1.一种光电子半导体芯片(10)，包括由半导体材料制成的半导体本体(1)、p型接触层(21a)和n型接触层(2)，其中
-所述半导体本体(1)具有设为用于产生辐射的有源层(1a)，
-所述半导体本体(1)具有p型侧(1c)和n型侧(1b)，在所述p型侧和所述n型侧之间设置有所述有源层(1a)，
-所述p型接触层(21a)设为用于电接触所述半导体本体(1)的所述p型侧(1c)，
-所述n型接触层(2)设为用于电接触所述半导体本体(1)的所述n型侧(1b)，
-所述n型接触层(2)包含TCO层(2a)和镜面层(2b)，其中所述TCO层(2a)设置在所述半导体本体(1)的所述n型侧(1b)和所述镜面层(2b)之间，
-所述n型接触层(2)借助于穿通部(22)穿过所述p型接触层(21a)并且穿过所述半导体本体(1)的所述p型侧(1c)被引导到所述n型侧(1b)，并且
-所述TCO层(2a)在所述穿通部(22)中设置在所述半导体本体(1)的所述n型侧(1b)和所述镜面层(2b)之间。
2.一种光电子半导体芯片(10)，包括由半导体材料制成的半导体本体(1)、p型接触层(21a)和n型接触层(2)，其中
-所述半导体本体(1)具有设为用于产生辐射的有源层(1a)，
-所述半导体本体(1)具有p型侧(1c)和n型侧(1b)，在所述p型侧和所述n型侧之间设置有所述有源层(1a)，
-所述p型接触层(21a)设为用于电接触所述半导体本体(1)的所述p型侧(1c)，
-所述n型接触层(2)设为用于电接触所述半导体本体(1)的所述n型侧(1b)，以及
-所述n型接触层(2)包含TCO层(2a)和镜面层(2b)，其中所述TCO层(2a)设置在所述半导体本体(1)的所述n型侧(1b)和所述镜面层(2b)之间，以及
-所述镜面层(2b)包含银。
3.根据权利要求1所述的光电子半导体芯片，其中
所述镜面层(2b)包含银。
4.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，其中
所述p型接触层(21a)和所述n型接触层(2)设置在所述半导体本体(1)的同一侧上。
5.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，其中
-所述p型接触层(21a)直接邻接于所述半导体本体(1)的所述p型侧(1c)，
-所述n型接触层(2)设置在所述p型接触层(21a)的背离所述半导体本体(1)的侧上，以及
-在所述p型接触层(21a)和所述n型接触层(2)之间设置有电绝缘层(3)。
6.根据权利要求2所述的光电子半导体芯片，其中
所述n型接触层(2)借助于穿通部(22)穿过所述p型接触层(21a)并且穿过所述半导体本体(1)的所述p型侧(1c)被引导到所述n型侧(1b)。
7.根据权利要求1或6所述的光电子半导体芯片，其中
-所述镜面层(2b)被引导穿过所述穿通部(22)，以及
-所述TCO层(2a)设置在所述穿通部(22)上。
8.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，其中
所述TCO层(2a)包含ZnO或ITO。
9.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，其中
所述TCO层(2a)具有大于0.5nm的厚度。
10.根据权利要求9所述的光电子半导体芯片，其中
所述TCO层(2a)具有位于15nm和25nm之间的范围中的厚度，其中包括边界值。
11.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，其中
所述半导体本体(1)具有倾斜的侧面(11)。
12.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，其中
所述半导体本体(1)基于GaN。
13.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，其中
所述有源层具有用于在紫外、可见光或红外光谱范围中产生辐射的III/V半导体材料。
14.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，其中
所述半导体芯片具有多个穿通部，所述n型接触层被引导穿过所述穿通部。
15.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，其中
在所述镜面层与所述半导体本体之间不构成直接接触。