基板W的中心的坐标。所计算的基板W的中心的坐标为(X2，Y2)。接着，基于所计算的坐标(X1，Y1)以及坐标(X2，Y2)，计算基准位置坐标相对于假目标位置坐标的偏移量(ΔX，ΔY)。在此，在图15的(b)、(c)的处理中，在基板W的旋转角度为180°的情况下，基准位置坐标相对于假目标位置坐标的偏移量(ΔX，ΔY)由下述式(5)、(6)提供。

ΔX＝(X1+X2)/2 (5)

ΔY＝(Y1+Y2)/2 (6)

接着，计算真目标位置坐标(Xrb，Yrb)。X方向上的真目标位置Xrb由下述式(7)提供。在此，在X1<X2的情况下，采用正号，在X1>X2的情况下，采用负号。另外，Y方向上的真目标位置Yrb由下述式(8)提供。在此，在Y1<Y2的情况下，采用正号，在Y1>Y2的情况下，采用负号。所计算的真目标位置坐标(Xrb，Yrb)作为修正信息存储在控制部500的存储器520。

Xrb＝Xb±ΔX (7)

Yrb＝Yb±ΔY (8)

在上述的例子中，对使用了搬送机构127的手部H1的示教动作进行了说明，但是使用了手部H2的示教动作也与使用了手部H1的动作相同。另外，使用了128、137、138的示教动作也与使用了搬送机构127的示教动作相同。

(11)位置偏移检测动作

(a)水平方向的位置偏移检测动作

在进行示教动作后且进行基板处理装置100的维护后，进行基板支撑部WS的位置偏移检测动作。位置偏移检测动作包括水平方向的位置偏移检测动作和垂直方向的位置偏移检测动作。

图16是用于说明基板支撑部WS为旋转卡盘的情况下的水平方向的位置偏移检测动作的图。图16中的(a)～(d)表示搬送机构127以及旋转卡盘25的示意性的俯视图。在图16的例子中，基板支撑部WS为旋转卡盘25。在旋转卡盘35、98的位置偏移检测动作，与在旋转卡盘25的位置偏移检测动作相同。

在基板处理时，基于在存储器520存储的修正信息，将手部H1移动到真目标位置，利用手部H1将基板W交付给基板支撑部WS，或从基板支撑部WS接受基板W。由此，能够利用手部H1将基板W交付给基板支撑部WS以在基准位置支撑基板W，或者，使手部H1移动到基板支撑部WS，以接受在基准位置支撑的基板W。

在进行基板处理装置100的维护后，在维护时被卸下的旋转卡盘25安装在未图示的驱动装置上。在此，如图16的(a)所示，旋转卡盘25可能以其基准位置偏移的状态安装在驱动装置上。在图16的(a)中，卸下前的旋转卡盘25用点划线表示。

在该情况下，如图16的(b)所示，即使将在标准位置保持了基板W的手部H1移动到真目标位置，也无法将基板W交付给旋转卡盘25以在基准位置支撑基板W。同样，即使使手部H1移动到真目标位置，也无法在手部H1的标准位置接受在旋转卡盘25的基准位置支撑的基板W。

因此，在位置偏移检测动作时，如图16的(c)所示，旋转卡盘25使所支撑的基板W旋转规定的角度。优选旋转卡盘25对基板W的旋转角度为180°。然后，如图16的(d)所示，手部H1使其标准位置移动到真目标位置，从旋转卡盘25接受基板W。在此，计算基板W的中心的坐标。所计算的基板W的中心的坐标为(x1，y1)。

从标准位置的坐标(X1，Y1)和所计算的坐标(x1，y1)的中点至标准位置的坐标(X1，Y1)的距离，等于从基准位置坐标(Xw，Yw)至真目标位置坐标(Xrb，Yrb)的距离。在此，在标准位置的坐标(X1，Y1)和所计算的坐标(x1，y1)的偏移量大于预先设定的阈值的情况下输出警报。由此，能够向作业者通知旋转卡盘25产生位置偏移。

