1.一种垂直结构GaN基增强型场效应晶体管的制造方法，包括以下步骤：
A）依次在衬底（1）上生长缓冲层（2）、i-GaN外延层（3）、n-AlGaN层（4）、n-AlN层（5）；
B）在n-AlN层（5）上淀积一层介质掩蔽膜，光刻并通过腐蚀方法去除部分掩蔽膜，然后对未掩蔽区域进行选择性氧化，形成氧化层（6），再去除剩余介质掩蔽膜；
C）在n-AlN层（5）及其氧化层（6）上二次外延生长i-GaN层（7）与AlGaN层（8），形成AlGaN/GaN异质结；
D）对n型AlN导电层（5）上方的AlGaN/GaN异质结进行等离子刻蚀，刻蚀深度进入i-GaN再生长层（7），形成凹槽结构；
E）在AlGaN再生长层（7）与凹槽结构区域制作氧化层（8）；
F）光刻漏极区域图形，然后选择性刻蚀半导体至n-AlGaN层（4）;
G）光刻源极与漏极区域图形，并通过湿法腐蚀去除源极区域氧化层，然后通过电子束蒸发金属制作源极（10）与漏极（11），并合金形成欧姆接触；
H）再次光刻栅极区域图形后蒸镀金属形成栅极（12）。
2.根据权利要求1所述的垂直结构GaN基增强型场效应晶体管的制作方法，其特征在于：步骤C中，在n-AlN层及其氧化层上二次外延生长的材料为含i-GaN层的GaN基单结或多结型异质结、或者为含i-GaN层与n型重掺杂GaN层构成的同质结。
3. 根据权利要求1所述的垂直结构GaN基增强型场效应晶体管的制作方法，其特征在于：步骤G中，通过蒸镀形成源极（10）与漏极（11），它们材质为Ti/Al/Ni/Au、 Ti/Al/Pt/Au或Ti/Al/Mo/Au。
4.根据权利要求1所述的垂直结构GaN基增强型场效应晶体管的制作方法，其特征在于：步骤H中，所述栅极（12）金属为Ni/Au、Pt/Au或Pd/Au。