1.一种半导体激光器，包括衬底以及在所述衬底上依次叠层设置的下限制层、下波导层、量子阱有源区、上波导层以及上限制层；其特征在于，所述半导体激光器还包括夹设于所述下波导层与所述量子阱有源区之间的空穴阻挡层。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，还包括夹设于所述空穴阻挡层与所述量子阱有源区之间的量子垒层。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，还包括电子阻挡层；其中，所述电子阻挡层夹设于所述量子阱有源区与所述上波导层之间或所述上波导层与所述上限制层之间。
4.根据权利要求1至3任一项所述的半导体激光器，其特征在于，所述空穴阻挡层的材料为经非故意掺杂或经N型掺杂的N型氮化镓、N型氮化铟镓、N型氮化铝镓中的任意一种。
5.根据权利要求4所述的半导体激光器，其特征在于，当所述空穴阻挡层的材料为经N型掺杂的N型氮化镓、N型氮化铟镓、N型氮化铝镓中的任意一种时，掺杂浓度为1×1017cm-3～1×1020cm-3，施主杂质选自硅、锗中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的半导体激光器，其特征在于，所述施主杂质的掺杂方式选自均匀掺杂或渐变掺杂中的任意一种；其中，所述渐变掺杂包括线性变化掺杂、台阶状变化掺杂。
7.根据权利要求1至3任一项所述的半导体激光器，其特征在于，所述上限制层的形状呈平面状或脊型。
8.根据权利要求1至3任一项所述的半导体激光器，其特征在于，所述量子阱有源区包括n个量子阱结构，1≤n≤12；其中，所述量子阱结构包括按照远离所述衬底的方向叠层设置的一量子阱单层和一量子垒单层。
9.根据权利要求1至3任一项所述的半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器还包括夹设于所述衬底与所述下限制层之间的N型氮化镓材料层。
10.一种如权利要求1至9任一项所述的半导体激光器的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次叠层制备下限制层、下波导层、空穴阻挡层、量子阱有源区、上波导层以及上限制层。