警报的输出既可以是例如声音，也可以利用蜂鸣器等产生警报音，也可以利用灯等进行警报显示。或者，警报的输出也可以在画面上显示文字或图形。

图17是用于说明基板支撑部WS设置在热处理单元PHP的情况下的水平方向的位置偏移检测动作的图。图17的(a)～(d)表示搬送机构127以及热处理单元PHP的一部分的示意性的俯视图。冷却单元CP以及紧贴强化处理单元PAHP中的位置偏移检测动作，与热处理单元PHP中的位置偏移检测动作相同。

在进行基板处理装置100的维护后，热处理部123、133(参照图3)从维护位置移动到正常位置。在此，热处理部123，133可能移动到从正常位置偏移的位置。在图17的(a)中，在热处理部处于正常位置的情况下的热处理单元PHP用点划线表示。

在该情况下，如图17的(b)所示，即使使在标准位置保持了基板W的手部H1移动到真目标位置，也无法以在基准位置支撑基板W的方式将基板W交付给热处理单元PHP。同样，即使使手部H1移动到真目标位置，也无法在手部H1的标准位置接受在热处理单元PHP的基准位置支撑的基板W。

因此，在位置偏移检测动作时，如图17的(c)所示，准备在热处理单元PHP的基准位置支撑的基板W。然后，如图17的(d)所示，手部H1使其标准位置移动到真目标位置，并从热处理单元PHP接受基板W。在此，计算基板W的中心的坐标。所计算的基板W的中心的坐标为(x1，y1)。

从标准位置的坐标(X1，Y1)至所计算的坐标(x1，y1)的距离，与从基准位置坐标(Xw，Yw)至真目标位置坐标(Xrb，Yrb)的距离相等。在此，在标准位置的坐标(X1，Y1)与所计算的坐标(x1，y1)的偏移量大于预先设定的阈值的情况下，输出警报。由此，向作业者通知热处理单元PHP产生位置偏移。

(b)垂直方向的位置偏移检测动作

图18是用于说明垂直方向的位置偏移检测动作的图。图18的(a)～(d)表示搬送机构127以及基板支撑部WS的示意性的剖视图。

基于在存储器520存储的目标高度坐标，手部H1移动到目标高度，由此，向基板支撑部WS交付基板W，或者从基板支撑部WS接受基板W。由此，能够利用手部H1将基板W交付给基板支撑部WS以在基准高度支撑基板W，或者，使手部H1移动到基板支撑部WS，以接受在基准高度支撑的基板W。在图18的(a)的例子中，位于目标高度的手部H1的吸附部sm的吸附面ss和由基板支撑部WS在基准高度支撑的基板W的下表面之间的距离为Z1。

但是，吸附部sm通过反复吸附基板W，而渐渐被磨耗。因此，在吸附部sm长期使用的情况下，如图18的(b)所示，吸附部sm的高度方向的尺寸减少。在图18的(b)的例子中，位于目标高度的手部H1的吸附部sm的吸附面ss和由基板支撑部WS在基准高度支撑的基板W的下表面之间的距离为Z2。距离Z2大于距离Z1。

因此，如图18的(c)所示，即使使手部H1向上方移动距离Z1，也无法接受由基板支撑部WS在基准高度支撑的基板W。同样，即使使手部H1向下方移动距离Z1，也无法以在基准高度支撑基板W的方式将基板W交付给基板支撑部WS。此外，距离Z1是在图7的存储器520存储的偏置量。

另外，在进行基板处理装置100的维护后，与水平方向同样，可能在垂直方向上发生基板支撑部WS的位置偏移。在该情况下，即使使手部H1向下方移动距离Z1，也无法以在基准高度支撑基板W的方式将基板W交付给基板支撑部WS。

