一种功率器件芯片的稳定化上芯方法与流程

技术特征：

1.一种功率器件芯片的稳定化上芯方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

A、在氢氮混合气体的保护下，使需要上芯的铜框架(1)先经过上芯工序加热轨道中的预热区进行预加热处理，使铜框架(1)经过预热区后的温度升温至320℃～350℃；

B、经过预热区后，再使铜框架(1)进入点焊区进行点焊处理，使在铜框架(1)的焊盘(12)上形成锡球；

C、点焊完成后，再使铜框架(1)进入压模区对锡球进行整形，使锡球铺开在铜框架(1)的焊盘(12)上；

D、然后进入焊接区将芯片(2)放置在相应的锡球上进行焊接，使芯片(2)的背面焊接在焊盘(12)上；

E、焊接完成后进入后加热区进行加热处理后，且使后加热区的温度设定在180℃～200℃，然后再进入冷却区进行冷却处理后，完成功率器件芯片的上芯。

2.根据权利要求1所述功率器件芯片的稳定化上芯方法，其特征在于，步骤A中所述预热区依次包括第一预热区、第二预热区和第三预热区，且所述第一预热区的温度设定为220℃～240℃；所述第二预热区的温度设定为260℃～280℃；所述第三预热区的温度设定为320℃～340℃。

3.根据权利要求2所述功率器件芯片的稳定化上芯方法，其特征在于，步骤A中所述铜框架(1)经过预热区的时间为450ms～550ms。

4.根据权利要求1所述功率器件芯片的稳定化上芯方法，其特征在于，步骤D中所述芯片(2)的边长延长线与焊盘(12)上相对应的边形成的夹角角度为10゜～15゜。

5.根据权利要求1或4所述功率器件芯片的稳定化上芯方法，其特征在于，所述芯片(2)正面上最高点与焊盘(12)表面之间的距离和芯片(2)正面上的最低点与焊盘(12)表面之间的距离差≤50μm。

6.根据权利要求1或4所述功率器件芯片的稳定化上芯方法，其特征在于，步聚E中所述冷却区依次包括第一冷却区、第二冷却区和第三冷却区，且所述第一冷却区的温度设定为155℃～165℃；所述第二冷却区的温度设定为135℃～145℃；所述第三冷却区的温度设定为100℃～120℃。

7.根据权利要求1所述功率器件芯片的稳定化上芯方法，其特征在于，步骤B中所述点焊区的温度设定为360℃～390℃。

8.根据权利要求1所述功率器件芯片的稳定化上芯方法，其特征在于，步骤C中所述压模区的温度设定为360℃～390℃。

9.根据权利要求1所述功率器件芯片的稳定化上芯方法，其特征在于，步骤D中所述焊接区的温度设定为360℃～390℃。