本发明涉及电子元器件制作
技术领域：
，特别是涉及一种薄膜电容器的制备方法。
背景技术：
：电容器依着介质的不同，它的种类很多，例如:电解质电容、纸质电容、薄膜电容、陶瓷电容、云母电容、空气电容等。但是在音响器材中使用最频繁的，当属电解电容器和薄膜(Film)电容器。电解电容大多被使用在需要电容量很大的地方，例如主电源部分的滤波电容，除了滤波之外，并兼做储存电能之用。而薄膜电容则广泛被使用在模拟信号的交连，电源噪声的旁路(反交连)等地方。薄膜电容器由于具有很多优良的特性，因此是一种性能优秀的电容器。它的主要等性如下:无极性，绝缘阻抗很高，频率特性优异(频率响应宽广)，而且介质损失很小。基于以上的优点，所以薄膜电容器被大量使用在模拟电路上。尤其是在信号交连的部份，必须使用频率特性良好，介质损失极低的电容器，方能确保信号在传送时，不致有太大的失真情形发生。技术实现要素：本发明提供了一种薄膜电容器的制备方法，包括配料、球磨、筛选、造粒、压制成型、烧结和冷却。一种薄膜电容器的制备方法，包括蒸镀金属层、溅射法制备电极和升温/退火处理，薄膜电容器的制备方法如下：（1）蒸镀金属层：在绝缘体薄膜表面蒸镀一层金属薄膜，并绕卷为薄膜卷；（2）溅射法制备电极层：将薄膜卷放置在旋转绕驱架上放进真空腔室，并对真空腔室进行抽真空，采用离子溅射法制备电极层，并利用激光刻蚀获得图案化电极图层；（3）升温/退火处理：将薄膜电容器放入电阻炉，在通入保护气体的环境下进行逐级升温处理，然后，再进行退火处理，待温度达到常温时，再将薄膜电容器从旋转绕驱架上的取出，分切成薄膜电容所需的薄膜带。优选的，所述步骤（1）中金属薄膜的金属包括Ni、Ag、Cu、Ti、Au或Pt的纯金属或其复合金属。优选的，所述步骤（2）中真空腔室内的真空度为105-100Pa。优选的，所述步骤（2）中电极层厚度为10-30nm。优选的，所述步骤（3）中升温温度为600-800℃，保温时间为30-60min；退火温度为90-100℃，时间为200-210min。优选的，所述步骤（3）中保护气体为Ne、Xe、Ar或者它们的混合气体。有益效果：本发明提供了一种薄膜电容器的制备方法，涉及电子元器件制作
技术领域：
，包括蒸镀金属层、溅射法制备电极层和升温/退火处理，在绝缘体薄膜表面蒸镀一层金属薄膜，并绕卷为薄膜卷；将薄膜卷放置在旋转绕驱架上放进真空腔室，并对真空腔室进行抽真空，采用离子溅射法制备电极层，并利用激光刻蚀获得图案化电极图层；将薄膜电容器放入电阻炉，在通入保护气体的环境下进行逐级升温处理，然后，再进行退火处理，待温度达到常温时，再将薄膜电容器从旋转绕驱架上的取出，分切成薄膜电容所需的薄膜带。本发明工艺简单、易于工业化的特点，实际生产成本较小，这种方法制备的薄膜电容器具有较高的抗氧化性和延展性，同时还具有较大电容量，满足产品轻量化的要求。具体实施方式为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。实施例1：一种薄膜电容器的制备方法，包括蒸镀金属层、溅射法制备电极和升温/退火处理，薄膜电容器的制备方法如下：（1）蒸镀金属层：在绝缘体薄膜表面蒸镀一层金属薄膜，并绕卷为薄膜卷；（2）溅射法制备电极层：将薄膜卷放置在旋转绕驱架上放进真空腔室，并对真空腔室进行抽真空，采用离子溅射法制备电极层，并利用激光刻蚀获得图案化电极图层；（3）升温/退火处理：将薄膜电容器放入电阻炉，在通入保护气体的环境下进行逐级升温处理，然后，再进行退火处理，待温度达到常温时，再将薄膜电容器从旋转绕驱架上的取出，分切成薄膜电容所需的薄膜带。