因此，在位置偏移检测动作时，如图18的(d)所示，手部H1从目标高度向上方移动，直到吸附部sm吸附在基准高度支撑的基板W为止。在图18的(d)的例子中，在手部H1向上方移动了距离Z2时，吸附部sm吸附基板W。

在手部H1的移动距离和距离Z1的偏移量大于预先设定的阈值的情况下，输出警报。由此，向作业者通知吸附部sm发生磨耗或基板支撑部WS产生位置偏移。

(c)位置偏移检测处理

图19是表示控制部500的位置偏移检测处理的一例的流程图。图19的位置偏移检测处理例如在基板处理装置100刚维护后执行。在图19的例子中，使用搬送机构127的手部H1执行位置偏移检测处理。

控制部500基于在存储器520存储的目标高度坐标以及修正信息，使手部H1移动到目标高度且真目标位置(步骤S1)。在该情况下，手部H1的标准位置与基板支撑部WS的基准位置一致。在该状态下，控制部500通过使手部H1向上方移动，使被基板支撑部WS支撑的基板W由手部H1保持(步骤S2)。

在此，控制部500计算到手部H1保持基板W为止的手部H1向上方的移动距离以及基板W的检测位置坐标(步骤S3)。接着，控制部500判定所计算的移动距离以及检测位置坐标是否正常(步骤S4)。在此，在手部H1的移动距离和在存储器520存储的偏置量的偏移量在一个阈值以下、且标准位置坐标和检测位置坐标的偏移量在另一个阈值以下的情况，判定移动距离以及检测位置坐标正常。

在步骤S4中，在移动距离以及检测位置坐标正常的情况下，控制部500结束位置偏移检测处理。另一方面，在步骤S4中，在Z坐标或检测位置坐标不正常的情况下，控制部500输出警报(步骤S7)。然后，控制部500结束位置偏移检测处理。

由此，使用者在维护中，能够对在基准位置偏移的状态下旋转卡盘25、35、98安装在驱动装置上或者热处理部123、133配置在从正常位置偏移的位置的情况进行识别。或者，使用者能够对因对手部H1的长期使用而导致吸附部sm发生磨耗的情况进行识别。

图20是表示控制部500的位置偏移检测处理的其他例子的流程图。图20的位置偏移检测处理例如与基板处理并行执行。图20的步骤S11～S14的处理与图19的步骤S1～S4的处理分别同样。

在步骤S14中，在移动距离以及检测位置坐标正常的情况下，控制部500将由手部H1保持的基板W搬送到下一个搬送目的地(步骤S15)。然后，控制部500判定是否有结束基板处理的指示(步骤S16)。在步骤S16中，在没有结束基板处理的指示的情况下，控制部500返回到步骤S11的处理。在步骤S16中，在有结束基板处理的指示的情况下，控制部500结束位置偏移检测处理。

另一方面，在步骤S14中，在Z坐标或检测位置坐标不正常的情况下，控制部500输出警报(步骤S17)。然后，控制部500结束位置偏移检测处理。

由此，使用者能够对在基板处理中旋转卡盘25、35、98或热处理部123、133发生位置偏移等的异常的情况进行识别。或者，使用者能够对在基板处理中吸附部sm发生磨耗的情况进行识别。

(12)搬送机构的一个控制例

在搬送机构127中，利用传感器装置316对由手部H1保持的基板W的外周部进行检测。另外，利用传感器装置316，对由手部H2保持的基板W的外周部进行检测。

图21以及图22是表示用于利用1传感器装置316对由2个手部H1、H2保持的2张基板W的外周部进行检测的搬送机构127的一个控制例的图。在图21的(a)～(e)以及图22的(a)～(c)中，手部H1、H2以及1的检测器316D的位置关系用纵向剖视图表示。

在初始状态下，在手部H1、H2上均未保持基板W。另外，手部H1、H2位于进退基准位置FBP。在该情况下，受光部316r接收从投光部316t出射且通过手部H1、H2的引导部Ha(参照图6的(a)、(b))的内侧的光。

