技术总结
本发明公开了一种垂直结构GaN基增强型场效应晶体管及其制造方法。该器件包括衬底层（1）、缓冲层（2）、非故意掺杂GaN（i‑GaN）外延层（3）、n型AlGaN外延层（4）、n型AlN导电层（5）与n型AlN氧化隔离层（6）、i‑GaN再生长层（7）、AlGaN再生长层（8）、栅极氧化层（9）、设置于（8）上的源极（10）、设置于（4）上的漏极（11）、设置于（9）上的栅极（12）。器件工作时，漏极电流须经过未氧化的n型AlN导电层流向源极，形成垂直导电结构的增强型器件。本发明具有击穿电压高、输出电流密度大、漏电流小等优点，适合于高功率电力电子领域应用。
技术研发人员：文于华;刘阳
受保护的技术使用者：湖南理工学院
文档号码：201610366645
技术研发日：2016.05.30
技术公布日：2017.02.22