1.一种阵列基板，其包括基板、设置于基板上的多个第一薄膜晶体管、多个第二薄膜晶体管以及多个第三薄膜晶体管，其特征在于：第一薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管包括依次设置于基板上的第一半导体层、第一栅极绝缘层、第一栅极、第一介电层、以及第二介电层；第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管为金属氧化物薄膜晶体管；第二薄膜晶体管包括依次设置于基板上的第二半导体层、第二栅极绝缘层、第二栅极、第三介电层、以及第三半导体层；第三薄膜晶体管包括依次设置于基板上的第三栅极绝缘层、第三栅极、第四介电层以及第四半导体层，该第一介电层的材质为氮化硅，该第二介电层、第三介电层和第四介电层的材质均为氧化硅。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：该第一半导体层为多晶硅层，其包括两个第一掺杂区域、两个第二掺杂区域以及非掺杂区域，该两个第二掺杂区域对称设置于非掺杂区域的相对两侧，该两个第一掺杂区域对称设置于非掺杂区域的相对两侧，第一掺杂区域的掺杂浓度大于第二掺杂区域的掺杂浓度；该第二半导体层为掺杂的多晶硅层，该第三半导体层和第四半导体层的材质均为金属氧化物半导体。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于：该第一薄膜晶体管还包括第一源极和第一漏极，该第一源极和第一漏极形成在第二介电层上且位于该第一栅极的相对两端，且经由穿过第一介电层、第二介电层以及第一栅极绝缘层的过孔与第一半导体层电性连接；该第二薄膜晶体管还包括第二源极以及第二漏极，该第二源极与第二漏极形成在该第三介电层上且对称设置于第三半导体的相对两侧，且该第二源极经由穿过第三介电层以及第二栅极绝缘层的过孔与第二半导体层电性连接；该第三薄膜晶体管还包括第三源极以及第三漏极，第三源极与第三漏极形成在该第四介电层上且对称设置于第二半导体相对两侧。
4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于：第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层以及第三栅极绝缘层相互连接且一体成型，第二介电层、第三介电层以及第四介电层相互连接且一体成型。
5.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于：所述阵列基板还包括平坦层、电极层、发光定义层以及至少两个间隔物，平坦层覆盖第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管以及第三薄膜晶体管；电极层形成于平坦层上且穿过平坦层与第二源极电性连接；发光定义层形成于平坦层上，用于界定像素单元的发光区域；间隔物垂直设置于发光定义层上。
6.一种应用权利要求1-5中任意一项所述阵列基板的显示装置。
7.一种阵列基板的制备方法，其包括如下步骤：
提供一基板，在基板上形成多晶硅半导体层；
对多晶硅层进行掺杂，并图案化多晶硅层以形成第一半导体层和第二半导体层；
对第一半导体层进行掺杂以形成两个间隔设置的第一掺杂区域；
在基板上形成第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层以及第三栅极绝缘层，并在第一栅极绝缘层上形成第一栅极，在第二栅极绝缘层上形成第二栅极，并在第三栅极绝缘层上形成第三栅极；
对第一半导体层进行掺杂以形成两个间隔设置的第二掺杂区域以及非掺杂区域；
仅在第一栅极绝缘层上形成第一介电层，该第一介电层的材质为氮化硅；
在第一介电层、第二栅极绝缘层以及第三栅极绝缘层上形成第二介电层、第三介电层以及第四介电层，该第二介电层、第三介电层以及第四介电层的材质均为氧化硅；
在第三介电层以及第四介电层上分别沉积形成第三半导体层和第四半导体层，该第三半导体层和第四半导体层的材质均为金属氧化物半导体；
在与第一掺杂区域对应处开设第一过孔及第二过孔贯穿第二介电层、第一介电层以及第一栅极绝缘层，在第二半导体层对应的位置处分别开设第三过孔和第四过孔，第三过孔贯穿第三介电层和第二栅极绝缘层，第四过孔贯穿第三介电层；
在在第二介电层上且在第一过孔和第二过孔中分别形成第一源极和第一漏极，在第三介电层上且在第三过孔中形成第二源极和在第三介电层上形成第二漏极，在第四介电层上且在第四过孔中形成第三源极和在第四介电上形成第三漏极。
8.如权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于：所述方法还包括在第二介电层、第三介电层、第四介电层上形成平坦层的步骤。
9.如权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于：所述方法还包括在平坦层上形成电极层与第二源极电性连接；在平坦层上形成发光定义层，并在发光定义层上形成至少两个间隔物的步骤。
10.如权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于：仅在第一栅极绝缘层上形成该第一介电层的步骤为将氮化硅材料覆盖在第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层以及第三栅极绝缘层上；并利用一光罩移除位于第二栅极绝缘层以及第三栅极绝缘层上的第一介电材料，以形成仅覆盖第一栅极的第一介电层。