如图21的(a)所示，首先，下侧的手部H2从进退基准位置FBP向检测器316D的前方前进，接受在规定的位置配置的基板W。此时，受光部316r接收从投光部316t出射的光。

接着，保持基板W的手部H2向进退基准位置FBP后退。在该情况下，如图21的(b)所示，在直到手部H2移动到进退基准位置FBP为止的期间，受光部316r接收从投光部316t出射且通过基板W的外周部和手部H2之间的光。然后，当手部H2到达进退基准位置FBP时，由手部H2保持的基板W位于投光部316t和受光部316r之间。由此，如图21的(c)所示，受光部316r不接收来自对应的投光部316t的光。

手部H2如上所述那样移动。由此，基于从受光部316r输出的受光信号，对由手部H2保持的基板W的外周部的多个部分进行检测。

接着，如图21的(d)所示，上侧的手部H1从进退基准位置FBP向检测器316D的前方前进，接受在规定的位置配置的基板W。此时，从投光部316t出射的光被由手部H2保持的基板W遮挡。因此，受光部316r不接收从投光部316t出射的光。

接着，如图21的(e)所示，保持基板W的手部H1向进退基准位置FBP后退，并且保持基板W的手部H2从进退基准位置FBP前进。然后，如图22的(a)所示，手部H2移动到投光部316t以及受光部316r的前方。这样一来，在直到手部H1移动到进退基准位置FBP为止的期间，受光部316r接收从投光部316t出射且通过基板W的外周部和手部H2之间的光。

当手部H1移动到进退基准位置FBP时，由手部H1保持的基板W位于投光部316t和受光部316r之间。由此，如图22的(b)所示，受光部316r不接收来自对应的投光部316t的光。

手部H1、H2如上述那样移动。由此，基于从受光部316r输出的受光信号，对由手部H1保持的基板W的外周部的多个部分进行检测。

然后，如图22(c)所示，在由前进的手部H2保持的基板W载置到某个基板支撑部WS上后，手部H2后退到进退基准位置FBP。

如上所述，在本实施方式中，通过使手部H1、H2相互向反向进行进退动作，能够利用1个传感器装置316对由2个手部H1、H2保持的2张基板W的外周部的多个部分进行检测。

(13)效果

在本实施方式中，在位置偏移检测动作时，搬送机构127的手部H1移动到基板支撑部WS的真目标位置。由此，利用手部H1接受由基板支撑部WS在基准位置支撑的基板W。由手部H1接受的基板W和手部H1的位置关系由传感器装置316检测。基于所检测的位置关系，来获取基板支撑部WS的基准位置和真目标位置的偏移量。在所获取的偏移量大于预先设定的阈值的情况下输出警报。

另外，在位置偏移检测动作时，搬送机构127的手部H1从由基板支撑部WS在基准高度支撑的基板W的下方的目标高度上升。由此，对手部H1的吸附部sm的吸附面ss吸附了基板W的下表面的情况进行进行检测。获取在基板W的检测时间点的手部H1的高度。基于所获取的高度，获取手部H1位于目标高度时的吸附面ss和基准高度之间的距离的偏移量。在所获取的偏移量大于阈值的情况下输出警报。

根据结构，在基板处理装置100的维护等后基板支撑部WS发生位置偏移的情况下，输出警报。另外，在因吸附部sm的吸附面ss的磨耗而导致吸附部sm的厚度减少的情况下，输出警报。由此，能够向作业者通知基板支撑部WS发生位置偏移或吸附部sm的吸附面ss发生磨耗。其结果，能够防止在基板支撑部WS发生位置偏移的状态进行基板处理、以及在吸附部sm的吸附面ss发生磨耗的状态下进行基板W的搬送。

(14)其他实施方式

(a)在上述实施方式中，关于各手部H1、H2的修正信息通过上述的方法独立获取，但并不限于此。关于一个手部的修正信息可以通过上述的方法获取，关于另一个手部的修正信息基于关于一个手部的修正信息来获取。