其中，所述步骤（1）中金属薄膜的金属包括Ni、Ag、Cu、Ti、Au或Pt的纯金属或其复合金属；所述步骤（2）中真空腔室内的真空度为10Pa；所述步骤（2）中电极层厚度为10nm；所述步骤（3）中升温温度为600℃，保温时间为30min；退火温度为90℃，时间为200min；所述步骤（3）中保护气体为Ne。实施例2：一种薄膜电容器的制备方法，包括蒸镀金属层、溅射法制备电极和升温/退火处理，薄膜电容器的制备方法如下：（1）蒸镀金属层：在绝缘体薄膜表面蒸镀一层金属薄膜，并绕卷为薄膜卷；（2）溅射法制备电极层：将薄膜卷放置在旋转绕驱架上放进真空腔室，并对真空腔室进行抽真空，采用离子溅射法制备电极层，并利用激光刻蚀获得图案化电极图层；（3）升温/退火处理：将薄膜电容器放入电阻炉，在通入保护气体的环境下进行逐级升温处理，然后，再进行退火处理，待温度达到常温时，再将薄膜电容器从旋转绕驱架上的取出，分切成薄膜电容所需的薄膜带。其中，所述步骤（1）中金属薄膜的金属包括Ni、Ag、Cu、Ti、Au或Pt的纯金属或其复合金属；所述步骤（2）中真空腔室内的真空度为1000Pa；所述步骤（2）中电极层厚度为10nm；所述步骤（3）中升温温度为700℃，保温时间为50min；退火温度为95℃，时间为205min；所述步骤（3）中保护气体为Xe。实施例3：一种薄膜电容器的制备方法，包括蒸镀金属层、溅射法制备电极和升温/退火处理，薄膜电容器的制备方法如下：（1）蒸镀金属层：在绝缘体薄膜表面蒸镀一层金属薄膜，并绕卷为薄膜卷；（2）溅射法制备电极层：将薄膜卷放置在旋转绕驱架上放进真空腔室，并对真空腔室进行抽真空，采用离子溅射法制备电极层，并利用激光刻蚀获得图案化电极图层；（3）升温/退火处理：将薄膜电容器放入电阻炉，在通入保护气体的环境下进行逐级升温处理，然后，再进行退火处理，待温度达到常温时，再将薄膜电容器从旋转绕驱架上的取出，分切成薄膜电容所需的薄膜带。其中，所述步骤（1）中金属薄膜的金属包括Ni、Ag、Cu、Ti、Au或Pt的纯金属或其复合金属；所述步骤（2）中真空腔室内的真空度为100Pa；所述步骤（2）中电极层厚度为30nm；所述步骤（3）中升温温度为800℃，保温时间为60min；退火温度为100℃，时间为210min；所述步骤（3）中保护气体为Ne和Ar的混合气体。抗氧化性延展性电容量实施例190%80%73%实施例298%95%88%实施例385%90%76%现有的技术参数75%78%66%根据上述表格数据可知，实施例2中采用本发明薄膜电容器的制备工艺和现有的技术参数比较，具有较高的抗氧化性和延展性，同时还具有较大电容量，满足产品轻量化的要求。本发明提供了一种薄膜电容器的制备方法，涉及电子元器件制作
技术领域：
，包括蒸镀金属层、溅射法制备电极层和升温/退火处理，在绝缘体薄膜表面蒸镀一层金属薄膜，并绕卷为薄膜卷；将薄膜卷放置在旋转绕驱架上放进真空腔室，并对真空腔室进行抽真空，采用离子溅射法制备电极层，并利用激光刻蚀获得图案化电极图层；将薄膜电容器放入电阻炉，在通入保护气体的环境下进行逐级升温处理，然后，再进行退火处理，待温度达到常温时，再将薄膜电容器从旋转绕驱架上的取出，分切成薄膜电容所需的薄膜带。本发明工艺简单、易于工业化的特点，实际生产成本较小，这种方法制备的薄膜电容器具有较高的抗氧化性和延展性，同时还具有较大电容量，满足产品轻量化的要求。以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的
技术领域：
，均同理包括在本发明的专利保护范围内。当前第1页1 2 3