图23是用于说明其他实施方式中的另一个手部的修正信息的获取顺序的图。图23的(a)～(c)表示搬送机构127以及基板支撑部WS的示意性的俯视图。手部H1、H2设置为在垂直方向上重叠，但是，在图23的例子中，为了便于理解，图示为手部H1、H2在水平方向上排列。在图23的例子中，考虑基于关于手部H1的修正信息，来获取关于手部H2的修正信息。

首先，如图23的(a)所示，搬送机构127利用手部H1在标准位置保持基板W。在此，计算手部H1上的基板W的中心的坐标。所计算的手部H1上的基板W的中心的坐标为(X3，Y3)。接着，如图23的(b)所示，手部H1将基板W搬送至基板支撑部WS。基板支撑部WS在基板W的中心与假目标位置一致的状态下保持基板W。在此，将与手部H1建立对应的基板支撑部WS上的假目标位置坐标设为(Xb3，Yb3)。

然后，如图23的(c)所示，手部H2将基板W从基板支撑部WS取出。在此，将与手部H2建立对应的基板支撑部WS上的假目标位置坐标设为(Xb4，Yb4)。由于与手部H1建立对应的假目标位置和与手部H2建立对应的假目标位置不同，所以在图23的(c)中，手部H2在与标准位置不同的位置保持基板W。在此，计算手部H2上的基板W的中心的坐标。所计算的手部H2上的基板W的中心的坐标为(X4，Y4)。

控制部500计算手部H1上的基板W的中心的坐标(X3，Y3)与手部H2上的基板W的中心的坐标(X4，Y4)之间偏移量。另外，控制部500基于所计算的偏移量和关于手部H1的修正信息，计算关于手部H2的修正信息。关于手部H2的修正信息存储在控制部500的存储器520中。

通过同样的顺序，控制部500基于手部H1、H2的基准高度的偏移量和关于手部H1的目标高度，决定关于手部H2的目标高度。所决定的目标高度坐标存储在控制部500的存储器520中。

(b)在上述实施方式中在，基板支撑部WS设置在热处理单元PHP的情况下，由搬送机构430的多个引导构件436引导的基板W的中心的位置为基准位置，但并不限于此。在热处理单元PHP未设置搬送机构430的情况下，由加热部420的多个引导构件423引导的基板W的中心的位置可以为基准位置。

(c)在上述实施方式中，在图15的示教动作时，基板W由旋转卡盘25旋转180°，但并不限于此。在图15的示教动作时，基板W可以由旋转卡盘25旋转任意的角度。在该情况下，通过几何学上的运算，基于基板W的旋转前的中心的位置和基板W的旋转后的中心的位置，来计算基准位置坐标相对于假目标位置坐标的偏移量。

同样，在图16的位置偏移检测动作时，基板W由旋转卡盘25旋转了180°，但并不限于此。在图16的位置偏移检测动作时，基板W可以由旋转卡盘25旋转任意的角度。

(15)技术方案的各构成要素和实施方式的各要素的对应关系

以下，对技术方案的各构成要素和实施方式的各要素的对应的例子进行说明，但本发明并不限于下述的例子。

在上述实施方式中，基板W是基板的例子，基板处理装置100是基板处理装置的例子，基板支撑部WS是基板支撑部的例子，手部H1是保持部的例子。搬送机构127、128、137、138是搬送装置的例子，传感器装置316是位置检测部的例子，控制部500是控制部以及保持检测部的例子。

涂布处理单元129、显影处理单元139、边缘曝光部EEW、冷却单元CP、热处理单元PHP或紧贴强化处理单元PAHP是处理单元的例子。引导构件423、436是引导机构的例子，吸附面ss是保持面的例子，吸附部sm是吸附部的例子。

作为技术方案的各构成要素，也能使用具有在技术方案记载的结构或功能的其他各种要素。

产业上的的可利用性

本发明能够有效利用于各种基板的处理。